GB/T 22453-2008硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件質(zhì)量測(cè)試方法

犐犆犛１７．１８０

犃６０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２２４５３—２００８

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件

質(zhì)量測(cè)試方法

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２００８１００７發(fā)布２００９０４０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅／犜２２４５３—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)光輻射安全和激光設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２８４）提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所、福建光電子材料工程技術(shù)研究中心和福建福晶

科技股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：蘭國(guó)政、吳少凡、林文雄、謝發(fā)利、吳季、李雄。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜２２４５３—２００８

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件

質(zhì)量測(cè)試方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件低溫相偏硼酸鋇（βＢａＢ２Ｏ４，簡(jiǎn)稱(chēng)ＢＢＯ）和三硼酸鋰

（ＬｉＢ３Ｏ５，簡(jiǎn)稱(chēng)ＬＢＯ）的質(zhì)量測(cè)試方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于ＢＢＯ和ＬＢＯ單晶元件。能滿(mǎn)足本標(biāo)準(zhǔn)要求的其他硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件也可

參照使用。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１１２９７．１—２００２激光棒波前畸變的測(cè)量方法

ＧＢ／Ｔ１６６０１—１９９６光學(xué)表面激光損傷閾值測(cè)試方法第１部分：１對(duì)１測(cè)試（ｅｑｖＩＳＯ／

ＤＩＳ１１２５４１．２：１９９５）

ＪＢ／Ｔ９４９５．３—１９９９光學(xué)晶體透過(guò)率測(cè)量方法

３主要測(cè)試項(xiàng)目

３．１物理性能

散射、光學(xué)不均勻性、特定波長(zhǎng)吸收、倍頻轉(zhuǎn)換效率、激光損傷閾值、減反膜剩余反射率、波前畸變。

３．２加工質(zhì)量

尺寸公差、角度偏差、不平行度、不平面度、不垂直度、有效通光孔徑、表面疵病。

４測(cè)試的環(huán)境要求

潔凈等級(jí)：１００００級(jí)

溫度：（２３±２）℃

相對(duì)濕度：（５５±５）％

５測(cè)試方法

５．１散射

５．１．１測(cè)試原理

利用單晶元件內(nèi)部的包絡(luò)、氣泡等缺陷對(duì)激光束的散射作用，觀測(cè)單晶元件內(nèi)部質(zhì)量。當(dāng)激光通過(guò)

元件的光路被散射變粗或出現(xiàn)發(fā)散光，表明元件存在包絡(luò)、氣泡等缺陷。

５．１．２測(cè)試條件

樣品：?jiǎn)尉г募す馊肷涿?、出射面及觀測(cè)面拋光。

環(huán)境：在