標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 29844-2013 用于先進集成電路光刻工藝綜合評估的圖形規(guī)范》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為先進集成電路制造過程中使用的光刻技術(shù)提供一套統(tǒng)一的圖形設(shè)計和評價標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了圖形的設(shè)計原則、具體參數(shù)以及如何通過這些圖形來評估光刻工藝的質(zhì)量與性能。

首先，它定義了一系列測試圖形，包括但不限于線條/空間圖案、接觸孔陣列等，這些都是在實際生產(chǎn)中常用到的基本結(jié)構(gòu)元素。通過對這些特定圖形進行加工，并對其結(jié)果進行測量分析，可以有效反映光刻系統(tǒng)對于不同特征尺寸及形狀的處理能力。

其次，標(biāo)準(zhǔn)還詳細(xì)規(guī)定了每種類型圖形的具體要求，如最小線寬、間距比值等關(guān)鍵參數(shù)。這有助于確保所有參與方在同一基準(zhǔn)上工作，從而提高整個行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化水平和技術(shù)交流效率。

此外，《GB/T 29844-2013》也強調(diào)了對光刻工藝進行全面評估的重要性。除了考慮單一圖形的表現(xiàn)外，還需結(jié)合多種復(fù)雜度不同的圖形組合來進行整體考量，這樣才能更準(zhǔn)確地反映出光刻設(shè)備及其配套材料在整個芯片制造流程中的實際應(yīng)用效果。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-11-12 頒布
  • 2014-04-15 實施
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GB/T 29844-2013用于先進集成電路光刻工藝綜合評估的圖形規(guī)范_第1頁
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文檔簡介

ICS31030

L90.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29844—2013

用于先進集成電路光刻工藝綜合

評估的圖形規(guī)范

Specificationsformetrologypatternsforthe

evaluationofadvancedphotolithgraphy

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

用于先進集成電路光刻工藝綜合

評估的圖形規(guī)范

GB/T29844—2013

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書號

:155066·1-47943

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29844—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位上海華虹電子有限公司

:NEC。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王雷伍強朱駿陳寶欽

:、、、。

Ⅰ

GB/T29844—2013

用于先進集成電路光刻工藝綜合

評估的圖形規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于先進集成電路光刻工藝綜合評估的標(biāo)準(zhǔn)測試圖形單元的形狀一般尺寸以及推

、,

薦的布局和設(shè)計規(guī)則這些標(biāo)準(zhǔn)測試圖形包括可供光學(xué)顯微鏡和掃描電子顯微鏡用的各種圖形單元

,。

本標(biāo)準(zhǔn)適用集成電路的工藝常規(guī)掩模版光致抗蝕劑和光刻機的特征和能力作出評價及交替移相

、、

掩模版相位測量適用于線線等波長的光刻設(shè)備及相應(yīng)的光刻工藝

,g、i、KrF、ArF。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

用于集成電路制造技術(shù)的檢測圖形單元規(guī)范

GB/T16878—1997

微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語

SJ/T10584—1994

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T16878—1997SJ/T10584—1994。

31

.

掩模版誤差因子maskerrorfactorMEF

;

把掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上時硅片上圖形線寬對掩模版線寬的偏導(dǎo)數(shù)

,。

注影響掩模版誤差因子的因素有曝光條件光刻膠性能光刻機透鏡像差后烘溫度等對遠(yuǎn)大于曝光波長的圖

:、、、。

形掩模版誤差因子通常非常接近對接近或者小于波長的圖形掩模版誤差因子會顯著增加而使用交替

,1。,。

相移掩模版的線條光刻可以產(chǎn)生顯著小于的掩模板誤差因子在光學(xué)鄰近效應(yīng)校正中細(xì)小補償結(jié)構(gòu)附近會

1。

顯著小于

1。

32

.

移相掩模版phaseshiftmask

在光刻掩模的不同區(qū)域上制作出特定的光學(xué)厚度使得光透過不同區(qū)域產(chǎn)生相位差以達(dá)到提高成

,,

像對比度和光刻工藝窗口的掩模版

。

33

.

離軸照明off-axisillumination

為進一步提高投影光刻機的光刻分辨率讓照明光束以偏離透鏡對稱軸方向斜入射的照明方法

,。

34

.

光酸分子有效擴散長度effectivediffusionlengthofphoto-generatedacid

化學(xué)放大光致抗蝕劑在曝光后的烘烤過程中光酸分子在光致抗蝕劑聚合物中的隨機擴散形成的擴

散長度

。

35

.

交替移相掩模版alternatingphaseshiftingmask

由常規(guī)的透光區(qū)和能使光產(chǎn)生

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