標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 16878-1997 用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范》作為一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),為集成電路制造業(yè)中檢測(cè)圖形的單元提供了統(tǒng)一的技術(shù)要求和測(cè)試方法。然而,您提供的信息中并沒有直接給出另一個(gè)具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本以進(jìn)行詳細(xì)的變更對(duì)比。不過(guò),基于此類標(biāo)準(zhǔn)更新的一般趨勢(shì)和行業(yè)發(fā)展的需要,可以推測(cè)《GB/T 16878-1997》相比其前身或其他相關(guān)舊標(biāo)準(zhǔn),可能包含以下幾方面的變化:
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技術(shù)進(jìn)步的反映:隨著集成電路制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,新標(biāo)準(zhǔn)可能納入了更先進(jìn)的制程技術(shù)和材料的要求,以適應(yīng)更小線寬、更高集成度的芯片生產(chǎn)需求。
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檢測(cè)精度提升:為了滿足日益增長(zhǎng)的性能和可靠性要求,新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)檢測(cè)圖形單元的精度、分辨率及測(cè)量準(zhǔn)確性提出更嚴(yán)格的規(guī)定,確保檢測(cè)結(jié)果的可靠性和重復(fù)性。
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測(cè)試方法的更新:隨著新的檢測(cè)技術(shù)和設(shè)備的出現(xiàn),標(biāo)準(zhǔn)中可能會(huì)引入新的測(cè)試原理、方法或流程,以提高檢測(cè)效率和降低成本,同時(shí)保持或提高檢測(cè)質(zhì)量。
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標(biāo)準(zhǔn)化與兼容性:為了促進(jìn)國(guó)內(nèi)外技術(shù)交流與合作,新標(biāo)準(zhǔn)可能加強(qiáng)了與其他國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)一致,確保檢測(cè)結(jié)果的國(guó)際可比性和互認(rèn)性。
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環(huán)境保護(hù)與安全:隨著對(duì)環(huán)境保護(hù)和生產(chǎn)安全重視程度的提高,新標(biāo)準(zhǔn)還可能加入了關(guān)于使用環(huán)保材料、減少有害物質(zhì)排放以及安全生產(chǎn)操作的相關(guān)規(guī)定。
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術(shù)語(yǔ)與定義的完善:為了消除歧義,新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)相關(guān)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了重新定義或補(bǔ)充,使得標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容更加清晰、準(zhǔn)確,便于理解和執(zhí)行。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1997-06-20 頒布
- 1998-03-01 實(shí)施




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GB/T 16878-1997用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS31.200L97中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T16878-1997用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范Speeificationformetrologypatterncellsforintegratedcircuitmanufacture1997-06-20發(fā)布1998-03-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
CB/T16878-1997次前言1范圍…引用標(biāo)準(zhǔn)定義4要求應(yīng)用指南
GB/T16878-1997本標(biāo)準(zhǔn)等同采用1994年SEMI標(biāo)準(zhǔn)版本“微型構(gòu)圖"部分中的SEMIP19—92《用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范》(Specificationformetrologypatterncellsforintegratedeireuitmanufacture)。SEMI標(biāo)準(zhǔn)是國(guó)際上公認(rèn)的一套半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),SEMIP19-92《用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范》是其中的一項(xiàng),它將與已經(jīng)轉(zhuǎn)化的SEMIP1一92《硬面光掩?;濉?、SEMIP2一86《硬面光掩模用鉻薄膜》、SEMIP3一90《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子抗蝕劑》SEMIP4一92《圓形石英玻璃光掩?;濉稴EMIP6-88《光掩模定位標(biāo)記規(guī)范》及SEMIP21-92《拖模瞬光系統(tǒng)精蜜度和準(zhǔn)確度表示準(zhǔn)則》和SEMIP22-93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則》兩項(xiàng)SEMI標(biāo)準(zhǔn)形成一個(gè)微型構(gòu)圖標(biāo)準(zhǔn)系列。本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)SEMIP19—92《用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范》制定的。。在技術(shù)內(nèi)容上等同地采用了該國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)的格式和結(jié)構(gòu)按國(guó)標(biāo)GB/T1.1一1993第一單元第一部分的規(guī)定編制。本標(biāo)準(zhǔn)從1998年3月1日實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出。本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)科學(xué)院微電子中心、本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:陳寶欽、陳森錦、廖溫初
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范GB/T16878-1997Specificntionformetrologypaterncelsforintegratedcircuitmanufacture1范圍本規(guī)范規(guī)定若干種標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試圖形,用以對(duì)集成電路生產(chǎn)中所用的微圖形設(shè)備、計(jì)量?jī)x器和工藝進(jìn)行一致的全面評(píng)估和檢測(cè)。1.2本規(guī)范針對(duì)線寬計(jì)量、分辨率測(cè)試和鄰近效應(yīng)測(cè)試的需要,規(guī)定若干種基本測(cè)試圖形單元的形狀、一般尺寸、以及推薦的布局和設(shè)計(jì)規(guī)則。這些標(biāo)準(zhǔn)圖形包括可供光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡和電子探針測(cè)量用的各種圖形單元。1.3本規(guī)范不規(guī)定驗(yàn)證母版上測(cè)試圖形關(guān)鍵尺寸的測(cè)量技術(shù),也不規(guī)定如何測(cè)量大圓片上的光刻圖形,只規(guī)定若干種必要的基本測(cè)試圖形,以及用戶實(shí)施符合本規(guī)范的實(shí)際測(cè)試圖形。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文,通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí),所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂,使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。SJ/T10152—91集成電路主要工藝設(shè)備術(shù)語(yǔ)SJ/T10584-94微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語(yǔ)3定義3.1規(guī)范中所用術(shù)語(yǔ)的定義除下述修訂外,按SJ/T10152、SJ/T10584的規(guī)定,3.1.1線寬Iinewidth半導(dǎo)體工藝中,線寬是指一根圖形線條的某一垂直橫截面上的寬度,即以構(gòu)成線條的圖形層和下層之
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