標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 29850-2013 光伏電池用硅材料補(bǔ)償度測(cè)量方法》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了用于光伏電池生產(chǎn)的硅材料中補(bǔ)償度的測(cè)量方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅、多晶硅以及其他類型的硅材料，旨在通過(guò)科學(xué)的方法來(lái)評(píng)估這些材料內(nèi)部摻雜劑濃度與類型對(duì)材料電學(xué)性質(zhì)的影響。

首先，標(biāo)準(zhǔn)明確了補(bǔ)償度的概念，即在半導(dǎo)體材料中，當(dāng)存在兩種或多種不同類型的雜質(zhì)（一種為施主型，另一種為受主型）時(shí)，它們之間相互抵消作用的程度。這種補(bǔ)償作用會(huì)直接影響到最終產(chǎn)品的性能，如光電轉(zhuǎn)換效率等關(guān)鍵指標(biāo)。

接著，文件列出了進(jìn)行補(bǔ)償度測(cè)量所需的各種儀器設(shè)備及其技術(shù)要求，包括但不限于霍爾效應(yīng)測(cè)試儀、四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)等。同時(shí)，還提供了詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)步驟指導(dǎo)，從樣品準(zhǔn)備到數(shù)據(jù)處理的全過(guò)程都有覆蓋，確保了不同實(shí)驗(yàn)室之間結(jié)果的一致性和可比性。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-11-12 頒布
  • 2014-04-15 實(shí)施
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GB/T 29850-2013光伏電池用硅材料補(bǔ)償度測(cè)量方法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29850—2013

光伏電池用硅材料補(bǔ)償度測(cè)量方法

Testmethodformeasuringcompensationdegreeofsilicon

materialsusedforphotovoltaicapplications

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

光伏電池用硅材料補(bǔ)償度測(cè)量方法

GB/T29850—2013

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-48023

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29850—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院無(wú)錫尚德太

:、、

陽(yáng)能電力有限公司國(guó)家電子功能與輔助材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限

、、

公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人董顏輝何秀坤鄭彩萍裴會(huì)川馮亞彬路景剛張雪囡

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29850—2013

光伏電池用硅材料補(bǔ)償度測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了光伏電池用硅材料補(bǔ)償度的測(cè)量和分析方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于光伏電池用非摻雜硅材料補(bǔ)償度的測(cè)量和分析

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T4326

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

利用載流子濃度與溫度變化關(guān)系的電中性方程對(duì)nT-l關(guān)系曲線進(jìn)行計(jì)算機(jī)擬合分析從而

,(P)-,

得到補(bǔ)償度電中性方程以型樣品為例如式所示

。(N)(1):

nnNN-ET

+AC(/)

()=jk

NNn·…………()

D-A-gAexp1

其中N計(jì)算方法見(jiàn)式

C(2):

?m*T?3/2

N=?2πak÷

C2è2?…………(2)

h

電離化雜質(zhì)濃度關(guān)系見(jiàn)式

(3):

n=N-N

300DA…………(3)

由式式式利用最小二乘法原理并適當(dāng)調(diào)整gm*NNE個(gè)量作數(shù)據(jù)擬合得

(1)、(2)、(3),A、a、D、A、j5,

到補(bǔ)償度的表達(dá)式見(jiàn)式式

(4)、(5):

K=NN型

pD/A(P)…………(4)

K=NN型

NA/D(N)…………(5)

根據(jù)對(duì)樣品作變溫霍爾測(cè)量由式計(jì)算測(cè)試數(shù)據(jù)得到nT-1關(guān)系曲線

GB/T4326,,(6),-。

n=γR

/e·Η…………(6)

式式中

(1)~(6):

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