標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化鎵襯底》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，它針對用于LED外延生長的磷化鎵（GaP）襯底材料制定了詳細(xì)的技術(shù)要求和測試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于以磷化鎵作為基材生產(chǎn)的各種類型的LED外延片制造過程中的質(zhì)量控制。

標(biāo)準(zhǔn)首先定義了相關(guān)術(shù)語與定義，明確了“磷化鎵襯底”、“位錯密度”等專業(yè)詞匯的確切含義。接著，在技術(shù)要求部分，對磷化鎵襯底的關(guān)鍵性能指標(biāo)進(jìn)行了規(guī)定，包括但不限于尺寸精度、表面粗糙度、晶體完整性以及電學(xué)特性等方面的要求。例如，對于直徑小于等于兩英寸的圓片，其厚度偏差不應(yīng)超過±0.05mm；而直徑大于兩英寸但不超過四英寸時，則允許的最大厚度偏差放寬至±0.1mm。

此外，《GB/T 30855-2014》還列出了詳細(xì)的試驗方法來檢測上述各項指標(biāo)是否達(dá)標(biāo)。這些方法涵蓋了外觀檢查、幾何參數(shù)測量、X射線衍射分析等多個方面，確保能夠全面準(zhǔn)確地評估磷化鎵襯底的質(zhì)量狀況。通過采用標(biāo)準(zhǔn)化的測試流程，可以有效保證不同廠家生產(chǎn)的產(chǎn)品之間具有良好的可比性和一致性。

最后，該文件也提供了關(guān)于包裝、標(biāo)志及運輸?shù)确矫娴闹笇?dǎo)原則，旨在保護(hù)產(chǎn)品在整個供應(yīng)鏈過程中免受損害，并便于用戶識別和使用。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-04-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30855—2014

LED外延芯片用磷化鎵襯底

GaPsubstratesforLEDepitaxialchips

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T30855—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會及材料分技術(shù)委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所有研光電新材料有限公司云南中科鑫圓晶體材

:、、

料有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人趙有文提劉旺林泉惠峰趙堅強(qiáng)

:、、、、。

Ⅰ

GB/T30855—2014

LED外延芯片用磷化鎵襯底

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了外延芯片用磷化鎵單晶襯底片以下簡稱襯底的要求檢驗方法以及標(biāo)志包

LED()、、

裝運輸儲存質(zhì)量證明書與訂貨單或合同內(nèi)容

、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于外延芯片的磷化鎵單晶襯底

LED。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲運圖示標(biāo)志

GB/T191

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號表示方法

GB/T14844

磷化鎵單晶片規(guī)范

GJB3076—1997

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41分類

.

磷化鎵襯底按導(dǎo)電類型分為型和型兩種類型

np。

42牌號

.

磷化鎵襯底牌號

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