標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 30860-2014 太陽(yáng)能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測(cè)試方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中使用的硅片進(jìn)行表面質(zhì)量評(píng)估。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于測(cè)量硅片表面粗糙度以及檢測(cè)切割過程中產(chǎn)生的線痕的具體方法和技術(shù)要求。

標(biāo)準(zhǔn)首先定義了幾個(gè)關(guān)鍵術(shù)語，包括但不限于“表面粗糙度”、“切割線痕”，明確了這些概念在具體應(yīng)用中的含義。對(duì)于表面粗糙度的測(cè)定，推薦使用觸針式輪廓儀作為主要工具，并詳細(xì)描述了從樣品準(zhǔn)備到數(shù)據(jù)采集、處理直至結(jié)果報(bào)告的全過程步驟。同時(shí)，還指定了不同類型的硅片（如單晶硅、多晶硅）應(yīng)采用的不同參數(shù)設(shè)置。

關(guān)于切割線痕的測(cè)試，則是通過光學(xué)顯微鏡或掃描電子顯微鏡等手段來實(shí)現(xiàn)的。標(biāo)準(zhǔn)給出了如何選擇合適的放大倍率、觀察區(qū)域大小等指導(dǎo)性意見，同時(shí)也提供了記錄和量化線痕特征的方法，比如長(zhǎng)度、寬度、深度等指標(biāo)。


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....

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  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-04-01 實(shí)施
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GB/T 30860-2014太陽(yáng)能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測(cè)試方法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30860—2014

太陽(yáng)能電池用硅片表面粗糙度及

切割線痕測(cè)試方法

Testmethodsforsurfaceroughnessandsawmarkofsiliconwafersforsolarcells

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30860—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所瑟米萊伯貿(mào)易上海有限公司江蘇協(xié)

:、()、

鑫硅材料科技發(fā)展有限公司有研半導(dǎo)體材料股份有限公司特變電工新疆新能源股份有限公司洛陽(yáng)

、、、

鴻泰半導(dǎo)體有限公司連云港國(guó)家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人徐自亮任皓陳佳洵李銳孫燕熊金杰楊素心蔣建國(guó)王麗華薛抗美

:、、、、、、、、、、

黃黎

。

Ⅰ

GB/T30860—2014

太陽(yáng)能電池用硅片表面粗糙度及

切割線痕測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片以下簡(jiǎn)稱硅片的表面粗糙度及切割線痕的接觸式或非接觸式輪

()

廓測(cè)試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于通過線切工藝加工生產(chǎn)的單晶和多晶硅片如果需要適用于其他產(chǎn)品則需相關(guān)各

。,

方協(xié)商同意

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值

GB/T1031(GPS)

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T3505(GPS)、

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法評(píng)定表面結(jié)構(gòu)的規(guī)則和方法

GB/T10610(GPS)

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法相位修正濾波器的計(jì)量特性

GB/T18777(GPS)

太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片

GB/T26071

所有部分產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范濾波

GB/Z26958()(GPS)

太陽(yáng)電池用多晶硅片

GB/T29055

硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

GB/T29505

太陽(yáng)能電池用硅片翹曲度和波紋度測(cè)試方法

GB/T30859

3術(shù)語和定義

和

GB/T1031、GB/T3505、GB/T10610、GB/T14264、GB/T18777、GB/T26071、GB/T29055

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/Z26958。

4方法原理

41表面粗糙度

.

411一般認(rèn)為硅片表面粗糙度是硅片表面空域波長(zhǎng)小于的硅片表面變化測(cè)量采用各種接

..0.5mm,

觸式或非接觸式技術(shù)的探頭在硅片表面最粗糙的單個(gè)或多個(gè)區(qū)域或者某些規(guī)定的區(qū)域沿一定的掃

,,,

描路徑進(jìn)行掃描得到硅片表面輪廓進(jìn)一步提取出粗糙度輪廓最后計(jì)算出硅片表面粗糙度值

,,,。

412表征硅片表面粗糙度的參數(shù)推薦使用粗糙度輪廓算術(shù)平均偏差Ra粗糙度輪廓最大高度Rz

..、、

粗糙度輪廓均方根R粗糙度輪廓單元平均寬度Rsm如有必要也可采用其他參數(shù)更詳細(xì)的信息

q、。。

可參見

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