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  • 2018-06-07 頒布
  • 2019-01-01 實(shí)施
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GB/T 36359-2018半導(dǎo)體光電子器件小功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范_第1頁
GB/T 36359-2018半導(dǎo)體光電子器件小功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范_第2頁
GB/T 36359-2018半導(dǎo)體光電子器件小功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范_第3頁
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31260

L53.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36359—2018

半導(dǎo)體光電子器件

小功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

Semiconductoroptoelectronicdevices—

Blankdetailspecificationforlowerpowerlight-emittingdiodes

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T36359—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所國家半導(dǎo)體器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心中國

:、、

電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張瑞霞趙敏黃杰彭浩趙英劉秀娟張晨朝劉東月

:、、、、、、、。

GB/T36359—2018

半導(dǎo)體光電子器件

小功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

引言

本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體光電子器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一

。

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要求資料

下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中

,。

詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別

:

授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱

[1]。

詳細(xì)規(guī)范號(hào)

[2]IECQ。

總規(guī)范和分規(guī)范的版本號(hào)和標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

[3]。

詳細(xì)規(guī)范的國家編號(hào)發(fā)布日期及國家標(biāo)準(zhǔn)體系要求的任何更詳細(xì)的資料

[4]、。

器件的識(shí)別

:

主要功能和型號(hào)

[5]。

典型結(jié)構(gòu)材料主要工藝和封裝的資料如果一種器件有幾種派生的產(chǎn)品那些不同點(diǎn)應(yīng)

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