等離子體隱身技術淺議-哈工大-光電對抗及全景偵察讀書報告

等離子體隱身技術淺議全景偵察及光電對抗技術讀書報告主講人:

目錄content選題意義(引言)1技術前提2技術詳細分析3對抗技術4總結與展望5部分參考文獻6Page03091521231選題的意義1選題意義(引言)隨著軍事技術快速發(fā)展機艦毫米波、激光、X波段等雷達技術的成熟博弈偵察反偵察隱身技術傳統(tǒng)隱身技術犧牲氣動性能有一定發(fā)現(xiàn)幾率等離子體隱身技術2雷達機艦雷達博弈對抗學以致用為國效力重要性有力武器和保障3優(yōu)點眾多難于發(fā)現(xiàn)技術先進探索性強國內(nèi)起步空間廣闊1選題的意義2技術前提4等離子體產(chǎn)生5原子-+大量原子物質(zhì)的第四種狀態(tài)等離子體狀態(tài)氣體放電法光電離法和激光輻射電離射線輻照法燃燒法

等離子體產(chǎn)生6

等離子體(電漿)

隱身技術7精心設計武器外形采用吸波透波材料電子措施降低截面等離子體隱身技術減少回波特征信號99%1選題的意義2技術提3技術詳細分析前8等離子體隱身技術原理9宏觀電中性電的良導體等離子體能有效吸收電磁波正常吸收(微觀)反常吸收(宏觀)衰變模及振蕩雙流不穩(wěn)定性吸收雙等離子模不穩(wěn)定性吸收共振吸收受激喇曼散射和受激布里淵散射電子對電磁波的碰撞吸收電磁波與等離子體形成等離子體波動等離子體對電磁波的吸收作用

等離子體隱身技術原理10

電子等離子體頻率

電子朗繆爾頻率即等離子體頻率等離子體對電磁波的折射作用電子對電磁波的碰撞吸收電磁波與等離子體形成等離子體波動臨界密度

等離子體等效相對介電常數(shù)

等效折射率電磁波在等離子體表面發(fā)生全反射電磁波在等離子表面處發(fā)生折射

等離子體隱身關鍵技術11等離子外殼磁化等離子體的法拉第旋轉等效應對電磁波的調(diào)制等離子體的診斷技術等離子體與電磁波相互作用的理論研究RCS的理論計算方法研究有關等離子體氣動光學效應和通信中斷等問題的研究等離子體發(fā)生器的研制，包括等離子體產(chǎn)生及控制技術等離子體發(fā)生器與飛行器一體化設計和研制等離子體發(fā)生器與飛行器兼容性理論計算和實驗研究12等離子隱身技術的特點1301優(yōu)點

變被動為主動,隱身系統(tǒng)便于維護

不需改變氣動外形,不影響機動性能

吸波頻帶寬,吸收率高,隱身效果好

使用簡便,使用時間長,價格極其便宜等離子隱身技術的特點14

02缺點

等離子體發(fā)生器部位無法隱身,效果差

對電源功率要求較高

存在腐蝕和電磁兼容的問題各國等離子體隱身技術發(fā)展現(xiàn)狀20世紀60年代開始進行等離子體吸收電磁波的性能研究80年代初最早開始進行等離子體實驗1999年初研制成功新機理飛行器隱身系統(tǒng)現(xiàn)正在研制的第三代等離子體隱身系統(tǒng)，可能是利用靜電能來減小雷達散射截面積俄羅斯美國澳大利亞法國20世紀90年代建立實驗室，進行兩個階段的研究，取得重要進展1992年研究出衰減達100dB的隱身技術1997年發(fā)表等離子體隱身天線理論，2005年研制成功等離子體雷達理論技術日益成熟最近研制出一種等離子體無線電隱身天線正在研究等離子體天線噪聲特性采用等離子體平面天線替代傳統(tǒng)的平板式和拋物面天線研制成了全隱身的等離子體雷達天線正在進行等離子體技術對飛機隱身特性的影響的研究,其目前關注的是尾噴管裝置的隱身151選題的意義2技術前提3技術詳細分析4對抗技術16反等離子體隱身技術17從等離子體隱身的原理上分析從等離子體發(fā)生的原理上分析從目標的通訊來分析從探測系統(tǒng)來分析

從等離子體隱身的原理上來分析18目標采用等離子體發(fā)生器來生成等離子體,發(fā)生器部位將無法隱身采用多基地雷達或無源雷達的合理部署,將可能利用這個部位散射的電磁波而發(fā)現(xiàn)目標從等離子體發(fā)生的原理上分析19部署一定數(shù)目無源雷達接收目標的通信、導航、敵我識別、雷達及電子干擾機等電子設備輻射出的電磁信號無源雷達對電視、調(diào)頻廣播訊號的擾動情況進行連續(xù)的偵測,推測出隱身目標從目標的通訊來分析20光電探測設備比常用的雷達工作頻段要高得多,等離子體對可見光的吸收非常小,因此可探測等離子體隱身目標選擇非電磁雷達探測手段,如紅外探測發(fā)現(xiàn)目標從探測系統(tǒng)來分析211選題的意義2技術前提3詳細技術分析4對抗技術5總結與展望22總結前景廣闊影響深遠促進高頻率雷達發(fā)展技術并不成熟優(yōu)勢明顯,缺點也很多更高的衰減更寬的頻帶范圍更低耗的系統(tǒng)更先進的技術軍事隱身發(fā)展方向等離子體隱身技術是電子戰(zhàn)的新概念、新技術，具有吸波頻帶寬、效率高、使用簡便、價格便宜等優(yōu)點，雖然限于技術原因仍有許多不足,但其對未來的高技術戰(zhàn)爭、導彈突防技術和導彈、飛機等武器系統(tǒng)的發(fā)展和作戰(zhàn)模式產(chǎn)生巨大而深遠的影響。等離子體隱身技術優(yōu)勢明顯，在未來技術滿足的條件下，其優(yōu)勢還會更加突出，將擁有更高的衰減、更寬的頻帶范圍和更低耗的系統(tǒng)，其也會成為未來軍事隱身的重要發(fā)展方向之一。23總結與展望展望5總結與展望6參考文獻1選題的意義2技術前提3詳細技術分析4對抗技術24參考文獻(部分)251AlexeffIgor,KangWengLock.PlasmastealthantennafortheU.S.Navy.IEEEInternationalConferenceonPlasmaScience,19982高虹霓，曹澤陽.21世紀隱身新途徑_等離子體隱身技術.飛行導彈，2002(1)4

王賀，孫紅國.等離子體隱身技術的發(fā)展現(xiàn)狀及分析.電子科學，20085

朱紅緋，王茂林，王敬.抗等離子體隱身的探討.雷達與對抗，2003(2)6

孫宗祥.等離子體