GB/T 37977.32-2019靜電學第3-2部分：靜電效應的模擬方法機器模型(MM)的靜電放電試驗波形

ICS3310017220

;

L06..

中華人民共和國國家標準

GB/T3797732—2019/IEC61340-3-22006

.:

靜電學第3-2部分靜電效應的模擬

:

方法機器模型MM的靜電放電試驗波形

()

Electrostatics—Part3-2Methodsforsimulationofelectrostaticeffects—

:

MachinemodelMMelectrostaticdischaretestwaveform

()g

(IEC61340-3-2:2006,IDT)

2019-08-30發(fā)布2020-03-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T3797732—2019/IEC61340-3-22006

.:

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

術語和定義

2………………1

設備

3………………………1

電流波形發(fā)生器

3.1MMESD…………1

波形驗證設備

3.2………………………1

電流波形要求

4MM………………………2

概要

4.1…………………2

波形驗證

4.2……………3

的可靠性試驗

5UUTESD………………3

概要

5.1…………………3

有電氣端口的耐受性試驗

5.2UUT…………………3

無電氣端口的耐受性試驗

5.3UUT…………………3

試驗程序

6…………………5

失效判據(jù)

7…………………5

敏感度分級

8MMESD……………………5

參考文獻

………………………6

圖波形發(fā)生器

1MMESD………………2

圖通過短接線的典型電流波形

2…………4

圖通過電阻的典型電流波形

3500Ω……………………4

表波形要求

1………………3

GB/T3797732—2019/IEC61340-3-22006

.:

前言

靜電學預計發(fā)布以下部分

GB/T37977《》:

第部分防靜電固體平面材料電阻和電阻率的測試方法

———2-3:;

第部分靜電效應的模擬方法人體模型的靜電放電試驗波形

———3-1:(HBM);

第部分靜電效應的模擬方法機器模型的靜電放電試驗波形

———3-2:(MM);

第部分電子器件的靜電防護通用要求

———5-1:。

本部分為的第部分

GB/T379773-2。

本部分使用翻譯法等同采用靜電學第部分靜電效應的模擬方法機

IEC61340-3-2:2006《3-2:

器模型的靜電放電試驗波形

(MM)》。

本部分做了下列編輯性修改

:

為區(qū)分圖中的兩種試驗負載在上增加了虛線框

———1,“7”“8”;

更正了表中不完整的敘述在充電電壓列增加

———1,“”“±”;

為便于理解和應用本部分表增加了注電阻負載僅適用于充電電壓的放電

———,1“500Ω±400V

電流波形驗證

”。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本部分起草單位工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院中國電子儀器行業(yè)協(xié)會防靜電裝備分

:、

會信息產(chǎn)業(yè)防靜電產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心陸軍沈陽局駐錦州地區(qū)軍代室火箭軍駐天津地區(qū)軍代室

、、、、

航天長峰朝陽電源有限公司深圳市亨達洋靜電技術有限公司

、。

本部分主要起草人梁棟棟蔡利花孫延林宋競男張大用傅翾高海燕劉鐵軍劉建華

:、、、、、、、、、

何建平劉清松孫建波

、、。

Ⅰ

GB/T3797732—2019/IEC61340-3-22006

.:

靜電學第3-2部分靜電效應的模擬

:

方法機器模型MM的靜電放電試驗波形

()

1范圍

的本部分規(guī)定了用于模擬機器模型的靜電放電電流波形和用于產(chǎn)生和

GB/T37977(MM)(ESD)

驗證這些波形的設備的基本要求

。

本部分適用于在一般試驗方法中所用的以及在材料電子元器件組件或產(chǎn)品的敏感度試驗

,、、ESD

或性能評估試驗中使用的電流波形這些電流波形在不通電半導體器件中的特定

MMESD。MMESD

應用由規(guī)定

IEC60749-27。

2術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

21

.

受試樣品unitundertestUUT

;

經(jīng)受試驗的材料電子元器件組件或產(chǎn)品

MMESD、、。

22

.

待試樣品失效failureofunitundertest

在試驗后出現(xiàn)一個或多個參數(shù)不合格的情況

UUTMMESD。

23

.

ESD耐受電壓electrostaticdischargewithstandvoltage

不會引起參數(shù)超差失效可施加的最大電壓在低于該電壓時所有