- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替
- 1983-12-20 頒布
- 1984-12-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
文檔簡介
UDC669.782：548:2：620.193.4中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB4061-83硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法Polyerystallinesilicon-Examinationmethod--AssessmentofsandwichesonCross-sectionbychemicalCorrosion1983-12-20發(fā)布1984-12-01實(shí)施家標(biāo)準(zhǔn)局批準(zhǔn)
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC669.782:548：2:620.193.4硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法GB4061-83Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-AssessmentofsandwichesonCross-sectionbychemicalcorrosion本標(biāo)準(zhǔn)適用于三氯氫硅及四氯化硅氫還原在細(xì)硅芯上沉積硅多晶所生長出來的硅多晶棒.1方法原理1.1原理根據(jù)氫氟酸硝酸混合液對硅多晶斷面氧化夾層及溫度夾層腐蝕速率的差別。1.2方法化學(xué)腐蝕法。2試樣制備2.1取樣部位除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭10mm一-段外均可取樣（如圖1）區(qū)樣部位10mm圖國家標(biāo)
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