標準解讀

《GB/T 4061-1983 硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法》是一項國家標準，旨在規(guī)范硅多晶材料在斷面上存在夾層時采用化學腐蝕方法進行檢測的具體步驟和技術要求。該標準適用于評估硅多晶材料內部質量及其結構完整性。

根據(jù)標準內容，首先需要準備待檢樣品，并確保其表面清潔無污物。接著，使用特定的化學試劑對樣品進行處理，這些試劑能夠選擇性地與硅多晶中的不同相或雜質反應，從而在樣品表面上形成可見的圖案或顏色變化。通過觀察這些變化可以判斷出是否存在夾層以及夾層的大致位置和形態(tài)特征。

此外，標準還詳細規(guī)定了腐蝕液配方、溫度控制范圍、處理時間等關鍵參數(shù)的選擇依據(jù)，以保證實驗結果的一致性和可靠性。同時，對于如何正確記錄實驗數(shù)據(jù)、分析結果并報告發(fā)現(xiàn)也給出了指導性意見。

整個過程強調操作的安全性與環(huán)境保護意識，在執(zhí)行任何化學處理前都必須采取適當?shù)陌踩胧?，比如佩戴個人防護裝備、在通風良好的環(huán)境中工作等。


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  • 已被新標準代替
  • 1983-12-20 頒布
  • 1984-12-01 實施
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UDC669.782：548:2：620.193.4中華人民共和國國家標準GB4061-83硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法Polyerystallinesilicon-Examinationmethod--AssessmentofsandwichesonCross-sectionbychemicalCorrosion1983-12-20發(fā)布1984-12-01實施家標準局批準

中華人民共和國國家標準UDC669.782:548：2:620.193.4硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法GB4061-83Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-AssessmentofsandwichesonCross-sectionbychemicalcorrosion本標準適用于三氯氫硅及四氯化硅氫還原在細硅芯上沉積硅多晶所生長出來的硅多晶棒.1方法原理1.1原理根據(jù)氫氟酸硝酸混合液對硅多晶斷面氧化夾層及溫度夾層腐蝕速率的差別。1.2方法化學腐蝕法。2試樣制備2.1取樣部位除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭10mm一-段外均可取樣（如圖1）區(qū)樣部位10mm圖國家標

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