標準解讀

《GB/T 4326-1984 非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法》是一項國家標準，旨在規(guī)范非本征半導體單晶材料中霍爾遷移率及霍爾系數(shù)的測量過程。該標準適用于研究與開發(fā)領域內對半導體材料性能進行表征時使用的技術人員。

根據(jù)此標準，霍爾效應是指當電流通過置于磁場中的導體或半導體時，在垂直于電流方向和磁場方向上會產生一個橫向電場的現(xiàn)象。基于這一原理，可以測定樣品的載流子濃度、類型（n型或p型）以及遷移率等重要參數(shù)。標準詳細描述了實驗所需設備、測試條件設置、樣品準備步驟、數(shù)據(jù)采集方法以及計算公式等方面的內容。

在具體操作流程方面，首先需要制備符合要求的樣品，并確保其表面清潔無污染；然后將樣品放置于特定夾具中并連接至測量電路；接著施加恒定且均勻的磁場，并通過樣品通入穩(wěn)定電流；最后記錄下此時產生的霍爾電壓值。重復上述過程以獲得不同磁場強度下的多組數(shù)據(jù)點。利用這些數(shù)據(jù)結合相關物理公式即可求得待測樣品的霍爾系數(shù)和載流子遷移率。

整個測量過程中需要注意控制環(huán)境溫度、避免外界電磁干擾等因素的影響，同時對于不同類型的半導體材料可能還需要調整某些具體的實驗參數(shù)來保證結果準確性。此外，該標準還提供了誤差分析的方法，幫助研究人員評估測量精度并對結果做出合理解釋。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 4326-2006
  • 1984-04-12 頒布
  • 1985-03-01 實施
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GB/T 4326-1984非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法_第1頁
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文檔簡介

UDC621.315.592:621.317.3中華人民共和國國家標準GB4326-84非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法ExtrinsicsemiconductorsingleeCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoeffictent1984-04-12發(fā)布1985-03-01實施家標準局批準

中華人民共和國國家標準UDC621.315非本征半導體單晶霍爾遷移率和.592:621.317.8GB4326-84霍爾系數(shù)測量方法ExtrinsicsemiconductorsingleCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoerficient本標準適用于在非本征半導體單晶試樣中確定載流子霍爾遷移率。為獲得霍爾遷移率必須測量電阻率和霍爾系數(shù)，因此本標準也分別適用于這些參數(shù)的測量。本方法僅在有限的范圍內和對錯、硅和砷化欽進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料。所述的測量技術至少適用于室溫電阻率高達10"Qcm的試樣。1術語1.1電阻率1.1.1電阻率是材料中平行于電流的電位梯度與電流密度之比。電阻率應在零磁通下測定。11.1.2電阻率是材料中直接測量的址。在具有單一類型載流子的非本征半導體中，電阻率與材料基本參數(shù)的關系如下：p=（neu）-?。?）式中：p一電阻率，.cmi載流子濃度，cm-3電子電荷值，C；-載流子遷移率，cm2/V·s。必須指出，對于本征半導體和某些P型半導體如P-Ge（存在兩種空穴)，式（1）顯然是不適用的，而必須采用如下關系式：P-二（meui）-（2）式中心和4,表示第；種載流子相關的量。1.2蛋爾系數(shù)在各向同性的固體上同時加上互相垂直的電場和磁場，1.2.1則載流子在第三個互相垂直的方向上偏轉，在試樣兩側建立橫向電場，稱

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