GB/T 4585-2004交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)

ICS29.080.10K48中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4585-2004/IEC60507:1991代替GB/T4585.1—1984.GB/T4585.2-1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污秒試驗(yàn)Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systems（IEC60507:1991,IDT)2004-05-14發(fā)布2005-02-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T4585-2004/IEC60507：1991三次前言第一節(jié)總?cè)绶秶?目的3定義第二節(jié)-般試驗(yàn)要求4試驗(yàn)方法5被試絕緣子的準(zhǔn)備對(duì)試驗(yàn)設(shè)備要求第三節(jié)鹽霧法7鹽溶液8噴霧系統(tǒng)武驗(yàn)開始前的條件10預(yù)處理過程……耐受試驗(yàn)……12耐受試驗(yàn)的接收準(zhǔn)則·第四節(jié)固體層法污液的組成·精性材料的主要特性15虧層的涂覆…………16被試絕緣子污移度的測(cè)定17污層濕潤(rùn)的一般要求1018試驗(yàn)程序·………19耐受試驗(yàn)和接收準(zhǔn)則（對(duì)程序A和B都通用的)附錄A（資料性附錄）評(píng)定試驗(yàn)設(shè)備是否要求的補(bǔ)充資料14附錄B（資料性附錄)絕緣子耐受特性的測(cè)定·附錄C（資料性附錄)檢驗(yàn)污層均勻性的污層電導(dǎo)率的測(cè)量17附錄D（資料性附錄)與固體層法程序有關(guān)的補(bǔ)充推薦·1o

GB/T4585-2004/IEC60507：1991本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污移試驗(yàn)》英文版)為便于使用，本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改：a）用小數(shù)點(diǎn)"."代替作為小數(shù)點(diǎn)的運(yùn)號(hào)","；刪除IEC60507:1991的前言。本標(biāo)準(zhǔn)代替（B/T4585.1—1984《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)方法鹽霧法》和GB/T4585.2—1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)方法固體層法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T4585.1—1984和GB/T4585.2—1991相比主要變化如下：對(duì)對(duì)試驗(yàn)設(shè)備的短路電流要求不同。GB/T4585.1和GB/T4585.2規(guī)定短路電流不小于10A,而本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定短路電流與被試絕緣子爬電比距有關(guān),當(dāng)爬電比距在16mm/kV至25mm/kV之間變化時(shí)，最小短路電流應(yīng)在6A至15A之間變化才能滿足要求：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定絕緣子鹽霧法試驗(yàn)時(shí)應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理(本標(biāo)準(zhǔn)的第10章)，而GB/T4585.1無(wú)此規(guī)定GB/T4585.2規(guī)定的染污方法包括有定量涂刷法，而本標(biāo)準(zhǔn)未規(guī)定此方法GB/T4585.2規(guī)定染污的污液有兩種,其中的情性材料一為硅藻土，另一為硅藻土和高度分散的二氧化硅。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的染污污液有兩種,其中一種與GB/T4585.2相同,所含情性材料為硅藻土和高度分散二氧化硅.另一種所含情性材料為高嶺土(或硒石粉)。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B、附錄C、附錄D均為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：西安電瓷研究所、武漢高壓研究所、重慶大學(xué)。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李大楠、吳光亞、蔣興良、丘志賢本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T4585.1-1984、GB/T4585.2-1991

GB/T4585-2004/IEC60507：1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污秒試驗(yàn)第一節(jié)總1范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于系統(tǒng)最高電壓1kV～765kV范圍內(nèi)的交流系統(tǒng)用戶外和暴露在污移大氣中的瓷和玻璃絕緣子的工頻耐受特性的測(cè)定這這些試驗(yàn)不能直接應(yīng)用于涂油絕緣子和特殊型式的絕緣子（具有半導(dǎo)電釉的絕緣子或覆蓋有任何有機(jī)絕緣材料的絕緣子）目的本標(biāo)準(zhǔn)的目的是規(guī)定適用于架空線路、變電站、牽引線路絕緣子以及套管的人工污移試驗(yàn)程序，定義為本標(biāo)準(zhǔn)的目的·規(guī)定了下列定義3.1試驗(yàn)電壓tcstvoltage在整個(gè)試驗(yàn)期間連續(xù)地施加到絕緣子上的電壓的方均根值3.2試驗(yàn)設(shè)備的短路電流（L.）short-circuitcurrent（L.）ofthetestingplant試品在試驗(yàn)電壓下短路時(shí)由試驗(yàn)設(shè)備所供給的電流的方均根值33絕緣子的爬電比距（L、)specificcreepagedistance（Ls）ofaninsulator絕緣子的總爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與V3的積;它通常以mm/kV來(lái)表示。3.4絕緣子的形狀因數(shù)（F）Formfactorofaninsulator（F)形狀因數(shù)是由絕緣子尺寸確定的。為了圖解估算此形狀因數(shù),應(yīng)將絕緣子圓周的倒數(shù)值(1/P)對(duì)從絕緣子一端到所考慮點(diǎn)的局部爬電距離7畫出。形狀因數(shù)由這個(gè)曲線下的面積給出并按下式計(jì)算：3.5鹽度（S.）salinity（S.）鹽在