標準解讀

《GB/T 4586-1994 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管》相較于《GB 4586-1984》，主要在標準編號、內(nèi)容范圍以及技術要求上進行了更新和調(diào)整。具體變化包括：

  1. 標準性質(zhì)的變化：從原來的強制性國家標準（GB）變更為推薦性國家標準（GB/T），這意味著該標準更多地作為指導和建議使用，而非強制執(zhí)行。

  2. 內(nèi)容與結構的調(diào)整：新版本對原有的章節(jié)結構進行了優(yōu)化，更加清晰地定義了場效應晶體管的技術規(guī)格、測試方法等內(nèi)容。這可能涉及到術語定義的更新、分類方式的細化等。

  3. 技術指標及試驗方法的修訂：根據(jù)當時最新的科學技術發(fā)展水平，《GB/T 4586-1994》可能增加了新的技術參數(shù)或改進了原有的一些測試條件與方法，以更好地適應市場和技術發(fā)展的需求。例如，對于某些特定類型的場效應晶體管，可能會有更詳細的操作環(huán)境描述或是性能評估標準。

  4. 參考文獻與附錄信息的增補：為了提供更加全面的信息支持，《GB/T 4586-1994》或許還添加了一些相關領域的最新研究成果或者國際通用標準作為參考資料，并通過附錄形式給出額外的數(shù)據(jù)表或其他有用資料。

這些改變體現(xiàn)了隨著時代進步，半導體行業(yè)對于產(chǎn)品質(zhì)量控制和技術規(guī)范制定方面不斷追求更高標準的趨勢。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1994-12-30 頒布
  • 1995-08-01 實施
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文檔簡介

UDC621.382.323：621.317.3.08L42中華人民共和國國家標準GB/T4586—94EC747-81984半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管SemiconductordevicesDiscretedevicesPart8：Field-effecttransistors1994-12-31發(fā)布1995-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

次第I章總則…·術語和文字符號第I章（第章基本額定值和特性（第W章（16)第V章接接收和可靠性·（38）

中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件GB/T4586-94IEC747-8-1984第8部分:場效應晶體管代替GB4586—84SemiconductordevicesDiscretedevicesPart8:Field-effecttransistors本標準等同采用IC747-8一1984《半導體器件，分立器件：第8部分：場效應晶體管》及其IEC747-8第1次更改(1991)。第I章總1引言分立器件和集成電路通常，本標準需要與IEC747-1—1983《半導體器件第1部分：總則》一起使用。在IEC747-1中，可找到下列的全部基礎資料：·術語；文字符號；基本額定值和特性；測試方法；接收和可靠性。各章節(jié)編排順序符合IEC747-1第Ⅱ章2.1條的規(guī)定2范圍本標準給出了下列類型場效應晶體管的標準：-A型：結柵型；-B型：絕緣柵耗盡型；-C型;絕緣柵增強型。3類型由于場效應品體管可具有一個或幾個柵極，故可分成如下類型：場效應品體管（源極、漏極、一個或幾個柵極）有一個或幾個有一個或幾個P溝道的器件N溝道的器件結柵器件絕緣粉器件結柵器件絕緣粉器件耗盡型器件增強型器件耗盡型

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