• 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1994-12-30 頒布
  • 1995-08-01 實施
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GB/T 4586-1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管_第1頁
GB/T 4586-1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管_第2頁
GB/T 4586-1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管_第3頁
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UDC621.382.323：621.317.3.08L42中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4586—94EC747-81984半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管SemiconductordevicesDiscretedevicesPart8：Field-effecttransistors1994-12-31發(fā)布1995-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

次第I章總則…·術(shù)語和文字符號第I章（第章基本額定值和特性（第W章（16)第V章接接收和可靠性·（38）

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件GB/T4586-94IEC747-8-1984第8部分:場效應(yīng)晶體管代替GB4586—84SemiconductordevicesDiscretedevicesPart8:Field-effecttransistors本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IC747-8一1984《半導(dǎo)體器件，分立器件：第8部分：場效應(yīng)晶體管》及其IEC747-8第1次更改(1991)。第I章總1引言分立器件和集成電路通常，本標(biāo)準(zhǔn)需要與IEC747-1—1983《半導(dǎo)體器件第1部分：總則》一起使用。在IEC747-1中，可找到下列的全部基礎(chǔ)資料：·術(shù)語；文字符號；基本額定值和特性；測試方法；接收和可靠性。各章節(jié)編排順序符合IEC747-1第Ⅱ章2.1條的規(guī)定2范圍本標(biāo)準(zhǔn)給出了下列類型場效應(yīng)晶體管的標(biāo)準(zhǔn)：-A型：結(jié)柵型；-B型：絕緣柵耗盡型；-C型;絕緣柵增強型。3類型由于場效應(yīng)品體管可具有一個或幾個柵極，故可分成如下類型：場效應(yīng)品體管（源極、漏極、一個或幾個柵極）有一個或幾個有一個或幾個P溝道的器件N溝道的器件結(jié)柵器件絕緣粉器件結(jié)柵器件絕緣粉器件耗盡型器件增強型器件耗盡型

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