GB/T 6219-1998半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.30L42二中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T_6219—1998idtIEC747-8-1:1987QC750112半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices-DiscretedevicesPart8：Eield-effecttransistorsSectionone--Blankdetailspecificationforsingle-gatefield-effecttransistorsupto5wand1GHz1998-11-17發(fā)布1999-06-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T6219-1998本規(guī)范是等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC747-8-1:1987(半導(dǎo)體器件分立器件1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)品體管空白詳細(xì)規(guī)范》第一版對(duì)GB/T6219一1986進(jìn)行修訂的。本規(guī)范與前版的主要差別是增加了C1分組尺寸和C3分組轉(zhuǎn)矩的技術(shù)要求。本規(guī)范的附錄A是標(biāo)準(zhǔn)的附錄。本規(guī)范由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出。本規(guī)范由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本規(guī)范由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所負(fù)責(zé)起草。本規(guī)范主要起草人：王長(zhǎng)福、顧振球、鄧康、黃世杰。

GB/T6219-1998IEC前言1）IEC（國(guó)際電工委員會(huì))在技術(shù)問(wèn)題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議，是由對(duì)這些問(wèn)題特別關(guān)切的國(guó)家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定的·對(duì)所涉及的問(wèn)題盡可能地代表了國(guó)際上的一致意見(jiàn)。2）這些決議或協(xié)議，以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國(guó)際上使用，并在此意義上為各國(guó)家委員會(huì)所認(rèn)可。3）為了促進(jìn)國(guó)際間的統(tǒng)一,IEC希望各國(guó)家委員會(huì)在本國(guó)條件許可的情況下，采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異，應(yīng)盡可能在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中指明。本標(biāo)準(zhǔn)由國(guó)際電工委員會(huì)第47技術(shù)委員會(huì)(半導(dǎo)體器件)制定。本標(biāo)準(zhǔn)是1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)品體管空白詳細(xì)規(guī)范.本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)：六個(gè)月法表決報(bào)告47C0)95847（C0)999和47（C0999A表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)資料可在上表所列的表決報(bào)告中查閥。本標(biāo)準(zhǔn)封面上的QC號(hào)是國(guó)際電工委員會(huì)電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系(IECQ)的規(guī)范號(hào)。本標(biāo)準(zhǔn)中引用的其他IEC標(biāo)準(zhǔn)：IEC68-2-17.1978基本環(huán)境試驗(yàn)程序第2部分：試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封IEC191-2:1966半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-2:1983，半導(dǎo)體器件分立器件第2部分：整流二極管IEC747-8:1984半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)品體管IEC747-10:1984半半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范JEC747-11:1985華導(dǎo)體器件第11部分：分立器件分規(guī)范華導(dǎo)體器件IEC749:1984：機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)品體管第一篇：1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)GB/T6219-1998效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范idtIEC747-8-1:1987QC750112Semiconductordevices-Discretedevices代替GB/T6219-1986PartB：Field-effecttransistorsSectionne-Blankdetailspecificationforsingle-gatefield-effecttransistorsupto5wand1GHz引本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)品體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則,制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。本空白規(guī)范是與GB/T4589.1—1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》(IEC747-10：1984)和GB/T12560—1990《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》(IEC747-11:1985)有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。要求資料下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容，應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別：「1】授權(quán)起草詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱。L2JIECQ詳細(xì)規(guī)范號(hào)。【3]總規(guī)范號(hào)和分規(guī)范號(hào)以及年代號(hào).L4]詳細(xì)規(guī)范號(hào)、發(fā)布日期和國(guó)家體系要求的任何更多的資料器件的識(shí)別：157器件型號(hào)?！?典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足若千應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)子以滿足。如果器件對(duì)靜電敏感或含有害物質(zhì)，例如氧化皺，則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中附加注意事項(xiàng)。【7外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)【8]質(zhì)量評(píng)定類別。L9能在各器件型號(hào)之間比較的最重要特性的參考數(shù)據(jù)?！驹诜?/p>