GB/T 6588-2000半導(dǎo)體器件分立器件第3部分：信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管第1篇信號(hào)二極管、開(kāi)關(guān)二極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.10L41中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6588—2000eavIEC74731:1986QC750001半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管第1篇信號(hào)二極管、開(kāi)關(guān)二極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范SemiconductordevicesDiscretedevicesPart3：Signal（includingswitching)andregulatordiodesSectionOneBlankdetailspecificationforsignaldiodesswitchingdiodesandcontrolled-avalanchediodes2000-10-17發(fā)布2001-10-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T6588-2000本標(biāo)準(zhǔn)等效采用IEC747-3-1:1986《半導(dǎo)體器件分立器件第3部分：信號(hào)（包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管第1篇——信號(hào)二極管、開(kāi)關(guān)二極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范》對(duì)GB/T6588—1986《通用信號(hào)和(或）開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體二極管空白詳細(xì)規(guī)范》進(jìn)行修訂。由于IEC747-3-1引用的IEC747-11《半導(dǎo)體器件第11部分：半導(dǎo)體器件分規(guī)范》是1985年版本.在此之后IEC747-11進(jìn)行了多次修改.我國(guó)已等同采用IEC747-11:1996修訂了GB/T12560—1999《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》為了使標(biāo)準(zhǔn)更具有先進(jìn)性和可操作性，本標(biāo)準(zhǔn)引用了GB/T12560—1999.本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6588—1986的主要差別如下：在標(biāo)準(zhǔn)文本前面增加了前言與IEC前言因引用的標(biāo)準(zhǔn)更改而修改的內(nèi)容有：引用標(biāo)準(zhǔn)處GB/T6588-1986本標(biāo)準(zhǔn)全文中涉及到“總GB/T4936.1—1985《半導(dǎo)體分立GB/T4589.1-1989《半導(dǎo)體器件規(guī)范“處器件總規(guī)范》分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984）B8、C8分組電耐GB/T4938—1985《半導(dǎo)體分立器GB/T6571-1995《半導(dǎo)體器件件接收和可靠性》人性分立器件第3部分：信號(hào)（包括開(kāi)關(guān)）和調(diào)整二極管》IEC747-3:1985）B3、B4、B5分組GB/T4937—1985《半導(dǎo)體分立器GGB/T4937—1995《半導(dǎo)體器件機(jī)C3、C4分組件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》誠(chéng)和氣候試驗(yàn)方法》（IEC749：1984)B5分組GB/T2423.4—1981《電工電子產(chǎn)GGB/T4937—1995《半導(dǎo)體器件機(jī)交變濕熱品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db:交變械和氣候試驗(yàn)方法》（IEC749：1984）濕熱試驗(yàn)方法》增加了4.4.3“正向浪涌電流”增加了可控雪崩二極管的技術(shù)內(nèi)容根據(jù)GB/T6571—1995對(duì)2個(gè)電參數(shù)名稱(chēng)進(jìn)行了修改：原版4.3.1中“恒定(直流)反向電壓”改為"反向直流電壓”原版4.4.1中“恒定(直流）正向電流”改為“正向直流電流”根據(jù)原文對(duì)幾個(gè)電參數(shù)名稱(chēng)和符號(hào)或測(cè)試條件進(jìn)行的修改：GB/T6588-1986本規(guī)范4.4.1中心F（T）”4.5.1中*Pm（T）”4.6和C2分組中*WRRNRsw'ERRNRSM5.10中心尺康”Rigant)/Rmiem/Rttiad)B5.B8、C4、C6、C8、C9分組中測(cè)試條件“A2分組A2b分組C7分組的最后測(cè)試“/a、Ve、Vuck"按規(guī)定

GB/T6588-2000取消了原附錄A《雪崩和可控雪崩整流二極管反向峰值功率和反向瞬態(tài)能量的測(cè)試方法》參考件）本標(biāo)準(zhǔn)與IEC747-3-1:1986的主要差別是：1本標(biāo)準(zhǔn)第7章引用GB/T12560—1999的條號(hào)在IEC747-3-1中為"3.7"和"3.6”.根據(jù)GB/T12560改為“3.8”和“3.7°。2B組、C組最后測(cè)試在IEC747-3-1中為“/a、Ve".根據(jù)A組檢驗(yàn)項(xiàng)目本規(guī)范改為“/a、Ve"。IEC747-3-1第5章"5.10熱阻"沒(méi)有對(duì)試驗(yàn)分組進(jìn)行規(guī)定,則該條沒(méi)有意義.根據(jù)GB/T12560中規(guī)定.本標(biāo)準(zhǔn)在第5章"5.10熱阻”中規(guī)定試驗(yàn)分組為"C2d",同時(shí)在C組中增加此分組?！?1EC747-3-1第5章"5.10熱阻”沒(méi)有規(guī)定結(jié)到引線(xiàn)規(guī)定點(diǎn)的熱阻符號(hào)，本規(guī)范規(guī)定為Kuura.5B5分組“密封”的條件欄IEC747-3-1中為"7.2.7.3或7.4”,根據(jù)GB/T4937改為"7.3或7.4.7.5”。本標(biāo)準(zhǔn)引用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)是：IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程第2部分：試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封IEC191-2:1966半導(dǎo)體器件機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸IEC747-3-1引用的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)是：GB/T6571—1995半導(dǎo)體器件分立器件第3部分：信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管(IEC747-3:1985）GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法（IEC749:1984）本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體分立器件標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)由信息產(chǎn)業(yè)部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：趙英。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布時(shí)間：1986年7月

GB/T6588-2000IEC前言1）IEC(國(guó)際電工委員會(huì))在技術(shù)問(wèn)題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議是由對(duì)這些問(wèn)題特別關(guān)切的國(guó)家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定，對(duì)所涉及的問(wèn)題盡可能地代表了國(guó)際上的一致意見(jiàn)。2）這些決議或協(xié)議，以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國(guó)際上使用,并在此意義上為各國(guó)家委員會(huì)認(rèn)可。3）為了促進(jìn)國(guó)際間的統(tǒng)一,IEC希望各國(guó)家委員會(huì).在本國(guó)條件許可的情況下，采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異，應(yīng)盡可能地在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中指出。本標(biāo)準(zhǔn)由國(guó)際電工委員會(huì)第47技術(shù)委員會(huì)：半導(dǎo)體器件技術(shù)委員會(huì)制定。本標(biāo)準(zhǔn)是信號(hào)二極管、開(kāi)關(guān)二極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范。本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)：6個(gè)月法表決報(bào)告47（C0）89647（C0）939表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)資料可在上表所列的表決報(bào)告中查閱。本標(biāo)準(zhǔn)封面上的QC號(hào)為國(guó)際電工委員會(huì)電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系（IECQ)的規(guī)范號(hào)本標(biāo)準(zhǔn)中引用的其他IEC出版物：68-2-17（1978):基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程第2部分：試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封191-2（1966):半導(dǎo)體器件機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸747-3(1985)：半導(dǎo)體器件分立器件第3部分：信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管749（1984）：半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第3部分：信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管第1篇信號(hào)二極管、開(kāi)關(guān)二極管和GB/T6588-—2000CvIC74731：1666可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范0C750001代替GB/T6588—1986Semiconductordevices-DiscretedevicesPart3:Signal(includingswitching)andregulatordiodesSectionOne-Blankdetailspecificationforsignaldiodes.switchingdiodesandcontrolled-avalanchediodesIEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系遵循IEC章程并在IEC授權(quán)下工作。該體系的目的是確定質(zhì)量評(píng)定程序·以這種方式使一個(gè)參加國(guó)按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無(wú)需進(jìn)一步試驗(yàn)而為其他所有參加國(guó)同樣接受。本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一.并應(yīng)與下列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)一起使用。GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(idtIEC747-10:1984)GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC747-11:1996）要求的資料本頁(yè)及下頁(yè)方括號(hào)內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的資料相對(duì)應(yīng).這些資料應(yīng)填入相應(yīng)欄中。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別【17授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱(chēng)L2詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號(hào)?！?7總規(guī)范、分規(guī)范的編號(hào)及版本號(hào)?！?7詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家編號(hào)、發(fā)布日期及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)體系要求的任何資料器件的識(shí)別【57器件型號(hào)「67典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果一種器件有幾種應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范說(shuō)明。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)予以滿(mǎn)足。如果器