GB/T 6648-1986半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)

UDC621.3.049.774中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB6648-86半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitstaticread/writememories（可供認(rèn)證用)1986-07.31發(fā)布1987-08-01試行國家標(biāo)準(zhǔn)局批準(zhǔn)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC621.3半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/寫.049.774GB6648-86存儲器空白詳細(xì)規(guī)范BlankdetailspecificationforsemiconductorintegratedCircuitstaticread/writememories（可供認(rèn)證用）本規(guī)范規(guī)定了編制半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器（以下簡稱器件）詳細(xì)規(guī)范的基本原則。本規(guī)范是與GB4589.1一84《半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范》有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一。要求的資料下列（1）～（9）項要求的內(nèi)容與首頁表中各欄資料相對應(yīng)，編制詳細(xì)規(guī)范時應(yīng)填寫在相應(yīng)的欄中。詳細(xì)規(guī)范的識別（1）發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)化機構(gòu)名稱。（2）IECQ詳細(xì)規(guī)范的編號和（或）日期。（3）總規(guī)范號和年代號。（4）詳細(xì)規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期及國家標(biāo)準(zhǔn)體系需要的資料。器件的識別（5）器件類型。（6）典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料：如果設(shè)計的器件是多用途的，應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中說明，這些用途對器件所要求的特性和檢驗都應(yīng)得到滿足。如果器件屬靜電敏感型，應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中聲明。（7）外形圖和/或與外形有關(guān)的參考文件。（8）質(zhì)最評定類別。（9）能在各類器件之間進(jìn)行比較的、最重要的性能參考數(shù)據(jù)。本規(guī)范中，中括號所列內(nèi)容僅供指導(dǎo)編制詳細(xì)規(guī)范用，不必在詳細(xì)規(guī)范中列出本規(guī)范中：：表示應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中填人的數(shù)值。（x)：表示需要時應(yīng)給出的數(shù)值。（x表示可選擇給出的特性或試驗