• 現行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1986-07-31 頒布
  • 1987-08-01 實施
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GB/T 6648-1986半導體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范(可供認證用)_第1頁
GB/T 6648-1986半導體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范(可供認證用)_第2頁
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文檔簡介

UDC621.3.049.774中華人民共和國國家標準GB6648-86半導體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器空白詳細規(guī)范Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitstaticread/writememories（可供認證用)1986-07.31發(fā)布1987-08-01試行國家標準局批準

中華人民共和國國家標準UDC621.3半導體集成電路靜態(tài)讀/寫.049.774GB6648-86存儲器空白詳細規(guī)范BlankdetailspecificationforsemiconductorintegratedCircuitstaticread/writememories（可供認證用）本規(guī)范規(guī)定了編制半導體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器（以下簡稱器件）詳細規(guī)范的基本原則。本規(guī)范是與GB4589.1一84《半導體集成電路總規(guī)范》有關的一系列空白詳細規(guī)范之一。要求的資料下列（1）～（9）項要求的內容與首頁表中各欄資料相對應，編制詳細規(guī)范時應填寫在相應的欄中。詳細規(guī)范的識別（1）發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準化機構名稱。（2）IECQ詳細規(guī)范的編號和（或）日期。（3）總規(guī)范號和年代號。（4）詳細規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期及國家標準體系需要的資料。器件的識別（5）器件類型。（6）典型結構和應用資料：如果設計的器件是多用途的，應在詳細規(guī)范中說明，這些用途對器件所要求的特性和檢驗都應得到滿足。如果器件屬靜電敏感型，應在詳細規(guī)范中聲明。（7）外形圖和/或與外形有關的參考文件。（8）質最評定類別。（9）能在各類器件之間進行比較的、最重要的性能參考數據。本規(guī)范中，中括號所列內容僅供指導編制詳細規(guī)范用，不必在詳細規(guī)范中列出本規(guī)范中：：表示應在詳細規(guī)范中填人的數值。（x)：表示需要時應給出的數值。（x表示可選擇給出的特性或試驗

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