GB/Z 16935.2-2013低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第2-1部分：應(yīng)用指南GB/T 16935系列應(yīng)用解釋,定尺寸示例及介電試驗(yàn)

ICS2908030

K30..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

GB/Z169352—2013/IEC/TR60664-2-12011

.:

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合

第2-1部分應(yīng)用指南

:

GB/T16935系列應(yīng)用解釋

,

定尺寸示例及介電試驗(yàn)

Insulationcoordinationforequipmentwithinlow-voltagesystems—

Part2-1Alicationuide—Exlanationofthealicationofthe

:ppgppp

IEC60664seriesdimensioninexamleanddielectrictestin

,gpg

(IEC/TR60664-2-1:2011,IDT)

2013-12-17發(fā)布2014-04-09實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/Z169352—2013/IEC/TR60664-2-12011

.:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………2

系列標(biāo)準(zhǔn)用于確定低壓設(shè)備絕緣尺寸的原則和實(shí)際應(yīng)用

4GB/T16935……………7

進(jìn)行恰當(dāng)?shù)脑O(shè)備內(nèi)絕緣定尺寸的四個(gè)示例

5……………21

特定情況下系列標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)際應(yīng)用

6GB/T16935………27

定尺寸表單示例基于中情況

7(GB/T16935.1—2008A)……………30

附錄資料性附錄中要求技術(shù)委員會(huì)對(duì)事項(xiàng)進(jìn)行確定規(guī)定選項(xiàng)或要求

A()GB/T16935.1,

制造商責(zé)任的章節(jié)概覽

…………39

附錄資料性附錄中要求技術(shù)委員會(huì)進(jìn)行規(guī)定的章節(jié)概覽

B()GB/T16935.4……43

附錄資料性附錄中要求技術(shù)委員會(huì)對(duì)事項(xiàng)進(jìn)行確定規(guī)定選項(xiàng)或要求

C()GB/T16935.5,

制造商責(zé)任的章節(jié)概覽

…………44

附錄資料性附錄超過(guò)直流電壓下對(duì)電氣間隙和爬電距離定尺寸

D()1000V……49

參考文獻(xiàn)

……………………50

GB/Z169352—2013/IEC/TR60664-2-12011

.:

前言

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合分為以下個(gè)部分

GB/T16935《》5:

第部分原理要求和試驗(yàn)

———1:、;

第部分應(yīng)用指南系列應(yīng)用解釋定尺寸示例及介電試驗(yàn)

———2-1:———GB/T16935,;

第部分利用涂層灌封和模壓進(jìn)行防污保護(hù)

———3:、;

第部分高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng)

———4:;

第部分不超過(guò)的電氣間隙和爬電距離的確定方法

———5:2mm。

本部分為的第部分

GB/T169352-1。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合應(yīng)用指南

IEC60664-2-1:2011《———

系列應(yīng)用解釋定尺寸示例及介電試驗(yàn)

IEC60664,》。

本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本部分由全國(guó)低壓設(shè)備絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC417)。

本部分起草單位上海電器科學(xué)研究院

:。

本部分主要起草人章建兵吳慶云包革

:、、。

Ⅰ

GB/Z169352—2013/IEC/TR60664-2-12011

.:

引言

本部分提供與絕緣配合相關(guān)的信息系列標(biāo)準(zhǔn)對(duì)絕緣配合進(jìn)行了描述本部分將使技

,GB/T16935,

術(shù)委員會(huì)及制造商受益本部分包含了確定設(shè)備電氣間隙爬電距離及固體絕緣的一般信息

。、。

本部分的目的在于當(dāng)技術(shù)委員會(huì)及制造商應(yīng)用系列標(biāo)準(zhǔn)時(shí)突出該系列標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用

GB/T16935,,

增進(jìn)對(duì)該系列標(biāo)準(zhǔn)的理解

。

設(shè)備絕緣配合意味著估算電氣間隙爬電距離及固體絕緣的最小必要尺寸以確保設(shè)備在其使用壽

、

命內(nèi)的安全性并考慮可預(yù)見(jiàn)的環(huán)境條件影響

,。

理解系列標(biāo)準(zhǔn)所需考慮的主要因素包括

GB/T16935:

所需耐受的最大電壓應(yīng)力以避免在電氣間隙上發(fā)生閃絡(luò)

———;

考慮電痕化的固體絕緣特性及環(huán)境條件給出了改善爬電距離處微觀環(huán)境的

———。GB/T16935.3

方法

;

穿過(guò)固體絕緣的電場(chǎng)應(yīng)力其與局部放電及節(jié)電損耗危險(xiǎn)有關(guān)介電損耗可導(dǎo)致由于過(guò)熱產(chǎn)生

———,,

的擊穿危險(xiǎn)尤其是當(dāng)跨過(guò)絕緣材料的最大峰值電壓超過(guò)且電場(chǎng)強(qiáng)度峰值超過(guò)

。700V,

時(shí)技術(shù)委員會(huì)及制造商應(yīng)考慮局部放電試驗(yàn)由于隨著頻率上升局部放電現(xiàn)象

1kV/mm,。,

與介電損耗的重要程度隨之上升一項(xiàng)專(zhuān)門(mén)的標(biāo)準(zhǔn)適用于超過(guò)的

,———GB/T16935.430kHz

頻率

。

注給出了頻率超過(guò)時(shí)電氣間隙爬電距離固體絕緣及試驗(yàn)的信息

:GB/T16935.430kHz、、。

需耐受的長(zhǎng)時(shí)最大電壓應(yīng)力以避免絕緣材料表面發(fā)生電痕化

———;

除電痕化外在較高濕度環(huán)境條件下閃絡(luò)的重要性也隨著爬電距離的減小而上升

———,,。

引入了濕度水平對(duì)濕度對(duì)不超過(guò)的電氣間隙和爬電距離的影響進(jìn)行

GB/T16935.52mm

分級(jí)

。

其他應(yīng)力如熱振動(dòng)機(jī)械沖擊輻射等也可影響使用中的絕緣材料的性能技術(shù)委員會(huì)及制造商

,、、、。

在對(duì)使用在特殊場(chǎng)合設(shè)備的試驗(yàn)進(jìn)行規(guī)定時(shí)應(yīng)考慮與此類(lèi)應(yīng)力相關(guān)的危險(xiǎn)

。

Ⅱ

GB/Z169352—2013/IEC/TR60664-2-12011

.:

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合

第2-1部分應(yīng)用指南

:

GB/T16935系列應(yīng)用解釋

,

定尺寸示例及介電試驗(yàn)

1范圍

本部分規(guī)定了系列應(yīng)用解釋定尺寸要求時(shí)的應(yīng)用指南

GB/T16935,。

需考慮的重要事項(xiàng)如下

:

標(biāo)稱(chēng)系統(tǒng)電壓或額定絕緣電壓

a);

產(chǎn)品過(guò)電壓類(lèi)別

b)(OVcat.);

任意類(lèi)型過(guò)電壓

c);

電壓頻率

d);

固體絕緣材料特性

e);

污染等級(jí)與濕度水平

f)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

低壓電氣裝置第部分安全防護(hù)電壓騷擾和電磁騷擾防護(hù)

GB/T16895.10—20104-44:

(IEC60364-4-44:2007,IDT)

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分原理要求和試驗(yàn)

GB/T16935.1—20081:、(IEC60664-1:

2007,IDT)

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分利用涂層罐封和模壓進(jìn)行防污

GB/T16935.3—20053:、

保護(hù)

(IEC60664-3:2003,IDT)

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng)

GB/T