JJF 1760-2019硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片校準(zhǔn)規(guī)范

中華人民共和國(guó)國(guó)家計(jì)量技術(shù)規(guī)范

JJF1760—2019

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片校準(zhǔn)規(guī)范

CalibrationSpecificationfor

StandardSlicesofSingleCrystalSiliconResistivity

2019-09-27發(fā)布2020-03-27實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

JJF1760—2019

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片

??

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校準(zhǔn)規(guī)范?JJF1760—2019?

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?代替JJG48—2004?

CalibrationSpecificationforStandardSlicesof??

SingleCrystalSiliconResistivity

歸口單位全國(guó)無(wú)線(xiàn)電計(jì)量技術(shù)委員會(huì)

:

主要起草單位中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院

:

參加起草單位福建省計(jì)量科學(xué)研究院

:

本規(guī)范委托全國(guó)無(wú)線(xiàn)電計(jì)量技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋

JJF1760—2019

本規(guī)范主要起草人

:

高英中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院

()

李蘭蘭中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院

()

參加起草人

:

羅海燕福建省計(jì)量科學(xué)研究院

()

楊?lèi)?ài)軍福建省計(jì)量科學(xué)研究院

()

JJF1760—2019

目錄

引言

………………………(Ⅱ)

范圍

1……………………(1)

引用文件

2………………(1)

術(shù)語(yǔ)和計(jì)量單位

3………………………(1)

電阻率

3.1………………(1)

厚度

3.2…………………(1)

直徑

3.3…………………(1)

薄層電阻

3.4……………(1)

導(dǎo)電類(lèi)型

3.5……………(1)

四探針

3.6………………(1)

局部徑向電阻率均勻性

3.7……………(1)

概述

4……………………(2)

計(jì)量特性

5………………(2)

標(biāo)準(zhǔn)樣片電阻率的測(cè)量范圍

5.1………(2)

標(biāo)準(zhǔn)樣片的電阻率標(biāo)稱(chēng)值

5.2…………(2)

標(biāo)準(zhǔn)樣片應(yīng)具備的參數(shù)及性能要求

5.3………………(2)

校準(zhǔn)條件

6………………(3)

環(huán)境條件

6.1……………(3)

校準(zhǔn)用設(shè)備

6.2…………(3)

校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法

7…………………(3)

校準(zhǔn)項(xiàng)目

7.1……………(3)

外觀檢查

7.2……………(4)

導(dǎo)電類(lèi)型判別

7.3………………………(4)

直徑測(cè)量

7.4……………(4)

厚度測(cè)量

7.5……………(4)

電阻率或薄層電阻測(cè)量

7.6……………(5)

局部徑向電阻率均勻性測(cè)量

7.7………(6)

校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)

8…………(7)

復(fù)校時(shí)間間隔

9…………(7)

附錄原始記錄格式

A…………………(8)

附錄校準(zhǔn)證書(shū)內(nèi)頁(yè)格式

B……………(10)

附錄主要項(xiàng)目校準(zhǔn)不確定度評(píng)定示例

C……………(11)

附錄標(biāo)準(zhǔn)樣片厚度修正系數(shù)表

D……………………(16)

附錄標(biāo)準(zhǔn)樣片直徑修正系數(shù)

E………(17)

附錄標(biāo)準(zhǔn)樣片電阻率溫度系數(shù)表

F…………………(18)

Ⅰ

JJF1760—2019

引言

本規(guī)范依據(jù)國(guó)家計(jì)量校準(zhǔn)規(guī)范編寫(xiě)規(guī)則和

JJF1071—2010《》JJF1059.1—2012

測(cè)量不確定度評(píng)定與表示編寫(xiě)

《》。

本規(guī)范代替硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片與相比除編

JJG48—2004《》,JJG48—2004,

輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,:

增加了引言引用文件術(shù)語(yǔ)和計(jì)量單位

———、、;

刪除了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的級(jí)別分類(lèi)

———;

刪除了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的清洗方法

———;

修改了電阻率的測(cè)量范圍由原來(lái)的改為

———,0.005Ω·cm~5000Ω·cm

0.003Ω·cm~1000Ω·cm;

修改了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片直徑的校準(zhǔn)方法

———;

修改了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片厚度的校準(zhǔn)方法

———;

修改了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片徑向電阻率均勻性的校準(zhǔn)方法

———。

本規(guī)范的歷次版本發(fā)布情況

:

———JJG48—2004;

———JJG48—1990。

Ⅱ

JJF1760—2019

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片校準(zhǔn)規(guī)范

1范圍

本規(guī)范適用于電阻率在之間的硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片

0.003Ω·cm~1000Ω·cm

的校準(zhǔn)

。

2引用文件

本規(guī)范引用了下列文件

:

四探針電阻率測(cè)試儀

JJG508—2004

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本規(guī)范凡是不注日期的引用文

,;

件其最新版本包括所有的修改單適用于本規(guī)范

,()。

3術(shù)語(yǔ)和計(jì)量單位

電阻率

3.1resistivity

荷電載體通過(guò)材料受阻程度的一種量度電阻率是電導(dǎo)率的倒數(shù)符號(hào)為單位

。。ρ,

為

Ω·cm。

厚度

3.2thickness

通過(guò)晶片上一給定點(diǎn)垂直于表面方向穿過(guò)晶片的距離通常以晶片幾何中心的厚度

。

為該晶片的標(biāo)稱(chēng)厚度單位為

。μm。

直徑

3.3diameter

橫穿圓片表面通過(guò)晶片中心點(diǎn)且不與參考面或圓周上其他基準(zhǔn)區(qū)相交直線(xiàn)的長(zhǎng)

,

度單位為

。mm。

薄層電阻

3.4sheetresistance

半導(dǎo)體或薄金屬膜的薄層電阻與電流平行的電勢(shì)梯度對(duì)電流密度和厚度乘積的

,

比又稱(chēng)方塊電阻符號(hào)為R單位為

。。s,Ω/□。