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文檔簡介
1第7章
存儲(chǔ)器系統(tǒng)2主要內(nèi)容:存儲(chǔ)器系統(tǒng)的概念半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類及其特點(diǎn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的外部特性及其與系統(tǒng)的連接存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)(存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù))高速緩存3§7.1
概述主要內(nèi)容:存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其主要技術(shù)指標(biāo)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類及特點(diǎn)兩類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要區(qū)別4一、存儲(chǔ)器系統(tǒng)51.存儲(chǔ)器系統(tǒng)的一般概念將兩個(gè)或兩個(gè)以上速度、容量和價(jià)格各不相同的存儲(chǔ)器用硬件、軟件或軟硬件相結(jié)合的方法連接起來系統(tǒng)的存儲(chǔ)速度接近最快的存儲(chǔ)器,容量接近最大的存儲(chǔ)器。構(gòu)成存儲(chǔ)系統(tǒng)。62.兩種存儲(chǔ)系統(tǒng)在一般計(jì)算機(jī)中主要有兩種存儲(chǔ)系統(tǒng):Cache存儲(chǔ)系統(tǒng)主存儲(chǔ)器高速緩沖存儲(chǔ)器虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng)主存儲(chǔ)器磁盤存儲(chǔ)器7Cache存儲(chǔ)系統(tǒng)對程序員是透明的目標(biāo):提高存儲(chǔ)速度Cache主存儲(chǔ)器8虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng)對應(yīng)用程序員是透明的。目標(biāo):擴(kuò)大存儲(chǔ)容量主存儲(chǔ)器磁盤存儲(chǔ)器93.主要性能指標(biāo)存儲(chǔ)容量(S)(字節(jié)、千字節(jié)、兆字節(jié)等)存取時(shí)間(T)(與系統(tǒng)命中率有關(guān))命中率(H)T=H*T1+(1-H)*T2單位容量價(jià)格(C)訪問效率(e)104.微機(jī)中的存儲(chǔ)器
通用寄存器組及指令、數(shù)據(jù)緩沖棧高速緩存主存儲(chǔ)器聯(lián)機(jī)外存儲(chǔ)器脫機(jī)外存儲(chǔ)器片內(nèi)存儲(chǔ)部件內(nèi)存儲(chǔ)部件外存儲(chǔ)部件11二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器121.
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器由能夠表示二進(jìn)制數(shù)“0”和“1”的、具有記憶功能的半導(dǎo)體器件組成。能存放一位二進(jìn)制數(shù)的半導(dǎo)體器件稱為一個(gè)存儲(chǔ)元。若干存儲(chǔ)元構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元。132.
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類內(nèi)存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)只讀存儲(chǔ)器(ROM)14隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)RAM靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)15只讀存儲(chǔ)器(ROM)只讀存儲(chǔ)器掩模ROM一次性可寫ROMEPROMEEPROM163.
主要技術(shù)指標(biāo)存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)×每單元的二進(jìn)制數(shù)位數(shù)存取時(shí)間實(shí)現(xiàn)一次讀/寫所需要的時(shí)間存取周期連續(xù)啟動(dòng)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需間隔的最小時(shí)間可靠性功耗17§7.2
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器掌握:SRAM與DRAM的主要特點(diǎn)幾種常用存儲(chǔ)器芯片及其與系統(tǒng)的連接存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)18一、靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM191.SRAM的特點(diǎn)存儲(chǔ)元由雙穩(wěn)電路構(gòu)成,存儲(chǔ)信息穩(wěn)定。p196202.
典型SRAM芯片掌握:
主要引腳功能工作時(shí)序與系統(tǒng)的連接使用21典型SRAM芯片SRAM6264:容量:8KX8b外部引線圖226264芯片的主要引線地址線:A0------A12;數(shù)據(jù)線:D0------D7;輸出允許信號(hào):OE;寫允許信號(hào):WE;選片信號(hào):CS1,CS2。236264的工作過程讀操作寫操作
工作時(shí)序243.8088總線信號(hào)8088總線A19-A0A15-A0MEMR、MEMWIOR、IOW存儲(chǔ)器輸入/輸出RD、WR254.6264芯片與系統(tǒng)的連接D0~D7A0A12???WEOECS1CS2???A0A12MEMWMEMR譯碼電路高位地址信號(hào)D0~D7SRAM62648088總線+5V┇265.
存儲(chǔ)器編址001100001111000001011010低位地址(片內(nèi)地址)高位地址(選片地址)27存儲(chǔ)器地址片選地址片內(nèi)地址高位地址低位地址內(nèi)存地址286264芯片的編址片首地址A19A12A0A19A12A00000000000000XXXXXXXXXXXXXX1111111111111片尾地址29存儲(chǔ)器編址001100001111000001011010CS00譯碼器1CS306.
譯碼電路將輸入的一組高位地址信號(hào)通過變換,產(chǎn)生一個(gè)有效的輸出信號(hào),用于選中某一個(gè)存儲(chǔ)器芯片,從而確定了該存儲(chǔ)器芯片在內(nèi)存中的地址范圍。將輸入的一組二進(jìn)制編碼變換為一個(gè)特定的輸出信號(hào)。31譯碼方式全地址譯碼部分地址譯碼32全地址譯碼用全部的高位地址信號(hào)作為譯碼信號(hào),使得存儲(chǔ)器芯片的每一個(gè)單元都占據(jù)一個(gè)唯一的內(nèi)存地址。33全地址譯碼例A19A18A17A16A15A14A13&1CS11SRAM6264CS2+5V01111000346264芯片全地址譯碼例片首地址A19A12A0A19A12A00000000000000111100011110001111111111111片尾地址該6264芯片的地址范圍=F0000H~F1FFFH35全地址譯碼例若已知某SRAM6264芯片在內(nèi)存中的地址為:
3E000H~3FFFFH試畫出將該芯片連接到系統(tǒng)的譯碼電路。36全地址譯碼例設(shè)計(jì)步驟:寫出地址范圍的二進(jìn)制表示;確定各高位地址狀態(tài);設(shè)計(jì)譯碼器。片首地址A19A12A0A19A12A00000000000000001111100111111111111111111片尾地址37全地址譯碼例A19A18A17A16A15A14A13&1CS1高位地址:0011111SRAM6264CS2+5V0011111038部分地址譯碼用部分高位地址信號(hào)(而不是全部)作為譯碼信號(hào),使得被選中存儲(chǔ)器芯片占有幾組不同的地址范圍。39部分地址譯碼例兩組地址:F0000H——F1FFFHB0000H——B1FFFHA19A17A16A15A14A13&16264CS1111000高位地址:1×110001011000,111100040應(yīng)用舉例將SRAM6264芯片與系統(tǒng)連接,使其地址范圍為:38000H~39FFFH。使用74LS138譯碼器構(gòu)成譯碼電路。41存儲(chǔ)器芯片與系統(tǒng)連接例由題知地址范圍:
00111000………0
00111001………1高位地址A19A12A042應(yīng)用舉例D0~D7A0A12???WEOECS1CS2???A0A12MEMWMEMRD0~D7A19G1G2AG2BCBA&&A18A14A13A17A16A15VCCY043二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM441.DRAM的特點(diǎn)存儲(chǔ)元主要由電容構(gòu)成;主要特點(diǎn):需要定時(shí)刷新。452.
典型DRAM芯片2164A2164A:64K×1bit采用行地址和列地址來確定一個(gè)單元;行列地址分時(shí)傳送,共用一組地址信號(hào)線;地址信號(hào)線的數(shù)量僅為同等容量SRAM芯片的一半。46主要引線行地址選通信號(hào)。用于鎖存行地址;列地址選通信號(hào)。地址總線上先送上行地址,后送上列地址,它們分別在#RAS和#CAS有效期間被鎖存在鎖存器中。DIN:數(shù)據(jù)輸入DOUT:數(shù)據(jù)輸出WE=0WE=1WE:寫允許信號(hào)RAS:CAS:數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)讀出47工作原理數(shù)據(jù)讀出數(shù)據(jù)寫入刷新工作時(shí)序48刷新將存放于每位中的信息讀出再照原樣寫入原單元的過程---------刷新刷新時(shí)序493.2164A在系統(tǒng)中的連接與系統(tǒng)連接圖502164A在系統(tǒng)中的連接DRAM2164A與系統(tǒng)連接的幾點(diǎn)說明:芯片上的每個(gè)單元中只存放1位二進(jìn)制碼,每字節(jié)數(shù)據(jù)分別存放在8片芯片中;系統(tǒng)的每一次訪存操作需同時(shí)訪問8片2164A芯片,該8片芯片必須具有完全相同的地址;芯片的地址選擇是按行、列分時(shí)傳送,由系統(tǒng)的低8位送出行地址,高8位送出列地址。結(jié)論:每8片2164A構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)體(單獨(dú)一片則無意義);每個(gè)存儲(chǔ)體內(nèi)的所有芯片具有相同的地址(片內(nèi)地址),應(yīng)同時(shí)被選中,僅有數(shù)據(jù)信號(hào)由各片分別引出。三、存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)(內(nèi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì))521.
存儲(chǔ)器擴(kuò)展用多片存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一個(gè)需要的內(nèi)存空間;各存儲(chǔ)器芯片在整個(gè)內(nèi)存中占據(jù)不同的地址范圍;任一時(shí)刻僅有一片(或一組)被選中。存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)容量等于:
單元數(shù)×每單元的位數(shù)字節(jié)數(shù)字長擴(kuò)展單元擴(kuò)展字長532.
存儲(chǔ)器擴(kuò)展方法位擴(kuò)展字?jǐn)U展字位擴(kuò)展擴(kuò)展字長擴(kuò)展單元數(shù)既擴(kuò)展字長也擴(kuò)展單元數(shù)54位擴(kuò)展構(gòu)成內(nèi)存的存儲(chǔ)器芯片的字長小于內(nèi)存單元的字長時(shí)——需進(jìn)行位擴(kuò)展。位擴(kuò)展:每單元字長的擴(kuò)展。55位擴(kuò)展例用8片2164A芯片構(gòu)成64KB存儲(chǔ)器。LS158A0~A7A8~A152164A2164A2164ADBABD0D1D70000HFFFFH.…56位擴(kuò)展方法:將每片的地址線、控制線并聯(lián),數(shù)據(jù)線分別引出。位擴(kuò)展特點(diǎn):存儲(chǔ)器的單元數(shù)不變,位數(shù)增加。57字?jǐn)U展地址空間的擴(kuò)展芯片每個(gè)單元中的字長滿足,但單元數(shù)不滿足。擴(kuò)展原則:每個(gè)芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線并聯(lián)。片選端分別引出,以使每個(gè)芯片有不同的地址范圍。58A0~A10DBABD0~D7A0~A10R/WCS2K×8D0~D7A0~A102K×8D0~D7D0~D7A0~A10CS譯碼器Y0Y1高位地址R/W字?jǐn)U展示意圖59字?jǐn)U展例用兩片64K×8位的SRAM芯片構(gòu)成容量為128KB的存儲(chǔ)器兩芯片的地址范圍分別為:20000H~2FFFFH30000H~3FFFFH
60字?jǐn)U展例G1G2AG2BCBAY2Y3&MEMRMEMWA19A18A17A1674LS138高位地址:芯片1:0010芯片2:0011A19A18A17A16芯片1芯片261字位擴(kuò)展設(shè)計(jì)過程:根據(jù)內(nèi)存容量及芯片容量確定所需存儲(chǔ)芯片數(shù);進(jìn)行位擴(kuò)展以滿足字長要求;進(jìn)行字?jǐn)U展以滿足容量要求。若已有存儲(chǔ)芯片的容量為L×K,要構(gòu)成容量為M×N的存儲(chǔ)器,需要的芯片數(shù)為:
(M/L)×(N/K)62字位擴(kuò)展例用32Kb芯片構(gòu)成256KB的內(nèi)存。63§7.3只讀存儲(chǔ)器(ROM)EPROMEEPROM(紫外線擦除)(電擦除)64一、EPROM651.
特點(diǎn)可多次編程寫入;掉電后內(nèi)容不丟失;內(nèi)容的擦除需用紫外線擦除器。662.EPROM27648K×8bit芯片地址信號(hào):A0——A12數(shù)據(jù)信號(hào):D0
——D7輸出信號(hào):OE片選信號(hào):CE編程脈沖輸入:PGM其引腳與SRAM6264完全兼容.672764的工作方式數(shù)據(jù)讀出編程寫入擦除標(biāo)準(zhǔn)編程方式快速編程方式編程寫入:每出現(xiàn)一個(gè)編程負(fù)脈沖就寫入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)68二、EEPROM691.
特點(diǎn)可在線編程寫入;掉電后內(nèi)容不丟失;電可擦除。702.
典型EEPROM芯片98C64A8K×8bit芯片;13根地址線(A0——A12);8位數(shù)據(jù)線(D0
——D7);輸出允許信號(hào)(OE);寫允許信號(hào)(WE);選片信號(hào)(CE);狀態(tài)輸出端(READY
/
BUSY)。713.
工作方式數(shù)據(jù)讀出編程寫入擦除字節(jié)寫入:每一次BUSY正脈沖寫入一個(gè)字節(jié)自動(dòng)頁寫入:每一次BUSY正脈沖寫入一頁(1~32字節(jié))字節(jié)擦除:一次擦除一個(gè)字節(jié)片擦除:一次擦除整片724.EEPROM的應(yīng)用可通過程序?qū)崿F(xiàn)對芯片的讀寫;僅當(dāng)READY/BUSY=1時(shí)才能進(jìn)行“寫”操作“寫”操作的方法:根據(jù)參數(shù)定時(shí)寫入通過判斷READY/BUSY端的狀態(tài)進(jìn)行寫入僅當(dāng)該端為高電平時(shí)才可寫入下一個(gè)字節(jié)。P215例73四、閃速EEPROM特點(diǎn):通過向內(nèi)部控制寄存器寫入命令的方法來控制芯片的工作方式。74工作方式數(shù)據(jù)讀出編程寫入:擦除讀單元內(nèi)容讀內(nèi)部狀態(tài)寄存器內(nèi)容讀芯片的廠家及器件標(biāo)記數(shù)據(jù)寫入,寫軟件保護(hù)字節(jié)擦除,塊擦除,片擦除擦除掛起75§7.4
高速緩存(Cache)了解:Cache的基本概念;基本工作原理;命中率;Cache的分級(jí)體系結(jié)構(gòu)76Cache的基本概念設(shè)置Cache的理由:CPU與主存之間在執(zhí)行速度上存在較大差異;高速存儲(chǔ)器芯片的價(jià)格較高;設(shè)置Cache的條件:程序的局部性原理時(shí)間局部性:最近的訪問項(xiàng)可能在不久的將來再次被訪問空間局部性:一個(gè)進(jìn)程所訪問的各項(xiàng),其地址彼此很接近77Cache的工作原理CPUCache主存DBDBDB命中存在不命中78Cache的命中率訪問內(nèi)存時(shí),CPU首先訪問Cache,找到則“命中”,否則為“不命中”。命中率影響系統(tǒng)的平均存取速度。Cache存儲(chǔ)器系統(tǒng)的平均存取速度=
Cache存取速度×命中率+RAM存取速度×不命中率Cache與內(nèi)存的空間比一般為:112879Cache的讀寫操作讀操作寫操作貫穿讀出式旁路讀出式寫穿式回寫式80貫穿讀出式CPUCache主存CPU對主存的所有數(shù)據(jù)請求都首先送到Cache,
在Cache中查找。若命中,切斷CPU對主存的請求,并將數(shù)據(jù)送出;
如果不命中,則將數(shù)據(jù)請求傳給主存。81旁路讀出式CPU向Cache和主存同時(shí)發(fā)出數(shù)據(jù)請求。命中,則Cache將數(shù)據(jù)回送給CPU,并同時(shí)中斷CPU對主
存的請求;若不命中,則Cache不做任何動(dòng)作,由CPU直接訪問主存CPUCache主存82寫穿式從CPU發(fā)出的寫信號(hào)送Cache的同時(shí)也寫入主存。CPUCache主存83回寫式(寫更新)數(shù)據(jù)一般只寫到Cache,當(dāng)Cache中的數(shù)據(jù)被再次更新時(shí),將原更新的數(shù)據(jù)寫入主存相應(yīng)單元,并接受新的數(shù)據(jù)。CPUCache主存更新寫入84Cache的分級(jí)體系結(jié)構(gòu)一級(jí)Cache:容量一般為8KB---64KB一級(jí)Cache集成在CPU片內(nèi)。L1Cache分為指令Cache和數(shù)據(jù)Cache。使指令和數(shù)據(jù)的訪問互不影響。指令Cache用于存放預(yù)取的指令。數(shù)據(jù)Cache中存放指令的操作數(shù)。
二級(jí)Cache:容量一般為128KB---2MB在PentiumⅡ之后的微處理器芯片上都配置了二級(jí)Cache,其工作頻率與CPU內(nèi)核的頻率相同。85Cache的分級(jí)體系結(jié)構(gòu)系統(tǒng)中的二級(jí)CacheCPUL1CacheL2Cache速度和存儲(chǔ)容量兼?zhèn)涮岣叽嫒∷俣戎鞔嫣峁┐鎯?chǔ)容量86IBMPC/XT存儲(chǔ)器的空間分配00000H9FFFFHBFFFFHFFFFFHRAM區(qū)640KB保留區(qū)128KBROM區(qū)256KB87本章主要應(yīng)掌握的知識(shí)點(diǎn)譯碼電路設(shè)計(jì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)SRAM存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)EPROM和EEPROM與系統(tǒng)的連接及其讀操作或讀、寫操作。88第5章應(yīng)注意的幾點(diǎn)基本概念:不同半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用場合Cache的基本概念系統(tǒng)設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器芯片與系統(tǒng)的連接譯碼電路及其他控制信號(hào)存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)能夠設(shè)計(jì)出所需要的內(nèi)存儲(chǔ)器謝謝!32K×8的SRAM芯片6225612345678910111213141516171819202122232425262728A14A12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7CSA10OEA11A9A8A13WEVcc62256引腳圖A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0OECSWED7D6D5D4D3D2D1D062256邏輯圖SRAM2114的功能工作方式CS*WE*I/O4~I/O1未選中讀操作寫操作100×10高阻輸出輸入SRAM6264的功能工作方式CS1*CS2WE*OE*D7~D0未選中未選中讀操作寫操作1×00×011××01××10高阻高阻輸入輸出EPROM2716的功能工作方式CE*/PGMOE*VCCVPPDO7~DO0待用1×+5V+5V高阻讀出00+5V+5V輸出讀出禁止01+5V+5V高阻編程寫入正脈沖1+5V+25V輸入編程校驗(yàn)00+5V+25V輸出編程禁止01+5V+25V高阻EPROM2764的功能工作方式CE*OE*PGM*A9VPPDO7~DO0讀出001×+5V輸出讀出禁止011×+5V高阻待用1×××+5V高阻Intel標(biāo)識(shí)00+12V1+5V輸出編碼標(biāo)準(zhǔn)編程01負(fù)脈沖×+25V輸入Intel編程01負(fù)脈沖×+25V輸入編程校驗(yàn)001×+25V輸出編程禁止1×××+25V高阻存儲(chǔ)芯片的位擴(kuò)充存儲(chǔ)芯片的字?jǐn)U充門電路譯碼A1A0F0F1F2F3A19A18A17A16A15(b)(a)A0Y0Y1Y譯碼器74LS13812345678910111213141516ABCE1E2E3Y7GNDY6Y5Y4Y3Y2Y1Y0Vcc74LS138引腳圖Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7E3E2E1CBA74LS138原理圖74LS138的功能表片選輸入編碼輸入輸出E3E2*E1*CBAY7*~Y0*10000011111110(僅Y0*有效)00111111101(僅Y1*有效)01011111011(僅Y
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