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第3章內(nèi)存3.1內(nèi)存的基本知識(shí)計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器(MainMemory),又稱為內(nèi)部存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱為內(nèi)存。內(nèi)存實(shí)質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路。內(nèi)存的主要作用是用來(lái)存放計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行時(shí)所需要的數(shù)據(jù),存放各種輸入、輸出數(shù)據(jù)和中間計(jì)算結(jié)果,以及與外部存儲(chǔ)器交換信息時(shí)作為緩沖用。由于CPU只能直接處理內(nèi)存中的數(shù)據(jù),所以內(nèi)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可缺少的部件。內(nèi)存的品質(zhì)直接關(guān)系到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的速度、穩(wěn)定性和兼容性。3.1.1內(nèi)存的分類(2)隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)RAM表示隨機(jī)存儲(chǔ)器(RandomAccessMemory),我們既可以從RAM中讀取數(shù)據(jù),也可以寫(xiě)入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時(shí),RAM中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。我們通常購(gòu)買(mǎi)或升級(jí)的內(nèi)存條就是將RAM集成塊集中在一起的一塊小電路板。它插在主板的內(nèi)存插槽上,以減少RAM集成塊占用的空間,目前市場(chǎng)上常見(jiàn)內(nèi)存條有128MB、256MB,512MB、1GB、2GB。(3)高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)
Cache位于CPU中,是一個(gè)讀寫(xiě)速度比內(nèi)存更快的存儲(chǔ)器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫(xiě)入或讀取數(shù)據(jù)的時(shí)候,這些數(shù)據(jù)也會(huì)被存儲(chǔ)進(jìn)高速緩存中,當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)的時(shí)候,CPU就從高速緩存中讀取數(shù)據(jù),而不會(huì)訪問(wèn)內(nèi)存,這樣就會(huì)提高速度。3.1.2內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)內(nèi)存條由內(nèi)存芯片、SPD(系列參數(shù)預(yù)置檢測(cè))芯片、少量電阻等輔助元件以及印刷電路板(PCB)組裝而成。(2)芯片類型芯片類型取決于內(nèi)存芯片的工作方式,常用的內(nèi)存芯片類型有以下幾種第一類、是EDODRAM(數(shù)據(jù)擴(kuò)展輸出DRAM)芯片,用此類芯片組裝的內(nèi)存條使用5V工作電壓,存取速度也比較慢。它們一般應(yīng)用在486以及型號(hào)較老的586或服務(wù)器電腦中,現(xiàn)在生產(chǎn)的電腦主板已經(jīng)不再使用了。第二類、是SDRAM(同步DRAM)芯片,使用3.3V的工作電壓。特點(diǎn)是工作時(shí)鐘與CPU外頻同步,因此數(shù)據(jù)存取速度較快。早期的電腦中使用最多的就是SDRAM內(nèi)存條。第三類、是RDRAM(RambusDRAM,使用2.5V工作電壓)和VCM(虛擬通道模式DRAM),這兩類內(nèi)存芯片雖然存取速度比較快,但由于價(jià)格偏高、支持的主板少等原因一直沒(méi)有得到廣泛應(yīng)用。第四類、是目前主流的DDRSDRAM芯片,使用2.5V的工作電壓。其特點(diǎn)是利用工作時(shí)鐘脈沖的上、下沿同時(shí)傳送數(shù)據(jù),因此將傳輸速率在SDRAM芯片的基礎(chǔ)上提高了一倍。但在現(xiàn)階段的系統(tǒng)條件下,DDR內(nèi)存通常比SDR內(nèi)存快5%,而在一些與內(nèi)存帶寬密切相關(guān)的軟件應(yīng)用中DDR才能夠發(fā)揮自己的作用,增加的效能可能達(dá)到30%之多。(3)SPD(系列參數(shù)預(yù)置檢測(cè))芯片系列參數(shù)預(yù)置檢測(cè)SPD(SerialPresenceDetect)芯片是伴隨SDRAM內(nèi)存出現(xiàn)的,它的出現(xiàn)應(yīng)該說(shuō)是內(nèi)存技術(shù)的又一次進(jìn)步。正是由于SPD芯片的存在,才使得現(xiàn)在的計(jì)算機(jī)能管理、控制內(nèi)存的性能,實(shí)現(xiàn)所謂的內(nèi)存“超頻”。SPD芯片一般位于內(nèi)存正面的右側(cè),是一塊面積大約為4mm×3mm的8個(gè)管腳的SOIC封裝芯片,它實(shí)際是一個(gè)容量為256B的電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRom),在SPD芯片中保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CASLatency參數(shù)、SPD版本等基本信息,這些信息是內(nèi)存生產(chǎn)廠家預(yù)先寫(xiě)入的。(4)印刷電路板
印刷電路板PCB(PrintedCircuitBoard)是構(gòu)成內(nèi)存條的基礎(chǔ),承載著內(nèi)存的基本元件。由于是長(zhǎng)條形的外觀,這也是內(nèi)存被稱作內(nèi)存“條”的直接原因。由于制作內(nèi)存條時(shí)需要大量的連接導(dǎo)線,單層的印刷電路板無(wú)法滿足接線的需要,因此在制造內(nèi)存條時(shí)常常將六層或更多層的印刷電路板壓合在一起,形成了我們平時(shí)所說(shuō)的多層印刷電路板。作為連接內(nèi)存顆粒的物理載體,印刷電路板的質(zhì)量直接影響到內(nèi)存工作的穩(wěn)定性。3.1.3內(nèi)存引腳與接口內(nèi)存條下面的引腳是內(nèi)存和外部進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌?。?nèi)存和插槽兩者之間的接觸是否良好,對(duì)內(nèi)存能否穩(wěn)定工作起著很大的作用,現(xiàn)在優(yōu)質(zhì)內(nèi)存條的引腳通常使用鍍金鐵方法來(lái)保證內(nèi)存條和與內(nèi)存插槽兩者之間的良好的接觸,所以我們有時(shí)將內(nèi)存的引腳稱為“金手指”。內(nèi)存引腳的數(shù)目也就是我們通常所說(shuō)的內(nèi)存的“線”數(shù),引腳的數(shù)目是由內(nèi)存架構(gòu)來(lái)決定的?,F(xiàn)在內(nèi)存條常用接口有如下兩種:(2)RIMM(RambusInterfaceMemoryModule)Rambus內(nèi)存模塊接口。這種類型接口主要是供Rambus公司生產(chǎn)的RDRAM內(nèi)存使用的。其結(jié)構(gòu)和DIMM類似,這種類型的內(nèi)存條兩邊也都有引腳。目前有兩種,一種是16位,另一種是32位。對(duì)16位內(nèi)存來(lái)說(shuō),每面92線,雙面184線。對(duì)32位內(nèi)存來(lái)說(shuō),每面116線,雙面為232線。同樣對(duì)應(yīng)RIMM接口的插槽也稱為RIMM插槽。3.1.4內(nèi)存的性能指標(biāo)(1)時(shí)鐘頻率
它代表內(nèi)存所能穩(wěn)定運(yùn)行的最大頻率,也就是平時(shí)講的PC-100、PC-133、PC-150等,它們分別表示可在100MHz、133MHz、150MHz的時(shí)鐘頻率下穩(wěn)定運(yùn)行。而每時(shí)鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量若是SDRAM內(nèi)存的話就是1,若是DDRSDRAM(包括DDR-IISDRAM)內(nèi)存的話就是2。(2)存取時(shí)間存取時(shí)間代表讀取數(shù)據(jù)所延遲的時(shí)間(可以理解為傳輸數(shù)據(jù)所延遲的時(shí)間)。目前市面上的內(nèi)存存取時(shí)間分別為7ns和6ns。存取時(shí)間和時(shí)鐘頻率不一樣,越小則越好。(3)CAS的延遲時(shí)間CASLatency(ColumnAddressStrobeLatency)參數(shù)簡(jiǎn)稱CL參數(shù)是指縱向地址脈沖的響應(yīng)時(shí)間(可以理解為查找數(shù)據(jù)所延遲的時(shí)間),用時(shí)鐘周期來(lái)表示。顯然CASLatency時(shí)鐘周期數(shù)越少越好,這個(gè)數(shù)值一般是2或者3。CL為2時(shí)的內(nèi)存芯片在同等工作頻率下比CL是3的內(nèi)存芯片速度更快,性能更好。(內(nèi)存的一個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期為10ns)3.2內(nèi)存的幾大品牌HYUNDAI(現(xiàn)代)、Kingston(
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