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文檔簡介
第一講常用電子器件1、電阻的單位:國際單位為歐姆(Ω)。常用單位有:MΩ,KΩ,mΩ,μΩ.
2、電阻按材料分可分成以下幾類:
a、碳膜電阻b、金屬膜電阻主要是小功率1.1電阻1常用電子半導(dǎo)體器件c、
繞線電阻d、
水泥電阻大功率
B.
標(biāo)準(zhǔn)功率:W,W,W,W,1W,2W,5W,50W,100W.
C.
精度:(1%,5%)繞線電阻有0.1%精度1.0,1.2,1.5,1.8,2.0,2.2,2.4,2.7,3.0,3.3,3.6,3.9,4.3,4.7,5.0,5.1,5.6,6.2,6.8,7.5,8.2,9.10。A.標(biāo)稱阻值。如:1Ω,10KΩ.1.2電容器1.電容器的符號
2.電容單位3.電容器分類:a、瓷片電容,有高壓低壓之分,高壓瓷片可做成幾萬伏耐壓。
b、CBB電容(金屬化薄膜電容,高低壓均有)貼片元器件貼片鉭電容貼片鋁電解電容電容穿心電容4、電容元件的主要技術(shù)參數(shù)
a、標(biāo)稱容量,如:電解電容100μF/25V,
1.0,1.2,1.5,1.8,2.2,2.7,3.3,3.6,3.9,4.2,4.7,5.6,6.2,6.8,7.5,8.2。例:CBB電容2700pF/63V、272J(K)b、耐壓:
6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度:
±5%(J級)±10%(K級),±20%(M級)電解電容允許誤差。
d、損耗角:tgδe、串聯(lián)等效電阻:ESR高頻電路或開關(guān)電源中這兩個(gè)參數(shù)很重要1.3電感
1、符號空芯電感有鐵芯電感
3、單位(亨利)
4、參數(shù)
a、標(biāo)稱容量:(mH) b、額定電流:(載流能力)0.5A,1A。 c、額定電壓:高壓應(yīng)用場合,要考慮耐壓問題。 d、損耗:鐵損:磁損耗,隨頻率的增加而大幅度增加
銅損:漆包線電阻損耗
1.4、三極管1、符號
2、分類
按材料分:a、硅管(PN結(jié)壓降:0.7V)b、鍺管(PN結(jié)壓降:0.3V)3、主要技術(shù)指標(biāo):
a、電流放大系數(shù):β 注意β標(biāo)志:F標(biāo)志β:50-70 G標(biāo)志β:70-90 H標(biāo)志β:100-120 I標(biāo)志β:120-150
*管子耐壓越高,額定工作電流(ICM)越大,則β越小。
例:MJE13005,500V/5A,β:15-35之間
S8050,45V/1A,β:70-200之間
b、反向擊穿電壓:
Ucbo(發(fā)射極開路)Uebo(集電極開路)
Uceo(基極開路)
c、集電極最大允許電流ICMd、集電極最大允許耗散功率PCMPc=Ic×Uce
耗散功率與環(huán)境溫度和散熱條件有關(guān)(RoJ),手冊上一般給出環(huán)境溫度為20℃時(shí)PCM值。e、截止頻率:
共射極截止頻率fb,定義為β降低到0.707倍時(shí)的頻率稱為fb
三個(gè)參數(shù)中選最小一個(gè)為晶體管擊穿電壓,一般為Uebo
1.功率MOSFET的結(jié)構(gòu)1.5功率場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)特點(diǎn)圖1-19電力MOSFET的結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號2、MOS管特點(diǎn)a、電壓控制元件,輸入阻抗高。b、導(dǎo)通電阻Ron大.c、工作頻率高(對功率器件而言)d、是一種元細(xì)胞集成器件,適合并聯(lián)e、DS極之間內(nèi)部寄生二極管
3、主要技術(shù)指標(biāo):
a、額定電壓Uds,它主要由VMOS管的漏源擊穿電壓U(BR)DS決定b、最大漏極電流Idmax(標(biāo)稱MOS管電流額定參數(shù))c、閥值電壓Ugs(th)(又稱門極開啟電壓)d、導(dǎo)通電阻:Ron
e、最高工作頻率fm:
Uds作用下,電子從源區(qū)(S)通過溝道到漏區(qū)所需要的時(shí)間 f、開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間:
開通和關(guān)斷時(shí)間越大,則MOS管開關(guān)損耗越大. g、極間電容輸入電容:Ciss=CGS+CGD輸出電容:Coss=CDS+CGD5、常用MOS器件:
2N700060V/0.2A IRFD01460V/1.7AIRFD210 200V/0.6A IRFD110 100V/1.0A IRF530100V/15A IRF630 200V/9A IRF7304
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