YS/T 23-2016硅外延層厚度測(cè)定堆垛層錯(cuò)尺寸法

ICS77.040

H21

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YST23—2016

代替

YS/T23—1992

硅外延層厚度測(cè)定堆垛層錯(cuò)尺寸法

TestmethodforthicknessofepitaxiallayersStackingfaultsize

2016-04-05發(fā)布2016-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YST23—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅外延層厚度測(cè)定堆垛層錯(cuò)尺寸法本標(biāo)準(zhǔn)與相

YS/T23—1992《》。YS/T23—1992

比主要變動(dòng)如下

,:

增加了術(shù)語(yǔ)和定義干擾因素見(jiàn)第章第章

———“”“”(3、5);

刪除了非破壞性測(cè)試方法

———;

在第章中增加了無(wú)鉻腐蝕液的配制見(jiàn)

———6B(6.9);

修改了第章測(cè)量?jī)x器中的顯微鏡并去掉了測(cè)微標(biāo)尺

———7;

在第章中增加了試樣制備方法二見(jiàn)

———8(8.3);

修改了第章測(cè)量步驟

———9;

修改了測(cè)量結(jié)果的計(jì)算公式用顯微鏡圖像處理技術(shù)的結(jié)果替代邊長(zhǎng)計(jì)算

———,;

增加了外延層厚度T和堆垛層錯(cuò)圖形邊長(zhǎng)L的關(guān)系見(jiàn)附錄

———(A)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國(guó)盛電子有限公司有研半導(dǎo)體材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬林寶楊帆葛華劉小青孫燕徐新華

:、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T23—1992。

Ⅰ

YST23—2016

硅外延層厚度測(cè)定堆垛層錯(cuò)尺寸法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用堆垛層錯(cuò)尺寸法測(cè)量硅外延層厚度的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在和晶向的硅單晶襯底上生長(zhǎng)的硅外延層厚度的

<111>、<100><110>2μm~120μm

測(cè)量

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

GB/T14847

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

外延層中存在著生長(zhǎng)完整的堆垛層錯(cuò)經(jīng)化學(xué)腐蝕后可用干涉顯微鏡觀察在

,。<111>、<100>、<110>

三種低指數(shù)晶向的硅單晶襯底上生長(zhǎng)的外延層中生長(zhǎng)完全的堆垛層錯(cuò)分別在外延層表面上呈現(xiàn)封閉

,

的等邊三角形正方形和等腰三角形由于硅單晶襯底有一定的晶向偏離實(shí)際觀察到的堆垛層錯(cuò)的圖

、。,

形會(huì)稍有變形對(duì)上述三種低指數(shù)晶向的外延片外延層厚度T和堆垛層錯(cuò)圖形邊長(zhǎng)L的關(guān)系相互關(guān)

。,(

系參見(jiàn)附錄如表所述

A)1。

表1外延層厚度T和堆垛層錯(cuò)圖形邊長(zhǎng)L的關(guān)系

襯底取向

<111><100><110>

層錯(cuò)圖形

等邊三角形正方形等腰三角形

T與L關(guān)系TLTLTL

=0.816=0.707=