標(biāo)準(zhǔn)解讀

《YS/T 935-2013 電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)及雜質(zhì)含量分析和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南》是中國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)之一，該標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)用于制造電子薄膜的高純金屬濺射靶材的純度分級(jí)以及如何進(jìn)行雜質(zhì)含量的分析與報(bào)告提供指導(dǎo)。標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容涵蓋了適用于此類材料的技術(shù)要求、測(cè)試方法、質(zhì)量控制等多個(gè)方面。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于不同種類的金屬濺射靶材（如銅、鋁、鈦等），規(guī)定了具體的純度級(jí)別及其對(duì)應(yīng)的最大允許雜質(zhì)含量。這些規(guī)定旨在確保所使用的材料能夠滿足特定應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Σ牧霞儍舳鹊囊?，從而保證最終產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性和可靠性。

此外，《YS/T 935-2013》還詳細(xì)描述了測(cè)定金屬濺射靶材中各種元素雜質(zhì)濃度的方法，包括但不限于ICP-AES（電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法）、GDMS（輝光放電質(zhì)譜法）等先進(jìn)檢測(cè)技術(shù)的應(yīng)用。通過采用這些科學(xué)準(zhǔn)確的分析手段，可以有效監(jiān)控并保證產(chǎn)品質(zhì)量符合既定標(biāo)準(zhǔn)。

在報(bào)告方面，該標(biāo)準(zhǔn)明確了數(shù)據(jù)記錄格式、結(jié)果表示方式等內(nèi)容，強(qiáng)調(diào)了信息透明度的重要性，并且為行業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)之間的溝通交流提供了統(tǒng)一的語(yǔ)言基礎(chǔ)。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-10-17 頒布
  • 2014-03-01 實(shí)施
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YS/T 935-2013電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)及雜質(zhì)含量分析和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南_第1頁(yè)
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YS/T 935-2013電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)及雜質(zhì)含量分析和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南-免費(fèi)下載試讀頁(yè)

文檔簡(jiǎn)介

ICS7715099

H68..

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T935—2013

電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)

及雜質(zhì)含量分析和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南

Standardguideforanalysisandreportingtheimpuritycontentandgradeofhigh

puritymetallicsputteringtargetsforelectronicthinfilmapplications

2013-10-17發(fā)布2014-03-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T935—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)參照了電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)及雜質(zhì)含量的分析

ASTMF2113-01(2011)《

及報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南

》。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研億金新材料股份有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張濤何金江丁照崇萬(wàn)小勇徐建衛(wèi)廖贊尚再艷王欣平熊曉東呂保國(guó)

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

YS/T935—2013

電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)

及雜質(zhì)含量分析和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子薄膜制備用高純金屬濺射靶材的純度等級(jí)的定義方法雜質(zhì)含量分析方法抽樣

、、

規(guī)則及靶材純度等級(jí)報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等內(nèi)容

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子薄膜用各類高純金屬濺射靶材以下簡(jiǎn)稱靶材其他對(duì)純度有較高要求的靶材

()。

純度等級(jí)雜質(zhì)含量分析及報(bào)告規(guī)范也可參照使用

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

所有部分鋁及鋁合金化學(xué)分析方法

GB/T20975()

電子薄膜用高純鋁及鋁合金濺射靶材

GB/T29658

高純鋁化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T871

高純銅化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T922

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

靶材target

物理氣相沉積工藝中用于濺射的陰極部分本標(biāo)準(zhǔn)中指加工后待用的靶材

(PVD),。

32

.

原材料批materiallotbatch

制造同批系列靶材所用的原材料錠批

。

33

.

靶材規(guī)范targetspecification

電子薄膜用濺射靶材的產(chǎn)品規(guī)范

。

4要求

41成分要求

.

電子薄膜制備用高純金屬濺射靶材因用途不一對(duì)不同材質(zhì)靶材的純度要求也不一致靶材成分

,。

要求一般包含金屬雜質(zhì)和非金屬雜質(zhì)檢測(cè)要求如下

,,:

411靶材由純金屬制成按靶材規(guī)范要求檢測(cè)原材料批的金屬雜質(zhì)含量并

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