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文檔簡介

1.P型半導(dǎo)體霍耳效應(yīng)的形成過程

一、P型半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)

§4-5 半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)BzdbVHIlBAzyx○+_fεxfLfεy電場力：fε=qεx

磁場力：fL=qVxBz

y方向的電場強度為：εy

平衡后：

fεxfLqεy

令：

（RH）P為P型材料的霍爾系數(shù)。兩種載流子同時存在霍爾效應(yīng)？有四種橫向電流分量：二、兩種載流子同時存在時的霍爾效應(yīng)1/TRH(－)1/TRH(+)(+)(－)(－)(2)p型半導(dǎo)體

1/TRH(－)(－)(3)N型半導(dǎo)體

四、霍爾效應(yīng)的應(yīng)用1．判別極性，測半導(dǎo)體材料的參數(shù)2．霍爾器件

3．探測器

§4.6半導(dǎo)體的磁阻效應(yīng)

由于磁場的存在引起電阻的增加，稱這種效應(yīng)為磁阻效應(yīng)。一、磁阻效應(yīng)的類型

按電磁場的關(guān)系分縱向磁阻效應(yīng)：B//，磁阻變化小，不產(chǎn)生VH

橫向磁阻效應(yīng)：

B，磁阻變化明顯，產(chǎn)生VH

按機理分：

由于電阻率變化引起的R變化—物理磁阻效應(yīng)由于幾何尺寸l/s的變化引起的R變化—幾何磁阻效應(yīng)

磁阻的大小：

或二、物理磁阻效應(yīng)

1．一種載流子

P型：電場加在x方向，磁場在z方向

達(dá)到穩(wěn)定時：εxvxlfqεyV＜VxV＞VxV<Vx的空穴：

運動偏向霍爾場作用的方向V>Vx的空穴：偏向磁場力作用的方向2．同時考慮兩種載流子

Bz=0、=x

時，電子逆電場方向運動，形成電場方向電流Jn

空穴沿電場方向運動，形成電場方向電流Jp

總電流：J0=Jn+Jp

–+JJpJn(a)JnJp+++–––εy(b)J+–Bz此種磁阻效應(yīng)表示為：為橫向磁阻系數(shù)

RHo為弱磁場時的霍爾系數(shù)三、幾何磁阻效應(yīng)1．長條樣品

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