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文檔簡(jiǎn)介

1.P型半導(dǎo)體霍耳效應(yīng)的形成過(guò)程

一、P型半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)

§4-5 半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)BzdbVHIlBAzyx○+_fεxfLfεy電場(chǎng)力:fε=qεx

磁場(chǎng)力:fL=qVxBz

y方向的電場(chǎng)強(qiáng)度為:εy

平衡后:

fεxfLqεy

令:

(RH)P為P型材料的霍爾系數(shù)。兩種載流子同時(shí)存在霍爾效應(yīng)?有四種橫向電流分量:二、兩種載流子同時(shí)存在時(shí)的霍爾效應(yīng)1/TRH(-)1/TRH(+)(+)(-)(-)(2)p型半導(dǎo)體

1/TRH(-)(-)(3)N型半導(dǎo)體

四、霍爾效應(yīng)的應(yīng)用1.判別極性,測(cè)半導(dǎo)體材料的參數(shù)2.霍爾器件

3.探測(cè)器

§4.6半導(dǎo)體的磁阻效應(yīng)

由于磁場(chǎng)的存在引起電阻的增加,稱這種效應(yīng)為磁阻效應(yīng)。一、磁阻效應(yīng)的類型

按電磁場(chǎng)的關(guān)系分縱向磁阻效應(yīng):B//,磁阻變化小,不產(chǎn)生VH

橫向磁阻效應(yīng):

B,磁阻變化明顯,產(chǎn)生VH

按機(jī)理分:

由于電阻率變化引起的R變化—物理磁阻效應(yīng)由于幾何尺寸l/s的變化引起的R變化—幾何磁阻效應(yīng)

磁阻的大小:

或二、物理磁阻效應(yīng)

1.一種載流子

P型:電場(chǎng)加在x方向,磁場(chǎng)在z方向

達(dá)到穩(wěn)定時(shí):εxvxlfqεyV<VxV>VxV<Vx的空穴:

運(yùn)動(dòng)偏向霍爾場(chǎng)作用的方向V>Vx的空穴:偏向磁場(chǎng)力作用的方向2.同時(shí)考慮兩種載流子

Bz=0、=x

時(shí),電子逆電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng),形成電場(chǎng)方向電流Jn

空穴沿電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng),形成電場(chǎng)方向電流Jp

總電流:J0=Jn+Jp

–+JJpJn(a)JnJp+++–––εy(b)J+–Bz此種磁阻效應(yīng)表示為:為橫向磁阻系數(shù)

RHo為弱磁場(chǎng)時(shí)的霍爾系數(shù)三、幾何磁阻效應(yīng)1.長(zhǎng)條樣品

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