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結(jié)構(gòu)化學(xué)第三章習(xí)題eV結(jié)構(gòu)化學(xué)第四章習(xí)題結(jié)構(gòu)化學(xué)第五章習(xí)題2023/3/5

例:寫出環(huán)丙稀正離子(C3H3)+離子休克爾行列式,并畫出其分子軌道能級及基態(tài)電子分布圖。(用x表示,x=(-E)/,自己給原子編號)

按LCAO,其離域π鍵分子軌道為:

ψ=c1φ1+c2φ2+c3φ3=∑ciφi

式中φi為參與共軛的C原子的p軌道,ci為分子軌道中C原子的原子軌道組合系數(shù),變分法//HMO法/假設(shè)/簡化/得久期方程:令x=(α-E)/β,則得:(C3H3)+的骨架如下圖所示:0X111X111X=2023/3/5

E1=+2

E2=E3=-

解此行列式,得x1=-2x2=1x3=1將x值代入x=(-E)/,得:E1=+2,E2=-,E3=-

能級及基態(tài)電子分布如下圖所示:2023/3/5電子互斥能問題:Sc的4s軌道能級高,基態(tài)電子組態(tài)為何是3d14s2,而不是3d24s1或3d34s0?電子互斥能J(d,d)=11.78eV,J(d,s)=8.38eV,J(s,s)=6.60eV這是由于價電子間的電子互斥能J(d,d)=11.78eV,J(d,s)=8.38eV,J(s,s)=6.60eV;當(dāng)電子進入Sc3+(3d04s0)時,因3d能級低,先進入3d軌道;再有一個電子進入Sc2+(3d14s0)時,因J(d,d)較大,電子填充在4s軌道上,成為Sc+(3d14s1)。再有一個電子進入時,由于J(d,d)+J(d,s)>J(d,s)+J(s,s),電子仍進入4s軌道。表明電子填充次序應(yīng)使體系總能量保持最低,而不是單純按軌道能級高低的順序。基態(tài)的電子組態(tài)為是3d14s2,而不是3d24s1或3d34s0。作業(yè):

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