晶圓代工服務(wù)市場現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景

晶圓代工服務(wù)市場現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景半導(dǎo)體景氣度超預(yù)期，晶圓廠商積極擴(kuò)產(chǎn)目前部分終端需求仍然強(qiáng)勁，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率維持歷史高位，預(yù)計(jì)全年來看結(jié)構(gòu)性缺貨狀態(tài)依舊嚴(yán)峻。據(jù)SEMI于2022年3月23日發(fā)布的最新一季全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告，全球用于前道設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將同比增長18%，并在2022年達(dá)到1070億美元的歷史新高。由于半導(dǎo)體材料與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，本土材料廠商將直接受益于中國大陸晶圓制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。成熟制程供需持續(xù)緊張，國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模維持高位。受益于成熟制程旺盛需求及大陸地區(qū)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈，大陸晶圓廠快速擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù)SEMI報(bào)告，2022年全球有75個(gè)正在進(jìn)行的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，計(jì)劃在2023年建設(shè)62個(gè)。2022年有28個(gè)新的量產(chǎn)晶圓廠開始建設(shè)，其中包括23個(gè)12英寸晶圓廠和5個(gè)8英寸及以下晶圓廠。分區(qū)域來看，中國晶圓產(chǎn)能增速全球最快，預(yù)計(jì)22年8寸及以下晶圓產(chǎn)能增加9%，12寸晶圓產(chǎn)能增加17%。功率器件行業(yè)發(fā)展概況功率器件是一種半導(dǎo)體分立器件，主要包括二極管、晶閘管、IGBT、MOSFET等產(chǎn)品，具體用途是變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關(guān)等。從應(yīng)用范圍來看，MOSFET和IGBT適用范圍最廣，二者市場規(guī)模之和占整體功率器件的一半以上。目前我國已經(jīng)通過大力研發(fā)與外延并購，在芯片設(shè)計(jì)與工藝上不斷積累，一方面實(shí)現(xiàn)了二極管、晶閘管等傳統(tǒng)的功率器件的突破，具備與國際品牌競爭的水平實(shí)力；另一方面在技術(shù)壁壘較高的IGBT、MOSFET等產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)制造亦有所成就。在國家政策支持，產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐漸完善，人才水平逐漸提高的背景下，中國本土企業(yè)有望進(jìn)一步向高端功率器件領(lǐng)域邁進(jìn)。目前國內(nèi)功率器件產(chǎn)業(yè)鏈日趨完善，相應(yīng)技術(shù)不斷取得突破。同時(shí)，中國擁有全球最大的功率器件消費(fèi)市場，伴隨國內(nèi)功率器件行業(yè)進(jìn)口替代的發(fā)展趨勢，未來中國功率器件行業(yè)將繼續(xù)保持增長。（一）IGBT行業(yè)發(fā)展概況IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率器件。IGBT具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降。IGBT的開關(guān)特性可以實(shí)現(xiàn)直流電和交流電之間的轉(zhuǎn)化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，可以應(yīng)用于逆變器、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。因此，從小家電、數(shù)碼產(chǎn)品，到航空航天、高鐵領(lǐng)域，再到新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興應(yīng)用都會(huì)大量使用IGBT。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年全球IGBT市場規(guī)模為54億美元，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到84億美元，2020-2026年均復(fù)合增長率為7．6%。中國目前擁有全球最大的IGBT消費(fèi)市場，根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年我國IGBT市場規(guī)模為21億美元，約占全球IGBT市場規(guī)模的39%。IGBT是我國重大科技突破專項(xiàng)中的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，被稱為電力電子行業(yè)里的CPU。我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，目前市場主要被國外產(chǎn)品壟斷，未來進(jìn)口替代空間巨大，目前IGBT在軌道交通領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。此外，在新能源汽車領(lǐng)域，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，隨著未來新能源汽車等新興市場的快速發(fā)展，IGBT產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。（二）MOSFET行業(yè)發(fā)展概況MOSFET全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應(yīng)晶體管。MOSFET的優(yōu)點(diǎn)在于穩(wěn)定性好，具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，適用于AC/DC開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器。MOSFET下游的應(yīng)用領(lǐng)域中，消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、醫(yī)療、國防和航空航天、通信占據(jù)了主要的市場份額，其中消費(fèi)電子與汽車電子占比最高。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，主板、顯卡的升級(jí)換代、快充、Type-C接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動(dòng)MOSFET的市場需求，在汽車電子領(lǐng)域，MOSFET在電動(dòng)馬達(dá)輔助驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向及電制動(dòng)等動(dòng)力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領(lǐng)域均發(fā)揮重要作用，擁有廣泛的應(yīng)用市場及發(fā)展前景。MOSFET是功率器件的最大市場，根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年全球MOSFET市場規(guī)模為76億美元，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到95億美元，2020-2026年均復(fù)合增長率為3．8%。中國目前擁有全球最大的MOSFET消費(fèi)市場，根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年我國MOSFET市場規(guī)模為29億美元，約占全球MOSFET市場規(guī)模的38%。過去國內(nèi)MOSFET的主流產(chǎn)品以平面柵MOSFET為主，在專利保護(hù)眾多、市場競爭激烈、市場份額最大的低壓溝槽柵MOSFET領(lǐng)域，國內(nèi)雖有涉足，但多以消費(fèi)品應(yīng)用為主，缺乏具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和市場競爭力的高端產(chǎn)品。近年來，國內(nèi)涌現(xiàn)出一大批以中高端MOSFET為主營業(yè)務(wù)的專業(yè)企業(yè)，已開始逐漸取代國外產(chǎn)品，國內(nèi)MOSFET產(chǎn)業(yè)將迎來飛速發(fā)展。半導(dǎo)體材料為芯片之基，覆蓋工藝全流程半導(dǎo)體材料包括晶圓制造材料和封裝材料。其中晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等，封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。具體來說，在芯片制造過程中，硅晶圓環(huán)節(jié)會(huì)用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會(huì)用到高純特氣和高純試劑；沉積環(huán)節(jié)會(huì)用到靶材；涂膠環(huán)節(jié)會(huì)用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會(huì)用到掩模板；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會(huì)用到高純試劑，刻蝕環(huán)節(jié)還會(huì)用到高純特氣；薄膜生長環(huán)節(jié)會(huì)用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會(huì)用到拋光液和拋光墊。在芯片封裝過程中，貼片環(huán)節(jié)會(huì)用到封裝基板和引線框架；引線鍵合環(huán)節(jié)會(huì)用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會(huì)用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán)節(jié)會(huì)用到錫球。MEMS行業(yè)發(fā)展概況MEMS是指用微電子加工的方法精密制造的機(jī)械裝置，其實(shí)質(zhì)是將機(jī)械系統(tǒng)微型化。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年全球MEMS行業(yè)市場規(guī)模為120億美元，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到183億美元，2020-2026年均復(fù)合增長率為7．3%，呈現(xiàn)逐年穩(wěn)步上升的態(tài)勢。MEMS產(chǎn)品主要可以分為MEMS傳感器和MEMS執(zhí)行器。其中傳感器是用于探測和檢測物理、化學(xué)、生物等現(xiàn)象和信號(hào)的器件，而執(zhí)行器是用于實(shí)現(xiàn)機(jī)械運(yùn)動(dòng)、力和扭矩等行為的器件。MEMS產(chǎn)品目前以MEMS傳感器為主，MEMS執(zhí)行器中，射頻器件市場規(guī)模最大。因此，MEMS的大規(guī)模應(yīng)用主要集中在傳感器和射頻器件。（一）MEMS傳感器行業(yè)發(fā)展概況傳感器是物體實(shí)現(xiàn)感知功能的主力，通常由傳感器模塊、微控制器模塊、無線通信模塊以及電源管理模塊四個(gè)部分構(gòu)成。傳感器感知狀態(tài)數(shù)據(jù)，微控制器存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)，無線通信模塊接收微控制器模塊處理的數(shù)據(jù)之后再通過網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)竭h(yuǎn)端的數(shù)據(jù)采集平臺(tái)。MEMS技術(shù)是將微米級(jí)的敏感組件、信號(hào)處理器、數(shù)據(jù)處理裝置封裝在一塊芯片上，再利用硅基微納加工工藝進(jìn)行批量制造，從而形成了MEMS傳感器，廣泛應(yīng)用于汽車電子、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航天、通信等領(lǐng)域。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年全球MEMS傳感器市場規(guī)模為90億美元，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到128億美元，2020-2026年均復(fù)合增長率為6．1%。消費(fèi)電子、汽車電子和工業(yè)控制是應(yīng)用MEMS最多的三個(gè)下游板塊，也是近年最大的增長點(diǎn)。（二）MEMS射頻器件行業(yè)發(fā)展概況MEMS射頻器件（RFMEMS）是MEMS技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一。MEMS射頻器件用于射頻和微波頻率電路中的信號(hào)處理，是一項(xiàng)將能對現(xiàn)有雷達(dá)和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。隨著信息時(shí)代的來臨，在無線通信領(lǐng)域，特別是在移動(dòng)通信和衛(wèi)星通信領(lǐng)域，正迫切需要一些低功耗、超小型化且能與信號(hào)處理電路集成的新型器件，并希望能覆蓋包括微波、毫米波和亞毫米波在內(nèi)的寬頻波段。采用MEMS技術(shù)制造的無源器件能夠直接和有源電路集成在同一芯片內(nèi)，實(shí)現(xiàn)射頻系統(tǒng)的片內(nèi)高集成，消除由片外分立元件帶來的寄生損耗，真正做到系統(tǒng)的高內(nèi)聚、低耦合，能顯著提高系統(tǒng)的性能。MEMS技術(shù)在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用可分為可動(dòng)的和固定的兩類。可動(dòng)的MEMS器件包括開關(guān)、調(diào)諧器和可變電容，固定的MEMS器件包括本體微機(jī)械加工傳輸線、耦合器和濾波器。其中，濾波器是射頻前端的關(guān)鍵核心器件之一，約占整個(gè)射頻前端市場超過60%的份額。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年MEMS射頻器件的市場規(guī)模為21億美元，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模將達(dá)到40億美元。半導(dǎo)體材料市場較為分散，硅片為單一最大品類半導(dǎo)體材料種類繁多，包括硅片、電子特氣、掩模版、光刻膠、濕電子化學(xué)品、拋光液、拋光墊、靶材等。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，硅片為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域規(guī)模最大的品類之一，市場份額占比達(dá)32．9%，排名第一，其次為氣體，占比約14．1%，光掩模排名第三，占比為12．6%。此外，拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、濺射靶材的占比分別為7．2%、6．9%、6．1%、4%和3%。CMP：半導(dǎo)體平坦化核心技術(shù)，國內(nèi)龍頭放量在即CMP，又名化學(xué)機(jī)械拋光，是半導(dǎo)體硅片表面加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。CMP是半導(dǎo)體先進(jìn)制程中的關(guān)鍵技術(shù)，伴隨制程節(jié)點(diǎn)的不斷突破，CMP已成為0．35μm及以下制程不可或缺的平坦化工藝，關(guān)乎著后續(xù)工藝良率。CMP采用機(jī)械摩擦和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的工藝，與普通的機(jī)械拋光相比，具有加工成本低、方法簡單、良率高、可同時(shí)兼顧全局和局部平坦化等特點(diǎn)。其中化學(xué)腐蝕的主要耗材為拋光液，機(jī)械摩擦的主要耗材為拋光墊，兩者共同決定了CMP工藝的性能及良率。（一）CMP系統(tǒng)復(fù)雜，拋光液和拋光墊為核心CMP系統(tǒng)主要耗材可分為拋光液和拋光墊，分別占據(jù)拋光材料成本的49%和33%。其他拋光材料還包括拋光頭、研磨盤、檢測設(shè)備、清洗設(shè)備等。拋光液是一種由去離子水、磨料、PH值調(diào)節(jié)劑、氧化劑以及分散劑等添加劑組成的水溶性試劑。在拋光的過程中，拋光液中的氧化劑等成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，在表面產(chǎn)生一層化學(xué)反應(yīng)薄膜，后由拋光液中的磨粒在壓力和摩擦的作用下將其去除，最終實(shí)現(xiàn)拋光。拋光液可根據(jù)應(yīng)用工藝環(huán)節(jié)、配方中磨粒、PH值的不同進(jìn)行分類。根據(jù)配方中磨粒的不同，可分為二氧化硅、氧化鈰、氧化鋁磨粒等三大類。二氧化硅磨?；钚詮?qiáng)、易于清洗且分散性及選擇性好，多用于硅、SiO2層間介電層的拋光。缺點(diǎn)是硬度大，容易對硅片表面造成損傷，且拋光效率較低。氧化鋁磨粒拋光效率高，但硬度強(qiáng)、選擇性低且團(tuán)聚嚴(yán)重，因此拋光液中常需加入各類穩(wěn)定劑和分散劑，導(dǎo)致成本相對較高。氧化鈰磨粒硬度低，拋光效率高，平坦度高，清潔無污染，但團(tuán)聚嚴(yán)重，也需加入各類穩(wěn)定劑和分散劑，且鈰屬于稀有金屬，成本較高。根據(jù)PH值的不同，可分為酸性拋光液和堿性拋光液。酸性拋光液具有拋光效率高、可溶性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，多用于對銅、鎢、鋁、鈦等金屬材料進(jìn)行拋光。其缺點(diǎn)是腐蝕性較大，對拋光設(shè)備要求高，所以常選擇向拋光液中添加抗蝕劑（BTA）提高選擇性，但BTA的添加容易降低拋光液的穩(wěn)定性。不同于酸性拋光液，堿性拋光液具有腐蝕性小、選擇性高等優(yōu)點(diǎn)，多數(shù)用于拋光硅、氧化物及光阻材料等非金屬材料。堿性拋光液的缺點(diǎn)也較為明顯，因?yàn)椴蝗菀渍业皆谌鯄A性中氧化勢高的氧化劑，所以拋光效率較低。拋光墊是負(fù)責(zé)輸送和容納拋光液的關(guān)鍵部件。在拋光的過程中，拋光墊具有把拋光液有效均勻地輸送到拋光墊的不同區(qū)域、清除拋光后的反應(yīng)物、碎屑等、維持拋光墊表面的拋光液薄膜，以便化學(xué)反應(yīng)充分進(jìn)行、保持拋光過程的平穩(wěn)、和晶圓片表面不變形等功能。（二）工藝制程持續(xù)升級(jí)，CMP市場穩(wěn)定增長半導(dǎo)體行業(yè)高景氣帶動(dòng)CMP市場穩(wěn)定增長。伴隨半導(dǎo)體材料行業(yè)景氣度向上，CMP材料市場有望受下游市場驅(qū)動(dòng)，保持穩(wěn)健增速。2020年全球拋光液和拋光墊全球市場規(guī)模分別為13．4和8．2億美元。中國CMP材料市場漲幅趨勢與國際一致，2021年拋光液和拋光墊市場規(guī)模分別為22和13億元。中國正全面發(fā)展半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，CMP拋光產(chǎn)業(yè)未來增長空間廣闊。先進(jìn)制程為CMP材料市場擴(kuò)容提供動(dòng)力。隨著芯片制程不斷微型化，IC芯片互聯(lián)結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，所需拋光次數(shù)和拋光材料的種類也逐漸變多。在芯片制造過程中，需要將電路以堆疊的方式組合起來，制程越精細(xì)，所堆疊的層數(shù)就越多。在堆疊的過程中，需要使用到氧化層、介質(zhì)層、阻擋層、互連層等多個(gè)薄膜層交錯(cuò)排列，且每個(gè)薄膜層所用到的拋光材料也不相同。此外，隨著D存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)逐漸由2D轉(zhuǎn)向3D，CMP拋光層數(shù)和所用到的拋光材料種類也在不斷增加。根據(jù)美國陶氏杜邦公司公開數(shù)據(jù)，5nm制程中拋光次數(shù)將達(dá)25-34次，64層3DD芯片中的拋光次數(shù)將達(dá)到17-32次，拋光次數(shù)均較前一代制程大幅增加。伴隨制程工藝的發(fā)展，CMP材料市場有望不斷擴(kuò)容，成長空間較大。定制化拋光材料為未來發(fā)展趨勢。定制化發(fā)展有望給國產(chǎn)企業(yè)帶來更多機(jī)遇，國內(nèi)CMP拋光材料企業(yè)可以憑借本土化優(yōu)勢與國內(nèi)晶圓制造商展開深度合作，專注于具有專用性產(chǎn)品的研發(fā)。專用化、定制化有望成為CMP材料制造商產(chǎn)業(yè)升級(jí)趨勢。（三）CMP壁壘較高，產(chǎn)品配方具備較強(qiáng)為匹配晶圓加工制程，CMP技術(shù)平整度要求高。CMP拋光材料的技術(shù)更新動(dòng)力源自下游晶圓的技術(shù)更新。晶圓制程工藝不斷提升，從10nm到現(xiàn)在5nm、3nm，工藝制程迭代速度極快。為了滿足精細(xì)化程度更高的工藝制程，對CMP材料的要求也隨之變高。當(dāng)前IC芯片要求全局平整落差100A°-1000A°（約等于原子級(jí)10-100nm）的超高平整度。配方的調(diào)配為一大技術(shù)難點(diǎn)。由于CMP拋光液應(yīng)用眾多，不同的客戶有不同的需求，專用性較強(qiáng)，且需要加入氧化劑、絡(luò)合劑、表面活性劑、緩蝕劑等多種添加試劑，如何調(diào)配出合適的拋光液配方需要企業(yè)長時(shí)間的技術(shù)積累和不斷的研發(fā)嘗試。目前許多配方受到專利保護(hù)，行業(yè)研發(fā)壁壘高。試錯(cuò)成本高、認(rèn)證時(shí)間長。企業(yè)需要不斷找到合適配方、穩(wěn)定制作工藝及設(shè)計(jì)圖案，從而獲得較好的、穩(wěn)定的拋光速率和拋光效果，因此CMP材料的研究消耗時(shí)間成本較高，需要較長時(shí)間來試錯(cuò)摸索工藝指標(biāo)、產(chǎn)品配方等對物理參數(shù)及性能的影響，形成較高的行業(yè)know-how壁壘。（四）競爭格局高度集中，國內(nèi)廠商加速追趕CMP拋光液市場，美國Carbot是國際龍頭，安集科技為國內(nèi)龍頭。目前全球拋光液市場主要由美日廠商壟斷，美國Cabot、美國Versum、日本日立、日本Fujimi和美國陶氏杜邦五家美日廠商占據(jù)全球拋光液近八成的市場份額，安集科技僅占約3%。國內(nèi)市場中，美國Cabot占約64%，安集科技市占率為22%。全球拋光墊市場一家獨(dú)大，穩(wěn)步前進(jìn)。當(dāng)前全球拋光墊市場主要由美國的陶氏杜邦壟斷，市占率高達(dá)79%，其他公司如美國Cabot、日本Fujimi、日本Hitachi等市占率在5%以內(nèi)。內(nèi)資企業(yè)中，鼎龍股份、江豐電子和萬華化學(xué)具備相應(yīng)的生產(chǎn)力。其中，鼎龍股份為國內(nèi)拋光墊龍頭企業(yè)，生產(chǎn)的拋光墊意在對標(biāo)美國陶氏杜邦集團(tuán)。隨著國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)張，需求提升，為確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，內(nèi)資企業(yè)迎來發(fā)展潮。光刻膠：半導(dǎo)體工藝核心材料，道阻且長光刻膠是光刻工藝最重要的耗材。光刻膠是一種通過特定光源照射下發(fā)生局部溶解度變化的光敏材料，主要作用于光刻環(huán)節(jié)，承擔(dān)著將掩模上的圖案轉(zhuǎn)化到晶圓的重要功能。進(jìn)行光刻時(shí)，硅片上的金屬層涂抹光刻膠，掩膜上印有預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案，光線透過掩膜照射光刻膠。如果曝光在紫外線下的光刻膠變?yōu)槿軇?，清除后留下掩膜上的圖案，此為正性膠，反之為負(fù)性膠。（一）先進(jìn)制程推動(dòng)產(chǎn)品迭代，半導(dǎo)體光刻膠壁壘最高光刻膠可以根據(jù)曝光光源波長、顯示效果和化學(xué)結(jié)構(gòu)三種方式進(jìn)行分類。根據(jù)曝光波長的不同，目前市場上應(yīng)用較多的光刻膠可分為g線、i線、KrF、ArF和EUV5種類型。光刻膠波長越短，加工分辨率越高，不同的集成電路工藝在光刻中對應(yīng)使用不同波長的光源。隨著芯片制程的不斷進(jìn)步，每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)與之相匹配。g/i線光刻膠誕生于20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)主流制程工藝在0．8-1．2μm，適用于波長436nm的光刻光源。到了90年代，制程進(jìn)步到0．35-0．5μm，對應(yīng)波長更短的365nm光源。當(dāng)制程發(fā)展到0．35μm以下時(shí)，g/i線光刻膠已經(jīng)無法制程工藝的需求，于是出現(xiàn)了適用于248納米波長光源的KrF光刻膠，和193納米波長光源的ArF光刻膠，兩者均是深紫外光刻膠。EUV（極紫外光）是目前最先進(jìn)的光刻膠技術(shù)，適用波長為13．5nm的紫外光，可用于10nm以下的先進(jìn)制程，目前僅有ASML集團(tuán)掌握EUV光刻膠所對應(yīng)的光刻機(jī)技術(shù)。根據(jù)顯示效果的