

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文檔簡(jiǎn)介
VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì)第6章集成微系統(tǒng)(MEMS)
(2011-2012)(1)6.1MEMS器件概念
一個(gè)例子:NMOSFET→諧振柵晶體管(RGT)
.12去除SiO2MEMS器件電容變化引起溝道電荷變化。Q=CV和MOS管相比,工作原理發(fā)生變化。但仍是四端器件6.1MEMS器件概念
一個(gè)例子:NMOSFET→諧振柵晶體管(RGT)
.136.1MEMS器件概念
幾種簡(jiǎn)單的MEMS結(jié)構(gòu)
1.簡(jiǎn)單梁結(jié)構(gòu).156.1MEMS器件概念
幾種簡(jiǎn)單的MEMS結(jié)構(gòu)
1.簡(jiǎn)單梁結(jié)構(gòu).166.1MEMS器件概念
幾種簡(jiǎn)單的MEMS結(jié)構(gòu)
2.簡(jiǎn)單膜結(jié)構(gòu).176.1MEMS器件概念
幾種簡(jiǎn)單的MEMS結(jié)構(gòu)
.14.執(zhí)行運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)96.1MEMS器件概念
幾種簡(jiǎn)單的MEMS結(jié)構(gòu)
.1106.1MEMS器件概念
幾種簡(jiǎn)單的MEMS結(jié)構(gòu)
.1116.1MEMS器件概念
多能域問(wèn)題和復(fù)雜性設(shè)計(jì)問(wèn)題
單片集成系統(tǒng)
=MEMS+電路
力學(xué)熱學(xué)電學(xué)光學(xué)…..電學(xué)&微電子學(xué)版圖&微電子加工工藝統(tǒng)一描述:協(xié)同仿真:SPICE建模等效電路網(wǎng)表電路網(wǎng)表基于KCL、KVL.1136.2集成微系統(tǒng)
1、集成濕度傳感器
.2瑞士Sensirion公司SHT11/15型濕度/溫度傳感器146.2集成微系統(tǒng)
1、集成濕度傳感器
.2156.2集成微系統(tǒng)
2、集成加速度傳感器
.2176.2集成微系統(tǒng)
2、集成加速度傳感器
.2靜止極板與運(yùn)動(dòng)極板間距因加速度而變。導(dǎo)致電容大小改變。186.2集成微系統(tǒng)
3、集成胎壓傳感器
.2196.2集成微系統(tǒng)
4、集成陀螺儀
.2216.2集成微系統(tǒng)
4、集成陀螺儀--執(zhí)行器+傳感器.2226.2集成微系統(tǒng)
4、集成陀螺儀--執(zhí)行器+傳感器.2MEMS陀螺236.2集成微系統(tǒng)
5、集成數(shù)字微鏡DMD--執(zhí)行器.2256.2集成微系統(tǒng)
5、集成數(shù)字微鏡--執(zhí)行器.2266.3微弱信號(hào)處理.3電容檢測(cè)壓阻檢測(cè)壓電檢測(cè)隧道檢測(cè)熱流式檢測(cè)技術(shù)諧振式檢測(cè)技術(shù)光纖式檢測(cè)技術(shù)296.3微弱信號(hào)處理
電容檢測(cè).3傳感電容~pf量級(jí),電容變化~af量級(jí)噪聲~信噪比問(wèn)題設(shè)計(jì)低噪聲,抗干擾能力強(qiáng)的微弱信號(hào)檢測(cè)電路是電容式傳感器的關(guān)鍵之一電容的微小變化量轉(zhuǎn)化為頻率,電流,電壓…C-F
、C-I、PWM、C-V(電容電橋、開關(guān)電容法、電荷放大法)306.3微弱信號(hào)處理
C-F方法.3多諧振蕩器I1<I2充電過(guò)程:開關(guān)閉合放電過(guò)程:開關(guān)斷開316.3微弱信號(hào)處理
C-I方法.3初始情況:Cs上電壓為0;比較器輸出為0,M1、M2截止。有效:Cs上電壓不能突變,比較器反相端為Vref,比較器輸出為Vss,M2導(dǎo)通。Cs放電,比較器反相端趨于0,輸出趨于0,M2截止。有效:Cs放電到0電壓。326.3微弱信號(hào)處理
PWM方法.3傳感器以差分電容形式變化336.3微弱信號(hào)處理
C-V法(電容電橋法).3差分346.3微弱信號(hào)處理
C-V法(開關(guān)電容法).3在φ1為高電平時(shí),C1和Cref放電,Cs充電。此時(shí)存儲(chǔ)在Cs兩端的電荷Qs為:在φ2為高電平時(shí),C1和Cref充電,Cs放電。此時(shí)存儲(chǔ)在Cref兩端的電荷Qref為:C1上電荷Q1為:輸出電壓為:開關(guān)電容電路的形式非常多,但基本原理相同。356.3微弱信號(hào)處理
C-V法(電荷放大法).3電阻的作用是為運(yùn)放提供直流反饋,使得反相輸入為零。366.3微弱信號(hào)處理
載波調(diào)制方法—單路載波.3兩路電荷放大電路376.3微弱信號(hào)處理
載波調(diào)制方法—雙路載波.3兩路電荷求和采用高頻載波進(jìn)行調(diào)制,可以有效避開1/f噪聲對(duì)電路的影響386.3微弱信號(hào)處理
噪聲處理—斬波技術(shù).3使用調(diào)制技術(shù)將信號(hào)轉(zhuǎn)到更高的頻率,此頻段放大器沒(méi)有1/f噪聲,然后在經(jīng)過(guò)放大后解調(diào)回基帶,由于斬波不會(huì)提高白噪聲部分,所以斬波更適合低噪聲電路。39小結(jié):.3
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