第二版《光電子技術(shù)》課后習(xí)題答案

1.2輻射度量與光度量的根本區(qū)別是什么？為什么量子流速率的計算公式中不能出現(xiàn)光度為了定量分析光與物質(zhì)相互作用所產(chǎn)生的光電效應(yīng)，分析光電敏感器件的光電特性，以及用光電敏感器件進行光譜、光度的定量計算，常需要對光輻射給出相應(yīng)的計量參數(shù)和量綱。輻射度量與光度量是光輻射的兩種不同的度量方法。根本區(qū)別在于：前者是物理(或客觀)的計量方法，稱為輻射度量學(xué)計量方法或輻射度參數(shù)，它適用于整個電磁輻射譜區(qū)，對輻射量進行物理的計量；后者是生理(或主觀)的計量方法，是以人眼所能看見的光對大腦的刺激程度來對光進行計算，稱為光度參數(shù)。因為光度參數(shù)只適用于0.38~0.78um的可見光譜區(qū)域，是對光強度的主觀評價，超過這個譜區(qū)，光度參數(shù)沒有任何意義。而量子流是在整個電磁輻射，所以量子流速率的計算公式中不能出現(xiàn)光度量.光源在給定波長λ處，將λ~λ+dλ范圍內(nèi)發(fā)射的輻射通量dΦe，除以該波長λ的光子能量h1.3一只白熾燈，假設(shè)各向發(fā)光均勻，懸掛在離地面1.5m的高處，用照度計測得正下方地1.4一支氦-氖激光器(波長為632.8nm)發(fā)出激光的功率為2mW。該激光束的平面發(fā)散角若激光束投射在10m遠的白色漫反射屏上，該漫反射屏的發(fā)射比為0.85，求該屏()KV()()6830.26521030.362lmvmeIvvd()Ivvvd2222(12Iv2(1Iv2(1vdILv)IvIv1011cd/IvIvr2cosSr2cosd(4.6105d(4.6105lm/m2MvS20.00052l10mr0.0005M'0.85E'0.85vvd2'L'vvddS'cosm(P6)d'vvdScos2r0.85L2rvl2dM'vdLvr2l2155cd/m21.6從黑體輻射曲線圖可以看書，不同溫度下的黑體輻射曲線的極大值處的波長隨溫度T的升高而減小。試用普朗克熱輻射公式導(dǎo)出mK。？光輻射的調(diào)制是用數(shù)字或模擬信號改變光波波形的幅度、頻率或相位的過程。光輻射的調(diào)制方法有內(nèi)調(diào)制和外調(diào)制。內(nèi)調(diào)制：直接調(diào)制技術(shù)具有簡單、經(jīng)濟、容易實現(xiàn)等優(yōu)點。但存在波長(頻率)的抖成、偏振敏感、損耗大、而且造價也高。但譜線寬度窄。機械調(diào)制、電光調(diào)制、聲光調(diào)2.2說明利用泡克爾斯效應(yīng)的橫向電光調(diào)制的原理。畫出橫向電光調(diào)制的裝置圖，說明其中光傳播方向與電場施加的方向垂直，這種電光效應(yīng)稱為橫向電光效應(yīng)。2.3說明利用聲光布拉格衍射調(diào)制光通量的原理。超聲功率Ps的大小決定于什么？在石英晶體上應(yīng)加怎樣的電信號才能實現(xiàn)光通量的調(diào)制？該信號的頻率和振幅分別起著什么作當超聲波在介質(zhì)中傳播時，將引起介質(zhì)的彈性應(yīng)變作時間上和空間上的周期性的變化，并且導(dǎo)致介質(zhì)的折射率也發(fā)生相應(yīng)的變化。當光束通過有超聲波的介質(zhì)后就會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，這就是聲光效應(yīng)。聲光介質(zhì)在超聲波的作用下，就變成了一個等效的相位光柵，當光通過有超聲波作用的介質(zhì)時，相位就要受到調(diào)制，其結(jié)果如同它通過一個衍射光柵，光柵間距等于聲波波長，光束通過這個光柵時就要產(chǎn)生衍射，這就是聲光效應(yīng)。布拉格衍射是在超聲波頻率較2.4說明利用法拉第電磁旋光效應(yīng)進行磁光強度調(diào)制的原理。磁場使晶體產(chǎn)生光各向異性，稱為磁光效應(yīng)。法拉第效應(yīng)：光波通過磁光介質(zhì)、平行于磁場方向傳播時，線偏振光的偏振面發(fā)生旋轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。電路磁場方向在YIG棒軸向，控制高頻線圈電流，改變軸向信號磁場強度，就可控制光的振動面的旋轉(zhuǎn)角，使通過的光振幅隨角的變化而變化，從而實現(xiàn)光強調(diào)制。光電探測器的工作原理是將光輻射的作用視為所含光子與物質(zhì)內(nèi)部電子的直接作用，而熱電探測器是在光輻射作用下，首先使接收物質(zhì)升溫，由于溫度的變化而造成接受物質(zhì)的電學(xué)特性變化。光電探測器響應(yīng)較快，噪聲小；而熱電探測器的光譜響應(yīng)與波長無關(guān)，可以在室溫下工作。物質(zhì)在光的作用下釋放出電子的現(xiàn)象稱為光電效應(yīng)。光電效應(yīng)又分為外光電效應(yīng)(如光電發(fā)射效應(yīng))和內(nèi)光電效應(yīng)(如光電導(dǎo)效應(yīng)和光伏效應(yīng))。當半導(dǎo)體材料受光照時，由于對光子的吸收引起載流子濃度的增大，因而導(dǎo)致材料電當半導(dǎo)體PN結(jié)受光照射時，光子在結(jié)區(qū)(耗盡區(qū))激發(fā)電子-空穴對。在自建場的作產(chǎn)生電位差。P端為正，N端為負。這種效應(yīng)稱為光伏效應(yīng)。光電池、光電二極管、雙光某些金屬或半導(dǎo)體受到光照時，物質(zhì)中的電子由于吸收了光子的能量，致使電子逸出物質(zhì)表面，這種現(xiàn)象稱為光電發(fā)射效應(yīng)，又稱外光電效應(yīng)。光電倍增管，真空光電管、充氣光電管。3.3光電器件的光電特性(光照特性)有哪兩種情況？每種特性的器件各自的用途是什么？當光電器件上的電壓一定時，光電流與入射于光電器件上的光通量的關(guān)系I=F(Ф)稱為光電特性，光電流與光電器件上光照度的關(guān)系I=F(L)稱為光照特性。光電器件對功率相同而波長不同的入射光的響應(yīng)不同，即產(chǎn)生的光電流不同。光電流或輸出電壓與入射光波長的關(guān)系稱為光譜特性。光譜特性決定于光電器件的材料。應(yīng)盡量使所選的光電器件的光譜特性與光源的光譜分布較接近。由光電器件的光譜特性可決定光電器件的靈敏度(響應(yīng)率)——光譜靈敏度和積分靈敏度。3.5為什么結(jié)型光電器件在正向偏置時沒有明顯的光電效應(yīng)？結(jié)型光電器件必須工作在哪種偏置狀態(tài)?因為p-n結(jié)在外加正向偏壓時，即使沒有光照，電流也隨著電壓指數(shù)級在增加，所以有光照時，光電效應(yīng)不明顯。p-n結(jié)必須在反向偏壓的狀態(tài)下，有明顯的光電效應(yīng)產(chǎn)生，這是因為p-n結(jié)在反偏電壓下產(chǎn)生的電流要飽和，所以光照增加時，得到的光生電流就會明顯增加。表面區(qū)域能帶彎曲，真空能級降低到導(dǎo)帶之下。發(fā)射小，光電子能量集中13.8何謂“白噪聲”？何謂“噪聲”？要降低電阻的熱噪聲應(yīng)采取什么措施？f措施：1.盡量選擇通帶寬度小的2.盡量選擇電阻值小的電阻3.降低電阻周圍環(huán)境？熱電晶體的自發(fā)極化矢量隨溫度變化，從而使入射光可引起電容器電容改變的現(xiàn)象射。G光=G亮-G暗=1/50-1/5000=0.0198(s)該樣品的光電導(dǎo)即為所求。3.16試問圖3.25和圖3.26分別屬于哪一種類型的偏置電路？為什么？當光照變化dL3.17敘述光電池的工作原理以及開路電壓、短路電流與光照度的關(guān)系。為什么光電池的輸(1)工作原理過半導(dǎo)體材料的禁帶寬度，則由半導(dǎo)體能帶理論可知，在PN結(jié)附近會產(chǎn)生電子和空穴。在(2)光電池的電動勢即開路電壓與照度成非線性關(guān)系，在照度光電池的短路電流與照度成線性關(guān)系(4分)(3)當負載電阻較大時，光電流流過負載電阻時，必然使外加電場增大，由于外電場的方向是與內(nèi)電場方向相反，故要削弱內(nèi)電場的強度，從而使光生的電子和空穴不能移過PN結(jié)，使對外輸出的光電流減少。(5分)用時環(huán)極不接是否可用？為什么？環(huán)極的目的是為了減少暗電流和噪聲。3.21說明PIN管、雪崩光電二極管的工作原理和各自特點。PIN管的頻率特性為什么比普工作原理：PIN管加反向電壓時，勢壘變寬，在整個本征區(qū)展開，耗盡層寬度基本上是I區(qū)的寬度，光照到I層，激發(fā)光生電子空穴時，在內(nèi)建電場和反向電場作用下，空P區(qū)移動，電子向N區(qū)移動，形成光生電流，通過負載，在外電路形成電流。特點：工作原理：當光電二極管的PN結(jié)上加相當大的反向偏壓時，在耗盡層內(nèi)將產(chǎn)生一個很高的電場，它足以使在該強電場區(qū)產(chǎn)生和漂移的光生載流子獲得充分的動能，電子空穴與晶格原子碰撞，將產(chǎn)生新的電子空穴對。新的電子空穴對在強電場作用下，分別向相反的方向運動，在運動過程中，又可能與原子碰撞，再一次產(chǎn)生新的電子空穴對。如此反n結(jié)的結(jié)間距離拉大，結(jié)電容變小，由于工作在反偏，隨著反偏電壓的增大，結(jié)電容變的由于PIN管耗盡層變寬，這就相當于增大了結(jié)電容之間的距離，使結(jié)電容變小，而且耗盡層的厚度隨反向電壓的增加而加寬，因而結(jié)電容隨著外加反向偏壓的增大而變得更小。同時，由于I層的電阻率很高，故能承受很高的電壓，I層電場很強，對少數(shù)載流子漂移運動起加速作用，雖然渡越距離增大一些，但少數(shù)載流子的渡越時間相對還是短了?？?，由于結(jié)電容變小，載流子渡越耗盡層的時間短，因此PIN管的特性好。=(5+3sint)μW，偏置電壓Ub=40V，信號由放大器接收，求取得最大功率時的負載電3.24圖3.97中，用2CU型光電二極管接收輻射通量變化為=(20+50sinwt)μW的光信號，其工作偏壓Ub=30V，拐點電壓Um=10V，且Rb=RL。2CU的參數(shù)是：光電靈敏度FkUfPSD是利用離子注入技術(shù)制成的一種對入射到光敏面上的光點位置敏感的光電器件，分為一維和二維兩種。當入射光是非均勻的或是一個光斑時，其輸出與光的能量中心有關(guān)。與象限探測器相比，PSD的優(yōu)點有：對光斑的形狀無嚴格要求；光敏面上無象限分隔線，對光斑位置可進行連續(xù)測量，位置分辨率高，可同時檢測位置和光強。3.28光電發(fā)射和二次電子發(fā)射有哪些不同？簡述光電倍增管的工作原理。光電發(fā)射是光轟擊材料使電子逸出，二次電子發(fā)射是電子轟擊材料，使新的電子逸2)光電陰極電子受光子激發(fā)，離開表面發(fā)射到真空中。3)光電子通過電子加速和電子光學(xué)系統(tǒng)聚焦入射到第一倍增極D1上，倍增極將發(fā)射出比入射電子數(shù)目更多的二次電子，入射電子經(jīng)N級倍增極倍增后光電子就放大N次4)經(jīng)過倍增后的二次電子由陽極P收集起來，形成陽極光電流，在負載RL上產(chǎn)生信壓鼠籠式：結(jié)構(gòu)緊湊，體積?。坏`敏度的均勻性稍差。直線聚焦式：極間電子渡越時間的離散性小，時間響應(yīng)很快，線性好：但絕緣支架可能積累電荷而影響電子光學(xué)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。盒柵式：電子的收集效率較高，均勻性和穩(wěn)定性較好；但極間電子渡越時間零散較百葉窗式：工作面積大，與大面積光電陰極配合可制成探測弱光的倍增管;但極間電壓高，有時電子可能越級穿過，從而，收集率較低，渡越時間離散較大。近貼柵網(wǎng)式：極好的均勻性和脈沖線性，抗磁場影響能力強。微通道板式：尺寸大為縮小，電子渡越時間很短，響應(yīng)速度極快，抗磁場干擾能力a，負高壓1200V供電，均勻分壓的光電倍增管的工作原理，為2cm2,各倍增極發(fā)射系數(shù)均相等(σ=4)，光電子的收集率為0.98，各倍增極電子收集(c)設(shè)計前置放大電路，使輸出的信號電壓為200mV,求放大器的有關(guān)參數(shù)，并畫出原理圖(a)如圖 kkIpIk0陽極電流：I=M?I=936μApk((c)VRo=fV'RoLRRV'=fV=(I)R.f=IRoRopLRpfLLR=fR=f3.31某光電倍增管的陽極光電靈敏度為10A/lm，為什么還要限制其陽極輸出電流小于因為陽極電流過大會加速光電倍增管的疲勞與老化。m光學(xué)圖像投射到光電陰極上，產(chǎn)生相應(yīng)的光電子發(fā)射，在加速電場和聚焦線圈所產(chǎn)生的磁場共同作用下打到靶上，在靶的掃描面形成與圖像對應(yīng)的電位分布最后，通過電子束掃描把電位圖像讀出，形成視頻信號，分辨率表示能夠分辨圖像中明暗細節(jié)的能力。極限分辨率和調(diào)制傳遞函數(shù)(MTF)極限分辨率：人眼能分辨的最細條數(shù)。用在圖像(光柵)范圍內(nèi)所能分辨的等寬度MTF：能客觀地表示器件對不同空間頻率目標的傳遞能力。惰性：指輸出信號的變化相對于光照度的變化有一定的滯后。原因：靶面光電導(dǎo)張弛過程和電容電荷釋放惰性。答：答：構(gòu)成CCD的基本單元是MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)電容器。正如其它電容器一樣，MOSMOS電容器能夠存儲電荷。如果MOS結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體是P型硅，當在金屬電極(稱為柵)上加一個正的階梯電壓時(襯底接地)，Si-SiO2界面處的電勢(稱為表面勢或界面勢勢)發(fā)生相應(yīng)變化，附近的P型硅中多數(shù)載流子——空穴被排斥，形成所謂耗盡層，如果柵電壓VG超過MOS晶體管的開啟電壓，則在Si-SiO2界面處形成深度耗盡狀態(tài)，由于電子子在那里的勢能較低，我們可以形象化地說：半導(dǎo)體表面形成了電子的勢阱，可以用來存儲電子。當表面存在勢阱時，如果有信號電子(電荷)來到勢阱及其鄰近，它們便可以儲電子。當表面存在勢阱時，如果有信號電子(電荷)來到勢阱及其鄰近，它們便可以聚集集在表面。隨著電子來到勢阱中，表面勢將降低，耗盡層將減薄，我們把這個過程描述為電電子逐漸填充勢阱。勢阱中能夠容納多少個電子，取決于勢阱的“深淺”，即表面勢的大小小，而表面勢又隨柵電壓變化，柵電壓越大，勢阱越深。如果沒有外來的信號電荷。耗盡層層及其鄰近區(qū)域在一定溫度下產(chǎn)生的電子將逐漸填滿勢阱，這種熱產(chǎn)生的少數(shù)載流子電流叫作暗電流，以有別于光照下產(chǎn)生的載流子叫作暗電流，以有別于光照下產(chǎn)生的載流子。因此，電荷耦合器件必須工作在瞬態(tài)和深度CCDCCDCCD是由每三個柵為一組組的間隔緊密的MOS結(jié)構(gòu)組成的陣列。每相隔兩個柵的柵電極連接到同一驅(qū)動信號上，亦稱時鐘脈沖。三相時鐘脈沖的波形如下圖所示。在t1時刻，φ1高電位，φ2、φ3低電位。此時φ1電極下的表面勢最大，勢阱最深。假設(shè)此時已有信號電荷(電子)注入，則電荷就勢阱的空阱深度相同，但因φ1下面存儲有電荷，則φ1勢阱的實際深度比φ2電極下面的勢電荷繼續(xù)向φ2下的勢阱中轉(zhuǎn)移。t4時刻，φ2為高電位，φ1、φ3為低電位，φ2下面的勢阱最深，信號電荷都被轉(zhuǎn)移到φ2下面的勢阱中，這與t1時刻的情況相似，但電荷包向右移動了一個電極的位置一個電極的位置。當經(jīng)過一個時鐘周期T后，電荷包將向右轉(zhuǎn)移三個電極位置，即一個柵周期周期(也稱一位)。因此，時鐘的周期變化，就可使CCD中的電荷包在電極下被轉(zhuǎn)移到輸出端，其工作過程從效果上看類似于數(shù)字電路中的移位寄存器出端，其工作過程從效果上看類似于數(shù)字電路中的移位寄存器。φ3t1t2t3t41234電電荷輸出結(jié)構(gòu)有多種形式，如“電流輸出”結(jié)構(gòu)、“浮置擴散輸出”結(jié)構(gòu)及“浮置柵輸出”結(jié)構(gòu)。構(gòu)。其中“浮置擴散輸出”結(jié)構(gòu)應(yīng)用最廣泛，。輸出結(jié)構(gòu)包括輸出柵OG、浮置擴散區(qū)FD、復(fù)復(fù)位柵R、復(fù)位漏RD以及輸出場效應(yīng)管T等。所謂“浮置擴散”是指在P型硅襯底表面用VV族雜質(zhì)擴散形成小塊的n+區(qū)域，當擴散區(qū)不被偏置，即處于浮置狀態(tài)工作時，稱作“浮置擴散區(qū)擴散區(qū)”。電荷包的輸出過程如下：VOG為一定值的正電壓，在OG電極下形成耗盡層，使φ3與FDFD之間建立導(dǎo)電溝道。在φ3為高電位期間，電荷包存儲在φ3電極下面。隨后復(fù)位柵R加正復(fù)位脈沖φR，使FD區(qū)與RD區(qū)溝通，因VRD為正十幾伏的直流偏置電壓，則FD區(qū)的電荷被電荷被RD區(qū)抽走。復(fù)位正脈沖過去后FD區(qū)與RD區(qū)呈夾斷狀態(tài)，F(xiàn)D區(qū)具有一定的浮置區(qū)區(qū)(即A點)的電位變化量為：VV=FDAC式中，QFD是信號電荷包的大小，C是與FD區(qū)有關(guān)的總電容(包括輸出管T的輸入電容、分分布電容等)。55ttttt1234Rt1t2t3tCCDCCD輸出信號的特點是：信號電壓是在浮置電平基礎(chǔ)上的負電壓；每個電荷包的輸出占占有一定的時間長度T。；在輸出信號中疊加有復(fù)位期間的高電平脈沖。據(jù)此特點，對CCDCCD的輸出信號進行處理時，較多地采用了取樣技術(shù)，以去除浮置電平、復(fù)位高脈沖及抑4.5雙列兩相02：驅(qū)動脈沖1、驅(qū)動脈沖2，將模擬寄存器中的信號電荷定向轉(zhuǎn)移到輸出輸出。RS：復(fù)位脈沖，使復(fù)位場效應(yīng)管導(dǎo)通，將剩余信號電荷卸放掉，以保證新的信號電荷4.7TCD1200D的中心距為14μm，它能分辨的最小間距是多少？它的極限分辨率怎樣計4.8簡述變像管和圖像增強器的基本工作原理，指出變像管和圖像增強器的主要區(qū)別。亮度很低的可見光圖像或者人眼不可見的光學(xué)圖像經(jīng)光電陰極轉(zhuǎn)換成電子圖像；電子光學(xué)系統(tǒng)將電子圖像聚焦成像在熒光屏上，并使光電子獲得能量增強；熒光屏再將入射到其上的電子圖像轉(zhuǎn)換為可見光圖像。變像管：接受非可見輻射圖像并轉(zhuǎn)換成可見光圖像的直視型光電成像器件：紅外變像管、紫外變像管和X射線變像管等，功能是完成圖像的電磁波譜轉(zhuǎn)換。像增強器：接受微弱可見光圖像的直視型光電成像器件：級聯(lián)式像增強器、帶微通道板的像增強器、負電子親和勢光陰極的像增強器等，功能是完成圖像的亮度增強。存儲密度高。非接觸式讀/寫信息(獨特)。存儲壽命長。信息的信噪比高。信息⑴存儲密度高⑵數(shù)據(jù)傳輸速率高⑶存儲壽命長⑷信息位價低⑸更換容易？自美國ECD及IBM公式共同研制出第一片光盤以來，光盤經(jīng)歷了四代：光盤(readonlymemory，ROM)這種光盤中的數(shù)據(jù)是在光盤生產(chǎn)過程中刻入的，用戶只能從光盤中反復(fù)讀取數(shù)據(jù)。這種光盤制造工藝簡單，成本低，價格便宜，其普及率和市場占有率最高。這種光盤具有寫、讀兩種功能，寫入數(shù)據(jù)后不可擦除。⑶可擦重寫光盤(rewrite,RW)用戶除了可在這種光盤上寫入、讀出信息外，還可以將已經(jīng)記錄在盤上的信息擦除掉，然后再寫入新的信息；但擦與寫需要兩束激光、兩次動作才能完成。⑷直接重寫光盤(overwrite，OW)這種光盤上實現(xiàn)的功能與可擦重寫重寫光盤一樣，所不同的是，這類光盤可用同一束激光、通過一次動作就擦除掉舊信息并錄入新信息。ROM儲原理。將事先記錄在主磁帶上的視頻或音頻信息通過信號發(fā)生器、前置放大器去驅(qū)動電光或聲光調(diào)制器，使經(jīng)過調(diào)制的激光束以不同的功率密度聚焦在甩有光刻膠的玻璃襯盤上，使光刻膠曝光，之后經(jīng)過顯影、刻蝕，制成主盤(又稱母盤，master)，再經(jīng)噴鍍、電鍍等工序制成副盤(又稱印模,stamper)，然后再經(jīng)過“2P”注塑形成ROM光盤。近紅外波段的激光作用在介質(zhì)上，能加劇介質(zhì)網(wǎng)絡(luò)中原子、分子的振動，從而加速相變的進行。因此近紅外激光對介質(zhì)的作用以熱效應(yīng)為主，其中寫、讀、擦激光與其相變的進行。圖的上半部是用來寫入、讀出及擦除信息的激光脈沖，下半部表示出在這三種不同的脈沖作用下，在介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生的相應(yīng)相變過程。GT至幾百納秒的激光脈沖，使光斑微區(qū)因介質(zhì)溫度剎那間超過熔點m而進入液相，再經(jīng)過液相快瘁完成到達玻璃態(tài)的相轉(zhuǎn)變。⑵信息的讀出用低功率密度、短脈寬的激光掃描信息道，從反射率的大小辨別寫入的信息。一般介質(zhì)處在玻璃態(tài)(即寫入態(tài))時反射率小，處在晶態(tài)(即擦除態(tài))時反射率大。在讀出過程中，介質(zhì)的相結(jié)構(gòu)保持不變。T沖的激光，使光斑微區(qū)因介質(zhì)溫度升至接近m處，再通過成核－生長完成晶化。在此過程中，光誘導(dǎo)缺陷中心可以成為新的成核中心，因此激光作用使成核速率、生長速度大大增加，從而導(dǎo)致激光熱晶化壁單純熱晶化的速率要高。如圖9-14，目前磁光薄膜的記錄方式有補償點記錄和居里點記錄兩類，前者以稀土－鈷合金為主，后者則多為稀土－鐵合金。以補償點寫入的磁介質(zhì)為例來討論磁光記錄介質(zhì)⑴信息的寫入GdCo有一垂直于薄膜表面的易磁化軸。在寫入信息前，用一定強H度的磁場o對介質(zhì)進行初始磁化，使各磁疇單元具有相同的磁化方向。在寫入信息時，磁光讀寫頭的脈沖激光聚焦在介質(zhì)表面，光照微斑因升溫而迅速退磁，此時通過讀寫頭中的線圈施加一反偏磁場，就可使光照區(qū)微斑反向磁化，如圖所示，而無光照的相鄰磁疇磁化方向仍將保持原來的方向，從而實現(xiàn)磁化方向相反的反差記錄。⑵信息的讀出信息讀出是利用Kerr效應(yīng)檢測記錄單元的磁化方向。用線偏振光掃描錄有信息的信道，光束到達磁化方向向上的微斑，經(jīng)反射后，偏折方向會繞反射線9右旋一個角度k，如圖所示。反之，若光掃描到磁化方向向下的微斑，反射光的偏振方向999則左旋一個k，以－k表示。實際測試時，使檢偏器的主截面調(diào)到與－k對應(yīng)的偏振方向相垂直的方位，則來自向下磁化微斑的反射光不能通過檢偏器到達探測器，而從向上磁化微斑反射的光束則可以通過k的分量，這樣探測器就有效地讀出了寫入的信號。化微斑反射的光束則可以通