電力電子教材重點(diǎn)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)范文

電力電子教材重點(diǎn)學(xué)問(wèn)點(diǎn)總結(jié)范文《電力電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題1電力電子技術(shù)定義：是使用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)展變換和掌握的技術(shù)，是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)，主要用于電力變換。電力變換的種類(lèi)溝通變直流AC-DC：整流直流變溝通DC-AC：逆變直流變直流DC-DC：一般通過(guò)直流斬波電路實(shí)現(xiàn)，也叫斬波電路溝通變溝通AC-AC：可以是電壓或電力的變換，一般稱(chēng)作溝通電力掌握電力電子技術(shù)分類(lèi)：分為電力電子器件制造技術(shù)和變流技術(shù)。4、相控方式;對(duì)晶閘管的電路的掌握方式主要是相控方式5、斬空方式：與晶閘管電路的相位掌握方式對(duì)應(yīng)，承受全空件的電路的主要掌握方式為脈沖寬度調(diào)制方式。相對(duì)于相控方式可稱(chēng)之為斬空方式。2電力電子器件與主電路的關(guān)系主電路：電力電子系統(tǒng)中指能夠直接擔(dān)當(dāng)電能變換或掌握任務(wù)的電路。電力電子器件：指應(yīng)用于主電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)電能變換或掌握的電子器件。廣義可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件。電力電子器件一般特征：1、處理的電功率小至毫瓦級(jí)大至兆瓦級(jí)。2、都工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，以減小本身?yè)p耗。3、由電力電子電路來(lái)掌握。4、安有散熱器電力電子系統(tǒng)根本組成與工作原理一般由主電路、掌握電路、檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成。檢測(cè)主電路中的信號(hào)并送入掌握電路，依據(jù)這些信號(hào)并依據(jù)系統(tǒng)工作要求形成電力電子器件的工作信號(hào)。掌握信號(hào)通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路去掌握主電路中電力電子器件的導(dǎo)通或關(guān)斷。同時(shí)，在主電路和掌握電路中附加一些保護(hù)電路，以保證4依據(jù)掌握信號(hào)所掌握的程度分類(lèi)半控型器件：通過(guò)掌握信號(hào)可以掌握其導(dǎo)通而不能掌握其關(guān)斷的電力電子器件。如SCR全控型器件：通過(guò)掌握信號(hào)既可以掌握其導(dǎo)通，又可以掌握其關(guān)斷的電力電子器件。如GTO、GTR、MOSFETIGBT。不行控器件：不能用掌握信號(hào)來(lái)掌握其通斷的電力電子器電流驅(qū)動(dòng)型器件：通過(guò)從掌握端注入或抽出電流的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷的電力電子器件。如SCR、GTO、GTR。電壓驅(qū)動(dòng)型器件：通過(guò)在掌握端和公共端之間施加肯定電壓信號(hào)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷的電力電子器件。如MOSFET、IGBT。依據(jù)器件內(nèi)部載流子參與導(dǎo)電的狀況分類(lèi)單極型器件：內(nèi)部由一種載流子參與導(dǎo)電的器件。如MOSFET。雙極型器件：由電子和空穴兩種載流子參數(shù)導(dǎo)電的器件。如SCR、GTO、GTR。復(fù)合型器件：有單極型器件和雙極型器件集成混合而成的器件。如IGBT5半控型器件—晶閘管SCR2.3.1.4.4晶閘管的關(guān)斷工作原理滿足下面條件，晶閘管才能關(guān)斷：去掉AKAK設(shè)法使流過(guò)晶閘管的電流降低到接近于零的某一數(shù)值以下。2.3.2.1.1晶閘管正常工作時(shí)的靜態(tài)根本特性當(dāng)晶閘管承受反向電壓時(shí)，不管門(mén)極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí)，僅在門(mén)極有觸發(fā)電流的狀況下晶閘管才能導(dǎo)通。晶閘管一旦導(dǎo)通，門(mén)極就失去掌握作用，不管門(mén)極觸發(fā)電流是否還存在，晶閘管都保持導(dǎo)通。假設(shè)要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。GTOGTOPNPN外部引出陽(yáng)極、陰極和門(mén)極。GTOGTO器件，其內(nèi)部包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)供陽(yáng)極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門(mén)極在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起，正是這種特別構(gòu)造才能實(shí)現(xiàn)門(mén)極關(guān)斷作用。GTO當(dāng)GTO管都不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)GTO閘管才能導(dǎo)通。GTOGTO斷，也即可以通過(guò)門(mén)極電流掌握GTO通過(guò)AKGTO電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET〔1〕電力MOSFET電壓型器件?！?〕當(dāng)UGSUTP度將超過(guò)空穴濃度，從而使PN型層。絕緣柵雙極晶體管IGBTGTR和GTO強(qiáng)，耐壓及耐電流等級(jí)高，但缺乏是開(kāi)關(guān)速度低，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。電力MOSFET快、所需驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)潔。復(fù)合型器件：將上述兩者器件相互取長(zhǎng)補(bǔ)短結(jié)合而成，綜合兩者優(yōu)點(diǎn)。絕緣柵雙極晶體管IGBTGTRMOSFETGTRMOSFET良好的特性。3〔1〕整流電路定義：將溝通電能變成直流電能供給直流用電設(shè)備的變流裝置。2、整流電路主要分類(lèi)方法有：按組成的器件可分為不行控、半空、全控三種；按電路構(gòu)造分為橋式電路和零式電路；按溝通輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路，按變壓器二次電流方向是單向雙向可分為單拍電路和雙拍電路。單相半波可控整流電路觸發(fā)角：從晶閘管開(kāi)頭承受正向陽(yáng)極電壓起，到施加觸發(fā)脈沖為止的電角度，稱(chēng)為觸發(fā)角或掌握角。幾個(gè)定義瞬時(shí)u2②單相半波可控整流電路：如上半波整流，同時(shí)電路中承受了可控器件晶閘管，且交流輸入為單相，因此為單相半波可控整流電路。3、帶電阻狀況：ud2)、帶阻感負(fù)載時(shí)5電力電子電路的根本特點(diǎn)及分析方法電力電子器件為非線性特性，因此電力電子電路是非線性電路。電力電子器件通常工作于通態(tài)或斷態(tài)狀態(tài)，當(dāng)無(wú)視器件的開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程時(shí)，可以將器件抱負(fù)化，看作抱負(fù)開(kāi)關(guān)，即通態(tài)時(shí)認(rèn)為開(kāi)關(guān)閉合，其阻抗為零；斷態(tài)時(shí)認(rèn)為開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，其阻抗為無(wú)窮大。單相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載的工作狀況1、單相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載時(shí)的波形圖范圍是π全波整流在溝通電源的正負(fù)半周都有整流輸出電流流過(guò)負(fù)載，因此該電路為全波整流。直流輸出電壓平均值Ud12U2sintd(t)22U21cos1cos0.9U222負(fù)載直流電流平均值IdUd22U21cosU1cos0.92RR2R2晶閘管參數(shù)計(jì)算1電力電子技術(shù)定義：是使用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)展變換和掌握的技術(shù)，是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)，主要用于電力變換。電力變換的種類(lèi)溝通變直流AC-DC：整流直流變溝通DC-AC：逆變直流變直流DC-DC：一般通過(guò)直流斬波電路實(shí)現(xiàn)溝通變溝通AC-AC：一般稱(chēng)作溝通電力掌握電力電子技術(shù)分類(lèi)：分為電力電子器件制造技術(shù)和變流技術(shù)。2電力電子器件與主電路的關(guān)系主電路：指能夠直接擔(dān)當(dāng)電能變換或掌握任務(wù)的電路。電力電子器件：指應(yīng)用于主電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)電能變換或掌握的電子器件。電力電子器件一般都工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，以減小本身?yè)p耗。電力電子系統(tǒng)根本組成與工作原理一般由主電路、掌握電路、檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成。檢測(cè)主電路中的信號(hào)并送入掌握電路，依據(jù)這些信號(hào)并依據(jù)系統(tǒng)工作要求形成電力電子器件的工作信號(hào)。掌握信號(hào)通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路去掌握主電路中電力電子器件的導(dǎo)通或關(guān)斷。同時(shí)，在主電路和掌握電路中附加一些保護(hù)電路，以保證系統(tǒng)正常牢靠運(yùn)行。電力電子器件的分類(lèi)依據(jù)掌握信號(hào)所掌握的程度分類(lèi)半控型器件：通過(guò)掌握信號(hào)可以掌握其導(dǎo)通而不能掌握其關(guān)斷的電力電子器件。如SCR全控型器件：通過(guò)掌握信號(hào)既可以掌握其導(dǎo)通，又可以掌握其關(guān)斷的電力電子器件。如GTO、GTR、MOSFETIGBT。不行控器件：不能用掌握信號(hào)來(lái)掌握其通斷的電力電子器件。如電力二極管。依據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的性質(zhì)分類(lèi)電流型器件：通過(guò)從掌握端注入或抽出電流的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷的電力電子器件。如SCR、GTO、GTR。電壓型器件：通過(guò)在掌握端和公共端之間施加肯定電壓信號(hào)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷的電力電子器件。如MOSFET、IGBT。依據(jù)器件內(nèi)部載流子參與導(dǎo)電的狀況分類(lèi)單極型器件：內(nèi)部由一種載流子參與導(dǎo)電的器件。如MOSFET。雙極型器件：由電子和空穴兩種載流子參數(shù)導(dǎo)電的器件。如SCR、GTO、GTR。復(fù)合型器件：有單極型器件和雙極型器件集成混合而成的器件。如IGBT。半控型器件—晶閘管SCR晶閘管的構(gòu)造與工作原理晶閘管的雙晶體管模型將器件N1、P2V1-PNPV2-NPN晶閘管的導(dǎo)通工作原理當(dāng)AKEA，晶閘管不能導(dǎo)通，主要是中間存在反向PN當(dāng)GKEG，NPNIG，NPNIc2。集電極電流Ic2PNPPNP一步放大產(chǎn)生PNPIc1。Ic1與IG構(gòu)成NPN的負(fù)反響，這樣NPN和PNP晶閘管是半控型器件的緣由晶閘管導(dǎo)通后撤掉外部門(mén)極電流IG，但是NPN存在電流，由PNPIc1響，因此晶閘管連續(xù)維持導(dǎo)通。因此，晶閘管的門(mén)極電流只能觸發(fā)掌握其導(dǎo)通而不能掌握其關(guān)斷。晶閘管的關(guān)斷工作原理滿足下面條件，晶閘管才能關(guān)斷：去掉AKAK設(shè)法使流過(guò)晶閘管的電流降低到接近于零的某一數(shù)值以下。2.3.2.1.1當(dāng)晶閘管承受反向電壓時(shí)，不管門(mén)極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí)，僅在門(mén)極有觸發(fā)電流的狀況下晶閘管才能導(dǎo)通。晶閘管一旦導(dǎo)通，門(mén)極就失去掌握作用，不管門(mén)極觸發(fā)電流是否還存在，晶閘管都保持導(dǎo)通。假設(shè)要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。GTOGTOPNPN外部引出陽(yáng)極、陰極和門(mén)極。GTOGTO器件，其內(nèi)部包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)供陽(yáng)極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門(mén)極在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起，正是這種特別構(gòu)造才能實(shí)現(xiàn)門(mén)極關(guān)斷作用。GTO當(dāng)GTO管都不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)GTO閘管才能導(dǎo)通。GTOGTO斷，也即可以通過(guò)門(mén)極電流掌握GTO通過(guò)AKGTO電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET〔1〕電力MOSFET電壓型器件?！?〕當(dāng)UGSUTP度將超過(guò)空穴濃度，從而使PN型層。絕緣柵雙極晶體管IGBTGTR和GTO強(qiáng)，耐壓及耐電流等級(jí)高，但缺乏是開(kāi)關(guān)速度低，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。電力MOSFET快、所需驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)潔。復(fù)合型器件：將上述兩者器件相互取長(zhǎng)補(bǔ)短結(jié)合而成，綜合兩者優(yōu)點(diǎn)。絕緣柵雙極晶體管IGBTGTRMOSFETGTRMOSFET良好的特性。IGBTIGBTG、集電極CE。IGBTMOSFETGTR3〔1〕整流電路定義：將溝通電能變成直流電能供給直流用電設(shè)備的變流裝置。單相半波可控整流電路〔4〕觸發(fā)角：從晶閘管開(kāi)頭承受正向陽(yáng)極電壓起，到施加觸發(fā)脈沖為止的電角度，稱(chēng)為觸發(fā)角或掌握角。〔7〕幾個(gè)定義①“半波”整流：轉(zhuǎn)變觸發(fā)時(shí)刻，udid流輸出電壓udu2②單相半波可控整流電路：如上半波整流，同時(shí)電路中承受了可控器件晶閘管，且溝通輸入為單相，因此為單相半波可控整流電路。3.1.1.3電力電子電路的根本特點(diǎn)及分析方法電力電子器件為非線性特性，因此電力電子電路是非線性電路。電力電子器件通常工作于通態(tài)或斷態(tài)狀態(tài)，當(dāng)無(wú)視器件的開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程時(shí)，可以將器件抱負(fù)化，看作抱負(fù)開(kāi)關(guān)，即通態(tài)時(shí)認(rèn)為開(kāi)關(guān)閉合，其阻抗為零；斷態(tài)時(shí)認(rèn)為開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，其阻抗為無(wú)窮大。單相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載的工作狀況單相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載時(shí)的原理圖4〔VT1~VT4〕組成單相橋式全控整流電路。②VT1和VT4VT2和VT3單相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載時(shí)的波形圖①0~：VT1~VT4ud0、id0、i20。uVT1uVT4u2，uVT1uVT41u22②~：在角度時(shí)，給VT1和VT4ab點(diǎn)，VT1和VT4uVT1uVT40。電流從aVT1、R、VT4budu2，i2id，外形與電壓一樣。③~：電源u2VT1和VT4uVT1uVT41u2〔負(fù)半周〕2VT2和VT3ud0、id0、i20~2：在角度時(shí)，給VT2和VT3ba點(diǎn)，VT2和VT3通，uVT2uVT30。VT1陽(yáng)極為abVT4陽(yáng)極為ab點(diǎn)；因此uVT1uVT4u2。電流從bVT3、R、VT2budu2，i2id。全波整流在溝通電源的正負(fù)半周都有整流輸出電流流過(guò)負(fù)載，因此該電路為全波整流。直流輸出電壓平均值122U21cos1cos0.9U222負(fù)載直流電流平均值IdUd2U2sintd(t)Ud22U21cosU1cos0.92RR2R2晶閘管參數(shù)計(jì)算①承受最大正向電壓：1(2U2)2②承受最大反向電壓：2U20Ud0.9U2；180oUd0。因