電力電子器件綜合概述

1.1電力電子器件概述1.2不可控器件——電力二極管1.3半控型器件——晶閘管1.4典型全控型器件1.5其他新型電力電子器件1.6電力電子器件的驅動1.7電力電子器件的保護1.8電力電子器件的串聯和并聯使用本章小結第1章電力電子器件1第一頁，共八十三頁。1.1電力電子器件概述1.1.1電力電子器件的概念和特征1.1.2電力電子電路系統(tǒng)組成1.1.3電力電子器件的分類2第二頁，共八十三頁。電力電子器件的概念和特征1.概念主電路（PowerCircuit）

在電氣設備或電力系統(tǒng)中，直接承擔電能的變化或控制任務的電路。電力電子器件（PowerElectronicDevice)直接用于處理電能主電路中，實現電能的變換或控制的電子器件。3第三頁，共八十三頁。電力電子器件的概念和特征1.概念電力電子器件理想模型它有三個電極1和2代表開關的兩個主電極，3是控制開關通斷的控制。它只有兩種工作狀態(tài)——“通態(tài)”和“斷態(tài)”

通態(tài)時其電阻為零，相當于開關閉合；

斷態(tài)時其電阻無窮大，相當于開關斷開。4第四頁，共八十三頁。1）處理電功率的能力>>信息電子器件。2）一般工作在開關狀態(tài)。3）一般由信息電子電路驅動。4）功率損耗>>信息電子器件。2.特征電力電子器件的概念和特征電力電子器件是功率半導體器件5第五頁，共八十三頁。2.特征電力電子器件的概念和特征如何考查電力電子器件導通壓降(損耗)運行頻率(開通時間/關斷時間)器件容量(電能處理、變換的能力)可靠性耐沖能力6第六頁，共八十三頁。導通主電路中電力電子器件關斷控制電路信息電子電路組成控制電路主電路電力電子系統(tǒng)通過驅動電路控制控制電路檢測驅動RL主電路V1V2電力電子電路系統(tǒng)組成驅動電路檢測保護電路7第七頁，共八十三頁。電力電子器件的分類1.控制方式不能用控制信號控制其通斷，不需要驅動電路電力二極管不控型器件主電路｛通

斷電流電壓只有兩個端子結構簡單、工作可靠。8第八頁，共八十三頁。電力電子器件的分類1.控制方式半控型器件通過控制信號可控制其導通但不能控制其關斷｛晶閘管及其派生器件關斷主電路電流電壓反應快、可靠性高、壽命長、功率大、價格低，且具有節(jié)能的特點。9第九頁，共八十三頁。電力電子器件的分類1.控制方式全控型器件通過控制信號既可控制其導通又能控制其關斷｛絕緣柵雙極晶體管電力場效應晶體管電力晶體管自關斷器件門極可關斷晶閘管驅動電路通

斷電流電壓具有集成化、高頻化、多功能化的特點，應用很廣。處理兆瓦級大功率電能10第十頁，共八十三頁。通

斷電力電子器件的分類2.驅動信號的性質電流驅動型電壓驅動型控制端注入電流抽出電流電壓信號公共端控制端11第十一頁，共八十三頁。3.導電方式單極型器件只有一種載流子（多數）參與導電雙極型器件電子和空穴兩種載流子同時參與導電復合型器件單極型器件和雙極型器件集成混合而成電力電子器件的分類12第十二頁，共八十三頁。晶閘管的結構與工作原理AGK晶閘管外形、結構和電氣圖形符號a)外形b)結構

c)圖形符號

外形：螺栓型平板型P1N1P2N2J1J2J3陽極陰極門極1.結構和符號13第十三頁，共八十三頁。常用晶閘管的結構螺栓型晶閘管晶閘管模塊平板型晶閘管外形及結構14第十四頁，共八十三頁。實驗電路晶閘管的結構與工作原理2.導通和關斷條件AKGEAEGRAA+-15第十五頁，共八十三頁。導通條件：陽極與陰極之間加正向電壓，同時門極與陰極之間也加正向電壓。關斷條件：陽極電流IA小于維持電流IH晶閘管的結構與工作原理實驗結論實現方法：1）減小陽極電源電壓或增大陽極回路電阻；2）將陽極電源反向。16第十六頁，共八十三頁。實質——正反饋過程產生注入門極的觸發(fā)電流IG的電路觸發(fā)門極觸發(fā)電路對晶閘管的驅動晶閘管的結構與工作原理IGIB2IC2=IB1IC1電流驅動型IGSEGREAIc2Ic1IKIAAGNPNPNPKV1V2P1AGKN1P2P2N1N2IB2IB1晶閘管導通17第十七頁，共八十三頁。

1）

晶閘管具有可控的單向導電性。

與二極管比較，相同點：都具有單向導電性；不同點：晶閘管的單向導電受門極控制。

2）晶閘管屬半控型器件。

門極只能用來控制晶閘管的導通，導通后門極就失去控制作用。

3）晶閘管具有開關作用。

導通時：相當于開關閉合；阻斷時：相當于開關斷開。晶閘管的基本特點：晶閘管的結構與工作原理18第十八頁，共八十三頁。電路如圖，已知u2和ug波形，試畫出電阻Rd兩端的電壓ud波形。晶閘管的導通時刻由u2和ug共同決定，關斷則僅取決于u2的過零時刻例題π2π3π19第十九頁，共八十三頁。晶閘管的基本特性1.靜態(tài)特性伏安特性：——陽極伏安特性

晶閘管的陽極與陰極之間的電壓ua與陽極電流ia之間的關系。20第二十頁，共八十三頁。正向導通IG0=0IHUROUBOIG1IG2IG2>IG1>IG0IAUA01.靜態(tài)特性正向阻斷硬開通正向特性反向特性反向阻斷1）IG=0時，若UA＞UBO，則晶閘管會出現“硬開通”現象——不允許2）IG增加時，正向轉折電壓減小。3）晶閘管一旦導通，門極失去控制作用。4）當晶閘管加反向電壓時，工作在反向阻斷狀態(tài)。5）當反向電壓足夠大時，晶閘管被反向擊穿。——不允許反向擊穿正向阻斷反向阻斷正向導通正常工作區(qū)晶閘管的基本特性21第二十一頁，共八十三頁。2.動態(tài)特性反映晶閘管在開通和關斷時的動態(tài)工作過程。晶閘管的開通時間約為幾微秒；晶閘管的關斷時間約幾百微秒。開關時間：開通時間ton關斷時間toff晶閘管的基本特性22第二十二頁，共八十三頁。晶閘管的主要參數

斷態(tài)重復峰值電壓UDRM

在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向峰值電壓。

反向重復峰值電壓URRM

在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的反向峰值電壓。

取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。1．電壓定額額定電壓的選取要留有一定裕量，一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓的2～3倍。即

UTn=（2~3）UTM

UTM

為晶閘管在實際工作中所承受的最大正反向電壓23第二十三頁，共八十三頁。

通態(tài)平均電流IT(AV)

在規(guī)定的條件下，晶閘管所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。

2.電流定額維持電流

IH

維持晶閘管繼續(xù)導通所必需的最小陽極電流。

擎住電流IL

晶閘管剛從斷態(tài)轉入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導通所需的最小電流。對同一晶閘管，通常IL約為IH的2~4倍。晶閘管的主要參數24第二十四頁，共八十三頁。正弦半波電流波形

通態(tài)平均電流IT(AV)

正弦半波電流的有效值

波形系數Kf則正弦半波電流

或ITn=1.57IT(AV)

即

100A的晶閘管允許通過的電流有效值為157A

電流定額25第二十五頁，共八十三頁。注意：管子的發(fā)熱與有效值有關，要求實際電流有效值IT一定不能大于額定電流有效值ITn。IT≤ITn=1.57IT(AV)

故額定電流的選取要留有一定裕量，一般取1.5～2倍。即

IT(AV)=（1.5~2）

IT(AV)≥

電流定額26第二十六頁，共八十三頁。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt

在額定結溫和門極開路的情況下，不導致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉換的外加電壓最大上升率。位移電流在斷態(tài)的晶閘管兩端所施加的電壓具有正向的上升率，在逐段狀態(tài)下相當于一個電容的J2結流過的充電電流。通態(tài)電流臨界上升率di/dt

在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。3．動態(tài)參數（自學）晶閘管的主要參數27第二十七頁，共八十三頁。晶閘管型號的命名方法：例如：KP100-12G

表示額定電流100A、額定電壓1200V、管壓降1v的普通型晶閘管。晶閘管的主要參數KP

□－□□表示晶閘管普通反向阻斷型額定通態(tài)平均電流正反向重復峰值電壓等級通態(tài)平均電壓組別28第二十八頁，共八十三頁。晶閘管的派生器件常規(guī)快速晶閘管高頻晶閘管包括所有為快速應用而設計的晶閘管與普通晶閘管相比快速晶閘管關斷時間為數十微秒高頻晶閘管關斷時間為10μs左右電壓和電流定額不易做高應用于400Hz和10kHz以上的斬波或逆變電路中快速晶閘管29第二十九頁，共八十三頁。IG=0IU0雙向晶閘管

有兩個主電極T1和T2，一個門極G。門極使器件在主電極的正反兩方向均可觸發(fā)導通?？傻刃橐粚Ψ床⒙摰钠胀ㄐ途чl管。在第Ⅰ和第III象限有對稱的伏安特性。不用平均值而用有效值來表示其額定電流值。晶閘管的派生器件30第三十頁，共八十三頁。IG=0IU0雙向晶閘管晶閘管的派生器件-++I++---I-四種觸發(fā)方式++Ⅲ+-+-Ⅲ-觸發(fā)靈敏度I+、Ⅲ-相對較高。常用I+、Ⅲ-兩種觸發(fā)方式31第三十一頁，共八十三頁。IU0I=0GAKG逆導晶閘管是將晶閘管反并聯一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。不具有承受反向電壓的能力，一旦承受反向電壓即開通。與普通晶閘管相比正向壓降小關斷時間短高溫特性好額定電流晶閘管電流反并聯的二極管的電流晶閘管的派生器件32第三十二頁，共八十三頁。KK---快速晶閘管KP---普通晶閘管KN---逆導晶閘管晶閘管常見型號認識KS---雙向晶閘管晶閘管的派生器件33第三十三頁，共八十三頁。門極可關斷晶閘管（GTO）晶閘管的一種派生器件?？梢酝ㄟ^在門極施加負的脈沖電流使其關斷。電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，在兆瓦級以上的大功率場合仍有較多的應用。34第三十四頁，共八十三頁。與普通晶閘管的相同點:PNPN四層半導體結構外部引出陽極、陰極和門極。與普通晶閘管的不同點：GTO是一種多元功率集成器件。門極可關斷晶閘管GTO符號1.GTO的結構和工作原理35第三十五頁，共八十三頁。GTO導通條件與導通過程——與普通晶閘管一樣（飽和程度較淺）。GTO關斷條件與關斷過程——門極加入負脈沖電流，即從門極抽出電流，在強烈正反饋作用下迅速退出飽和而關斷。工作原理門極可關斷晶閘管（GTO）36第三十六頁，共八十三頁。3.GTO的主要參數最大可關斷陽極電流IATO——GTO額定電流電流關斷增益off——

最大可關斷陽極電流與門極負脈沖電流最大值IGM之比。開關時間——開通時間ton和關斷時間toff

開關時間幾個微秒到幾十微秒，導通壓降2-3V、比晶閘管稍高。門極可關斷晶閘管（GTO）off一般很小，只有5左右，這是GTO的一個主要缺點。37第三十七頁，共八十三頁。電力晶體管（GTR）1.GTR的結構和工作原理

單管GTR與普通晶體管相同。

具有耐壓高、電流大、開關特性好等特點。

通常采用至少由兩個晶體管按達林頓接法組成的單元結構。

β≈β1β2

采用集成電路工藝將許多這種單元并聯而成——達林頓模塊。38第三十八頁，共八十三頁。模塊型電力晶體管的內部結構既有單管型，也有達林頓復合型，其容量范圍從30A／450V～800A／1400V不等。

在一個模塊的內部有一單元結構、二單元結構、四單元結構和六單元結構。

電力晶體管（GTR）1.GTR的結構和工作原理39第三十九頁，共八十三頁。模塊型電力晶體管的內部結構既有單管型，也有達林頓復合型，其容量范圍從30A／450V～800A／1400V不等。

在一個模塊的內部有一單元結構、二單元結構、四單元結構和六單元結構。

電力晶體管（GTR）1.GTR的結構和工作原理40第四十頁，共八十三頁。2.GTR的基本特性ib2ib1ib3ib1<ib2<ib3截止區(qū)Ic0Uce飽和區(qū)放大區(qū)靜態(tài)特征電力晶體管（GTR）三個工作區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)41第四十一頁，共八十三頁。trtdtstontftoff90%Icsic10%IcsIb2t0t1t2t3t4t5t90%Ib110%Ib1Ib1t00ibGTR的開通和關斷過程電流波形GTR的開關時間在幾微秒以內，比晶閘管和GTO都短。電力晶體管（GTR）2.GTR的基本特性開通時間ton=td

+tr關斷時間toff=ts+tf動態(tài)特征提高工作速度方法：減小導通時的飽和深度。增大Ib2的幅值和負偏壓。42第四十二頁，共八十三頁。3.GTR的主要參數最高工作電壓集電極最大允許電流IcM

集電極最大耗散功率PcM電力晶體管（GTR）極限參數：43第四十三頁，共八十三頁。一次擊穿：集電極電壓升高到擊穿電壓時，集電極電流迅速增大，首先出現的雪崩擊穿的現象。二次擊穿：一次擊穿發(fā)生時未有效限制電流，Ic增大到某個臨界點突然急劇上升，電壓突然下降的現象。4.二次擊穿現象與安全工作區(qū)二次擊穿會立即導致器件的永久損壞，對GTR危害極大。電力晶體管（GTR）44第四十四頁，共八十三頁。二次擊穿臨界線最高工作電壓集電極最大電流最大耗散功率電力晶體管（GTR）安全工作區(qū)GTR工作時不能超過4.二次擊穿現象與安全工作區(qū)45第四十五頁，共八十三頁。電力場效應晶體管(P-MOSFET)1.結構和工作原理簡稱：電力MOSFET（PowerMOSFET）P溝道導電溝道電力MOSFET主要是N溝道增強型N溝道增強型耗盡型增強型耗盡型46第四十六頁，共八十三頁。uGS↑→導電溝道寬度↑→漏極電流iD↑——電壓驅動方式電力場效應晶體管(P-MOSFET)1.結構和工作原理柵極漏極源極簡稱：電力MOSFET（PowerMOSFET）符號導通時只有多數載流子參與導電——單極型晶體管N溝道P溝道uGS＞UT（開啟電壓）導通條件：DSGDSG47第四十七頁，共八十三頁。2.基本特性和主要參數（自學）電力場效應晶體管(P-MOSFET)主要優(yōu)點：開關時間短（ns級）、工作頻率高（100kHz以上）、驅動功率小、驅動電路簡單、熱穩(wěn)定性好且不存在二次擊穿現象等。缺點：通流能力較差，且通態(tài)電阻值較大。

48第四十八頁，共八十三頁。GTR和GTO的特點——雙極型，電流驅動，通流能力很強，開關速度較低，所需驅動功率大，驅動電路復雜。電力MOSFET的特點——單極型，電壓驅動，開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單。絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT)

GTR和MOSFET復合，集二者優(yōu)點于一體。1986年投入市場，是目前中小功率電力電子設備的主導器件。

幾種電力電子器件性能比較：電力場效應晶體管(P-MOSFET)49第四十九頁，共八十三頁。1.結構和工作原理ECG電氣圖形符號簡化等效電路絕緣柵雙極晶體管（IGBT）GERNC驅動方式：由P-MOSFET決定——柵射極電壓控制輸出特性：由GTR決定——通流能力強、通態(tài)壓降低50第五十頁，共八十三頁。2.基本特性O有源區(qū)正向阻斷區(qū)飽和區(qū)反向阻斷區(qū)ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加分為三個區(qū)：正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。轉移特性輸出特性開啟電壓開關時間：開通時間約為0.5～1.2μs關斷時間約為0.55～1.5μs導通條件：

uGE＞UGE(th)

（開啟電壓）工作特點：

uGE↑→集電極電流ic↑——電壓驅動型絕緣柵雙極晶體管（IGBT）靜態(tài)特性51第五十一頁，共八十三頁。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

IGBT的主要優(yōu)點：開關速度快，開關損耗小。

安全工作區(qū)大，耐沖能力強。通態(tài)壓降低。輸入阻抗高。52第五十二頁，共八十三頁。驅動電路的基本任務將信息電子電路傳來的信號按控制目標的要求，轉換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關斷的信號。驅動電路主電路與控制電路之間的接口性能良好的驅動電路使電力電子器件理想的開關狀態(tài)縮短開關時間減小開關損耗對裝置的運行效率，可靠性、安全性有重要意義電力電子器件驅動電路概述要求：驅動電路提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環(huán)節(jié)。（一般采用光隔離或磁隔離）。53第五十三頁，共八十三頁。驅動電路關斷信號開通信號對全控型器件電流驅動型電壓驅動型晶閘管的驅動電路電力電子器件驅動電路概述觸發(fā)電路驅動電路分類：驅動信號性質驅動電路結構形式分立元件驅動電路專用集成驅動電路對半控器件開通信號54第五十四頁，共八十三頁。晶閘管的觸發(fā)電路晶閘管觸發(fā)電路作用

產生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，保證晶閘管在需要的時刻可靠地由阻斷轉為導通狀態(tài)。對觸發(fā)時刻進行相位控制。對晶閘管觸發(fā)電路的要求觸發(fā)脈沖的寬度應保證晶閘管可靠導通。觸發(fā)脈沖應有足夠的幅度。不超過門極電壓、電流和功率定額，且在可靠觸發(fā)區(qū)域之內。應有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。55第五十五頁，共八十三頁。觸發(fā)電路的種類分立元件觸發(fā)電路：簡單觸發(fā)電路單結管觸發(fā)電路正弦波觸發(fā)電路鋸齒波觸發(fā)電路集成觸發(fā)器：KJ004移相觸發(fā)器TC787移相觸發(fā)器計算機控制數字觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路56第五十六頁，共八十三頁。幾種常見的觸發(fā)脈沖晶閘管的觸發(fā)電路57第五十七頁，共八十三頁。理想觸發(fā)脈沖電流波形t1

~t2

—脈沖前沿上升時間(<1μs)t2~t3

—強脈沖寬度IM—強脈沖幅值(3IGT~5IGT

)t3

~t4

—脈沖寬度I—脈沖平頂幅值(1.5IGT~2IGT

)晶閘管的觸發(fā)電路IIMt1t2t3t4——強觸發(fā)脈沖58第五十八頁，共八十三頁。V1、V2構成脈沖放大環(huán)節(jié)。脈沖變壓器TM和附屬電路構成脈沖輸出環(huán)節(jié)。

V1、V2導通時，通過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。常見的晶閘管觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路59第五十九頁，共八十三頁。

GTR的驅動電路典型全控型器件的驅動電路GTR1.電流驅動型器件的驅動電路60第六十頁，共八十三頁。2.電壓驅動型器件的驅動電路典型全控型器件的驅動電路電力MOSFET和IGBT是電壓驅動型器件當有輸入信號時，放大器A輸出高電平，V2導通輸出正驅動電壓

，電力MOSFET導通。當無輸入信號時，放大器A輸出低電平，V3導通輸出負驅動電壓，電力MOSFET關斷。61第六十一頁，共八十三頁。過電壓保護過電壓外因過電壓內因過電壓操作過電壓雷擊過電壓換相過電壓關斷過電壓過電壓的產生62第六十二頁，共八十三頁。保護原理：利用電容兩端電壓不能突變的特點吸收尖峰電壓。保護措施阻容吸收保護保護原理：出現過電壓時，可通過很大峰值電流，而電壓基本不變。（類似穩(wěn)壓管）壓敏電阻保護——非線性電阻基本特性：正反向對稱，可實現雙向限壓。由成組串聯的硒整流片構成，現已很少采用。硒堆保護——非線性元件過電壓保護63第六十三頁，共八十三頁。

F避雷器D變壓器靜電屏蔽層C靜電感應過電壓抑制電容RC1閥側浪涌過電壓抑制用RC吸收電路RC2閥側浪涌過電壓抑制用反向阻斷式RC吸收電路（整流式阻容吸收電路）RV壓敏電阻過電壓抑制器RC3閥器件換相過電壓抑制用RC吸收電路RC4直流側RC吸收電路RCD閥器件關斷過電壓抑制用RCD電路過電壓保護過電壓抑制措施及配置位置網側閥側直流側交流側整流器64第六十四頁，共八十三頁。交流側過電壓保護1）阻容保護：在變壓器二次側并入電阻R和電容C。過電壓保護65第六十五頁，共八十三頁。2）非線性電阻保護—壓敏電阻保護一般情況下，為使系統(tǒng)更加精確，往往在交流側采用雙重保護，即阻容保護和非線性保護同時使用。過電壓保護交流側過電壓保護66第六十六頁，共八十三頁。一般采用非線性保護，即引入壓敏電阻。一般采用阻容保護。返回過電壓保護直流側過電壓保護晶閘管兩端的過電壓保護67第六十七頁，共八十三頁。過電流保護外因：負載過載、負載短路、電源過高或過低、逆變失敗等。過電流的產生內因：晶閘管損壞、觸發(fā)電路故障等。串接交流進線電抗或采用漏抗較大的整流變壓器電子電路保護過電流繼電器保護直流快速開關保護快速熔斷器保護保護措施68第六十八頁，共八十三頁。過電流保護措施及配置位置過電流保護措施過電流繼電器快速熔斷器直流快速斷路器同時采用幾種過電流保護措施，提高可靠性和合理性過電流短路時的部分區(qū)段的保護整定在電子電路動作之后實現保護整定在過載時動作短路過載電子電路作為第一保護措施過電流保護過流繼電器快速熔斷器直流快速開關電子保護電路69第六十九頁，共八十三頁。返回過電流保護快速熔斷器的幾種接法70第七十頁，共八十三頁。

快速熔斷器

——是電力電子裝置中最有效、應用最廣的一種過電流保護措施，歸納阻容吸收電路——是電力電子裝置中最簡單、應用最廣的一種過電壓保護措施。晶閘管的保護過電壓保護過電流保護71第七十一頁，共八十三頁。緩沖電路緩沖電路（吸收電路）作用抑制器件的內因過電壓、du/dt、過電流和di/dt，減小器件的開關損耗。關斷緩沖電路（du/dt抑制電路）用于吸收器件的關斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關斷損耗開通緩沖電路（di/dt抑制電路）用于抑制器件開通時的電流過沖和di/dt，減小開通損耗緩沖電路分類緩沖電路構成：一般由R、L、C、VD等元件組成通常緩沖電路一般指關斷緩沖電路，而將開通緩沖電路稱為di/dt抑制電路72第七十二頁，共八十三頁。di/dt抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形a)電路b)波形緩沖電路緩沖電路實例73第七十三頁，共八十三頁。當單只晶閘管額定電壓小于實際要求時，可將多只同型號晶閘管串聯起來使用。實際存在的問題：理想情況：各串聯的晶閘管承受的電壓相等。靜態(tài)不均壓問題——由于器件靜態(tài)參數和特性不同而造成動態(tài)不均壓問題——由于器件動態(tài)參數和特性不同而造成電壓分配不均衡。解決方法：靜態(tài)均壓——并聯均壓電阻Rj動態(tài)均壓——并聯均壓阻容RC應盡量選用特性參數一致的器件晶閘管的串聯74第七十四頁，共八十三頁。晶閘管的并聯實際存在的問題：因靜態(tài)和動態(tài)特性參數差異導致電流分配不均衡。理想情況：各并聯的晶閘管承擔的電流相等。解決方法：串聯均流電阻R串