數(shù)字電子電路第7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

7.4只讀存儲(chǔ)器ROM目的、要求：重點(diǎn)、難點(diǎn)：了解ROM及PROM的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與陣的譯碼方式，掌握用ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)，掌握用PLA實(shí)現(xiàn)組合、時(shí)序電路。ROM、PROM的與陣，或陣，用ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)，用PLA實(shí)現(xiàn)組合、時(shí)序電路。.7.4.1固定ROM存儲(chǔ)的內(nèi)容由生產(chǎn)廠家寫入，用戶只能讀出，不能寫入，故稱為只讀存儲(chǔ)器。1.二極管固定ROM地址譯碼器——與陣存儲(chǔ)矩陣——或陣存儲(chǔ)容量=字?jǐn)?shù)×位數(shù)地址譯碼器W0W1W2W3Y3Y2Y1Y0A0A1△1111△△△ENEND3D2D1D0存儲(chǔ)矩陣輸出電路11≥1Y3Y2Y1Y0W3W2W1W0A1A0≥1≥1≥1.2.三極管固定ROM在MOS-ROM的存儲(chǔ)單元中，字線和位線交叉處用有MOS管表示“1”，無(wú)管表示“0”。地址譯碼器W0VDDA0A1W1W2W31111D3D2D1D0Y3Y2Y1Y0.7.4.2可編程ROM（PROM）存儲(chǔ)單元的內(nèi)容由用戶自己寫入，不能再改寫（熔絲型）地址譯碼驅(qū)動(dòng)W0W1W2W3D3D2D1D0VCCA0A1熔斷絲讀/寫放大器AWARDZD’2D’0D’1D’3.用戶可多次改寫，用電擦除。7.4.3可擦除可編程ROM(EPROM)和電可擦除可編程ROM(EEPROM)用戶可編程寫入信息，也可改寫（用X光，或紫外線擦除）1.EPROM:2.EEROM:3.快閃存儲(chǔ)器(FlashMemory):采用一種類似于EPROM的單管疊柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元制成的新一代用電信號(hào)擦除的可編程ROM，它既吸收了EPROM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、編程可靠的優(yōu)點(diǎn)，又具有EEPROM用隧道效應(yīng)擦除的快捷特性。特點(diǎn)：集成度高、容量大、成本低、使用方便。.ABC1117.4.4用ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)例試用ROM設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)組合電路F1(A,B,C)=∑m(3,4,6,7)F2(A,B,C)=∑m(0,2,3,4,7)m0m1m2m3m4m5m6m7F1F2.G1G2G3G0例7-1用PROM構(gòu)成一個(gè)碼型轉(zhuǎn)換器，將4位B3B2B1B0二進(jìn)制轉(zhuǎn)換成循環(huán)碼G3G2G1G0。G0=m(1,2,5,6,9,10,13,14)G2=m(4,5,6,7,8,9,10,11)G3=m(8,9,10,11,12,13,14,15)解G1=m(2,3,4,5,10,11,12,13)B0B3B3B2B2B1B1B0m0m1m2m3m4m5m6m7m8m9m10m11m12m13m14m15.前面介紹的ROM地址譯碼是全譯碼工作方式，且是固定結(jié)構(gòu)形式，每增加一位地址，ROM的容量要增加到原來(lái)的兩倍?？删幊踢壿嬯嚵校≒LA）PLA邏輯陣列是部分譯碼，其或矩陣，與矩陣都可改寫。即對(duì)譯碼矩陣和存儲(chǔ)矩陣均可編程的電路叫可編程邏輯陣列。.F2F1CABABC例試用PLA設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)組合電路F1(A,B,C)=∑m(3,4,6,7)F2(A,B,C)=∑m(0,2,3,4,7)解：用卡諾圖將兩函數(shù)F1，

F2化簡(jiǎn)得：F1=AC+BCF2=AB+B