微波技術(shù)與天線課程設(shè)計(jì)之smith圓圖介紹

湖南工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計(jì)資料袋湖南工業(yè)大學(xué)學(xué)院（系、部）學(xué)年第二學(xué)期課程名稱(chēng)微波技術(shù)與天線指導(dǎo)教師職稱(chēng)學(xué)生姓名專(zhuān)業(yè)班級(jí)學(xué)號(hào)題目史密斯圓圖與應(yīng)用成績(jī)起止日期年月日～年月日目錄清單序號(hào)材料名稱(chēng)資料數(shù)量備注1課程設(shè)計(jì)任務(wù)書(shū)12課程設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)13源程序145湖南工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計(jì)任務(wù)書(shū)2010—2011學(xué)年第2學(xué)期計(jì)算機(jī)與通信學(xué)院通信工程專(zhuān)業(yè)通信081班級(jí)課程名稱(chēng)：微波技術(shù)與天線設(shè)計(jì)題目：史密斯圓圖分析與應(yīng)用完成期限：自20XX年6月20日至20XX年6月26日共1周內(nèi)容及任務(wù)一、設(shè)計(jì)的主要技術(shù)（參數(shù)）：史密斯圓圖，史密斯圓圖演示軟件二、設(shè)計(jì)任務(wù)1.了解史密斯圓圖的原理和作用；2.學(xué)會(huì)使用史密斯圓圖分析問(wèn)題。三、設(shè)計(jì)工作量1周完成進(jìn)度安排起止日期工作內(nèi)容6月20日分組、任務(wù)分配、課題理解6月21日功能分析、程序設(shè)計(jì)6月22日-6月24日實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和測(cè)試6月25日-6月26日總結(jié)、書(shū)寫(xiě)實(shí)驗(yàn)報(bào)告參考資料[1]王新穩(wěn)，李萍.微波技術(shù)與天線，電子工業(yè)出版社，2009年[2]廖承恩.微波技術(shù)基礎(chǔ).西安電子科技大學(xué)出版社，1995年[3].吳萬(wàn)春，梁昌洪.微波網(wǎng)絡(luò)及其應(yīng)用.國(guó)防工業(yè)出版社，1980年指導(dǎo)教師（簽字）：年月日系（教研室）主任（簽字）：年月日

微波技術(shù)與天線課程設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)史密斯圓圖分析與應(yīng)用起止日期：20XX年6月20日至20XX年6月26日學(xué)生姓名班級(jí)學(xué)號(hào)成績(jī)指導(dǎo)教師(簽字)計(jì)算機(jī)與通信學(xué)院20XX年6月25日課題名稱(chēng)微波技術(shù)與天線人數(shù)5人組長(zhǎng)同組人員課題的主要內(nèi)容和要求主要內(nèi)容：1.了解史密斯圓圖的原理和作用；2.學(xué)會(huì)使用史密斯圓圖分析問(wèn)題。課題要求：1．實(shí)時(shí)顯示史密斯圓圖上的阻抗值和歸一化阻抗值；2．實(shí)時(shí)顯示導(dǎo)納圓圖和歸一化導(dǎo)納值；3．并聯(lián)單可變匹配長(zhǎng)度的計(jì)算；4．并聯(lián)雙可變匹配長(zhǎng)度的計(jì)算；5．駐波系數(shù)、反射系數(shù)模和幅角；6．傳輸線歸一化長(zhǎng)度并顯示行駐波的波形；7．計(jì)算傳輸線的輸入阻抗和歸一化輸入阻抗；具體任務(wù)1、理解整個(gè)課程設(shè)計(jì)思想；2、完成相關(guān)程序設(shè)計(jì)；3、完成程序代碼設(shè)計(jì)；4、完成整個(gè)設(shè)計(jì)的驗(yàn)證；時(shí)間安排與完成情況20XX年6月20日：課程設(shè)計(jì)分組并選題，組長(zhǎng)分配各成員任務(wù)，明確此次課程設(shè)計(jì)要求。20XX年6月21：對(duì)該課題進(jìn)行原理分析、程序設(shè)計(jì)。20XX年6月22—24日：運(yùn)行并調(diào)試程序，觀察實(shí)驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)行小組討論。20XX年5月25日—26日：小組總結(jié)后完成課程設(shè)計(jì)報(bào)告。目錄第一章、史密斯圓圖的基本介紹 51.1史密斯圓圖的介紹 51.2史密斯圓圖的理論分析 6第二章、史密斯圓圖的基本原理 7第三章、史密斯圓圖的應(yīng)用 83.1用史密斯圖求VSWR 83.2用史密斯圖求導(dǎo)納 93.3利用史密斯圖進(jìn)行阻抗匹配 10第四章、史密斯圓圖的應(yīng)用程序 11心得體會(huì) 11第一章、史密斯圓圖的基本介紹1.1史密斯圓圖的介紹史密斯圖(Smithchart)是一款用于電機(jī)與電子工程學(xué)的圖表，主要用于傳輸線的阻抗匹配上。實(shí)部r=常數(shù)和虛x＝常數(shù)，兩族正交直線變化為正交圓并與反射系數(shù)|G|=常數(shù)和虛部x＝常數(shù)套用而成。該圖表是由菲利普·史密斯(PhillipSmith)于1939年發(fā)明的，當(dāng)時(shí)他在美國(guó)的RCA公司工作。史密斯也許不是圖表的第一位發(fā)明者，一位名為Kurakawa的日本工程師聲稱(chēng)早于其一年發(fā)明了這種圖表。史密斯曾說(shuō)過(guò)，“在我能夠使用計(jì)算尺的時(shí)候，我對(duì)以圖表方式來(lái)表達(dá)數(shù)學(xué)上的關(guān)聯(lián)很有興趣?！笔访芩箞D的基本在于以下的算式:Smith圓圖當(dāng)中的Γ代表其線路的反射系數(shù)(reflectioncoefficient)，即S-parameter里的S11，zL是歸一負(fù)載值，即ZL/Z0。當(dāng)中電路的負(fù)載值Z0是傳輸線的特性阻抗值，通常會(huì)使用50Ω。圖表中的圓形線代表電阻抗力的實(shí)數(shù)值，即電阻值，中間的橫線與向上和向下散出的線則代表電阻抗力的虛數(shù)值，即由電容或電感在高頻下所產(chǎn)生的阻力，當(dāng)中向上的是正數(shù)，向下的是負(fù)數(shù)。圖表最中間的點(diǎn)(1+j0)代表一個(gè)已匹配(matched)的電阻數(shù)值(ZL)，同時(shí)其反射系數(shù)的值會(huì)是零。圖表的邊緣代表其反射系數(shù)的長(zhǎng)度是1，即100%反射。在圖邊的數(shù)字代表反射系數(shù)的角度(0-180度)和波長(zhǎng)(由零至半個(gè)波長(zhǎng))。有一些圖表是以導(dǎo)納值(admittance)來(lái)表示，把上述的阻抗值版本旋轉(zhuǎn)180度即可。1.2史密斯圓圖的理論分析一、圓圖概念圓圖是求解均勻傳輸線有關(guān)阻抗計(jì)算和阻抗匹配問(wèn)題的一類(lèi)曲線坐標(biāo)圖，圖上有兩組坐標(biāo)線，即歸一化阻抗或?qū)Ъ{的實(shí)部和虛部的等值線簇與反射系數(shù)的模和輻角的等值線簇。所有這些等值線都是圓或圓弧，故稱(chēng)其為阻抗圓圖或?qū)Ъ{圓圖，簡(jiǎn)稱(chēng)圓圖。圓圖所依據(jù)的關(guān)系式如下所示：z(d)=Z(d)/Z0=(1+Γ(d))/(1-Γ(d))或者Γ(d)=(z(d)-1)/(z(d)+1)式*jθ式中z(d)和ΓjθjΦjΦ(d)Γ(d)=Γre(d)+jΓim(d)=|Γ(d)|e圓圖便是依據(jù)式*將z(d)和Γ（d）的兩組等值線簇套印在一張圖紙上而成的，便于直接讀出相互轉(zhuǎn)換的關(guān)系和數(shù)據(jù)。二、Γ平面上的歸一化阻抗圓依據(jù)下式可確定歸一化電阻圓和歸一化電抗圓，y由外到內(nèi)依次為0，0.5,1,2，圖1.2為歸一化電阻圖。圖1.2歸一化電阻圖傳輸線的正弦穩(wěn)態(tài)分析所需的計(jì)算含有復(fù)數(shù)。在有效使用計(jì)算器和計(jì)算機(jī)之前，這些計(jì)算十分好事與繁復(fù)。結(jié)果導(dǎo)致圖解分析技術(shù)的發(fā)展，并用來(lái)計(jì)算傳輸線的性能。史密斯圓圖在其中是比較好的，它實(shí)質(zhì)上是一個(gè)傳輸線計(jì)算器，能使用者迅速得出在傳輸線上任一點(diǎn)所發(fā)生的物理解釋。除了確定線上任一點(diǎn)的輸入阻抗，電壓反射系數(shù)，VSWR,在線上放置短截線的位置以使傳輸線匹配外，還可由史密斯圓圖獲得一些其他數(shù)據(jù)。（三）圓圖使用1).在傳輸線上移動(dòng)半個(gè)波長(zhǎng),相當(dāng)于圓圖上旋轉(zhuǎn)360o；2).由負(fù)載向電源移動(dòng),圓圖上為順時(shí)針旋轉(zhuǎn)；由電源向負(fù)載移動(dòng),為逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)；3).阻抗圓圖的電阻圓全部都與=1的直線相切，并且都在單位圓內(nèi)；r=0(短路)時(shí)，圓心在(0,0),半徑=1(與單位圓重合)；r=(開(kāi)路)時(shí)，圓心在(1,0),半徑=0(縮為1個(gè)點(diǎn))；坐標(biāo)軸()是一條純電阻線，線上的點(diǎn)從左到右電阻值從0到，中心為1；中心之左<1；中心之右>1,右半軸上的點(diǎn)代表電壓最大點(diǎn)，其值大小等于駐波比。4).阻抗圓圖的電抗圓全部都與=0的直線相切，并且圓心都在=1的直線上，它們截于單位圓內(nèi)的為有效部分，其中：>0的為電感線；<0的為電容線；x=0時(shí)，圓心和半徑都趨于(變?yōu)橐恢本€)；x=時(shí)，半徑=0(縮為1個(gè)點(diǎn))。5).導(dǎo)納圓圖與阻抗圓圖表達(dá)式完全一樣，它們是同一物理實(shí)質(zhì)，兩種表達(dá)方式g=0(開(kāi)路)時(shí)，圓心在(0,0),半徑=1(與單位圓重合)；g=(短路)時(shí)，圓心在(1,0),半徑=0(縮為1個(gè)點(diǎn))；坐標(biāo)軸()是一條純電導(dǎo)線，線上點(diǎn)的電導(dǎo)值從0到，右半軸上的點(diǎn)代表電壓最小點(diǎn)，其值大小等于駐波比。導(dǎo)納圓圖上的一個(gè)點(diǎn)，沿等駐波圓轉(zhuǎn)動(dòng)180o便可得到相應(yīng)的阻抗值；反之，亦相同。第二章、史密斯圓圖的基本原理史密斯圓圖是通過(guò)驗(yàn)證阻抗匹配的負(fù)載產(chǎn)生的。這里我們不直接考慮阻抗，而是用反射系數(shù)L，反射系數(shù)可以反映負(fù)載的特性(如導(dǎo)納、增益、跨導(dǎo))，在處理RF頻率的問(wèn)題時(shí)，L更加有用。圖1.3中圓周上的點(diǎn)表示具有相同實(shí)部的阻抗。例如，R＝1的圓，以(0.5,0)為圓心，半徑為0.5。它包含了代表反射零點(diǎn)的原點(diǎn)(0,0)(負(fù)載與特性阻抗相匹配）。以(0，0)為圓心、半徑為1的圓代表負(fù)載短路。負(fù)載開(kāi)路時(shí)，圓退化為一個(gè)點(diǎn)(以1，0為圓心，半徑為零)。與此對(duì)應(yīng)的是最大的反射系數(shù)1，即所有的入射波都被反射回來(lái)。圖1.3在作史密斯圓圖時(shí)，有一些需要注意的問(wèn)題。下面是最重要的幾個(gè)方面：（1）、所有的圓周只有一個(gè)相同的，唯一的交點(diǎn)(1，0)；（2）、代表0、也就是沒(méi)有電阻(r=0)的圓是最大的圓；（3）、無(wú)限大的電阻對(duì)應(yīng)的圓退化為一個(gè)點(diǎn)(1，0)；（4）、實(shí)際中沒(méi)有負(fù)的電阻，如果出現(xiàn)負(fù)阻值，有可能產(chǎn)生振蕩；（5）、選擇一個(gè)對(duì)應(yīng)于新電阻值的圓周就等于選擇了一個(gè)新的電阻。有很多種阻抗匹配的方法包括:1、計(jì)算機(jī)仿真:由于這類(lèi)軟件是為不同功能設(shè)計(jì)的而不只是用于阻抗匹配，所以使用起來(lái)比較復(fù)雜。設(shè)計(jì)者必須熟悉用正確的格式輸入眾多的數(shù)據(jù)。設(shè)計(jì)人員還需要具有從大量的輸出結(jié)果中找到有用數(shù)據(jù)的技能。另外，除非計(jì)算機(jī)是專(zhuān)門(mén)為這個(gè)用途制造的，否則電路仿真軟件不可能預(yù)裝在計(jì)算機(jī)上。2、手工計(jì)算:這是一種極其繁瑣的方法，因?yàn)樾枰玫捷^長(zhǎng)(“幾公里”)的計(jì)算公式、并且被處理的數(shù)據(jù)多為復(fù)數(shù)。經(jīng)驗(yàn):只有在RF領(lǐng)域工作過(guò)多年的人才能使用這種方法?？傊?，它只適合于資深的專(zhuān)家。史密斯圓圖:本文要重點(diǎn)討論的內(nèi)容。第三章、史密斯圓圖的應(yīng)用3.1用史密斯圖求VSWR我們知道，傳輸線上前向和后向的行波合成會(huì)形成駐波，其根本原因在于源端和負(fù)載端的阻抗不匹配。我們可以定義一個(gè)稱(chēng)為電壓駐波比(voltagestanding-waveratio,VSWR)的量度，來(lái)評(píng)價(jià)負(fù)載接在傳輸線上的不匹配程度。VSWR定義為傳輸線上駐波電壓最大值與最小值之比：對(duì)于匹配的傳輸線Vmax=Vmin,VSWR將為1，VSWR也可以用和接受端反射系數(shù)的關(guān)系式來(lái)表達(dá)：對(duì)于完全匹配的傳輸線，反射系數(shù)為0，故而VSWR為1，但對(duì)于終端短路或開(kāi)路，VSWR將為無(wú)窮大，因?yàn)檫@兩種情況下的反射系數(shù)絕對(duì)值為1。在史密斯圖上表示：所以要計(jì)算VSWR,只需要在極坐標(biāo)的史密斯圖上以阻抗點(diǎn)到圓心的距離為半徑作圓，與水平軸相交，則離極坐標(biāo)圓點(diǎn)最遠(yuǎn)點(diǎn)坐標(biāo)的大小即為電壓駐波比的大小。舉個(gè)例子，假設(shè)傳輸線的阻抗為50Ω，負(fù)載的阻抗為50+j100Ω，則負(fù)載在史密斯圓上的歸一化阻抗的大小為：1.0+j2.0Ω,按上述方法即可在圖中求出VSWR的大小。3.2用史密斯圖求導(dǎo)納我們知道，如果將史密斯阻抗圓圖旋轉(zhuǎn)180度，就可以得到史密斯導(dǎo)納圓圖，根據(jù)這個(gè)關(guān)系，在阻抗圓圖上也可以通過(guò)做圖求出任一點(diǎn)的導(dǎo)納。其步驟就是連接所在點(diǎn)和圓心，并反向延長(zhǎng)至等距離，所得點(diǎn)的坐標(biāo)就是其導(dǎo)納。比如，某點(diǎn)阻抗為400-j1600Ω,Z0=1000Ω,則其歸一化阻抗為0.4-j1.6,從圖中可以得到導(dǎo)納大小為：Y=(0.145+j0.59)Y0=0.000145+j0.00059Ω-1。3.3利用史密斯圖進(jìn)行阻抗匹配（1）使用并聯(lián)短截線的阻抗匹配我們可以通過(guò)改變短路的短截線的長(zhǎng)度與它在傳輸線上的位置來(lái)進(jìn)行傳輸網(wǎng)絡(luò)的匹配，當(dāng)達(dá)到匹配時(shí)，連接點(diǎn)的輸入阻抗應(yīng)正好等于線路的特征阻抗。假設(shè)傳輸線特征阻抗的導(dǎo)納為Yin，無(wú)損耗傳輸線離負(fù)載d處的輸入導(dǎo)納Yd=Yin+jB（歸一化導(dǎo)納即為1+jb），輸入導(dǎo)納為Ystub=-jB的短截線接在M點(diǎn)，以使負(fù)載和傳輸線匹配。在史密斯圖上的操作步驟：1.做出負(fù)載的阻抗點(diǎn)A，反向延長(zhǎng)求出其導(dǎo)納點(diǎn)B；2.將點(diǎn)B沿順時(shí)針?lè)较颍ǔ炊耍┺D(zhuǎn)動(dòng)，與r=1的圓交于點(diǎn)C和D；3.點(diǎn)D所在的電抗圓和圓周交點(diǎn)為F；4.分別讀出各點(diǎn)對(duì)應(yīng)的長(zhǎng)度，B（aλ），C（bλ），F(xiàn)（kλ）；5.可以得出：負(fù)載至短截線連接點(diǎn)的最小距離d=bλ-aλ,短截線的長(zhǎng)度S=kλ-0.25λ。（2）使用L-C電路的阻抗匹配在RF電路設(shè)計(jì)中，還經(jīng)常用L-C電路來(lái)達(dá)到阻抗匹配的目的，通常的可以有如下8種匹配模型可供選擇；這些模型可根據(jù)不同的情況合理選擇，如果在低通情況下可選擇串聯(lián)電感的形式，在高通時(shí)則要選擇串聯(lián)電容的形式。使用電容電感器件進(jìn)行阻抗匹配，在史密斯圖上的可以遵循下面四個(gè)規(guī)則：1、沿著恒電阻圓順時(shí)針走表示增加串聯(lián)電感；2、沿著恒電阻圓逆時(shí)針走表示增加串聯(lián)電容；3、沿著恒電導(dǎo)圓順時(shí)針走表示增加并聯(lián)電容；4、沿著恒電導(dǎo)圓逆時(shí)針走表示增加并聯(lián)電感。第四章、史密斯圓圖的應(yīng)用程序/SmithChartDemoDlg.cpp:implementationfile#include"stdafx.h"#include"SmithChartDemo.h"#include"SmithChartDemoDlg.h"#ifdef_DEBUG#definenewDEBUG_NEW#undefTHIS_FILEstaticcharTHIS_FILE[]=__FILE__;#endifCSmithChartDemoDlg::CSmithChartDemoDlg(CWnd*pParent/*=NULL*/) :CDialog(CSmithChartDemoDlg::IDD,pParent){ //{{AFX_DATA_INIT(CSmithChartDemoDlg) m_hDiankang=0.0; m_hDianzu=0.0; m_hTexing=0.0; m_hWavelenght=0.0; m_hSwr=_T(""); m_hFansheShibu=_T(""); m_hFansheXubu=_T(""); m_hGuiyiShibu=_T(""); m_hGuiyiXubu=_T(""); m_hSlider=0; //}}AFX_DATA_INIT //NotethatLoadIcondoesnotrequireasubsequentDestroyIconinWin32 m_hIcon=AfxGetApp()->LoadIcon(IDR_MAINFRAME);}voidCSmithChartDemoDlg::DoDataExchange(CDataExchange*pDX){ CDialog::DoDataExchange(pDX); //{{AFX_DATA_MAP(CSmithChartDemoDlg) DDX_Control(pDX,IDC_SLIDER1,m_hSliderControl); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_DIANKANG,m_hDiankang); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_DIANZU,m_hDianzu); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_TEXING,m_hTexing); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_WAVELENGTH,m_hWavelenght); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_SWR,m_hSwr); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_FANSHE_SHIBU,m_hFansheShibu); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_FANSHE_XUBU,m_hFansheXubu); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_GUIYI_SHIBU,m_hGuiyiShibu); DDX_Text(pDX,IDC_EDIT_GUIYI_XUBU,m_hGuiyiXubu); DDX_Slider(pDX,IDC_SLIDER1,m_hSlider); //}}AFX_DATA_MAP}BEGIN_MESSAGE_MAP(CSmithChartDemoDlg,CDialog) ASSERT((IDM_ABOUTBOX&0xFFF0)==IDM_ABOUTBOX); ASSERT(IDM_ABOUTBOX<0xF000); CMenu*pSysMenu=GetSystemMenu(FALSE); if(pSysMenu!=NULL) { CStringstrAboutMenu; strAboutMenu.LoadString(IDS_ABOUTBOX); if(!strAboutMenu.IsEmpty()) { pSysMenu->AppendMenu(MF_SEPARATOR); pSysMenu->AppendMenu(MF_STRING,IDM_ABOUTBOX,strAboutMenu); } } chart.SetRange(CPoint(0,0),CPoint(400,400),CPoint(200,200)); m_hTexing=50; m_hDianzu=50; m_hDiankang=50; m_hSwr=""; m_hSliderControl.SetRange(0,100,TRUE); m_hSliderControl.SetPos(25); UpdateData(FALSE); returnTRUE;//returnTRUEunlessyousetthefocustoacontrolvoidCSmithChartDemoDlg::OnSysCommand(UINTnID,LPARAMlParam){ if((nID&0xFFF0)==IDM_ABOUTBOX) { CAboutDlgdlgAbout; dlgAbout.DoModal(); } else { CDialog::OnSysCommand(nID,lParam); }}voidCSmithChartDemoDlg::OnPaint(){ CDC*pDC=GetDC(); chart.InitSmithChart(pDC); ReleaseDC(pDC); if(IsIconic()) { CPaintDCdc(this);//devicecontextforpainting SendMessage(WM_ICONERASEBKGND,(WPARAM)dc.GetSafeHdc(),0); dc.DrawIcon(x,y,m_hIcon); } else { CDialog::OnPaint(); }}HCURSORCSmithChartDemoDlg::OnQueryDragIcon(){ return(HCURSOR)m_hIcon;}voidCSmithChartDemoDlg::OnBtnCacul(){ if(m_hTexing<=0) {MessageBox("特性阻抗不能小于等于零！","警告",MB_OK|MB_ICONHAND);return; } if(m_hDianzu<0) { MessageBox("電阻不能小于零！","警告",MB_OK|MB_ICONHAND); return; } //獲取阻抗 IMPEDANCEimpedance; impedance.impedanceX=m_hDianzu; impedance.impedanceY=m_hDiankang; impedance.impedanceChara=m_hTexing; //獲取歸一化阻抗RLXLrlxl; rlxl=chart.CaculateRLXL(impedance); //獲取反射系數(shù)FRFLfrfl; frfl=chart.CaculateFRFL(rlxl); //獲取R，X圓參數(shù) CIRCLErCircle=chart.CaculateCircleR(rlxl.r); CIRCLExCircle=chart.CaculateCircleX(rlxl.x); //獲取繪圖設(shè)備 CDC*pDC=GetDC(); chart.InitSmithChart(pDC);CPenpen(PS_DOT,2,RGB(255,0,0)); CPen*poldPen=pDC->SelectObject(&pen);chart.DrawCircleR(rCircle,pDC);//畫(huà)R圓 chart.DrawCircleX(xCircle,pDC);//畫(huà)X圓 chart.DrawCircle(frfl,pDC);//畫(huà)等反射系數(shù)圓 chart.ShowImpedance(frfl,rlxl,impedance.impedanceChara,pDC); pDC->SelectObject(poldPen); ReleaseDC(pDC);//釋放繪圖設(shè)備 //////////////更新界面數(shù)據(jù) m_hSwr.Format("%.2f",chart.GetSWR(frfl));//獲取駐波比 m_hGuiyiShibu.Format("%.2f",rlxl.r);//歸一化阻抗實(shí)部 m_hGuiyiXubu.Format("%.2f",rlxl.x);//歸一化阻抗虛部 m_hFansheShibu.Format("%.2f",frfl.Fr);//反射系數(shù)實(shí)部 m_hFansheXubu.Format("%.2f",frfl.Fl);//反射系數(shù)虛部 UpdateData(FALSE); }voidCSmithChartDemoDlg::OnBtnFind(){ //TODO:AddyourcontrolnotificationhandlercodehereUpdateData(TRUE); if(m_hTexing<=0) {MessageBox("特性阻抗不能小于等于零！","警告",MB_OK|MB_ICONHAND);return; } if(m_hDianzu<0) { MessageBox("電阻不能小于零！","警告",MB_OK|MB_ICONHAND); return; } IMPEDANCEimpedance; impedance.impedanceX=m_hDianzu; impedance.impedanceY=m_hDiankang; impedance.impedanceChara=m_hTexing;RLXLrlxl; rlxl=chart.CaculateRLXL(impedance); FRFLfrfl=chart.CaculateFRFL(rlxl); ///////////////////////////////////// //獲得旋轉(zhuǎn)后新點(diǎn)的反射系數(shù)frfl= chart.Rotate(frfl,m_hWavelenght); //重新獲得歸一化阻抗rlxl=chart.CaculateRLXL(frfl); CIRCLErCircle=chart.CaculateCircleR(rlxl.r); CIRCLExCircle=chart.CaculateCircleX(rlxl.x); CDC*pDC=GetDC(); chart.InitSmithChart(pDC);CPenpen(PS_DOT,2,RGB(255,0,0)); CPen*poldPen=pDC->SelectObject(&pen);chart.DrawCircleR(rCircle,pDC); chart.DrawCircleX(xCircle,pDC); chart.DrawCircle(frfl,pDC); chart.ShowImpedance(frfl,rlxl,impedance.impedanceChara,pDC); pDC->SelectObject(poldPen); ReleaseDC(pDC); m_hSwr.Format("%.2f",chart.GetSWR(frfl));//獲取駐波比 m_hGuiyiShibu.Format("%.2f",rlxl.r);//歸一化阻抗實(shí)部 m_hGuiyiXubu.Format("%.2f",rlxl.x);//歸一化阻抗虛部 m_hFansheShibu.Format("%.2f",frfl.Fr);//反射系數(shù)實(shí)部 m_hFansheXubu.Format("%.2f",frfl.Fl);//反射系數(shù)虛部 UpdateData(FALSE);}voidCSmithChartDemoDlg::OnReleasedcaptureSlider1(NMHDR*pNMHDR,LRESULT*pResult){ //TODO:Addyourcontrolnotificationhandlercodehere UpdateData(TRUE); m_hWavelenght=double(m_hSlider)/100; UpdateData(FALSE);UpdateData(TRUE); if(m_hTexing<=0) {MessageBox("特性阻抗不能小于等于零！","警告",MB_OK|MB_ICONHAND);return; } if(m_hDianzu<0) { MessageBox("電阻不能小于零！","警告",MB_OK|MB_ICONHAND