質(zhì)譜分析課件

質(zhì)譜分析課件第1頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日應用

質(zhì)譜是應用最為廣泛的方法之一，它可以為我們提供以下信息：a)

樣品元素組成；b)

無機、有機及生物分析的結(jié)構(gòu)---結(jié)構(gòu)不同，分子或原子碎片不同(質(zhì)荷比不同)c)

復雜混合物的定性定量分析------與色譜方法聯(lián)用(GC-MS)；d)

固體表面結(jié)構(gòu)和組成分析-----激光燒蝕等離子體---質(zhì)譜聯(lián)用；樣品中原子的同位素比。第2頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日歷史：1813年：Thomson使用MS報道了Ne是由22Ne和24N兩種同位素組成；隨后，同位素分析開始發(fā)展。在30年代末：由于石油工業(yè)的發(fā)展，需要測定油的成份。通常用蒸餾的方法先分離這些烴類混合物，然后再分別測定其折光率的方法來分析它們。這通常要花數(shù)天時間。40年代初：開始將MS用于石油工業(yè)中烴的分析，并大大縮短了分析時間。50年代初：質(zhì)譜儀器開始商品化，并廣泛用于各類有機物的結(jié)構(gòu)分析。同時質(zhì)譜方法與NMR、IR等方法結(jié)合成為分子結(jié)構(gòu)分析的最有效的手段。80年代：非揮發(fā)性或熱不穩(wěn)定分子的分析進一步促進了MS的發(fā)展；90年代：由于生物分析的需要，一些新的離子化方法得到快速發(fā)展；目前一些儀器聯(lián)用技術(shù)如GC-MS，HPLC-MS，GC-MS-MS，ICP-MS

等正大行其道。第3頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日第一節(jié)質(zhì)譜分析原理及質(zhì)譜儀一、基本原理概述質(zhì)譜分析是將樣品轉(zhuǎn)化為運動的帶電氣態(tài)離子碎片，于磁場中按質(zhì)荷比(m/z)大小分離并記錄的分析方法。其過程為可簡單描述為：其中，z為電荷數(shù)，e為電子電荷，U為加速電壓，m為碎片質(zhì)量，V為電子運動速度。離子源轟擊樣品帶電荷的碎片離子電場加速(zeU)

獲得動能(1/2mV2)磁場分離(m/z)檢測器記錄第4頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日二、質(zhì)譜儀性能指標1.質(zhì)量測量范圍質(zhì)量測定范圍以原子質(zhì)量單位量度，1個原子質(zhì)量單位：1u=1.6605410-27kg/12C原子如12C=12u,CH4=16.xxxxu在非精確測量中，常直接以原子或分子量大小來表示。2.分辨本領(lǐng)指質(zhì)譜儀分辨相鄰質(zhì)量數(shù)離子的能力。定義為：兩個相等強度的相鄰峰(質(zhì)量分別為m1和m2)，當兩峰間的峰谷不大于峰高的10%時，則可認為兩已分開，其分辨率R為：可見在質(zhì)量數(shù)小時，分辨率亦較小。實際工作中很難找到上述兩相等的峰，常以表示，其中W0.05表示峰高5%處的峰寬。

R與離子通道半徑r、加速器和收集器狹縫寬度、離子源的性質(zhì)和質(zhì)量等因素有關(guān)。第5頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日三、儀器組成按質(zhì)量分析器(或者磁場種類)可分為靜態(tài)儀器和動態(tài)儀器，即穩(wěn)定磁場（單聚焦及雙聚焦質(zhì)譜儀）和變化磁場（飛行時間和四極桿質(zhì)譜儀）。MS儀器一般由進樣系統(tǒng)、電離源、質(zhì)量分析器、真空系統(tǒng)和檢測系統(tǒng)構(gòu)成。第6頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日1.真空系統(tǒng)如圖所示，質(zhì)譜儀中所有部分均要處于高度真空的條件下(10-4-10-6托或mmHg柱),其作用是減少離子碰撞損失。真空度過低，將會引起：a）大量氧會燒壞離子源燈絲；b）引起其它分子離子反應，使質(zhì)譜圖復雜化；c）干擾離子源正常調(diào)節(jié)；d）用作加速離子的幾千伏高壓會引起放電。第7頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日2.進樣系統(tǒng)對進樣系統(tǒng)的要求：重復性好、不引起真空度降低。進樣方式：a)間歇式進樣：適于氣體、沸點低且易揮發(fā)的液體、中等蒸汽壓固體。如圖所示。注入樣品(10-100g)—貯樣器(0.5L-3L)—抽真空(10-2Torr)并加熱—樣品蒸汽分子(壓力陡度)—漏隙—高真空離子源。1.3-0.13Pa（加熱）第8頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日b)

直接探針進樣：高沸點液體及固體探針桿通常是一根規(guī)格為25cm6mmi.d.，末端有一裝樣品的黃金杯(坩堝)，將探針桿通過真空閉鎖系統(tǒng)引入樣品，如圖所示。優(yōu)點：1）引入樣品量小，樣品蒸汽壓可以很低；2）可以分析復雜有機物；3）應用更廣泛。c)色譜進樣：利用氣相和液相色譜的分離能力，與質(zhì)譜儀聯(lián)用，進行多組份復雜混合物分析。第9頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日3.電離源（室IonizationChamber）將引入的樣品轉(zhuǎn)化成為碎片離子的裝置。根據(jù)樣品離子化方式和電離源能量高低，通?？蓪㈦婋x源分為：氣相源：先蒸發(fā)再激發(fā)，適于沸點低于500oC、對熱穩(wěn)定的樣品的離子化，包括電子轟擊源、化學電離源、場電離源、火花源；解吸源：固態(tài)或液態(tài)樣品不需要揮發(fā)而直接被轉(zhuǎn)化為氣相，適用于分子量高達

105的非揮發(fā)性或熱不穩(wěn)定性樣品的離子化。包括場解吸源、快原子轟擊源、激光解吸源、離子噴霧源和熱噴霧離子源等。硬源：離子化能量高，如EI。伴有化學鍵的斷裂，譜圖復雜，可得到分子官能團的信息；軟源：離子化能量低，如場解吸源。產(chǎn)生的碎片少，譜圖簡單，可得到分子量信息。因此，應根據(jù)分子電離所需能量的不同來選擇不同電離源。第10頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日a)

電子轟擊源(ElectronImpact，EI)作用過程：采用高速(高能)電子束沖擊樣品，從而產(chǎn)生電子和分子離子M+，M+繼續(xù)受到電子轟擊而引起化學鍵的斷裂或分子重排，瞬間產(chǎn)生多種離子。水平方向：燈絲與陽極間(70V電壓)—高能電子—沖擊樣品—正離子垂直方向：G3-G4加速電極(低電壓)---較小動能---狹縫準直G4-G5加速電極(高電壓)---較高動能---狹縫進一步準直--離子進入質(zhì)量分析器。特點：使用最廣泛，譜庫最完整；電離效率高；結(jié)構(gòu)簡單，操作方便；但分子離子峰強度較弱或不出現(xiàn)（因電離能量最高）。第11頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日EI第12頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日b)

化學電離源(ChemicalIonization,CI)作用過程：樣品分子在承受電子轟擊前，被一種反應氣(通常是甲烷)稀釋，稀釋比例約為103:1，因此樣品分子與電子的碰撞幾率極小，所生成的樣品分子離子主要由反應氣分子組成。進入電離源的分子R-CH3大部分與CH5+碰撞產(chǎn)生(M+1)+離子；小部分與C2H5+反應，生成(M-1)+離子：特點：電離能小，質(zhì)譜峰數(shù)少，圖譜簡單；準分子離子(M+1)+峰大,可提供分子量這一種要信息。第13頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日c)

場電離源(Fieldionization,FI)應用強電場(電壓梯度107-108V/cm)誘導樣品電離。如下圖。過程：強電場(電極間距0.5-2mm)—分子電子的量子隧道效應*—分子熱分解或碰撞—帶正電荷的碎片離子—陽極排出并加速進入磁場*量子隧道效應(Quantummechanicaltunneling):分子電子被微針“萃出”，分子本身很少發(fā)生振動或轉(zhuǎn)動，因而分子不過多碎裂。電極要求：電極尖銳，使用微碳針(W絲上的苯基腈裂解生成)構(gòu)成多尖陳列電極可提高電離效率。特點：電離溫和，碎片少，主要產(chǎn)生分子離子M+和(M+1)+峰。第14頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日d)

場解吸源(Fielddesorption,FD)類似于場電離源，它也有一個表面長滿“胡須”(長0.01mm)的陽極發(fā)射器(Emitter)。過程：樣品溶液涂于發(fā)射器表面---蒸發(fā)除溶劑——強電場——分子電離——奔向陰極——引入磁場特點：特別適于非揮發(fā)性且分子量高達

離子峰和準分子離子峰，譜圖最為簡單。EIFIFD第15頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日e)

火花源(Spark)：針對金屬合金屬或離子殘渣樣品等非揮發(fā)性無機物的分析，類似于AES中的激發(fā)光源。過程：30kV脈沖電壓---火花---樣品局部高熱---元素蒸發(fā)---原子或離子---經(jīng)加速進入磁場進行分離特點：元素分析靈敏度高，可分析復雜樣品(60種元素)、譜圖簡單、線性范圍寬。

f)

快原子轟擊(Fastatombombardment,FAB)過程：高速電子——惰性氣體電離——電場加速——高速原子離子束——撞擊涂有樣品的金屬板——能量轉(zhuǎn)移給樣品分子——電離——引入磁場分離。質(zhì)量分析器銅針探頭探針二次離子狹縫原子束樣品層FAB：第16頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日4.質(zhì)量分析器作用是將不同碎片按質(zhì)荷比m/z分開。質(zhì)量分析器類型：磁分析器、飛行時間、四極桿、離子捕獲、離子回旋等。1）磁分析器單聚焦型(Magneticsectorspectrometer)：用一個扇形磁場進行質(zhì)量分析的質(zhì)譜儀。第17頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日帶電離子質(zhì)量分析器，在磁場(場強為B)作用下，飛行軌道彎曲(曲率半徑為r)。當向心力Bev與離心力mv2/r相等時，離子才能飛出磁場區(qū)，即，e為電子電荷；U為加速電壓。由于（電場加速）,將上式帶入得，

當B、r、U三個參數(shù)中任兩個保持不變而改變其中一個參數(shù)時，可得質(zhì)譜圖。固定B和U，改變r，即通過移動檢測器狹縫位置來收集不同r處的離子或以感光板照相技術(shù)記錄的不同m/z的離子——質(zhì)譜儀（massspectrograph）；現(xiàn)代質(zhì)譜儀通常是保持r不變，通過掃描電場U或磁場B，使不同m/z離子依次通過固定狹縫來獲得質(zhì)譜圖——質(zhì)譜計（MassSpectrometer)。第18頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日

單聚焦質(zhì)量分析器只是將m/z相同而入射方向不同的離子聚焦到一點（或稱實現(xiàn)了方向聚焦）。但對于m/z相同而動能（或速度）不同的離子不能聚焦，故其分辨率較低，一般為5000。

下圖是單聚焦型質(zhì)量分析器更直觀地的工作過程。第19頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日雙聚焦型(Doublefocusingmassspectrometer)為克服動能或速度“分散”的問題，即實現(xiàn)所謂的“速度(能量)聚焦”，在離子源和磁分析器之間加一靜電分析器（ESA），如下圖所示，于兩個扇形電極板上加一直流電位Ve，離子通過時的曲率半徑為re=U/V，即不同動能的離子re不同，換句話說，相同動能的離子的re相同----能量聚焦了！

然后，改變V值可使不同能量的離子從其“出射狹縫”引出，并進入磁分析器再實現(xiàn)方向聚焦。雙聚焦質(zhì)量分析器可高達150,000!思考：為什么雙聚焦儀比單聚焦儀有更高的分辨率？

第20頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日2）飛行時間分析器(Timeofflight,TOF)過程：不同荷電碎片在飛出離子源的速度（動能）基本一致。某離子在到達無場漂移管前端時，其速度大小為：到達無場漂移管末端的時間為：不同離子通過同一長度為L的無場漂移管，所需時間相差：

由于不同m/z的離子，其飛出漂移管的時間不同，因而實現(xiàn)了離子的分離。因為連續(xù)電離和加速使檢測器產(chǎn)生連續(xù)輸出而不能得到有效信息，因此實際工作中常采用相同頻率的電子脈沖電離和脈沖電場加速，被加速的粒子經(jīng)不同的時間到達收集極上，并反饋到示波器上記錄，從而得到質(zhì)譜圖。特點：掃描速度快(1000幅/s)，可用于研究快速反應或與GC聯(lián)用；可用于高質(zhì)量離子分析；體積小，操作容易；分辨率比磁分析器稍差。第21頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日過程：在兩個相對的極桿之間加電壓(U+Vcost)，在另兩個相對的極桿上加-(U+Vcost)。與前述雙聚焦儀的靜電分析器類似，離子進入可變電場后，只有具合適的曲率半徑的離子可以通過中心小孔到達檢測器。改變U和V并保持U/V比值一定，可實現(xiàn)不同m/z離子的檢測。特點：分辨率比磁分析器略低(max.2000);m/z范圍與磁分析器相當；傳輸效率較高；掃描速度快，可用于GC-MS聯(lián)用儀。3）四極濾質(zhì)器(Quadrupolemassfilter)第22頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日4）離子阱(Iontrapanalyzer)過程：上下端罩(Endcap)與左右環(huán)電極(Ringelectrode)構(gòu)成可變電場(前者接地，后者施以射頻電壓)——帶電離子在一定軌道上旋轉(zhuǎn)——改變電壓——可使相同m/z離子依次離開并進入電子倍增器而分離。特點：結(jié)構(gòu)簡單、易于操作、GC-MS聯(lián)用可用于m/z200-2000的分子分析。離子阱的橫截面圖第23頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日過程：處于磁場B中離子——回旋離子——吸收與B垂直的電場能量——當離子能量和吸收能量相等——共振——切斷交變電場——回旋離子在電極上產(chǎn)生感應電流——感應電流衰減——記錄該信號——通過Fourier變換將時域圖轉(zhuǎn)換為頻域圖(質(zhì)譜圖)。特點：可用于分子反應動力學研究、掃描速度快，可與GC聯(lián)用、分辨率高、分析質(zhì)量大、但儀器昂貴。5）離子回旋共振分析器(Ioncyclotronresonance,ICR)第24頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日4、檢測器包括Faraday杯、電子倍增器、閃爍計數(shù)器、照相底片等1)Faraday杯下圖是Faraday杯結(jié)構(gòu)原理圖特點：可檢測10-15A的離子流，但不適于高加速電壓下的離子檢測。2）電子倍增器：類似于光電倍增管，可測10-18A電流。但有質(zhì)量歧視效應。3）閃爍計數(shù)器：記錄離子的數(shù)目。思考：電子倍增器與光電倍增管有何區(qū)別？第25頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日第二節(jié)質(zhì)譜圖及其應用一、質(zhì)譜圖以質(zhì)荷比m/z為橫座標，以對基峰(最強離子峰，規(guī)定相對強度為100%)相對強度（或稱豐度，abundance）為縱座標所構(gòu)成的譜圖，稱之為質(zhì)譜圖。第26頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日二、質(zhì)譜峰類型分子在離子源中可產(chǎn)生各種電離，即同一分子可產(chǎn)生多種離子峰：分子離子峰、同位素離子峰、碎片離子峰、重排離子峰、亞穩(wěn)離子峰等。設有機化合物由A，B，C和D組成，當蒸汽分子進入離子源，受到電子轟擊可能發(fā)生下列過程而形成各種類型的離子：分子離子碎片離子重排裂解碰撞裂解第27頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日1）分子離子峰

ABCD+為分子離子峰，m/z即為分子的分子量。對于有機物，雜原子S，O，P，N等上的未共用電子對最易失去，其次是電子，再其次是電子。2）碎片離子峰因分子發(fā)生鍵的斷裂只需要十幾電子伏特的能量，而電子轟擊的能量為70eV，因而會產(chǎn)生更小的碎片離子峰。斷裂方式可分為均裂、異裂和半異裂（?表示電子）：均裂半異裂異裂第28頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日烷烴化合物斷裂多在C-C之間發(fā)生，且易發(fā)生在支鏈上：

烯烴多在雙鍵旁的第二個鍵上開裂：

苯的最強峰為M+，芳香族化合物將先失去取代基，再形成苯甲離子：~~~~第29頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日含C=O鍵化合物的開裂多在與其相鄰的鍵上：對含雜原子的分子，斷裂的鍵位順序為位、位和位：~~R—XR++X?~共振穩(wěn)定化離子~第30頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日3）重排離子峰原子或基團經(jīng)重排后再開裂而形成一種特殊的碎片離子，稱重排離子。如醇分子離子經(jīng)脫水后重排可產(chǎn)生新的重排離子峰。4）亞穩(wěn)離子峰過程：質(zhì)量數(shù)為m1的多個帶電離子，其中部分失去中性碎片m而變成m2(此時m1能量變小，在磁場中有更大的偏轉(zhuǎn))從而形成亞穩(wěn)離子峰m*，此時可將此峰看成m1和m2的“混合峰”，即形成“寬峰”，極易識別。且滿足下式：此式可用于尋找裂解途徑(通過母離子m1與子離子m2的關(guān)系)。

5)同位素峰由于天然同位素的存在，因此在質(zhì)譜圖上出現(xiàn)M+1，M+2等峰，由這些同位素所形成的峰稱之為同位素峰。第31頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日亞穩(wěn)離子峰的形成過程其中所有M1+碎片的m/z仍相同，只是到達質(zhì)量分析器時的動能不同，即偏轉(zhuǎn)不同，因而形成寬峰！MyM1+xM1+zM2+中性碎片wM1+-E-E中性碎片mM2+質(zhì)量分析器碎片飛行路徑第32頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日CH3CH3CH-NH-CHCH3CH3+?—?CH3CH3-CH-NH-CHCH2CH3+H—CH3-CH=CH2（中性碎片）CH3-CH=NH2m/z44（強峰）+m/z86m/z101例如：二異丙胺質(zhì)譜在m/z22.8處有亞穩(wěn)離子峰，此外有兩個強峰m/z86和m/z44和一個弱峰m/z101。m/z44離子是m/z86離子的重排開裂產(chǎn)生的。亞穩(wěn)離子峰為此種開裂歷程提供了證據(jù)。m*=22.8442+/86=22.5第33頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日分子離子峰和碎片離子峰的識別和解析，對有機分子的定性分析十分重要?？梢酝ㄟ^選擇不同離子源來獲得不同的信息。下圖是不同離子源下麻黃堿的質(zhì)譜圖?；瘜W電離源電子轟擊源麻黃堿化學電離與電子轟擊源質(zhì)譜圖比較分子離子峰第34頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日三、質(zhì)譜定性分析1、分子量確定根據(jù)分子離子峰質(zhì)荷比可確定分子量，通常分子離子峰位于質(zhì)譜圖最右邊，但由于分子離子的穩(wěn)定性及重排等，質(zhì)譜圖上質(zhì)荷比最大的峰并不一定是分子離子峰。那么，如何辯認分子離子峰呢？利用化學結(jié)構(gòu)來判斷分子離子峰強度：各類化合物分子離子峰穩(wěn)定性順序為：芳香環(huán)（芳香、雜環(huán)）>脂環(huán)>硫醚、硫酮>共軛烯烴>直鏈烷烴>酰胺>酮>醛>胺>脂>醚>羧酸>支鏈烴>腈>伯醇>叔醇>縮醛利用經(jīng)驗規(guī)律：1）原則上除同位素峰外，分子離子峰是最高質(zhì)量的峰。但要注意，“醚、胺、脂、酰、胺腈和胺醇的(M+H)+峰”及“芳醛、醇或含氮化合物等的(M-H)+峰”2）分子離子峰應符合“氮律”。在C、H、O組成的化合物中，分子離子峰的質(zhì)量數(shù)一定是偶數(shù)；在含C、H、O、N化合物中，含偶數(shù)個N的分子量為偶數(shù)，含奇數(shù)個N的分子量為奇數(shù)——不符合上述規(guī)律者必不是分子離子峰。第35頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日3）分子離子峰與鄰近峰的質(zhì)量差是否合理。有機分子失去碎片大小是有規(guī)律的：如失去H、CH3、H2O、C2H5…….，因而質(zhì)譜圖中可看到M-1，M-15，M-18，M-28等峰，而不可能出現(xiàn)M-3，M-14，M-24等峰，如出現(xiàn)這樣的峰，則該峰一定不是分子離子峰。質(zhì)量差為(4-13)、19-25、37、38、50-53、65-66…的不是分子離子峰，當差值為14=CH2時應小心，這表明可能有待測物的同系物存在。4）根據(jù)斷裂方式判斷分子離子峰：如醇的分子離子峰通常看不到，但經(jīng)常看到最高質(zhì)量的兩峰相差3個質(zhì)量單位的峰（M-CH3峰和M-H2O峰）。通過改變儀器實驗條件來檢驗：1）降低電子流電壓——增加分子離子峰強度（當電子轟擊電壓降低，強度不增加的峰不是分子離子峰）。2）采用化學電離源、場離子或場解吸源等電離方法；3）制備易揮發(fā)的衍生物，如通過甲基化、乙?；?、甲酯化、三甲基硅醚化、水解氧化或還原等方法將樣品制備成適當?shù)难苌锖笤贉y定。第36頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日2、化學式的確定高分辨質(zhì)譜：可分辨質(zhì)荷比相差很小的分子離子或碎片離子。如CO和N2分子離子的m/z均為28，但其準確質(zhì)荷比分別為28.0040和27.9949，高分辨質(zhì)譜可以識別它們。b)低分辨質(zhì)譜則不能分辨m/z相差很小的碎片離子，如CO和N2。通常通過同位素相對豐度法來確定分子的化學式。

對于化合物CwHxNyOz，其同位素離子峰(M+1)+和(M+2)+與分子離子峰的強度比分別為：第37頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日例1：計算化合物C8H12N3O的M+1，M+2峰相對于M+峰的強度。因為：I(M+1)%=1.128+0.01612+0.383+0.041=10.31%I(M+2)%=1.2182/200+0.201=0.597%因此，I(M+):I(M+1):I(M+2)=100:10.31:0.597第38頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日對于含有Cl,Br,S等同位素天然豐度較高的化合物，其同位素離子峰相對強度可由（a+b)n展開式計算，其中a、b分別為該元素輕重同位素的相對豐度，n為分子中該元素的原子個數(shù)。CH3Cl：因為，a=3,b=1,n=1,因此(3+1)1=3+1即m/z50(M):m/z52(M+2)=3:1CH2Cl2：因為，a=3,b=1,n=2,因此(3+1)2=9+6+1,即m/z84(M):m/z86(M+2):m/z88(M+4)=9:6:1CHCl3：因為a=3,b=1,n=3,因此，(3+1)3=27+27+9+1即m/z118(M):m/z120(M+2):m/z122(M+4):m/z124(M+6)=27:27:9:1對于含有兩種或以上的雜原子，則以（a1+b1)n1?(a2+b2)n2?……表示。ClCH2Br:(3+1)1(1+1)1=3+4+1(35Cl,37Cl;79Br,81Br)即：m/z128(M):m/z130(M+2):m/z132(M+4)=3:4:1第39頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日3、結(jié)構(gòu)簽定：a)根據(jù)質(zhì)譜圖，找出分子離子峰、碎片離子峰、亞穩(wěn)離子峰、m/z、相對峰高等質(zhì)譜信息，根據(jù)各類化合物的裂規(guī)律，重組整個分子結(jié)構(gòu)。b)采用與標準譜庫對照的方法.第40頁，共46頁，2023年，2月20日，星期日四、質(zhì)譜定量分析