其它新型電力電子器件

第五節(jié)其它新型電力電子器件電力晶體管GTR可關(guān)斷晶閘管GTO功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET絕緣柵雙極晶體管IGBT靜電感應(yīng)晶體管SIT靜電感應(yīng)晶閘管SITHMOS晶閘管MCTMOS晶體管MGT一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖形符號(hào)NPN型晶體管的結(jié)構(gòu)圖和圖形表示符號(hào)三端三層器件，有兩個(gè)PN結(jié)，分NPN型和PNP型。采用三重?cái)U(kuò)散臺(tái)面型結(jié)構(gòu)制成單管形式。結(jié)面積大、電流分布均勻，易散熱；但電流增益低。一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）GTR的開(kāi)關(guān)電路+Ub-UbCBE+Ucc一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）GTR的開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電流波形ton=td+tr開(kāi)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間toff=ts+tftd延遲時(shí)間tr上升時(shí)間ts存儲(chǔ)時(shí)間tf下降時(shí)間一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）1、電壓參數(shù)UCBO>UCEX>UCES>UCER>UCEO2、電流參數(shù)集電極最大允許電流ICM3、功耗參數(shù)集電極最大耗散功率PCM；導(dǎo)通損耗PON；開(kāi)關(guān)損耗PSW；二次擊穿功耗PSB。一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）GTR的安全工作區(qū)最高工作電壓集電極最大允許電流最大耗散功率二次擊穿功耗一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTOAKG耐壓高、電流大有自關(guān)斷能力頻率高可用門(mén)極正向觸發(fā)信號(hào)使管子導(dǎo)通，又可向門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)使晶閘管關(guān)斷。四層三端器件。（與普通晶閘管同）內(nèi)部包含了數(shù)十至數(shù)百個(gè)共陽(yáng)極的GTO元。一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTO一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTOEAAGKEGRIAIC1IC2P1N1P2N1P2N2V1V2IGIKGTO關(guān)斷過(guò)程等效電路一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTOGTO開(kāi)通和關(guān)斷電流波形一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTO1、最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO2、電流關(guān)斷增益3、維持電流IH和擎住電流IL4、開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間5、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM、斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓UDSM、反向重復(fù)峰值電壓URRM、反向不重復(fù)峰值電壓URSM。一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH3、靜電感應(yīng)晶閘管SITHP+P+P+P+P+N+N+P+NN+樹(shù)脂門(mén)極陽(yáng)極陰極一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH3、靜電感應(yīng)晶閘管SITHAKGAKGAK一、雙極型器件----GTO、GTR、SITH3、靜電感應(yīng)晶閘管SITH開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高正向壓降低di/dt耐量高工作結(jié)溫高二、單極型器件----MOSFET、SIT1、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管二、單極型器件----MOSFET、SIT1、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管二、單極型器件----MOSFET、SIT1、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管二、單極型器件----MOSFET、SIT1、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管二、單極型器件----MOSFET、SIT1、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)啟電壓UT跨導(dǎo)Gfstd(on)trtd(off)tf漏極電壓UDS漏極直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM柵源電壓UGS開(kāi)通時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff極間電容二、單懼極型器軌件--跳--M妄OSF借ET、苗SIT2、靜電諷感應(yīng)晶體溉管SIT二、單武極型器駛件--惜--M插OSF吩ET、蠟SIT2、靜電縮慧感應(yīng)晶體阿管SIT輸入阻抗站高、輸出瞇功率大、阿失真小、奪開(kāi)關(guān)特性檢好、熱穩(wěn)毫定性好。工作頻抖率與M擊OSF杯ET相啟當(dāng)。應(yīng)用于飾高頻感飄應(yīng)加熱遵、雷達(dá)按通信設(shè)套備、超距聲波功襯率放大及等。三、復(fù)破合型器晨件--倚--I改GBT啄、MC覺(jué)T、I解GCT1、絕烘緣柵雙吉極型晶腐體管I穗GBT三、復(fù)合童型器件-豬---I宋GBT、俊MCT、光IGCT1、絕緣狼柵雙極型江晶體管I你GBT三、復(fù)仁合型器題件--森--I瓣GBT屈、MC勢(shì)T、I銹GCT1、絕感緣柵雙禿極型晶序體管I樣GBTICICUGEUCE00UGE(釀th)UFMUGE(級(jí)th)UGE增加URM正向阻斷匪區(qū)有源區(qū)飽和區(qū)反向阻斷蓄區(qū)三、復(fù)合巾型器件-陰---I卸GBT、晴MCT、魄IGCT1、絕緣駁柵雙極型壘晶體管I菌GBT三、復(fù)勢(shì)合型器腥件--賺--I棋GBT翅、MC讓T、I信GCT1、絕緣歲柵雙極型注晶體管I精GBT1、最大傭集射極間象電壓UCES2、集電煩極額定電搏流ICN3、集夏電極脈承沖峰值績(jī)電流ICP4、最大榨集電極功案耗PCN三、復(fù)合粗型器件-凝---I檔GBT、揪MCT、樹(shù)IGCT2、M監(jiān)OS控慰制晶閘臥管MC類TAKGOFF浸-FE堅(jiān)TON-倚FETAKGOFF-藝FETON-F庫(kù)ET三、復(fù)合坑型器件-辮---I挎GBT、秀MCT、蘇IGCT3、集形成門(mén)極訴換流晶枯閘管I識(shí)GCT總歲結(jié)1、晶乎閘管的唐派生器輪件快速晶閘后管、雙向開(kāi)晶閘管、吊逆導(dǎo)晶閘誓管、光控晌晶閘管2、新型沈電力電子凍器件GTR、遭GTO、鄉(xiāng)豐SIT、安IGBT站、MOS吧FET、志SITH援、MCT情、IGC苦T作業(yè)：真1-1桿0權(quán)1-瓶11左1-13謝謝觀看/歡迎下蕉載BY輔FAI成TH連IM坡EAN且A仔VIS園ION哥OF妖GO淋OD丸ONE縱CH宜ERI街SHE拳SA漲ND緩THE投EN漏THU泛SIA楊S