大學(xué)物理下復(fù)習(xí)

大學(xué)物理》下學(xué)期復(fù)習(xí)資料【一】電介質(zhì)與磁介質(zhì)（SI單位制）（粗體內(nèi)容是重點(diǎn)）電介質(zhì)及電介質(zhì)中的電場(chǎng)磁介質(zhì)及磁介質(zhì)中的磁場(chǎng)介質(zhì)特征包括絕緣體包括所有物質(zhì)電介質(zhì)分類無(wú)極分子電介質(zhì)（位移極化）磁介質(zhì)分類弱磁質(zhì)順磁質(zhì)（卩r>1）:鋁，錳；抗磁質(zhì)（卩〈1）;銅，金。有極分子電介質(zhì)（轉(zhuǎn)向極化）強(qiáng)磁質(zhì)鐵磁質(zhì)（卩>>1）;鐵，鉆，鎳；超導(dǎo)體（卩r=0）電場(chǎng)關(guān)系極化電場(chǎng)與外電場(chǎng)反向：E二E-E'內(nèi) 0外 極磁場(chǎng)關(guān)系順磁質(zhì)、鐵磁質(zhì)r附加磁場(chǎng)與外磁場(chǎng)同向：B=B-B'抗磁質(zhì)、超導(dǎo)體內(nèi) 0 附加附加磁場(chǎng)與外磁場(chǎng)反向：r+i c/rl 附加介電常數(shù)8=880r真空介電常數(shù)（電容率）：8=8.85x10-12N-m2/C2相對(duì)介由常數(shù)8（純數(shù).>1）磁導(dǎo)率卩=卩0巴真空磁導(dǎo)率：rJ 1卩=4kx10-7 N/A2相對(duì)磁導(dǎo)率卩 （純數(shù).>1）重要關(guān)系極化率rX=8—1（純數(shù)，〉o）e r磁化率rX=卩一1（純數(shù)，〉0）m r極化強(qiáng)度p=XD（各向同性均勻電介質(zhì)）磁化強(qiáng)度M=xH（各向同性均勻磁介質(zhì)）極化電荷面密度b=P （C/m2）n磁化電流線密度111i=M （A/m）s輔助量電位移矢量D=8E+P（c/m2） ,各向同性均勻電介質(zhì)：E=D808磁場(chǎng)強(qiáng)度H=B/卩-M（A/m）各向同性均勻磁介質(zhì)：B=卩0PH 0_r 1附T：1電場(chǎng)與磁場(chǎng)硬磁——乘憾片大’矯頑力巴大'軟磁——片小，H/X矩磁——片大，巴小。電場(chǎng)磁場(chǎng)高斯定理真空/E-dS=-工q8 iS （0安培環(huán)路定理真空』B-d2=U工I0 i電介質(zhì)』D-dS=LqiSq.――閉合曲面所包圍的自由電荷（根據(jù)電荷的正、負(fù)取正負(fù)號(hào)）磁介質(zhì)JH-d2=LIiL1.-—環(huán)路L所包圍的傳導(dǎo)電流，與L方向成右螺旋時(shí)取正號(hào)。H與L內(nèi)、外電流有關(guān)。:意義靜電場(chǎng)是有源場(chǎng)，電力線不閉合（有起止點(diǎn)）:意義磁場(chǎng)力是非保守力，磁場(chǎng)是有旋場(chǎng)應(yīng)用要點(diǎn)當(dāng)電場(chǎng)或電荷分布具有對(duì)稱性時(shí)，取高斯面S（使s或其中的一部分的法向與電力線平行），先由高斯定理求D;對(duì)各向均勻電介質(zhì)，再由下式求E：E=D8=D-88應(yīng)用要點(diǎn)當(dāng)磁場(chǎng)或電流分布具有對(duì)稱性時(shí)，沿磁力線方向取環(huán)路L，先由環(huán)路定理求H；對(duì)各向均勻磁介質(zhì)，再由下式求B：B=pH=ppH環(huán)路定理0r表述：占E-成=0L意義：靜電力是保守力，電場(chǎng)是無(wú)旋場(chǎng)咼斯定理1--0r表述：』B-dS=0S意義：磁場(chǎng)是無(wú)源場(chǎng)，磁力線是閉合曲線能量電容器1 1Q2 1W=—C-U2=—y=—Q.ue2 2C 2自感線圈Wm=扌LI2（適用于l一定的任意線圈）一般公式W=JwdV（v為磁強(qiáng)空間）m vm磁場(chǎng)能量（體）密度：w111m—pH2— B2—BH2廠0 2p 2般公式W=fwdV（v為場(chǎng)強(qiáng)空間）e Vm電場(chǎng)能量（體）密度：We=丄8E220在由介質(zhì)中，將8改為8或88在磁介質(zhì)中，將p改為p或pp~0 0~r 0 0r

附3：電容A、B兩導(dǎo)體間的電容:QuAB電容的單位：法拉（F） lyF二10-6F,附3：電容A、B兩導(dǎo)體間的電容:QuAB電容的單位：法拉（F） lyF二10-6F,lpF二10-12F［注意］①只需記憶真空中平行板電容器的電容公式C=孚。對(duì)右圖所示的d其它情況結(jié)果，可先求A、B間的場(chǎng)強(qiáng)與電勢(shì)差，由電容的定義式計(jì)算。②電介質(zhì)中的電容一一將真空電容公式的￡0改作￡0￡，或記作*0 0r【二】電磁感應(yīng)與電磁場(chǎng)B]A :LUae.1.感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)——總規(guī)律：法拉第電磁感應(yīng)定律￡=-d^m,多匝線圈Sidt id屮

dt￡i方向即感應(yīng)電流的方向，在電源內(nèi)由負(fù)極指向正極。由此可以根據(jù)計(jì)算結(jié)果判斷一段導(dǎo)體中哪一端的電勢(shì)高（正極）。i①對(duì)閉合回路，￡?方向由楞次定律判斷；②對(duì)一段導(dǎo)體，可以構(gòu)建一個(gè)假想的回路（使添加的導(dǎo)線部分不產(chǎn)生￡.）ii（1）動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)（B不隨t變化，回路或?qū)wL運(yùn)動(dòng)）一般式：￡=jbCxB）?d/；直導(dǎo)線：￡.=CxB）?1ii動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)的方向：vxB方向，即正電荷所受的洛侖茲力方向。（注意）一般取vxB方向?yàn)閐/方向。如果v丄B，但導(dǎo)線方向與vxB不在一直線上（如習(xí)題^一填空題），則上式寫成標(biāo)量式計(jì)算時(shí)要考慮洛侖茲力與線元方向的夾角。（2）感生電動(dòng)勢(shì)（回路或?qū)wL不動(dòng)，已知QB/處的值）：￡=-j?ds，B與回路平面垂直時(shí)￡.=絲?Si 一dt i dt -’ dBdt磁場(chǎng)的時(shí)變?cè)诳臻g激發(fā)渦旋電場(chǎng)Ei:dB dB:E?d/=-j?ds （B增大時(shí)二一同磁場(chǎng)方向，右圖）li sdt dt［解題要點(diǎn)］對(duì)電磁感應(yīng)中的電動(dòng)勢(shì)問題，E._ _i盡量采用法拉第定律求解一一先求出t時(shí)刻穿過回路的磁通量① =jB?dS，再mS用￡i用￡i亍求電動(dòng)勢(shì)，最后指出電動(dòng)勢(shì)的方向。（不用法拉弟定律：①直導(dǎo)線切割磁力線不動(dòng)且已知dB/at的值）［注］①此方法尤其適用動(dòng)生、感生兼有的情況；②求①時(shí)沿B相同的方向取dS，積分時(shí)t作為常量；③長(zhǎng)直電流mTOC\o"1-5"\h\zB=卩I/2nr‘④￡.的結(jié)果是函數(shù)式時(shí)，根據(jù)“￡.>0即①減小，感應(yīng)電流的磁場(chǎng)方向與回路中原磁場(chǎng)同向，而￡.與感應(yīng)r i i m i電流同向”來(lái)表述電動(dòng)勢(shì)的方向：￡.〉0時(shí)，沿回路的順（或逆）時(shí)針方向。i2.自感電動(dòng)勢(shì)￡=-LdI，阻礙電流的變化?單匝：①=LI；多匝線圈屮=NO=LI；自感系數(shù)L=Z=Nidt m II互感電動(dòng)勢(shì)￡ =-M%，￡ =-M虬。（方向舉例：1線圈電動(dòng)勢(shì)阻礙2線圈中電流在1線圈中產(chǎn)生的磁通量的變化）12 dt21 dt若|皿才|=—?jiǎng)t有|￡」=1￡21|;屮=MI，屮21=MIm=M=M；互感系數(shù)m=M=M

Idt1=dt 12 21 12 2 21 1 12 21 II213.電磁場(chǎng)與電磁波位移電流：I=JS位移電流：I=JSDDsat全電流定律：JH-d￡_ICLC-dS,j aDjD_ （各向同性介質(zhì)D_sE） 下標(biāo)c、D分別表示傳導(dǎo)電流、位移電流。Dat_J（jC+SC+ID字)?dS;全電流：I_I+ID,jSat scDS_jC+jD麥克斯韋方程組的意義（積分形式）J麥克斯韋方程組的意義（積分形式）JD-dS_工qSi(1)電場(chǎng)中的高斯定理——電荷總伴有電場(chǎng),電場(chǎng)為有源場(chǎng)）(2)電場(chǎng)與磁場(chǎng)的普遍關(guān)系——變化的磁場(chǎng)必伴隨電場(chǎng)）(3)JB-dS=(2)電場(chǎng)與磁場(chǎng)的普遍關(guān)系——變化的磁場(chǎng)必伴隨電場(chǎng)）(3)JB-dS=0S磁場(chǎng)中的高斯定理——磁感應(yīng)線無(wú)頭無(wú)尾,磁場(chǎng)為無(wú)源場(chǎng)）(4)JH-d飛_J(jLS全電流定律——電流及變化的電場(chǎng)都能產(chǎn)生磁場(chǎng)）其中：J其中：J(SB/at)-dS_d①/dt,J(aD/at)-dS_d①/dt,Jj?dS_EIec四】簡(jiǎn)諧振動(dòng)四】簡(jiǎn)諧振動(dòng)X二Acos(3t+?)（1）公式法:瓦二Axci理_v0=-cuAsinc|)—’（一般取丨?|Wn）［說明］同時(shí)應(yīng)用上面左邊的兩式即可求出X二Acos(3t+?)（1）公式法:瓦二Axci理_v0=-cuAsinc|)—’（一般取丨?|Wn）［說明］同時(shí)應(yīng)用上面左邊的兩式即可求出A和0值（同時(shí)滿足sin°、cos°的正、負(fù)關(guān)系）。如果用上面的tg°式求?將得到兩個(gè)值，這時(shí)必須結(jié)合sin°或cos°的正、負(fù)關(guān)系判定其象限，也可應(yīng)用旋轉(zhuǎn)矢量確定°值或所在象限。⑵旋轉(zhuǎn)矢量法：由t=0時(shí)Xo的大小及^,的方向可作出旋轉(zhuǎn)矢量圖。反之’由圖可知A、Q值及v方向。⑶振動(dòng)曲線法：由x-t圖觀察A、T。由特征點(diǎn)的位移、速度方向（正、負(fù)），按方法（1）求?。其中振動(dòng)速度的方向是下一時(shí)刻的位置移動(dòng)方向，它不同于波動(dòng)中用平移波形圖來(lái)確定速度方向。簡(jiǎn)諧振動(dòng)的能量：E=imv2，e=ikx2，E=E”+E=+kA2。A_k2 p2 kp2［注意］振子與彈簧的總機(jī)械能E守恒，E等于外界給系統(tǒng)的初始能量（如作功）。振動(dòng)的合成：x=Xi+x2=Acos（3t+e）+Acos12112-2E

k其中A_t'Aj+A：+2A]A2cos(°2-°i),(3t+?)=AcOS(3t+?)2°_tg—1A]sin%+A2sin°2A】cos°]+A2cos°2F—a-aVt當(dāng)△?=?2-?1=2"時(shí)： A=A1+A2(加強(qiáng))當(dāng)△?=?2-?i=(2k+1)n時(shí):人二也—人」(減弱)［注意］上式求出的°對(duì)應(yīng)兩個(gè)值，必須根據(jù)v的方向確定其中的正確值（具體方法同上面內(nèi)容2.中的說明）。如果同一方0向上兩個(gè)振動(dòng)同相位（或反相位），則將兩分振動(dòng)的函數(shù)式相加（或相減），就可得到合振動(dòng)。1.簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)的定義：（1）F_—kx；(2)4_一①2x；(3)合 dt21.簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)的定義：（1）彈簧振子的角頻率①_豐_2?_、■査2-求振動(dòng)方程X_Acos^t+e）——由已知條件（如t=o時(shí)X0的大小，V0的方向T正、負(fù)）求A、譏其中求"是關(guān)鍵和難點(diǎn)。（其中?的象限要結(jié)合正弦或余弦式確定）可直接寫“的情況：振子從x軸正向最遠(yuǎn)端Xm處由靜止釋放時(shí)心，A=Xm，從X軸負(fù)向最遠(yuǎn)端由靜止釋放時(shí)0【五】簡(jiǎn)諧波豐iv二U,3=2nV,K=2n/入。V由振源的振動(dòng)決定，口、入因介質(zhì)的性質(zhì)而異。 U求波動(dòng)方程（波函數(shù)）的方法 —o P咗⑴已知原點(diǎn)0處的振動(dòng)方程：直接由y=Acos（3t+?）寫出波動(dòng)方程y=Acos[3（t-）+?]0 u[注意]當(dāng)波沿X軸負(fù)向傳播時(shí)，上式中X前改為+號(hào)。波動(dòng)方程表示X軸上任一點(diǎn)（坐標(biāo)為X）的振動(dòng)。（原點(diǎn)處振動(dòng)傳到X處需時(shí)間等于X=瓷，即X處相位比0點(diǎn)落后2nx/入。上面兩式0為同一值）如果沒有直接給出0點(diǎn)的振動(dòng)方程,也可以按【四】中所述的方法,由題給條件求出原點(diǎn)處的振動(dòng)式,再改寫為波動(dòng)式。⑵先設(shè)波動(dòng)方程（波沿X軸正向傳播時(shí)y=Acos（①t-2兀x/九+0）,波沿X軸負(fù)向傳播時(shí)X前符號(hào)為+）,并寫出速度式v=8y/8t=-wAsin（wt-2兀x/X+0），根據(jù)題給條件求A、?、°。其方法與求振動(dòng)方程相似。公式法：將題中條件（如t=0時(shí)X處y值及v正負(fù)）代入波動(dòng)方程與速度式，可聯(lián)立求解°值。波動(dòng)曲線法：由圖可知A、九、u的方向（決定波動(dòng)方程中X項(xiàng)的符號(hào)），以及波形圖所對(duì)應(yīng)的t'時(shí)刻各質(zhì)元的位移、速度方向（按波速方向平移波動(dòng)曲線可得）。按公式法，由X、v值可求出°，如果給出了t工0時(shí)的波形圖，還可求出w。旋轉(zhuǎn)矢量法：根據(jù)某一時(shí)刻（t=0或t'時(shí)刻）、某一點(diǎn)的y值以及v的方向作矢量圖，可確定0值。對(duì)兩列波在某一點(diǎn)處的合振動(dòng)，由?與?作相量圖，對(duì)特殊角可直接求?，對(duì)一般角可確定?的象限。12由波動(dòng)方程求某處質(zhì)元的振動(dòng)方程與速度：將x值代入上面的波動(dòng)方程與速度公式即可，也可畫振動(dòng)曲線。這時(shí)，用加下標(biāo)的y表示具體點(diǎn)的振動(dòng)位移（不要將其寫作x）。波的能量波的傳播是能量的傳播。在傳播過程中質(zhì)元的動(dòng)能和勢(shì)能在任何時(shí)刻都相等（與質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)不同），在平衡位置處△W=AW=-1Amw2A2（最大），在最大位移處厶W=AW=0kp2kp波的干涉（兩相干波的疊加）①相干條件：頻率相同，振動(dòng)方向一致，位相差恒定；{±2kn 加強(qiáng)（△r=r-r=±kk）②相位差與相長(zhǎng)干涉、相消干涉：△?=?-?=亍（r2-仃）={ 2 121幾21 ±（2k+1）n減弱（△r=r-r=±（2k+1）*）212半波損失：波從波疏媒質(zhì)（Pu較?。﹤飨虿苊劫|(zhì)（pu較大），在反射點(diǎn)處，反射波與入射波的相位差△?=兀，波程差△=守（相當(dāng)于反射波多走了守）。（注）相位差土兀等價(jià)，但一般取+n，波程差土+九等價(jià)。駐波：兩列振幅相等的相干波，在同一直線上沿相反方向傳播，所形成的分段振動(dòng)的現(xiàn)象。相鄰波節(jié)（或波腹）之間的距離為評(píng)。取波腹為坐標(biāo)原點(diǎn)，則波節(jié)位置=kX/2，波腹位置=（k+日九/2 （k=0,1,2…）2弦線上形成駐波的條件：L=nX/2（n=1,2…）波從波疏媒質(zhì)傳向固定端并形成駐波時(shí)，是半波反射，固定端是波節(jié)；波從波密媒質(zhì)傳向自由端并形成駐波時(shí)，是全波反自由端是波腹。注意：對(duì)于角頻率相同的兩個(gè)振動(dòng)或兩列波的合成問題，如果初相位為土兀/2時(shí)可將方程式化為正弦或余弦式，再直接相加?！玖抗獾母缮?/p>

獲得相干光的方法：把一個(gè)光源的一點(diǎn)發(fā)出的光分為兩束，具體有分波陣面法和分振幅法光程：光程L=nr （光在介質(zhì)中傳播r距離，與光在真空中傳播nr距離時(shí)對(duì)應(yīng)的相位差相同）相位差2與光程差人的關(guān)系：A^=2n-={2kK nA=k九 （相長(zhǎng)）九 （2k+1）兀nA=（2k+1）光（相消）2在一條光線傳播的路徑上放置折射率為n,厚度為d的透明介質(zhì)，引起的光程改變?yōu)椋╪-l）d；介質(zhì)內(nèi)九'=九/n楊氏雙縫干涉：分波陣面法，干涉條紋為等間隔的直條紋。（入射光為單色光，光程差△=dsino）明條紋：dsin°二土K入 （中央明紋對(duì)應(yīng)于k=O,0=O）中心位置xk=DtgQ^Dsin9=±k入七（k=0,1,2,…）暗紋：dsin9=±入，中心位置xk=Dtg9~Dsin9=±入D(k=0,1,2,3,…)2 k 2d相鄰明（暗）紋間隔：△*= 入，相鄰兩明（或暗）紋對(duì)應(yīng)的光程差為入，相鄰明、暗紋光程差為入/2典型問題：在縫S上放置透明介質(zhì)（折射率為n,厚度為b）,求干涉條紋移動(dòng)方向、移動(dòng)的條紋數(shù)目、條紋移動(dòng)的距離。1分析：（1）判斷中央明紋（厶=0）的移動(dòng)。在縫S上放置透明介質(zhì)后，上邊光路的光程增大（n-l）d，只有下邊光路的光程也1增大，由r>r可知，新的中央明紋在0點(diǎn)上方，因此條紋整體向上移動(dòng)。（如果在縫S上放置透明介質(zhì)則條紋向下移）212（2）設(shè)新中央明紋的位置在原條紋的k級(jí)明紋處，其坐標(biāo)為xk。由（n-1）b=k'入可求出移動(dòng)的條紋數(shù)k'=（n-1）b/入;由（n-1）b=dsine，可求出中央條紋移動(dòng)的距離=°七g^Dsine=（n-1）bD/d，也是所有條紋整體移動(dòng)的距離。4.薄膜干涉1一一等厚條紋（同一條紋對(duì)應(yīng)的膜厚相等.包括劈尖膜、牛頓環(huán)）：光線近于垂直入射到薄膜的上表面，在薄膜4.上下表面處產(chǎn)生的兩反射光發(fā)生干涉。A=2ne反5.同一條紋處等厚，相鄰兩明（或暗）紋間隔為牛頓環(huán)半徑：明紋r= （2k-D九R/（2n）,Ax=為上下表面處產(chǎn)生的兩反射光發(fā)生干涉。A=2ne反5.同一條紋處等厚，相鄰兩明（或暗）紋間隔為牛頓環(huán)半徑：明紋r= （2k-D九R/（2n）,Ax=為，對(duì)應(yīng)的厚度差為Ae=2n(k=1,…)；暗紋r=k九R/n, (k=0,…)薄膜干涉2—一增透膜、增反膜（均厚介質(zhì)表面鍍膜，光線垂直入射，對(duì)特定波長(zhǎng)的反射光分別發(fā)生相消、相長(zhǎng)干涉，以增加入射光的透射率、反射率）光程差：A反=2ne+?°）（膜的上下兩表面中只存在一次半波損失時(shí)才加上九/2）6-邁克爾遜干涉儀：利用分振幅法產(chǎn)生雙光束干涉’干涉條紋每移動(dòng)一條相當(dāng)于空氣膜厚度改變青九。反2反1JK,弋、7Ll-^ni1 IT兩反射鏡到分光點(diǎn)的距離差為h,則厶二：人；在干涉儀一條光路上放置透明介質(zhì)（n,b）,則光程差的改變量為2（n-1）bo薄膜干涉的分析步驟：以膜的上下表面為反射面，判斷半波反射，求出光程差，由干涉相長(zhǎng)（或相消）條件確定明紋（或暗紋。）【七】光的衍射1.惠更斯—菲涅耳原理：子波，子波干涉2.單縫（半波帶法）：暗紋asin0=±k九，明紋dsin9=±彎入，式中k=1,2,3,…（與雙縫干涉的暗紋公式不同?。ㄖ醒朊骷y中心對(duì)應(yīng)于9=0。條紋不等寬，中央寬，其它窄，光強(qiáng)主要集中在中央明紋內(nèi)）中央明條紋線寬度：Ax°=2*f*tg9=2*fsin9=2f入/a （衍射反比定律：f、九一定時(shí)，Ax。x1/a）3.光柵衍射：光柵方程（決定主極大位置）：dsin0=±kl（k=0,1,2,…,k其中d=a+b,a為透光縫寬；（應(yīng)用——①可mmax見的最高譜線級(jí)次：由9=n/2求k=d/X,k帶小數(shù)時(shí)k取其整數(shù)，k恰為整數(shù)時(shí)k=k-1。（k對(duì)應(yīng)的位置無(wú)限遠(yuǎn),max max m max mmax max

看不見）；②譜線強(qiáng)度受單縫衍射調(diào)制，一般有缺級(jí)現(xiàn)象。ar為整數(shù)時(shí)，它就是第一缺級(jí)；③求單縫衍射明紋或光柵主極大max位置xk的方法與雙縫干涉相似，但要注意。角較大時(shí)tg0#sin0；④單縫衍射中央明紋內(nèi)有（2k-l）條干涉明紋（dsin0=k入，asin9=入）；⑤兩種入射光波長(zhǎng)不同時(shí)，光柵譜線重疊表示對(duì)應(yīng)同一衍射角0；（附1）入射光傾斜入射時(shí)，A=AC+CB=d（sini土sin0），入射光與衍射光在光軸同側(cè)時(shí)取正號(hào)，k值正負(fù)取決坐標(biāo)正向。（附2）雙縫干涉一一明暗條紋相間且等間隔；單縫衍射一一中央明紋亮且寬，其它明紋光強(qiáng)迅速下降。光柵衍射一一明紋窄而亮，中央明紋寬度約為雙縫干涉的1/N。（附3）幾何光學(xué)是波動(dòng)光學(xué)在入/a—0時(shí)的極限情形。4.光學(xué)儀器分辨本領(lǐng)儀器的最小分辨角（角分辨率）：60=1.22九/D，其倒數(shù)為分辨率R。單孔衍射：Dsin0=L22九 （0為中央亮斑半徑對(duì)圓孔中心的張角，D為透鏡直徑）5.X射線衍射布拉格公式（主極大）：2dsine=k入k=1,2,…，（掠射角巾：入射光與晶面夾角）八】光的偏振按偏振狀態(tài)將光分為線偏振光、自然光、部分偏振光。線偏振光也稱完全偏振光或平面偏振光。（I。為入射的線偏振光強(qiáng)度，a為入射光E振動(dòng)方向與檢偏器偏振化方向的夾角）自然光卄Iof'I1.（I。為入射的線偏振光強(qiáng)度，a為入射光E振動(dòng)方向與檢偏器偏振化方向的夾角）自然光卄Iof'I偏振化方向即E振動(dòng)方向。理想情況下，右圖中自然光通過三個(gè)偏振片，光強(qiáng)依次為I1=fo，I2=I1C0S2a，I3=I2COS2八I2COS2(9007布儒斯特定律：tgJ=子i。為起偏振角（布儒斯特角），此時(shí)反射光為線偏振光，折射光為部分偏振光，且反射光垂直1o于折射光。用點(diǎn)或短線表示偏振方向，作圖時(shí)要標(biāo)出箭頭、角度。（當(dāng)i=i時(shí)要標(biāo)明反射光丄折射光）0雙折射現(xiàn)象光軸：不發(fā)生雙折射的方向，主平面：光軸與光線構(gòu)成的平面。。光（尋常光，丄主平面）遵從折射定律，e光（非尋常光，在主平面內(nèi)）。正晶體vo>ve，負(fù)晶體vo<ve，在光軸方向上v=v［附］幾種干涉、衍射公式的比較：光程差明紋暗紋條紋特點(diǎn)dsin0=k九dsin0=(2k+1)X/2等間隔、等寬；明紋k稱干涉雙縫干涉（分波列）6=dsin0條紋中心xk=-k嘗x=±2k+1XDk_2d級(jí)，中央明紋k=0相鄰明紋間隔△*=D入(k=0,1,2,…)(k=0,1,2,…)A=2ne或2ne+(算,0)=k九2(k=1,2,…)牛頓環(huán)r2=2k^l入r2nA=(2k+1)X/2劈尖頂端e=0,相鄰明紋間隔” \ .X..X薄膜干涉（分振幅）A=2ne+亠2（n是膜的折射率）(k=0,1,2,…)牛頓環(huán)r2=-XRnt=Ax= 小=小2nsin0 2n0膜的上下表面有且僅有一次半波反射時(shí)A=2ne+X/2,否則A=2ne單縫衍射6=asin0asin0=土(2k+1)九/2(k=1,2,…)asin0=土kX(k=1,2,…)條紋不等寬，中央明紋是其它明紋兩倍寬；寬度2fX/a式右對(duì)應(yīng)的明暗紋與其它不同光柵衍射（d=a+b）（a+b）sin0（垂直入射時(shí)）(a+b)sin0=土k九(k=0,1,2,…)不作要求在暗背景下的窄且亮的細(xì)線。d=a+b，缺土f的整數(shù)倍X射線衍射2dsin屮2dsin9=kX(k=1,2,…)9為掠射角（入射光與晶面的夾角）

九】量子物理基礎(chǔ)黑體輻射：幅出度M=dA/（dSdt）=p/S （對(duì)于白熾燈，p為功率，s為燈絲表面積）（1） 斯特藩一玻爾茲曼定律：M=°T4其中。=x10-8W/（m2?K4）（2） 維恩位移律：入mT=b 其中b=X10-3m?K光電效應(yīng)：①光子的能量E=hv；動(dòng)量p=f；質(zhì)量m=C2—詈—士；光電效應(yīng)方程：hv=+mv2+A或hv=hvo+eU，其中遏（截）止電壓U=+mv2/e，紅限頻率v0=學(xué)2 0a a2m 0h在單位時(shí)間內(nèi)，從陰極釋放的電子數(shù)N-l/hv（I為