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人工寶石及寶石優(yōu)化處理教育部職業(yè)教育寶玉石鑒定與加工專業(yè)教學(xué)資源庫GemsandJadeIdentificationandProcessingTeachingResourceLibrary晶體生長基本理論-人工晶體生長方法郭杰晶體生長基本理論概述

-人工晶體生長方法1．從熔體中生長單晶體粉末原料→加熱→熔化→冷卻→超過臨界過冷度→結(jié)晶，

晶體生長基本理論概述

-人工晶體生長方法1．從熔體中生長單晶體從熔體中生長晶體的方法是最早的研究方法，也是廣泛應(yīng)用的合成方法。從熔體中生長單晶體的最大優(yōu)點是生長速率大多快于在溶液中的生長速率。二者速率的差異在10-1000倍。從熔體中生長晶體的方法主要有焰熔法、提拉法、冷坩堝法和區(qū)域熔煉法。晶體生長基本理論概述

-人工晶體生長方法2．從液體中生長單晶體：原料→加熱→溶解（遷移、反應(yīng)）→過飽和→析出結(jié)晶晶體生長基本理論概述

-人工晶體生長方法2．從液體中生長單晶體：由兩種或兩種以上的物質(zhì)組成的均勻混合物稱為溶液，溶液由溶劑和溶質(zhì)組成。合成晶體所采用的溶液包括：低溫溶液（如水溶液、有機溶液、凝膠溶液等）、高溫溶液（即熔鹽）與熱液等。

從溶液中生長晶體的方法主要有助熔劑法和水熱法。晶體生長基本理論概述

-人工晶體生長方法3．從氣相中生長單晶體的方法：氣相生長可分為單組分體系和多組分體系生長兩種。單組分氣相生長要求氣相具備足夠高的蒸氣壓，利用在高溫區(qū)汽化升華、在低溫區(qū)凝結(jié)生長的原理進行生長。但這種方法應(yīng)用不廣，所生長的晶體大多為針狀、片狀的單晶體。晶體生長基本理論概述

-人工晶體生長方法3．從氣相中生長單晶體的方法：多組分氣相生長一般多用于外延薄膜生長，外延生長是一種晶體浮生在另一種晶體上。主要用于電子儀器、磁性記憶裝置和集成光學(xué)等方面的工作元件的生產(chǎn)上。合成金剛石薄

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