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文檔簡(jiǎn)介
第五章
存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器子系統(tǒng)5.1存儲(chǔ)器概述5.2半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器5.3動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)器5.4存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)5.5高速緩沖存儲(chǔ)器5.6虛擬存儲(chǔ)器5.1存儲(chǔ)器概述存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)有:存儲(chǔ)容量存取速度體積和功耗可靠性
5.1.2存儲(chǔ)器的分類
按照存儲(chǔ)介質(zhì),可分為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁介質(zhì)存儲(chǔ)器和光存儲(chǔ)器。
按照存儲(chǔ)器與CPU的耦合程度,可分為內(nèi)存和外存。
按存儲(chǔ)器的讀寫功能,分為讀寫存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器。
按掉電后存儲(chǔ)的信息可否保持,分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。5.1.2存儲(chǔ)器的分類
按照數(shù)據(jù)存取的隨機(jī)性,分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、順序存取存儲(chǔ)器(SAM)和直接存取存儲(chǔ)器(DAM)。
按訪問的串并行性,分為并行存取存儲(chǔ)器和串行存取存儲(chǔ)器。
5.1.2存儲(chǔ)器的分類
按照存儲(chǔ)器的尋址方式,分為按地址尋址的存儲(chǔ)器和按內(nèi)容尋址的存儲(chǔ)器(CAM,相聯(lián)存儲(chǔ)器)。
按照半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的信息存儲(chǔ)方法,分為靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。
按存儲(chǔ)器的功能,分為系統(tǒng)存儲(chǔ)器、顯示存儲(chǔ)器、控制存儲(chǔ)器等。5.1.3內(nèi)存的基本組成5.1.4存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)
1.程序的局部性原理圖5.2存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)圖5.3由cache和主存構(gòu)成的兩級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)
2.多級(jí)存儲(chǔ)體系的組成3.多級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能5.2半
導(dǎo)
體
靜
態(tài)
存
儲(chǔ)
器SRAM和各種類型的ROM都屬于半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器。5.2.1SRAM存儲(chǔ)器相對(duì)于DRAM而言,SRAM的速度快、接口簡(jiǎn)單、讀寫操作簡(jiǎn)便,但存儲(chǔ)密度較高、存儲(chǔ)容量較小、價(jià)格也比較高,通常在不需要太大的存儲(chǔ)容量的小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(例如嵌入式系統(tǒng))中作為RAM存儲(chǔ)器使用,或是在多級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)中被用于構(gòu)成cache存儲(chǔ)器。1.SRAM的基本存儲(chǔ)單元2.SRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與外部特性SRAM內(nèi)部一般由行/列譯碼器、存儲(chǔ)矩陣、讀寫控制電路、輸入/輸出數(shù)據(jù)緩沖器等組成。
圖5.5SRAM628128的管腳信號(hào)
5.2.2UV-EPROM存儲(chǔ)器UV-EPROM是用絕緣柵MOS管構(gòu)成的,它利用與周圍完全絕緣的柵極(稱浮柵)上是否帶有電荷來(lái)決定存儲(chǔ)的信息是1還是0。圖5.6EPROM27C040的管腳信號(hào)
5.2.3EEPROM存儲(chǔ)器EEPROM(E2PROM)是在絕緣柵MOS管的浮柵附近再增加一個(gè)柵極(控制柵)。給控制柵加一正電壓,就可在浮柵和漏極之間形成厚度不足200A的隧道氧化物。圖5.7EEPROM28256的管腳信號(hào)5.2.4
閃速存儲(chǔ)器特點(diǎn)是:(1)按區(qū)塊(sector)或頁(yè)面(page)組織
(2)可進(jìn)行快速頁(yè)面寫入
(3)具有內(nèi)部編程控制邏輯
(4)具有在系統(tǒng)編程能力
(5)具有軟件和硬件保護(hù)能力
1.閃存的內(nèi)部組織(1)閃存的特點(diǎn)(2)閃存的組織結(jié)構(gòu)①按頁(yè)面組織
②按區(qū)塊組織
2.閃存芯片舉例(1)SST28EE020——2M比特頁(yè)面式閃存(2)SST28SF040——4M比特區(qū)塊式閃存3.閃存的應(yīng)用存儲(chǔ)監(jiān)控程序、引導(dǎo)程序或BIOS等基本不變或不經(jīng)常改變的程序。儲(chǔ)存在掉電時(shí)需要保持的系統(tǒng)配置等不常改變的數(shù)據(jù)。
固態(tài)盤應(yīng)用。
5.3動(dòng)
態(tài)
RAM存
儲(chǔ)
器圖5.10單管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)單元
5.3.2
DRAM的管腳信號(hào)與讀寫操作圖5.11DRAM的管腳信號(hào)DRAM的刷新操作是周期性的,整個(gè)存儲(chǔ)器進(jìn)行一次刷新操作的時(shí)間間隔稱為刷新周期。刷新周期一般為2ms,4ms或8ms。5.3.3
DRAM的刷新1.DRAM的刷新策略(1)集中刷新(2)分散刷新(隱式刷新)(3)異步刷新2.DRAM的刷新模式
(1)只用信號(hào)的刷新模式
(2)在之前的刷新模式
5.3.4
DRAM控制器圖5.15DRAM控制器的結(jié)構(gòu)
由于DRAM的存儲(chǔ)密度較高,因而非常適于在需要較大容量存儲(chǔ)器的系統(tǒng)中作為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。PC微機(jī)即采用各種類型的DRAM作為可讀寫主存。
5.3.5
PC機(jī)的DRAM存儲(chǔ)器1.PC機(jī)隨機(jī)存儲(chǔ)器的演變(1)FPMDRAM(FastPageModeDRAM)(2)EDODRAM(ExtendedDataOutDRAM)(3)SDRAM(SynchronousDRAM)(4)RDRAM(RambusDRAM)(5)DDRSDRAM(DualRateSDRAM)2.DRAM內(nèi)存條的接口特性(1)地址信號(hào)線(輸入)(2)數(shù)據(jù)信號(hào)線(輸入/輸出)(3)控制信號(hào)線(4)串行存在探測(cè)(SPD)信號(hào)線(5)電源3.內(nèi)存的組織圖5.16PC機(jī)的內(nèi)存組織
圖5.1916位微機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存組織
圖5.2032位微機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存組織
5.4.1存儲(chǔ)器的接口信號(hào)存儲(chǔ)器通過總線與CPU連接。CPU與存儲(chǔ)器之間要交換地址信息、數(shù)據(jù)信息和控制信息。
5.4存
儲(chǔ)
器
的
接
口
設(shè)
計(jì)圖5.21存儲(chǔ)器的接口信號(hào)
5.4.2
存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)需要考慮的問題
1.存儲(chǔ)器容量2.存儲(chǔ)空間的安排3.總線上的存儲(chǔ)器存取信號(hào)及時(shí)序4.?dāng)?shù)據(jù)總線寬度本節(jié)將介紹cache的地址變換原理以及替換算法,并且只考慮使用一級(jí)cache的情況。5.5高
速
緩
沖
存
儲(chǔ)
器
5.5.1
cache的工作原理
1.為引入cache必須解決的問題2.帶有cache的存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖5.26cache的工作原理5.5.2
cache地址映射和地址變換地址映射方法有三種:1.全相聯(lián)映射2.直接映射3.組相聯(lián)映射圖5.27組相聯(lián)映射及其變換
5.5.3
替換算法1.隨機(jī)替換法2.先進(jìn)先出(FIFO)算法3.最近最少使用(LRU:LeastRecentlyUsed)算法4.最久沒有使用(LFU:LeastFrequentlyUsed)算法5.5.4
cache的一致性問題——更新算法導(dǎo)致主存和cache內(nèi)容的不一致原因一是CPU改變了cache的內(nèi)容,而主存沒有改變;二是輸入偷出設(shè)備或其它主控部件改變了主存,而cache的內(nèi)容沒有隨之改變。5.6虛
擬
存
儲(chǔ)
器5.6.1虛存的概念
1.實(shí)地址與虛地址用戶編制程序時(shí)使用的地址稱為虛地址或邏輯地址,其對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)空間稱為虛存空間或邏輯地址空間;而計(jì)算機(jī)物理內(nèi)存的訪問地址則稱為實(shí)地址或物理地址,其對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)空間稱為物理存儲(chǔ)空間或主存空間。
圖5.29實(shí)地址和虛地址的對(duì)應(yīng)
2.虛存的訪問過程(1)虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng)的工作過程(2)虛存機(jī)制要解決的關(guān)鍵問題3.cache與虛存的異同(1)cache一主存和主存一輔存兩個(gè)存儲(chǔ)層次的相同點(diǎn)①出發(fā)點(diǎn)相同
②原理相同
(2)cache一主存和主存一輔存兩個(gè)存儲(chǔ)層次的不同點(diǎn)①側(cè)重點(diǎn)不同
②數(shù)據(jù)通路不同
③透明性不同
④未命中時(shí)的損失不同
5.6.2虛存的地址變換目前應(yīng)用的地
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