VoLTEMOS專題分析報(bào)告

VoLTEMOS專題分析報(bào)告目錄一、VoLTE語(yǔ)音MOS現(xiàn)狀說(shuō)明 21、MOS指標(biāo)定義及優(yōu)化方法 2（1）VoLTE語(yǔ)音MOS指標(biāo)定義 2（2）VoLTE語(yǔ)音MOS采樣機(jī)制 2（3）MOS差的問(wèn)題點(diǎn)定位 2（4）MOS優(yōu)化分析方法 22、MOS指標(biāo)現(xiàn)狀 23、MOS主要問(wèn)題 4（1）成都38個(gè)網(wǎng)格主要問(wèn)題 4（2）、華為地市主要問(wèn)題 4二、如何提升VoLTE語(yǔ)音MOS值 61、MOS值的影響因素 62、MOS問(wèn)題點(diǎn)的解決手段 6（1）測(cè)試規(guī)范和設(shè)備處理手段 6（2）核心網(wǎng)/傳輸處理手段 6（3）無(wú)線優(yōu)化處理手段 7三、VoLTE語(yǔ)音MOS值問(wèn)題案例 8（1）基站問(wèn)題： 8（2）測(cè)試規(guī)范/測(cè)試設(shè)備： 9（3）無(wú)線問(wèn)題： 9（4）核心網(wǎng)/傳輸： 12（5）其他： 13四川省網(wǎng)優(yōu)VOLTE專項(xiàng)優(yōu)化服務(wù)項(xiàng)目2016年4月1日

一、VoLTE語(yǔ)音MOS現(xiàn)實(shí)狀況說(shuō)明1、MOS指標(biāo)定義及優(yōu)化方法（1）VoLTE語(yǔ)音MOS指標(biāo)定義MOS均值=MOS值求和/MOS總采樣點(diǎn)MOS大于3采樣點(diǎn)占比=MOS大于3采樣點(diǎn)/MOS總采樣點(diǎn)（2）VoLTE語(yǔ)音MOS采樣機(jī)制VoLTE語(yǔ)音MOS采樣機(jī)制以下：（1）主叫起呼，進(jìn)行錄音（8s左右）；（2）被叫放音，主叫收音，被叫統(tǒng)計(jì)第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s）；（3）主叫放音，被叫收音，主叫統(tǒng)計(jì)第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s）；（4）被叫放音，主叫收音，被叫統(tǒng)計(jì)第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s，與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s）；（5）主叫放音，被叫收音，主叫統(tǒng)計(jì)第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s，與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s）；（6）被叫放音，主叫收音，被叫統(tǒng)計(jì)第3個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s），如這類推……（3）MOS差問(wèn)題點(diǎn)定位測(cè)試log單次通話連續(xù)兩個(gè)采樣點(diǎn)MOS值小于3問(wèn)題點(diǎn)定義為MOS差問(wèn)題點(diǎn)。注意事項(xiàng)：需剔除通話結(jié)束最終一個(gè)采樣點(diǎn)與下次通話第一個(gè)采樣點(diǎn)MOS值都小于3問(wèn)題點(diǎn)。（4）MOS優(yōu)化分析方法由MOS采樣點(diǎn)機(jī)制能夠看出，MOS采樣點(diǎn)搜集是采樣時(shí)間點(diǎn)前8秒語(yǔ)音質(zhì)量，所以在分析時(shí)候，需著重分析MOS采樣時(shí)間前8秒U(xiǎn)E本端下行（包含：無(wú)線環(huán)境、語(yǔ)音編碼、抖動(dòng)、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等），以及對(duì)端上行（包含：頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等）。2、MOS指標(biāo)現(xiàn)實(shí)狀況現(xiàn)在華為區(qū)域有10個(gè)地市和成都，其中甘孜暫無(wú)測(cè)試任務(wù)也無(wú)測(cè)試指標(biāo)；現(xiàn)在華為區(qū)域有10個(gè)地市和成都，其中甘孜暫無(wú)測(cè)試任務(wù)也無(wú)測(cè)試指標(biāo),4月份只有成都完成一輪省企業(yè)巡檢，其余地市均以3月份測(cè)試結(jié)果為準(zhǔn)；從3月份測(cè)試情況看，華為區(qū)域9個(gè)地市VOLTE話音質(zhì)量MOS>3占比均大于話音質(zhì)量集團(tuán)目標(biāo)85%；4月份語(yǔ)音質(zhì)量項(xiàng)目目標(biāo)為VOLTE話音質(zhì)量MOS>3占比為94%，3月份測(cè)試情況看，南充、達(dá)州、宜賓及瀘州達(dá)成4月份語(yǔ)音質(zhì)量項(xiàng)目目標(biāo)，其中成都4月份省企業(yè)巡檢第1輪份語(yǔ)音質(zhì)量MOS>3占比為94.78%,基本達(dá)成目標(biāo)；話音質(zhì)量6月份項(xiàng)目目標(biāo)為VOLTE話音質(zhì)量MOS>3占比大于96%，從3月份測(cè)試情況看，只有瀘州和南充達(dá)VOLTE話音質(zhì)量MOS>3占比大于96%；其中成都話音質(zhì)量6月份項(xiàng)目目標(biāo)暫定為VOLTE話音質(zhì)量MOS>3占比為96%，需要對(duì)標(biāo)杭州南京指標(biāo)，及時(shí)調(diào)整跟進(jìn)，從4月份測(cè)試情況看，成都VOLTE話音質(zhì)量MOS>3占比為94.73%，距離6月份項(xiàng)目目標(biāo)還有較大差距；3、MOS主要問(wèn)題（1）成都38個(gè)網(wǎng)格主要問(wèn)題截止4月19日成都38個(gè)網(wǎng)格ATU測(cè)試分析了兩輪數(shù)據(jù)，MOS問(wèn)題共計(jì)351個(gè)，其中初步分析測(cè)試設(shè)備造成MOS問(wèn)題96個(gè)占比27%，需要測(cè)試設(shè)備廠家配合處理問(wèn)題；重合覆蓋造成MOS問(wèn)題76個(gè)占比22%，后期需要成都分企業(yè)RF調(diào)整處理，引發(fā)MOS問(wèn)題詳細(xì)分類以下：（2）、華為其它地市主要問(wèn)題對(duì)3月份7個(gè)華為區(qū)域地市州（達(dá)州、涼山、瀘州、內(nèi)江、樂(lè)山、南充、攀枝花）測(cè)試進(jìn)行分析，MOS問(wèn)題點(diǎn)共計(jì)63個(gè)，其中初步分析為測(cè)試設(shè)備引發(fā)MOS低問(wèn)題有31個(gè)占比49%，后期需要規(guī)范測(cè)試和需要測(cè)試設(shè)備廠家配合處理問(wèn)題，引發(fā)MOS問(wèn)題詳細(xì)分類以下：（3）、不一樣測(cè)試設(shè)備性能差異分析三月份有14個(gè)地市州進(jìn)行了一輪VoLTE測(cè)試，其中遂寧數(shù)據(jù)有異常，剩下13個(gè)地市中使用諾優(yōu)ATU設(shè)備有4個(gè)地市（雅安、眉山、樂(lè)山、涼山，其中眉山、樂(lè)山、涼山LTE設(shè)備為華為），使用鼎利Pioneer設(shè)備有9個(gè)地市，詳細(xì)測(cè)試指標(biāo)以下：針對(duì)不一樣ATU設(shè)備，經(jīng)過(guò)對(duì)比發(fā)覺(jué)鼎利Pioneer所測(cè)試9個(gè)地市MOS平均值為3.97，MOS>3.0百分比平均值為94.61%，諾優(yōu)ATU所測(cè)試4個(gè)地市MOS平均值為3.75，MOS>3.0百分比平均值為90.54%，詳細(xì)數(shù)據(jù)以下：ATU設(shè)備MOS值（平均值項(xiàng)）MOS（mos>3.0百分比）（平均值）鼎利Pioneer3.9794.61%諾優(yōu)ATU3.7590.54%差距0.224.07%由此初步懷疑為鼎利Pioneer所測(cè)試MOS值優(yōu)于諾優(yōu)ATU，提議眉山、樂(lè)山、涼山分企業(yè)更換為鼎利設(shè)備進(jìn)行對(duì)比驗(yàn)證。二、怎樣提升VoLTE語(yǔ)音MOS值1、MOS值影響原因MOS值影響原因?yàn)椋簻y(cè)試操作、MOS評(píng)定算法、終端/音頻線、語(yǔ)料選取、協(xié)商編碼、RTP丟包、時(shí)延/抖動(dòng)。造成以上MOS影響原因原因?yàn)椋簻y(cè)試規(guī)范和設(shè)備原因（包含：測(cè)試規(guī)范、設(shè)備差異）、關(guān)鍵網(wǎng)/傳輸（影響協(xié)商編碼，包含：網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、終端能力、覆蓋/干擾、回落2G）、無(wú)線優(yōu)化（包含：覆蓋/干擾、傳輸/邊際網(wǎng)、頻繁切換、高負(fù)荷/故障、參數(shù)配置、X2狀態(tài)和重建）。2、MOS問(wèn)題點(diǎn)處理伎倆（1）測(cè)試規(guī)范和設(shè)備處理伎倆測(cè)試規(guī)范：測(cè)試時(shí)需按測(cè)試規(guī)范進(jìn)行；測(cè)試設(shè)備工作異常：對(duì)工作異常設(shè)備進(jìn)行檢驗(yàn)、復(fù)測(cè)，若頻繁出現(xiàn)異常，則寄回廠家返修；測(cè)試設(shè)備性能差異：對(duì)不一樣測(cè)試設(shè)備進(jìn)行性能比較，若某測(cè)試設(shè)備性能較差，優(yōu)先考慮升級(jí)處理；若無(wú)法經(jīng)過(guò)升級(jí)處理，則提議更換為性能愈加好設(shè)備。（2）關(guān)鍵網(wǎng)/傳輸處理伎倆需提交給關(guān)鍵網(wǎng)/傳輸專業(yè)處理。（3）無(wú)線優(yōu)化處理伎倆無(wú)線優(yōu)化主要分為覆蓋類、干擾類、切換類，優(yōu)化處理伎倆以下：1）覆蓋類處理伎倆以下：2）干擾類處理伎倆以下：3）切換類處理伎倆以下：三、VoLTE語(yǔ)音MOS值問(wèn)題案例結(jié)合影響原因和前期VoLTE拉網(wǎng)測(cè)試時(shí)碰到MOS問(wèn)題，共總結(jié)出四類問(wèn)題點(diǎn)類型：無(wú)線問(wèn)題、基站異常、測(cè)試規(guī)范和設(shè)備、關(guān)鍵網(wǎng)/傳輸。以下為日常工作中搜集各大類型案例：（1）基站問(wèn)題： 是指問(wèn)題路段中心經(jīng)緯度150米以內(nèi)基站及主瓣65度范圍小區(qū)，若存在基站負(fù)荷過(guò)大、影響業(yè)務(wù)告警、斷站等問(wèn)題，必將影響MOS值。處理方法：在測(cè)試前確保基站正常工作。案例1：基站故障造成MOS值低問(wèn)題描述：車輛由南向北行駛至清風(fēng)路與兩河大道交叉路口，UE占用金牛清淳一街-SCDHLS3HM3JN-D2信號(hào)，無(wú)線環(huán)境RSRP為-116.81dbm,SINR為-2.5，MOS值1.14，經(jīng)測(cè)試數(shù)據(jù)分析，發(fā)覺(jué)UE未能收到距離清風(fēng)路與兩河大道交叉路口50米華力汽車企業(yè)車隊(duì)-SCDHLD3HM2GX站點(diǎn)信號(hào)，經(jīng)查詢告警得知，發(fā)覺(jué)該站點(diǎn)網(wǎng)元斷鏈，因而造成該路段出現(xiàn)弱覆蓋現(xiàn)象，最終造成MOS值差。處理提議：提議處理華力汽車企業(yè)車隊(duì)-SCDHLD3HM2GX站點(diǎn)故障。案例2：基站負(fù)荷過(guò)大，造成MOS值低問(wèn)題描述：無(wú)線環(huán)境很好（RSRP為-95dBm左右，SINR為10左右），無(wú)頻繁切換；但MOS打點(diǎn)前8s主被叫占用電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5，抖動(dòng)和丟包均比較異常（RTPJitter為992ms，RTPLossRate為3.99%），后臺(tái)查詢電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5問(wèn)題發(fā)生時(shí)間點(diǎn)15分鐘粒度上行PRB峰值利用率為65.145%，上行PRB平均利用率為45.949%，初步判斷為基站負(fù)荷過(guò)大造成調(diào)度不及時(shí)，從而影響了MOS值。處理提議：處理電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5負(fù)荷過(guò)大問(wèn)題。（2）測(cè)試規(guī)范/測(cè)試設(shè)備： 包含MOS設(shè)備調(diào)試造成MOS設(shè)備性能低、MOS差、音頻線松動(dòng)、終端異常等。 處理方法：在測(cè)試前確保MOS設(shè)備正常工作、事先調(diào)試好MOS值、音頻線插緊、檢驗(yàn)終端等。案例1：調(diào)試MOS造成MOS值低問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常，無(wú)線環(huán)境良好；此次問(wèn)題發(fā)生在1月25日下午第一個(gè)正式log第1次至第3次呼叫，連續(xù)21個(gè)MOS值均低于1.5（覆蓋很好，無(wú)干擾和故障），車輛一直停留在北京華聯(lián)雙橋店門口，第4次起呼MOS值恢復(fù)正常，初步判斷為當(dāng)日下午剛開(kāi)始測(cè)試時(shí)MOS設(shè)備有問(wèn)題造成。處理提議：提議按測(cè)試規(guī)范進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試前確保MOS設(shè)備正常工作。案例2：無(wú)線環(huán)境良好，MOS采樣點(diǎn)前8s信令丟失問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常，無(wú)線環(huán)境良好；主叫9:29：35發(fā)起INVITE請(qǐng)求，9:32:28出現(xiàn)低MOS，分析主叫前8s測(cè)試數(shù)據(jù)，此時(shí)占用春良賓館-SCDHLD3HM3JJ-F3，此時(shí)RSRP=-87.25dbm，SINR=17，9:32:20至9:32:28主叫無(wú)信令交換，查看9:32:20無(wú)RTP丟包異常，RTP抖動(dòng)正常，分析被叫LOG，無(wú)信令。初步判斷為終端問(wèn)題造成MOS差。處理提議：提議按測(cè)試規(guī)范進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試前確保UE終端正常工作。（3）無(wú)線問(wèn)題：主要包含弱覆蓋（RSRP<-100dBm，SINR<0）、質(zhì)差（RSRP>-100dBm，SINR<0）、頻繁切換等。引發(fā)弱覆蓋原因包含：周圍缺站（需新規(guī)劃）、已規(guī)劃站點(diǎn)但未建設(shè)、周圍基站故障、室分泄露、鄰區(qū)漏配、切換參數(shù)不妥。質(zhì)差包含弱覆蓋質(zhì)差和強(qiáng)覆蓋質(zhì)差，前者優(yōu)先處理弱覆蓋，后者通常是由MOD3干擾、GPS失步引發(fā)干擾、外部干擾等干擾引發(fā)。頻繁切換通常是因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不合理、天饋接反、切換參數(shù)設(shè)置不妥造成。案例1：周圍缺站（需新規(guī)劃），弱覆蓋造成MOS值低問(wèn)題描述：測(cè)試車輛在川建路由西向東行駛，主被叫占用靈潤(rùn)路8號(hào)-SCDHLD3HM3JN-F1、鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN-D3通話（RSRP-94~-115、SINR-9~15）鄰區(qū)無(wú)愈加好接續(xù)小區(qū)，該路段為弱覆蓋（連續(xù)覆蓋路段約180米R(shí)SRP＜-105），無(wú)線環(huán)境差造成低MOS（時(shí)間為14:58:30至14:58:41、14:59:11至14:59:45）。該路段鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN與匯澤路-SCDHLS3HM3JN站間距為600米左右，站間距過(guò)大不能夠確保有效覆蓋；周圍無(wú)規(guī)劃站點(diǎn)。處理提議：提議在川建路新建站點(diǎn)（經(jīng)度104.06242，緯度30.73527）案例2：已規(guī)劃站點(diǎn)未建設(shè)，弱覆蓋造成MOS值低問(wèn)題描述：主叫UE在成雙大道占用桐希亨-SCDHLS1HM1WH-D3時(shí)MOS低，在16:09:49MOS統(tǒng)計(jì)為2.076，16秒后在16:10:04MOS統(tǒng)計(jì)為1.401，UE所在路段周圍小區(qū)RSRP均在-105dbm左右,屬于覆蓋不足，核實(shí)在覆蓋較差路段已經(jīng)有規(guī)劃L3HZ156054簇橋老農(nóng)管站，但未開(kāi)通站點(diǎn)。處理提議：提議盡快開(kāi)通站點(diǎn)L3HZ156054簇橋老農(nóng)管站。案例3：周圍站點(diǎn)故障，弱覆蓋造成MOS值低問(wèn)題描述：在一環(huán)路北一段路段被叫占用匯龍灣廣場(chǎng)-SCDHLS3HM3JN-F2小區(qū)（RSRP=-109dBmSINR=-10），經(jīng)過(guò)查詢發(fā)覺(jué)離問(wèn)題路段最近友納克酒店-SCDHLS0HM1JN站點(diǎn)斷站；處理提議：盡快恢復(fù)友納克酒店-SCDHLS0HM1JN站點(diǎn)故障。案例4：室分泄露，弱覆蓋造成MOS值低問(wèn)題描述：?jiǎn)栴}點(diǎn)前從“香伯倫酒店-SCDHLS0HM1JJ-D1”（RSRP為-101dBm，SINR為9）切換至室分小區(qū)“長(zhǎng)城錦苑-SCDHLS4WM3JJ-F1”（RSRP為-90dBm），之后因?yàn)闊o(wú)法切換出至室外宏站，弱覆蓋造成MOS值偏低。處理提議：處理室分小區(qū)“長(zhǎng)城錦苑-SCDHLS4WM3JJ-F1”室分外泄問(wèn)題。案例5：鄰區(qū)漏配，弱覆蓋造成MOS值低問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常；UE沿八里橋路至南向北后右過(guò)程中，因?yàn)?1/25測(cè)試時(shí)查看八里橋路燈桿F-SCDHLD4HM3CH-F1到路段覆蓋站點(diǎn)鳳儀東路東端沒(méi)有添加鄰區(qū)關(guān)系，被叫UE占用八里橋路燈桿F-SCDHLD4HM3CH-F1（RSRP=-103dBmSINR=-10），無(wú)法發(fā)生切換到適宜小區(qū)，被叫電平質(zhì)量較差且出現(xiàn)呼叫重建造成MOS質(zhì)差處理提議：添加八里橋路燈桿F-SCDHLD4HM3CH-F1到鳳儀東路東端站點(diǎn)全部小區(qū)鄰區(qū)關(guān)系。案例6：切換參數(shù)不妥，弱覆蓋造成MOS值低問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常；輛沿新航路從西南向東北行駛，UE占用匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1信號(hào)RSRP為-96dbm左右，SINR10.4左右，MOS值為1.52.伴隨車輛繼續(xù)行駛且信號(hào)不停減弱，而順康電子-SCDHLS1HM1GX-F1電平抵達(dá)了-83dbm左右都未能與匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1發(fā)生切換，所以因匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1與順康電子-SCDHLS1HM1GX-D切換不及時(shí)引發(fā)MOS值差；處理提議：提議將匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1到順康電子-SCDHLS1HM1GX-F1小區(qū)偏移量CIO由0調(diào)整到6dB，加緊二者之間切換。案例7：切換參數(shù)設(shè)置不妥，頻繁切換造成MOS值低問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常；測(cè)試車輛行駛至靜渝路，由北向南行駛，主叫占用沙河農(nóng)牧市場(chǎng)-SCDHLD3HM3JJ-F2小區(qū)，切換至異頻小區(qū)千禧汽修廠-SCDHLS1HM1JJ-D2小區(qū)，測(cè)試車輛繼續(xù)向南行駛RSRP電平衰減至-95dBm，回切至異頻沙河農(nóng)牧市場(chǎng)-SCDHLD3HM3JJ-F2小區(qū)，頻繁異頻切換造成低MOS.處理提議：測(cè)試時(shí)沙河農(nóng)牧市場(chǎng)-SCDHLD3HM3JJ-F2在RSRP=-88dBm觸發(fā)異頻切換A4事件，提議將基于A4A2門限調(diào)整為-100dBm。案例8：網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不合理，頻繁切換造成MOS值低問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常；UE在“人和商務(wù)樓-SCDHLS1HM1QY-D5”和“煤建企業(yè)-VCDHLS1HM1QY-D3”兩個(gè)同頻小區(qū)之間頻繁切換，有異常丟包；問(wèn)題路段為兩個(gè)小區(qū)中間位置。處理提議：對(duì)“人和商務(wù)樓-SCDHLS1HM1QY-D5”和“煤建企業(yè)-VCDHLS1HM1QY-D3”進(jìn)行RF優(yōu)化，緩解二者間頻繁切換。案例9：越區(qū)形成MOD3干擾，SINR差造成MOS值低問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常；服務(wù)小區(qū)為“東郊分局-VCDHLS0HM1JJ-D1”（頻點(diǎn)為37900，PCI=262，RSRP為-76.75dBm），鄰區(qū)存在MOD3干擾小區(qū)“創(chuàng)意倉(cāng)庫(kù)-SCDHLS1HM1JJ-D1”（頻點(diǎn)為37900，PCI=97，RSRP為-83.38dBm），造成MOS值偏低。處理提議：“創(chuàng)意倉(cāng)庫(kù)-SCDHLS1HM1JJ-D1”離問(wèn)題路段較遠(yuǎn)（有越區(qū)情況），提議下壓?jiǎn)栴}小區(qū)“創(chuàng)意倉(cāng)庫(kù)-SCDHLS1HM1JJ-D1”下傾角，控制其在問(wèn)題路段覆蓋。案例10：近距離小區(qū)間MOD3干擾，SINR差造成MOS值低問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常；測(cè)試車輛行駛至靜安路，由北向南行駛，主叫占用如家靜安店-SCDHLD3HM3JJ-F2（PCI=106RSRP=-87dBmSINR=-0.3)小區(qū)，與近距離小區(qū)校園春天-SCDHLD3HM3JJ-F2（PCI=361RSRP=-86dBm)小區(qū)之間存在模3干擾，SINR為-10dB左右，造成低MOS。處理提議：提議將如家靜安店-SCDHLD3HM3JJ-F2和校園春天-SCDHLD3HM3JJ-F2進(jìn)行PCI優(yōu)化，處理MOD3問(wèn)題。案例11：天饋接反形成MOD3干擾，SINR差造成MOS值低問(wèn)題描述：該處被叫占用高新南凱德世紀(jì)名邸-SCDHLS3HM2GX-D1小區(qū)信號(hào)，RSRP=-93dBmSINR=-12dB，PCI=270，鄰區(qū)內(nèi)有天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)信號(hào)，RSRP=-81dBm，PCI=165，沒(méi)有切換到該小區(qū)，查詢后臺(tái)網(wǎng)管發(fā)覺(jué)高新南凱德世紀(jì)名邸-SCDHLS3HM2GX-D1和天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)鄰區(qū)關(guān)系都正常，事件中一直出現(xiàn)A3事件，且信令中一直上報(bào)測(cè)量匯報(bào)，不過(guò)存在MOD3干擾嚴(yán)重造成SINR很差，造成MOS值差。查看工參信息和覆蓋情況，發(fā)覺(jué)天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)覆蓋情況不合理，懷疑是扇區(qū)接反。處理提議：核查天府一街西段-SCDHLS1HM1GX是否存在小區(qū)接反情況；假如沒(méi)有接反，就調(diào)整高新南凱德世紀(jì)名邸-SCDHLS3HM2GX-D1和天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2PCI處理MOD3干擾問(wèn)題。案例12：主叫RRC重建并發(fā)生TAU，造成被叫MOS值低問(wèn)題描述：被叫MOS較差，但無(wú)線環(huán)境良好，無(wú)頻繁切換、RRC重建，抖動(dòng)和丟包正常；但主叫先占用東升賓館-VCDHLS0HM1CH-D2，異常切換至小區(qū)克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1（距離切換點(diǎn)800米，與車輛行駛方向?yàn)楸诚颍?，伴隨車輛逐步遠(yuǎn)離，且克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1未添加附近小區(qū)：成都集郵企業(yè)-SCDHLD3HM3CH-F1為鄰區(qū)關(guān)系，造成主叫RSRP、SINR快速惡化（RSRP=-122.88dBm，SINR=-14.5dB），從而發(fā)生RRC重建，并于重建后發(fā)生了TAU，使主被叫間語(yǔ)音質(zhì)量變差，嚴(yán)重影響了MOS值。處理提議：下壓小區(qū):克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1下傾角，減弱該小區(qū)在問(wèn)題路段覆蓋。（4）關(guān)鍵網(wǎng)/傳輸： 主要為關(guān)鍵網(wǎng)、傳輸異常引發(fā)MOS值差，這類問(wèn)題暫時(shí)缺乏有效伎倆處理。后期將引進(jìn)SEQ平臺(tái)，到時(shí)能夠在關(guān)鍵網(wǎng)上查看網(wǎng)絡(luò)側(cè)信令，