半導(dǎo)體設(shè)備2023年中期投資策略：自主可控邏輯繼續(xù)強(qiáng)化聚焦低國產(chǎn)化率、先進(jìn)制程突破

證券研究報(bào)告自主可控邏輯繼續(xù)強(qiáng)化，——半導(dǎo)體設(shè)備2023年中期投資策略行業(yè)評(píng)級(jí)：看好2023年5月26日師cntockecomcn理tockecomcn半導(dǎo)體設(shè)備：聚焦低國產(chǎn)化率、先進(jìn)制程突破1、核心觀點(diǎn)：半導(dǎo)體設(shè)備四大核心驅(qū)動(dòng)——自主可控需求、先進(jìn)制程突破、資本開支持續(xù)、政策支持加強(qiáng)n美日荷先進(jìn)設(shè)備封鎖，自主可控推動(dòng)國產(chǎn)化率快速提升。全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備公司(以營收排名)中三家美國、四家日本、兩家荷蘭、一家韓國公司。去年10月美國封鎖國內(nèi)先進(jìn)制程，日本對(duì)六類23項(xiàng)先進(jìn)設(shè)備禁止出口，荷蘭亦跟進(jìn)先進(jìn)光刻機(jī)制裁，在此外部制裁背景下，自主可控勢(shì)在必n2022年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約1900億人民幣，占全球26%，連續(xù)三年成為全球最大市場(chǎng)。nALD注入等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率極低，均低于5%。涂膠顯影、CVD、刻蝕、PVD等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低，位于10%至30%之間。清洗(34%)、熱處理(40%)、去膠(90%)國產(chǎn)化率較高?？涛g、薄膜沉積(包括CVD、PVD、ALD檢測(cè)市場(chǎng)空間大，當(dāng)前國產(chǎn)化率低，國產(chǎn)替代空間廣闊。n業(yè)績回顧：22年板塊業(yè)績高增長，新簽訂單數(shù)據(jù)亮眼。22年半導(dǎo)體設(shè)備板塊營收同比+50%，歸母凈利潤同比+72%，毛利率45.7%(同比+2.6pct)，凈利率18.6%(同比+2.3pct)，營收利潤高增長，盈利能力持續(xù)提升。合同負(fù)債、存貨、新簽訂單等前瞻指標(biāo)高增長。23Q1末，半導(dǎo)體設(shè)備板塊合+68.0%。22年中微公司、拓荊、至純新簽訂單同比+53%、95%、61%，華海清科新簽訂單創(chuàng)歷史新高，微導(dǎo)納米23年前四月新簽訂單近去年全年水平。2示：國產(chǎn)化進(jìn)程低于預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)、美國半導(dǎo)體管制加劇風(fēng)險(xiǎn)、零部件供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。23CONTENTS市場(chǎng)規(guī)模：中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)1900億元，全球第一大競(jìng)爭(zhēng)格局：全球美日荷壟斷，我國國產(chǎn)化亟待突破細(xì)分設(shè)備：關(guān)注低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)及核心技術(shù)突破：四大核心驅(qū)動(dòng)：自主可控需求、先進(jìn)制程突破、資本開支持續(xù)、政策支持加強(qiáng)營收利潤高增長，盈利能力持續(xù)提升前瞻指標(biāo)高增長，新簽訂單數(shù)據(jù)兩眼險(xiǎn)提示關(guān)注低國產(chǎn)化率的環(huán)節(jié)、具備先進(jìn)制程突破能力的公司4場(chǎng)1900億元，全球第一大競(jìng)爭(zhēng)格局：全球美日荷壟斷，我國國產(chǎn)化亟待突破細(xì)分設(shè)備：關(guān)注低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)及核心技術(shù)突破智能手機(jī)、智能手環(huán)等可穿戴設(shè)備興起存儲(chǔ)價(jià)格崩盤筆記本電腦等消費(fèi)電子興起金融危機(jī)22年全球半導(dǎo)體規(guī)模5801億美元，預(yù)計(jì)23智能手機(jī)、智能手環(huán)等可穿戴設(shè)備興起存儲(chǔ)價(jià)格崩盤筆記本電腦等消費(fèi)電子興起金融危機(jī)n2022年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5801億美元，達(dá)到歷史新高，過去十年復(fù)合增長率7.4%。n當(dāng)前全球半導(dǎo)體行業(yè)處于下行周期，2023年1月全球半導(dǎo)體銷售額413億美元，同比減少19%。預(yù)計(jì)2023年下半年迎來下行周期拐點(diǎn)。2024年，一方面?zhèn)鹘y(tǒng)芯片將進(jìn)入庫存拐點(diǎn)，另一方面AIGC對(duì)算力需求的大幅提升，將帶動(dòng)新興芯片需求的爆發(fā)，將加快上行周期的到來。7,0006,0005,0004,0003,0002,0001,000臺(tái)式電腦普及汽臺(tái)式電腦普及汽車電子、疫情帶來的個(gè)人電子需求爆發(fā)200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023E全球半導(dǎo)體銷售額(億美元)全球同比50%40%30%20%0%-10%-20%-30%-40%5022年我國半導(dǎo)體設(shè)備283億美元市場(chǎng)，為全球最大市場(chǎng)0n2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)為1076億美元。中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)283億美元(約合1900億元人民幣)，占全球銷售額26%，為全球最大市場(chǎng)。超出中國臺(tái)灣(25%)、韓國(20%)、北美(10%)。n2012-2022年全球及中國半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長率分別達(dá)11%、27%，中國市場(chǎng)增速快于全球。26%26%20062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022大陸連續(xù)三年成為全球半導(dǎo)體設(shè)備最大市場(chǎng)5%5%6%8%26%20%25%中國占比621094008975362211444444444440000000000009898988899888899998899897777777777775555555555553333333333366666666666622222222222211111111111160%52%19%21094008975362211444444444440000000000009898988899888899998899897777777777775555555555553333333333366666666666622222222222211111111111160%52%19%20%14%11%0%-12%下，2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本開支預(yù)計(jì)1466億美元，同比下降19%。n周期性分析：從2000年至今全球半導(dǎo)體資本開支同比增速來看，部，預(yù)計(jì)2024年資本開支迎來反轉(zhuǎn)。0%%%%全球半導(dǎo)體資本開支約3年一個(gè)周期。2023年處于行業(yè)周期底 35% 35%25%40%-29%-29%-29%-29%7全球半導(dǎo)體設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局高度集中，主要由美日荷主導(dǎo)n2022年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備公司中三家美國、四家日本、兩家荷蘭、一家韓國公司，前十占據(jù)全球84.5%市場(chǎng)。n中國半導(dǎo)體設(shè)備公司2021年全球市占率為1.7%，2019年為1.4%。全球市占率逐步提升且空間廣闊。2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備營收及市場(chǎng)占比2022年?duì)I收2022年?duì)I收 (百萬美金)市場(chǎng)占比公司名稱排名國家8230.73.92111.1604.1123456789MLMLyoElectronnductorASMInternational場(chǎng)占比其他廠商2其他廠商24.9%19.2%中國廠商,1.7%阿斯麥,17.5%1.7%KLA,6.5%泛林,泛林,14.9%15.3%8全球半導(dǎo)體設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局高度集中，主要由美日荷主導(dǎo)n日本在涂膠顯影、清洗設(shè)備占據(jù)優(yōu)勢(shì)。2021年東京電子涂膠顯影設(shè)備市占率89%、迪恩士清洗設(shè)備市占率40%。n荷蘭光刻機(jī)是絕對(duì)龍頭，原子層沉積處于領(lǐng)先地位。2021年阿斯麥占據(jù)全球77%市場(chǎng)份額，先晶半導(dǎo)體ALD設(shè)備市占率45%。9全球半導(dǎo)體設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局高度集中，主要由美日荷主導(dǎo)間及市占率設(shè)備類型全球市場(chǎng)空間美國荷蘭韓國中國 (億美元)公司名稱全球市占率合計(jì)公司名稱全球市占率合計(jì)公司名稱全球市占率合計(jì)公司名稱全球市占率合計(jì)公司名稱全球市占率合計(jì)刻蝕222.8泛林46.0%62.0%東京電子29.0%29.0%北方華創(chuàng)2.0%4.2%中微半導(dǎo)體2.0%應(yīng)用材料16.0%屹唐半導(dǎo)體0.2%光刻機(jī)175.1尼康10.0%19.9%阿斯麥76.5%76.5%上海微電子佳能9.9%Track37.1東京電子89.0%89.0%細(xì)美事7.0%7.0%芯源微2.1%2.1%CVD118.2應(yīng)用材料27.0%50.0%東京電子20.0%28.8%先晶半導(dǎo)體10.0%10.0%北方華創(chuàng)0.2%1.2%泛林23.0%科意半導(dǎo)體8.8%拓荊科技1.0%PVD47.9應(yīng)用材料86.0%86.0%北方華創(chuàng)2.0%2.0%ALD30.6泛林8.6%8.6%東京電子29.0%29.0%先晶半導(dǎo)體45.0%45.0%微導(dǎo)納米0.1%0.7%拓荊科技0.1%北方華創(chuàng)0.4%清洗54.2泛林12.0%12.0%迪恩士40.0%65.0%細(xì)美事16.0%16.0%盛美半導(dǎo)體3.1%5.9%至純科技2.0%東京電子25.0%芯源微0.8%CMP應(yīng)用材料68.0%68.0%日本荏原26.0%26.0%華海清科3.6%3.6%熱處理9應(yīng)用材料45.0%45.0%東京電子19.0%38.0%屹唐半導(dǎo)體5.0%6.0%科意半導(dǎo)體19.0%北方華創(chuàng)1.0%離子注入23.2應(yīng)用材料64.0%86.0%萬業(yè)(凱世通)0.8%亞舍立22.0%中科信ECP9.9泛林78.0%95.0%盛美半導(dǎo)體4.0%4.0%應(yīng)用材料17.0%干法去膠8比思科42.0%42.0%屹唐半導(dǎo)體29.0%29.0%量測(cè)檢測(cè)104.1科磊54.0%67.0%阿斯麥6.0%6.0%中科飛測(cè)0.5%0.7%應(yīng)用材料13.0%精測(cè)電子0.2%資料來源：Gartner(2021)，wind，浙商證券研究所國內(nèi)ICIC設(shè)備分類全球領(lǐng)先公司NAURA北方華創(chuàng)AMEC中微公司ACMR盛美上海Hwatsing華海清科Piotech沈陽拓荊LeadMicroSMEEPNCKingsemi微導(dǎo)納米上海微電子至純科技芯源微Wanye萬業(yè)企業(yè) (凱世通)MattsonJingceAccoTest屹唐精測(cè)電子華峰測(cè)控Changchuan長川科技Raintree上海睿勵(lì)熱處理氧化TELAMATASMHitachi√擴(kuò)散√退火√光刻機(jī)DUV/EUVASML√刻蝕硅刻蝕LAMTELAMAT√√介質(zhì)刻蝕√√√金屬刻蝕√√涂膠去膠涂膠顯影TEL√√去膠Mattson√CVDLPCVDAMATTELLAM√√PECVD√√ALDASMI√√√√√MOCVDAMEC√VDAI-padAMATEvatec√Hardmask√CuBS√離子注入機(jī)高能量AMATAxcelis√高電流√低離子電流CMPAMATEbara√清洗單一晶圓SCREENLAM√√BatchTEL√√√√檢測(cè)AnalogTeradyneAdvantestCohu√√SoCMemory√測(cè)量KLA/AMAT√√資料來源：公開信息整理，浙商證券研究所34%29% 11%5%34%29% 11%5%n關(guān)注低國產(chǎn)化率、高市場(chǎng)空間的環(huán)節(jié)。環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低，位于10%至30%之間。清洗(34%)、熱處理(40%)、去膠(90%)國產(chǎn)化率較高?？涛g光刻機(jī)CVD量測(cè)檢測(cè)清洗PVD刻蝕光刻機(jī)CVD量測(cè)檢測(cè)清洗PVD涂膠顯影ALDCMP熱處理離子注入干法去膠n。況及國產(chǎn)化率統(tǒng)計(jì)資料來源：中國招標(biāo)網(wǎng)，浙商證券研究所整理(備注：鑒于部分產(chǎn)線不公開招投標(biāo)及統(tǒng)計(jì)產(chǎn)線較多為特殊工藝產(chǎn)線國產(chǎn)化率高，實(shí)際國產(chǎn)化率低于該數(shù)值。)四大核心驅(qū)動(dòng)：自主可控需求先進(jìn)制程突破資本開支持續(xù)政策支持加強(qiáng)01驅(qū)動(dòng)一：美日荷半導(dǎo)體設(shè)備封鎖，倒逼國產(chǎn)化率快速提升n2022年10月7日，美國BIS對(duì)華進(jìn)行半導(dǎo)體管制，范圍擴(kuò)大至先進(jìn)芯片、設(shè)備、零部件、人員等。存儲(chǔ)器芯片所需的制造設(shè)備。美國兩家芯片設(shè)備公司LamResearch和KLA收到美國商務(wù)部通知，美國BIS宣布新一輪的對(duì)華芯片出口出口14nm以下制程制造設(shè)備到說荷蘭停止向中國出口ASML務(wù)部將中芯國際及附屬公司加出口14nm以下制程制造設(shè)備到說荷蘭停止向中國出口ASML務(wù)部將中芯國際及附屬公司加特朗普簽署《國防授權(quán)法》禁止美國雇員使用包括華為和中興在內(nèi)的BIS布限制華為使用美國特定和軟件在美國境外設(shè)計(jì)和制造半。名單。2020.082020.122021.112022.07202020.082020.122021.112022.072022.082022.10務(wù)部BIS將華為及其70個(gè)分支為部分采購。資料來源：芯謀研究，浙商證券研究所整理中華為作為購買者、中間人或最實(shí)體清單”。爾中國工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃被拜登政府“國家安全”的理由拒絕；止韓國存儲(chǔ)芯片企業(yè)SK海力工廠引進(jìn)EUV光刻機(jī)。接受資助之日起10年內(nèi)在BIS過發(fā)布臨時(shí)規(guī)則對(duì)用于GAAFETEDA管制。驅(qū)動(dòng)一：美日荷半導(dǎo)體設(shè)備封鎖，倒逼國產(chǎn)化率快速提升Tinm方可進(jìn)口清單中的設(shè)備。類型指標(biāo)膜設(shè)備 利用自下而上(Bottom-up)成膜技術(shù)，填充鈷(Co)或者鎢(W)時(shí)，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設(shè)備。Chamber的設(shè)備、氫(或者含氫、氮、氨混合物)等離子設(shè)備、在維持晶圓溫度為100度一500度的同時(shí)、利用有機(jī)化合物形成鎢(W)膜的設(shè)備?？杀３謿鈮簽?.01Pa以下真空狀態(tài)(或者惰性環(huán)境)的、含多個(gè)腔體的、可處理多個(gè)工序的成膜設(shè)備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設(shè)備：(1)在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機(jī)金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。(2)在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用濺射工藝，形成鈷(Co)層膜的工藝。(3)在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機(jī)金屬化合物，形成鈷(Co)層膜的工藝。利用以下所有工藝形成銅線路的設(shè)備。(1)在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機(jī)金屬化合物，形成鈷(Co)層膜、或者釕(Ru)層膜的工藝。(2)在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用PVD技術(shù)，形成銅(Cu)層膜的工藝。利用金屬有機(jī)化合物，有選擇性地形成阻障層(Barrier)或者Liner的ALD設(shè)備。在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產(chǎn)生空隙(空隙的寬度和深度比超過五倍，且空隙寬度為40納米以下)，而填充鎢(W)或者鈷(Co)的ALD設(shè)備2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態(tài)下(或者惰性環(huán)境下)，不采用阻障層(Barrier)，有選擇性地生長鎢(W)或者鉬(Mo)的成膜設(shè)備。4.“空間原子層沉積設(shè)備(僅限于支持與旋轉(zhuǎn)軸晶圓的設(shè)備)”，以下皆屬于限制范圍。(1)利用等離子，形成原子層膜。(2)帶等離子源。(3)具有將等離子體封閉在等離子照射區(qū)域的“等離子屏蔽體(PlasmaShield)”或相關(guān)技術(shù)手法。5.可在400度一一650度溫度下成膜的設(shè)備，或者利用其他空間(與晶圓不在同一空間)內(nèi)產(chǎn)生的自由基Radical(Si)或碳(C)膜的設(shè)備屬于限制出口范類型指標(biāo)膜設(shè)備 6.利用離子束(IonBeam)蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設(shè)備的掩膜)的設(shè)備。設(shè)備。子層沉積法或者化學(xué)氣相法，形成鎢(W)膜(僅限每立方厘米內(nèi)氟原子數(shù)量低于10的19次方個(gè))的設(shè)備。10.為了不在金屬線路之間(僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米)產(chǎn)生間隙，利用等離子形成相對(duì)介電常數(shù) elativePermittivity11.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下工作的退火設(shè)備，通過再回流(Reflow)銅(Cu)、鈷(Co)、鎢(W)，使銅線路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。關(guān) 檢測(cè)設(shè)備 EUV者帶有線路的掩膜的檢測(cè)設(shè)備。 (4類)EUV的生產(chǎn)設(shè)備。EUV覆、顯影設(shè)備。4.用于處理晶圓的步進(jìn)重復(fù)式、步進(jìn)掃描式光刻機(jī)設(shè)備(光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數(shù)值孔徑得到的數(shù)值為45及以下)。干法清洗設(shè)備、濕法清1在001Pa以下的真空狀態(tài)下，除去高分子殘?jiān)?、氧化銅膜，形成銅膜的設(shè)備。面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻的多反應(yīng)腔設(shè)備。3.單片式濕法清洗設(shè)備(在晶圓表面性質(zhì)改變后，進(jìn)行干燥)。1.同向性蝕刻設(shè)備，且硅鍺(SiGe)和硅(Si)的選擇比為100以上的設(shè)備；屬于異向性刻蝕設(shè)備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤(Chuck)的設(shè)備。63.異向性蝕刻設(shè)備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥的設(shè)備。6驅(qū)動(dòng)二：先進(jìn)制程有望突破，國產(chǎn)設(shè)備從成熟邁向先進(jìn)28nm制程突破，去膠、部分刻蝕和清洗已經(jīng)達(dá)到先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)。外部制裁下國內(nèi)晶圓廠給予設(shè)備驗(yàn)證機(jī)會(huì)增多，我國半導(dǎo)體設(shè)備從成熟邁向先進(jìn)制程的節(jié)奏有望提速。資料來源：各公司公告，浙商證券研究所整理資料來源：各公司公告，浙商證券研究所整理驅(qū)動(dòng)二：先進(jìn)制程有望突破，國產(chǎn)設(shè)備從成熟邁向先進(jìn)公司名稱設(shè)備類型當(dāng)前制程及先進(jìn)制程研發(fā)進(jìn)展北方華創(chuàng)刻蝕先進(jìn)制程刻蝕機(jī)已在客戶端通過多道制程工藝驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用薄膜沉積先進(jìn)制程薄膜沉積設(shè)備(14nm)已在客戶端通過多道制程工藝驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。中微公司CCP1、邏輯：12英寸設(shè)備已應(yīng)用于65nm到5nm及更先進(jìn)生產(chǎn)線上。應(yīng)用于28nm及以下的一體化大馬士革刻蝕進(jìn)展良好。2、存儲(chǔ)：設(shè)備已在64層和128層3DNAND量產(chǎn)先上應(yīng)用，已通過動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器工藝驗(yàn)證并取得訂單，60:1極高深寬比刻蝕進(jìn)展良好?？蓾M足55nm到28nm邏輯芯片ICP刻蝕工藝，在DRAM、3DNAND和存儲(chǔ)器件刻蝕應(yīng)用范圍不斷拓展，已在20家客戶產(chǎn)線上量產(chǎn)。薄膜沉積1、LPCVD設(shè)備：首臺(tái)CVD鎢設(shè)備已交付關(guān)鍵存儲(chǔ)客戶端驗(yàn)證，滿足先進(jìn)邏輯接觸填充、64層和128層3DNAND應(yīng)用。正在開發(fā)新的金屬鎢填充工藝方案，以滿足更高深寬比接觸孔及溝道電極需求。2、ALD設(shè)備：ALD鎢設(shè)備正在開發(fā)，可應(yīng)用于高端存儲(chǔ)，已開始實(shí)驗(yàn)室測(cè)試及與客戶對(duì)接驗(yàn)證。應(yīng)用于高端存儲(chǔ)和邏輯的ALD氮化鈦設(shè)備已進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室測(cè)試階段。拓荊科技PECVDSi等先進(jìn)介質(zhì)薄膜材料。1、邏輯：完成28nm量產(chǎn)應(yīng)用，14nm/10nm驗(yàn)證中。2、存儲(chǔ)：SiN、SiON、TEOS、ACHM材料已在64層3DNAND應(yīng)用，128層3DNAND、19/17nmDRAM產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證中。SACVDFALDPEALDSiO2、SiN產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用中，TALDAl2O3已在客戶端驗(yàn)證。HDPCVD更高，已通過產(chǎn)線驗(yàn)證，可以沉積SiO2、FSG、PSG等介質(zhì)薄膜材料。微導(dǎo)納米薄膜沉積1、ALD：獲得邏輯、存儲(chǔ)、化合物、新型顯示批量訂單，12寸28nm邏輯high-k設(shè)備獲得量產(chǎn)驗(yàn)證。2、CVD設(shè)備已與客戶試樣。華海清科CMP1、邏輯：實(shí)現(xiàn)28nm及以上成熟制程的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，高端工藝技術(shù)水平14nm制程仍處于客戶驗(yàn)證階段。2、存儲(chǔ)：128層3DNAND、1X/1YDRAM實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。芯源微Track28nm及以上制程全覆蓋，offline、I-line、KrF機(jī)臺(tái)實(shí)現(xiàn)批量銷售，浸沒式已完成驗(yàn)證。盛美上海清洗已應(yīng)用于邏輯28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)及DRAM19nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，并可拓展至邏輯芯片14nm、DRAM17/16nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)、32/64/128層3DNAND。至純科技清洗備已能滿足28nm全部濕法工藝需求，14nm及以下有4臺(tái)訂單交付。萬業(yè)企業(yè)離子注入28nm低能大束流、低能大束流重金屬、低能大束流超低溫和高能離子注入機(jī)以實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。精測(cè)電子量檢測(cè)膜厚設(shè)備、OCD設(shè)備、電子束設(shè)備均已取得多家客戶批量性訂單，半導(dǎo)體硅片應(yīng)力測(cè)量設(shè)備取得客戶訂單并完成交付，明場(chǎng)光學(xué)缺陷檢測(cè)設(shè)備已取得突破性訂單，且完成首臺(tái)套交付。1、光學(xué)膜厚測(cè)量設(shè)備：可用于28nmFEOL和14nmBEOL節(jié)點(diǎn)制程。2、OCD設(shè)備適用于28nm節(jié)點(diǎn)及以上制程。3.電子束檢測(cè)設(shè)備：1xnm正在驗(yàn)證。中科飛測(cè)量檢測(cè)已量產(chǎn)多款28nm及以上量檢測(cè)設(shè)備，2Xnm套刻精度量測(cè)設(shè)備正在驗(yàn)證，已取得客戶訂單，1Xnm無圖形晶圓檢測(cè)設(shè)備處于研發(fā)中。編號(hào)廠商主體工廠代碼地點(diǎn)晶編號(hào)廠商主體工廠代碼地點(diǎn)晶圓尺寸2021年底產(chǎn)能 (萬片/月)規(guī)劃產(chǎn)能 (萬片/月)22紫光集團(tuán)紫光集團(tuán)CD成都12英寸0023合肥長鑫合肥長鑫Fab1合肥12英寸412.524合肥長鑫Fab2合肥12英寸012.525合肥長鑫Fab3合肥12英寸012.526晶合集成晶合集成合肥12英寸4427晶合集成合肥12英寸0428S晶合集成合肥12英寸0429晶合集成合肥12英寸040廣州粵芯廣州粵芯廣州12英寸241芯恩芯恩青島12英寸0.342華潤微電子華潤微電子重慶12英寸--3士蘭微(士蘭集科)士蘭集科Fab1廈門12英寸484士蘭集科Fab2廈門12英寸-85積塔半導(dǎo)體積塔半導(dǎo)體上海12英寸556臺(tái)積電臺(tái)積電NJFab16南京12英寸227矽力杰矽力杰青島12英寸448時(shí)代芯存時(shí)代芯存淮安12英寸-0.839福建晉華福建晉華F1-F2泉州12英寸-640萬國半導(dǎo)體萬國半導(dǎo)體CQ重慶12英寸37合計(jì)(萬片/月)60.2270.8未來新增產(chǎn)能(萬片/月)210.6有序擴(kuò)產(chǎn)，疊加國內(nèi)地方晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)加速，今年半導(dǎo)體資本開支有望維持去年高水平。展望長期，芯片國產(chǎn)化是長期擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)力，設(shè)備長期需求無虞。表.：我國12英寸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃編號(hào)廠商主體工廠代碼地點(diǎn)晶圓尺寸2021年底產(chǎn)能 (萬片/月)規(guī)劃產(chǎn)能 (萬片/月)1中芯國際中芯南方SN1上海12英寸1.53.52中芯南方SN2上海12英寸03.53中芯北京B1(Fab4、6)北京12英寸5.264中芯北方北京12英寸6.25中芯京城B3P1北京12英寸056中芯京城B3P2北京12英寸057中芯京城B3P3北京12英寸058中芯京城B3P4北京12英寸059中芯西青天津12英寸0中芯東方上海臨港12英寸011中芯深圳Fab16A/B深圳12英寸04華虹集團(tuán)上海華力上海12英寸3.53.5上海華力上海12英寸34華虹無錫Fab7無錫12英寸2.58上海華力Fab8上海12英寸04上海華力Fab9無錫12英寸08長江存儲(chǔ)長江存儲(chǔ)Fab1武漢12英寸5長江存儲(chǔ)Fab2武漢12英寸0長江存儲(chǔ)Fab3武漢12英寸020武漢新芯武漢新芯Fab1武漢12英寸2.52.521武漢新芯武漢新芯Fab2武漢12英寸2.511.5資料來源：ittbank，浙商證券研究所整理(數(shù)據(jù)更新或存在不及時(shí))中國大陸集成電路產(chǎn)值(十億美元)中國大陸集成電路市場(chǎng)規(guī)模(十億美元)自給率(右軸，%)2003驅(qū)動(dòng)三：23年資本開支持續(xù)高位；芯片國產(chǎn)化率低長期擴(kuò)產(chǎn)需求大模將達(dá)到2740億美元，復(fù)合增長率8%。2021年中國大陸集成電路產(chǎn)值為312億美元，占中國大陸集成電路市場(chǎng)的13%，其中300250200502010201120122013201420152016201720182019202020212026F22%20%8%6%4%2%0%04驅(qū)動(dòng)四：我國政策端支持預(yù)期加強(qiáng)，集成電路發(fā)展需要“舉國體制”n半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆全球化成趨勢(shì)，2022年以來各國積極制定支持政策扶持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。n2023年3月10日，十四屆全國人大一次會(huì)議決議重組科學(xué)技術(shù)部，組建中央科技委員會(huì)，此舉有利于統(tǒng)籌科技創(chuàng)新各方力量，推動(dòng)健全新型舉國體制、優(yōu)化科技創(chuàng)新全鏈條管理、促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化、促進(jìn)科技和經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展相結(jié)合。n2023年4月6日，全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)成立，對(duì)推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展具有重要作用。策/地區(qū)《芯片與科學(xué)法案》《歐洲芯片法案》添加標(biāo)題。此外芯片方面建立先進(jìn)的技術(shù)和工程能力。添加標(biāo)題2022.11《歐洲芯片法案》覆蓋應(yīng)鏈?！栋雽?dǎo)體援助法》訂稅法對(duì)機(jī)械裝《半導(dǎo)體超級(jí)強(qiáng)國戰(zhàn)略》部件和設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)。加拿大/。其中1.5億加元的半導(dǎo)體Challenge計(jì)劃資料來源：集微網(wǎng)，浙商證券研究所整理Q1板塊業(yè)北方華創(chuàng)華海清科盛美上海賽騰股份芯源微至純科技中微公司精測(cè)電子金海通華峰測(cè)控聯(lián)動(dòng)科技長川科技微導(dǎo)納米業(yè)績回顧：22年及北方華創(chuàng)華海清科盛美上海賽騰股份芯源微至純科技中微公司精測(cè)電子金海通華峰測(cè)控聯(lián)動(dòng)科技長川科技微導(dǎo)納米n22年半導(dǎo)體設(shè)備板塊營收同比增長50%，前道制造環(huán)節(jié)收入增速高于后道封裝設(shè)備。n2022年半導(dǎo)體設(shè)備板塊實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入409億元，同比增長50%。其中拓荊科技、華海清科營收實(shí)現(xiàn)翻倍增長，盛美上海、長川科技、芯源微、微導(dǎo)納米、中微公司、北方華創(chuàng)營收增速同比超過50%。2023年一季度，半導(dǎo)體設(shè)備板塊實(shí)現(xiàn)營收99億元，同比增長46%。拓荊科技、北方華創(chuàng)、華海清科、盛美上海、賽騰股份、芯源微營收同比高增長，均增速超50%。n備營收同比+59%，后道封裝設(shè)備受下游景氣度影響收入下滑較大，營收同比-32%。022年板塊營收同比+50%，23Q1營收同比+46%圖：22年重點(diǎn)公司營收同比140%120%100%80%60%40%20%0%125% 105% 77% 70% 67% 60% 52% 52% 46% 26% 22% % 1%202120222023Q1拓荊科技華海清科盛美上海長川科技芯源微微導(dǎo)納米中微公司北拓荊科技華海清科盛美上海長川科技芯源微微導(dǎo)納米中微公司北方華創(chuàng)至純科技賽騰股份華峰測(cè)控精測(cè)電子聯(lián)動(dòng)科技金海通2022營收yoy資料來源：Wind，浙商證券研究所(注：以14家公司代表半導(dǎo)體設(shè)備板塊，包括前道芯片制造的10家公司(北方華創(chuàng)、華海清科、至純科技、精測(cè)電子、賽騰股份)和后道封測(cè)4家公司(華峰測(cè)控、長川科技、金海通、聯(lián)動(dòng)科技))圖：23Q1重點(diǎn)公司營收同比300%300%250%200%150%100%50%0%81% 77% 74% 69% 57% 43% 29% 0%-4%-23%-37%-40%-43%拓荊科技-拓荊科技2023Q1營收同比23-100%23中微公司、拓荊科技、微導(dǎo)納米、盛美上海、芯源微、資料來源：Wind，浙商證券研究所拓荊科技芯源微華海清科盛美上海北方華創(chuàng)長川科技賽騰股份精測(cè)電子華峰測(cè)控微導(dǎo)納米中微公司至純科技金海通北方華創(chuàng)至純科技賽騰股份中微公司華海清科芯源微金海通華峰測(cè)控精測(cè)電子聯(lián)動(dòng)科技微導(dǎo)納米長川科技4334%2596%7472%2%104%業(yè)績回顧：利潤增速高于營收增速，前道設(shè)備景氣度高拓荊科技芯源微華海清科盛美上海北方華創(chuàng)長川科技賽騰股份精測(cè)電子華峰測(cè)控微導(dǎo)納米中微公司至純科技金海通北方華創(chuàng)至純科技賽騰股份中微公司華海清科芯源微金海通華峰測(cè)控精測(cè)電子聯(lián)動(dòng)科技微導(dǎo)納米長川科技4334%2596%7472%2%104%n22年板塊歸母凈利潤同比增長72%，前道設(shè)備利潤大幅增長，后道設(shè)備利潤下滑。n年半導(dǎo)體設(shè)備板塊實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤74億元，同比增長72%，其中拓荊科技、芯源微、華海清科、盛美上海、北方華創(chuàng)、長川科技?xì)w母凈利潤實(shí)現(xiàn)翻倍增長。n增長96%。盛美上海22Q1受疫情影響基數(shù)較小，23Q1歸母凈利潤增速2937%，北方華創(chuàng)、至純科技、賽騰股份、中微公司、華海清科、芯源微歸母凈利潤翻倍。23Q1后道封裝設(shè)備受收?qǐng)D：22年板塊歸母凈利潤同比+72%，23Q1營收同比+96%圖：22年重點(diǎn)公司歸母凈利潤同比圖：23Q1重點(diǎn)公司歸母凈利潤同比807060504030200109%74%109%20192020202120222023Q1歸母凈利潤(億元)同比120%100%80%60%40%20%0%500%450%500%450%400%350%300%250%200%150%100% 50%0%-50%438%159%153%151%118%111%71%3000%2500%2000%1500%1000%41%20%17%41%20%17%16%0%0%0%0%-58%-95%-142%-180%聯(lián)動(dòng)科技盛美上海聯(lián)動(dòng)科技盛美上海-500%2022歸母凈利潤yoy2023Q1歸母凈利潤同比聯(lián)動(dòng)科技金海通長川科技拓荊科技盛美上海華海清科中微公司精測(cè)電子北方華創(chuàng)微導(dǎo)納米賽騰股份芯源微至純科技盛美上海芯源微精測(cè)電子長川科技拓荊科技聯(lián)動(dòng)科技賽騰股份中微公司華海清科至純科技金海通北方華創(chuàng)華峰測(cè)控01業(yè)績回顧：板塊盈利能力持續(xù)提升，后道設(shè)備盈利水平階段性下滑聯(lián)動(dòng)科技金海通長川科技拓荊科技盛美上海華海清科中微公司精測(cè)電子北方華創(chuàng)微導(dǎo)納米賽騰股份芯源微至純科技盛美上海芯源微精測(cè)電子長川科技拓荊科技聯(lián)動(dòng)科技賽騰股份中微公司華海清科至純科技金海通北方華創(chuàng)華峰測(cè)控凈利率為18.6%，同比+2.3pct。從盈利能力看，后道設(shè)備毛利率普遍高于前道設(shè)備，華峰測(cè)控、聯(lián)動(dòng)科技、金海通、長川科技n22&23Q1前道設(shè)備毛利率整體提高。2022年盛美上海、拓荊科技、長川科技、北方華創(chuàng)、華海清科、中微公司毛利率同比提6.6pct，后道設(shè)備中華峰測(cè)控、金海通毛利率下滑較大。圖：22年板塊毛利率提升2.7pct，凈利率提升2.3pct圖：22年重點(diǎn)公司毛利率及同比圖：23Q1重點(diǎn)公司毛利率及同比 2020202120222023Q1華峰測(cè)控華峰測(cè)控微導(dǎo)納米80%微導(dǎo)納米70%60%50%40%30%20%10%0%-20%2023Q1毛利率23Q1毛利率同比資料來源：Wind，各公司公告，浙商證券研究所資料來源：Wind，浙商證券研究所業(yè)績回顧：預(yù)收賬款、存貨同比高增，前道設(shè)備訂單高增長n預(yù)收賬款、存貨等前瞻性指標(biāo)同比高增。截止到2023年一季度末，半導(dǎo)體設(shè)備板塊合同負(fù)債預(yù)收款項(xiàng)167.6億元，同比n新簽訂單同比高增長，業(yè)績高增可期。2022年中微公司新簽訂單63.2億，同比增長53%；拓荊科技新簽訂單43.62億元 (不含Demo)，同比增長95%；華海清科新簽訂單35.71億元(不含Demo訂單)，再創(chuàng)歷史新高；至純科技新簽半導(dǎo)體制程設(shè)備訂單18億元，同比增長61%。微導(dǎo)納米2023年前四月新簽半導(dǎo)體設(shè)備訂單2.42億元，前四月基本實(shí)現(xiàn)去年全年新簽訂單水平。圖：2023Q1半導(dǎo)體設(shè)備板塊預(yù)收賬款同比+69%80604000%80604000-20%20192020202120222023Q1合同負(fù)債&預(yù)收款項(xiàng)(億元)同比4003503002502000圖：23Q1半導(dǎo)體設(shè)備板塊預(yù)收賬款同比+68%20192020202120222023Q1存貨(億元)同比80%70%60%50%40%30%20%10%0%圖：前道半導(dǎo)體設(shè)備公司訂單高增長公司名稱新簽訂單情況中微公司拓荊科技2022年新簽訂單43.62億元(不含Demo)，95%。華海清科2022年新簽訂單35.71億元(不含Demo)，再創(chuàng)歷史新高。至純科技2022年新簽半導(dǎo)體制程設(shè)備訂單18億元，同比增長61%。微導(dǎo)納米2023年前四月新簽半導(dǎo)體設(shè)備訂單2.42億元，近22年全年水平。截至22年末半導(dǎo)體在手訂單2.57億元。投資建議投資建議n、微導(dǎo)納米、拓荊科技、芯源微、盛美上海、華海清科、華峰測(cè)控、精測(cè)電子、賽騰股份、羅博特科，關(guān)注至純科技、萬業(yè)企業(yè)、長川科技。表：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司估值表(數(shù)據(jù)截至2023年5月25日)公司名稱總市值(億元)20222023E2024E2022E2023E2024E20222023E2024E20222023E2024E北方華創(chuàng)1,58420025623.532.444.07491186中微公司9874728111.714.318.18491晶盛