探測(cè)器函數(shù)變換基礎(chǔ)_第1頁(yè)
探測(cè)器函數(shù)變換基礎(chǔ)_第2頁(yè)
探測(cè)器函數(shù)變換基礎(chǔ)_第3頁(yè)
探測(cè)器函數(shù)變換基礎(chǔ)_第4頁(yè)
探測(cè)器函數(shù)變換基礎(chǔ)_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩55頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

探測(cè)器函數(shù)變換基礎(chǔ)第一頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(一)函數(shù)正交函數(shù)(兩函數(shù)在區(qū)間(t1,t2)內(nèi)正交的條件)正交函數(shù)集完備正交函數(shù)集三角函數(shù)、復(fù)指數(shù)函數(shù)第二頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(一)函數(shù)奇異函數(shù)抽樣函數(shù)單位階躍函數(shù)第三頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(一)函數(shù)奇異函數(shù)單位沖激函數(shù)單位沖激函數(shù)與單位階躍函數(shù)的關(guān)系第四頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(二)函數(shù)變換卷積卷積運(yùn)算的步驟

1.變量置換

2.反褶

3.平移

4.相乘

5.積分第五頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(三)頻域和時(shí)域分析通過(guò)富立葉變換,可以建立起信號(hào)的時(shí)域波形和頻譜之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。電信號(hào)或噪聲都是時(shí)間t的實(shí)函數(shù)。富立葉級(jí)數(shù)(三角形式)第六頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三富立葉級(jí)數(shù)(指數(shù))

以上為f(t)展開(kāi)成富氏級(jí)數(shù)的三種形式,最后一式的物理意義最明顯第七頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三周期性電信號(hào)(電壓或電流)f(t)的平均功率定為在1歐姆電阻上消耗的功率PT可分解為直流分量功率與各次諧波功率之和第八頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三周期信號(hào)可以展開(kāi)成富氏級(jí)數(shù),得到的離散頻譜取決于信號(hào)的一個(gè)周期。對(duì)于非周期信號(hào),必須從整個(gè)時(shí)間域上來(lái)研究,不能展開(kāi)成富氏級(jí)數(shù)。但是,它可看作周期信號(hào)在周期趨于無(wú)窮的極限形式。此時(shí),相鄰諧波的角頻率間隔為無(wú)窮小量。離散頻譜變成連續(xù)頻譜,富氏級(jí)數(shù)則演變?yōu)楦皇戏e分。第九頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三改寫為積分形式,可得富氏變換和反變換

各頻率分量的幅度為|F(ω)|df,|F(ω)|稱為振幅頻譜密度,θ(ω)稱為相位頻譜。必須注意,|F(ω)|雖然以ω為變量,但它表示的是單位頻率(每赫茲)中的幅度,|F(ω)|

2是單位頻率中的能量。通過(guò)傅氏變換,時(shí)間域里的信號(hào)f(t)變換為頻率域里的函數(shù)F(ω);通過(guò)反變換,頻域的F(ω)變?yōu)闀r(shí)域的f(t)。因此,信號(hào)通常有兩種表示方法:在時(shí)域里表示為f(t),在頻域里則表示為F(ω)。第十頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三典型周期信號(hào)的頻譜周期矩形脈沖信號(hào)第十一頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三周期矩形脈沖信號(hào)傅里葉級(jí)數(shù)幅度相位第十二頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三典型非周期信號(hào)的頻譜矩形脈沖信號(hào)頻譜比較前面的周期矩形脈沖信號(hào)頻譜,可以看出非周期單脈沖信號(hào)的頻譜函數(shù)曲線與其非常相似,都具有抽樣函數(shù)的形式。不過(guò)非周期信號(hào)為連續(xù)譜。第十三頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三單位沖激信號(hào)頻譜單位沖激信號(hào)的頻譜在整個(gè)頻率范圍內(nèi)均勻分布,這種頻譜常被稱為白色譜。第十四頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三單位階躍信號(hào)頻譜第十五頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三直流信號(hào)頻譜幅度恒等于1的直流信號(hào),可表示為第十六頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三富里葉變換的基本性質(zhì)

線性、時(shí)移定理、比例、時(shí)間卷積、頻域卷積、乘積定理、巴塞瓦定理、時(shí)間導(dǎo)數(shù)、時(shí)間積分巴塞瓦定理

一個(gè)能量有限的信號(hào),在時(shí)域里計(jì)算的能量等于頻域里各頻率分量的能量之和第十七頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三拉普拉斯變換拉氏變換又稱廣義傅里葉變換拉普拉斯變換是求解常系數(shù)線性微分方程的工具,它可以將時(shí)域中兩函數(shù)的卷積運(yùn)算轉(zhuǎn)換為頻域中兩函數(shù)的乘積運(yùn)算。第十八頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(四)噪聲分析噪聲專指無(wú)用或干擾信息信號(hào)在產(chǎn)生、傳輸和放大過(guò)程中都伴隨有噪聲噪聲是隨機(jī)的,服從統(tǒng)計(jì)規(guī)律。其基本特性可用統(tǒng)計(jì)平均量或統(tǒng)計(jì)函數(shù)來(lái)描述,主要有:

均方值:表示噪聲的強(qiáng)度概率密度函數(shù):描述噪聲在幅度域內(nèi)的分布密度自相關(guān)函數(shù):提供噪聲在時(shí)間域里的相關(guān)信息

功率譜密度函數(shù):給出噪聲功率在頻域里的分布情況第十九頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(四)噪聲分析功率譜密度函數(shù)定義:噪聲功率是其各頻率分量功率之和。

稱為功率譜密度函數(shù)噪聲為非周期信號(hào),功率譜是連續(xù)譜。對(duì)于噪聲電壓v(t),取其功率在T時(shí)間段內(nèi)的平均值第二十頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(四)噪聲分析自相關(guān)函數(shù)定義

性質(zhì)

對(duì)于平穩(wěn)隨機(jī)過(guò)程,自相關(guān)函數(shù)與時(shí)間t無(wú)關(guān)偶函數(shù)平均功率互為傅立葉變換對(duì),可分別在時(shí)域和頻域里表示噪聲的基本特性第二十一頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(五)線性系統(tǒng)分析

系統(tǒng)定義:由一些相互作用和相互依賴的事物組成的具有特定功能的整體。

系統(tǒng)分類:線性系統(tǒng)與非線性系統(tǒng);時(shí)變系統(tǒng)與非時(shí)變系統(tǒng);連續(xù)系統(tǒng)與離散系統(tǒng);即時(shí)系統(tǒng)與動(dòng)態(tài)系統(tǒng);集總參數(shù)系統(tǒng)與分布參數(shù)系統(tǒng)。(在信號(hào)與系統(tǒng)中主要研究的是線性非時(shí)變系統(tǒng))系統(tǒng)第二十二頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(五)線性系統(tǒng)分析

系統(tǒng)分析方法分類:時(shí)間域分析和變換域分析時(shí)間域分析:沖激響應(yīng)與階躍響應(yīng)

零輸入響應(yīng)與零狀態(tài)響應(yīng)

零輸入響應(yīng):沒(méi)有外加信號(hào)的作用,只由起始狀態(tài)所產(chǎn)生的響應(yīng)。零狀態(tài)響應(yīng):不考慮起始時(shí)刻系統(tǒng)儲(chǔ)能的作用,僅由系統(tǒng)的外加激勵(lì)信號(hào)所產(chǎn)生的響應(yīng)。第二十三頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(五)線性系統(tǒng)分析變換域(傅立葉)分析:時(shí)域中的卷積

頻域中的乘積無(wú)失真?zhèn)鬏敆l件:第二十四頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三(五)線性系統(tǒng)分析變換域(拉普拉斯)分析:零狀態(tài)響應(yīng):零輸入響應(yīng):

經(jīng)典法求常系數(shù)線性微分方程的齊次解;等效電源法(把初始條件轉(zhuǎn)換為等效電源)。第二十五頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三信號(hào)分析基礎(chǔ)關(guān)鍵點(diǎn)時(shí)域分析與頻域分析tf(t)0時(shí)域0F(ω)ω傅立葉變換傅立葉逆變換頻域第二十六頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三二、探測(cè)器一、氣體探測(cè)器(Gas-filledDetector)二、閃爍體探測(cè)器(ScintillationDetector)三、半導(dǎo)體探測(cè)器(SemiconductorDetector)第二十七頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三二、探測(cè)器探測(cè)器輸出脈沖幅度一般較小第二十八頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三為什么需要輻射探測(cè)器?對(duì)于輻射是不能感知的,因此人們必須借助于核輻射探測(cè)器探測(cè)各種輻射,給出輻射的類型、強(qiáng)度(數(shù)量)、能量及時(shí)間等特性。即對(duì)輻射進(jìn)行測(cè)量。核輻射探測(cè)器的定義:利用輻射在氣體、液體或固體中引起的電離、激發(fā)效應(yīng)或其它物理、化學(xué)變化進(jìn)行輻射探測(cè)的器件稱為輻射探測(cè)器。探測(cè)器按探測(cè)介質(zhì)類型及作用機(jī)制主要分為:

氣體探測(cè)器;

閃爍體探測(cè)器;半導(dǎo)體探測(cè)器。第二十九頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三輻射探測(cè)的基本過(guò)程:輻射粒子射入探測(cè)器的靈敏體積;入射粒子通過(guò)電離、激發(fā)等效應(yīng)而在探測(cè)器中沉積能量;探測(cè)器通過(guò)各種機(jī)制將沉積能量轉(zhuǎn)換成某種形式的輸出信號(hào)。輻射探測(cè)器學(xué)習(xí)要點(diǎn)(研究問(wèn)題):

探測(cè)器的工作機(jī)制;探測(cè)器的輸出回路與輸出信號(hào);探測(cè)器的主要性能指標(biāo);探測(cè)器的典型應(yīng)用。第三十頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.1氣體中離子與電子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律氣體的電離與激發(fā)入射帶電粒子與靶原子的核外電子通過(guò)庫(kù)侖作用,使電子獲得能量而引起原子的電離或激發(fā)。

入射粒子直接產(chǎn)生的離子對(duì)稱為原電離。初電離產(chǎn)生的高速電子足以使氣體產(chǎn)生的電離稱為次電離。

總電離

=原電離+次電離

電離能W:帶電粒子在氣體中產(chǎn)生一電子離子對(duì)所需的平均能量。對(duì)不同的氣體,W大約為30eV。第三十一頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.1氣體中離子與電子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律電子與離子在氣體中的運(yùn)動(dòng)當(dāng)存在外加電場(chǎng)的作用情況時(shí),離子和電子除了與作熱運(yùn)動(dòng)的氣體分子碰撞而雜亂運(yùn)動(dòng)和因空間分布不均勻造成的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)外,還有由于外加電場(chǎng)的作用沿電場(chǎng)方向定向漂移。

離子的飄移:在存在電場(chǎng)的情況下,兩次碰撞之間離子從電場(chǎng)獲得的能量又會(huì)在碰撞中損失,離子的能量積累不起來(lái)。

電子的漂移:電子與氣體分子發(fā)生彈性碰撞時(shí),每次損失的能量很小,因此,電子在兩次碰撞中由外電場(chǎng)加速的能量可積累起來(lái)。第三十二頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.1氣體中離子與電子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律第三十三頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.2電離室的工作機(jī)制電離室的工作方式

(1)脈沖型工作狀態(tài)記錄單個(gè)入射粒子的電離效應(yīng),處于這種工作狀態(tài)的電離室稱為:脈沖電離室。

(2)累計(jì)型工作狀態(tài)記錄大量入射粒子平均電離效應(yīng),處于這種工作狀態(tài)的電離室稱為:累計(jì)電離室。第三十四頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.2電離室的工作機(jī)制電離室的基本機(jī)構(gòu)不同類型的電離室在結(jié)構(gòu)上基本相同,典型結(jié)構(gòu)有平板型和圓柱型。高壓極(K):正高壓或負(fù)高壓;收集極(C):與測(cè)量?jī)x器相聯(lián)的電極,處于與地接近的電位;保護(hù)極(G):又稱保護(hù)環(huán),處于與收集極相同的電位;負(fù)載電阻(RL):電流流過(guò)時(shí)形成電壓信號(hào)。第三十五頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器平板型電離室第三十六頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器圓柱型電離室第三十七頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.3脈沖電離室電離室處于脈沖工作狀態(tài),電離室的輸出信號(hào)僅反映單個(gè)入射粒子的電離效應(yīng)。可以測(cè)量每個(gè)入射粒子的能量、時(shí)間、強(qiáng)度等。脈沖電離室的輸出信號(hào):電荷信號(hào),電流信號(hào),電壓信號(hào)。電離室是一個(gè)理想的電荷源(其外回路對(duì)輸出量無(wú)影響)。第三十八頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.3脈沖電離室

電離室可以用電流源I0(t)和C1并聯(lián)等效。并可得到其輸出回路的等效電路。第三十九頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.4正比計(jì)數(shù)器(ProportionalCounters)

正比計(jì)數(shù)器中,利用碰撞電離將入射粒子直接產(chǎn)生的電離效應(yīng)放大了,使得正比計(jì)數(shù)器的輸出信號(hào)幅度比脈沖電離室顯著增大。對(duì)直接電離效應(yīng)放大的倍數(shù)稱為“氣體放大倍數(shù)”,以A表示,在一定的工作條件下,A保持為常數(shù)。正比計(jì)數(shù)器屬于非自持放電的氣體電離探測(cè)器。正比計(jì)數(shù)器結(jié)構(gòu)上必須滿足實(shí)現(xiàn)碰撞電離的需要,而在強(qiáng)電場(chǎng)下才能實(shí)現(xiàn)碰撞電離。第四十頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三一、氣體探測(cè)器1.5G-M計(jì)數(shù)管

G-M計(jì)數(shù)管是由蓋革(Geiger)和彌勒(Mueller)發(fā)明的一種利用自持放電的氣體電離探測(cè)器。

G-M管的特點(diǎn)是:

制造簡(jiǎn)單、價(jià)格便宜、使用方便。靈敏度高、輸出電荷量大。

G-M管的缺點(diǎn)是:

死時(shí)間長(zhǎng),僅能用于計(jì)數(shù)。第四十一頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三二、閃爍體探測(cè)器

閃爍探測(cè)器是利用輻射在某些物質(zhì)中產(chǎn)生的閃光來(lái)探測(cè)電離輻射的探測(cè)器。第四十二頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三二、閃爍體探測(cè)器閃爍探測(cè)器的工作過(guò)程:

(1)輻射射入閃爍體使閃爍體原子電離或激發(fā),受激原子退激而發(fā)出波長(zhǎng)在可見(jiàn)光波段的熒光;

(2)熒光光子被收集到光電倍增管(PMT)的光陰極,通過(guò)光電效應(yīng)打出光電子;

(3)光電子在光電倍增管里運(yùn)動(dòng)并倍增,并在陽(yáng)極輸出回路輸出信號(hào)。閃爍探測(cè)器可用來(lái)測(cè)量入射粒子的能量。第四十三頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三二、閃爍體探測(cè)器2.1閃爍體閃爍體的分類

無(wú)機(jī)閃爍體:

無(wú)機(jī)晶體(摻雜)

玻璃體純晶體

有機(jī)閃爍體:有機(jī)晶體——蒽晶體等;有機(jī)液體閃爍體及塑料閃爍體。第四十四頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三二、閃爍體探測(cè)器2.1閃爍體光的收集

1)反射層在非光子出射面打毛,致使光子漫反射,并再襯以或涂敷氧化鎂或氧化鈦白色粉末。

2)光學(xué)耦合為防止光由光密介質(zhì)到光疏介質(zhì)發(fā)生的全反射,用折射系數(shù)n=1.4~1.8的硅脂(或硅油)。

3)光導(dǎo)常用于閃爍體與光電倍增管的尺寸不符或其它特殊需要。第四十五頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三二、閃爍體探測(cè)器2.2光電倍增管光電倍增管的結(jié)構(gòu)第四十六頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三二、閃爍體探測(cè)器2.2光電倍增管光電倍增管的主要性能

光陰極的光譜響應(yīng)

光陰極受到光照后,發(fā)射光電子的概率是入射光波長(zhǎng)的函數(shù),稱作“光譜響應(yīng)”。

光照靈敏度

陰極靈敏度;陽(yáng)極靈敏度。

光電倍增管的暗電流與噪聲當(dāng)工作狀態(tài)下的光電倍增管完全與光輻射隔絕時(shí),其陽(yáng)極仍能輸出電流(暗電流)及脈沖信號(hào)(噪聲)。

光電倍增管的時(shí)間特性與穩(wěn)定性。第四十七頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器半導(dǎo)體探測(cè)器的特點(diǎn):(1)能量分辨率最佳;

(2)射線探測(cè)效率較高,可與閃爍探測(cè)器相比。常用半導(dǎo)體探測(cè)器有:

(1)

P-N結(jié)型半導(dǎo)體探測(cè)器;

(2)鋰漂移型半導(dǎo)體探測(cè)器;

(3)高純鍺半導(dǎo)體探測(cè)器。半導(dǎo)體探測(cè)器的基本原理是帶電粒子在半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏體積內(nèi)產(chǎn)生電子-空穴對(duì),電子-空穴對(duì)在外電場(chǎng)的作用下漂移而輸出信號(hào)。第四十八頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器3.1半導(dǎo)體的基本性質(zhì)半導(dǎo)體作為探測(cè)介質(zhì)的物理性能

1)平均電離能

入射粒子在半導(dǎo)體介質(zhì)中平均產(chǎn)生一對(duì)電子空穴需要的能量。

2)載流子的漂移由于電子遷移率n

和空穴遷移率p

相近,與氣體探測(cè)器不同,不存在電子型或空穴型半導(dǎo)體探測(cè)器。SiGe300oK3.62eV2.80eV77oK3.76eV2.96eV第四十九頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器3.1半導(dǎo)體的基本性質(zhì)半導(dǎo)體作為探測(cè)介質(zhì)的物理性能

3)電阻率與載流子壽命

摻雜將大大降低半導(dǎo)體的電阻率,對(duì)硅來(lái)說(shuō)摻雜對(duì)電阻率的影響比鍺顯著得多。當(dāng)半導(dǎo)體材料被冷卻到液氮溫度時(shí)將大大提高電阻率。載流子壽命--載流子在俘獲以前,可在晶體中自由運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。只有當(dāng)漂移長(zhǎng)度大于靈敏體積的長(zhǎng)度才能保證載流子的有效收集。對(duì)高純度的Si和Ge~10-3s,決定了Si和Ge為最實(shí)用的半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體電阻率:第五十頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器3.2P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器的工作原理

1)

P-N結(jié)區(qū)(勢(shì)壘區(qū))的形成多數(shù)載流子擴(kuò)散,空間電荷形成內(nèi)電場(chǎng)并形成結(jié)區(qū)。結(jié)區(qū)內(nèi)存在著勢(shì)壘,結(jié)區(qū)又稱為勢(shì)壘區(qū)。勢(shì)壘區(qū)內(nèi)為耗盡層,無(wú)載流子存在,實(shí)現(xiàn)高電阻率。第五十一頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器3.2P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器的工作原理

2)

P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器的特點(diǎn)結(jié)區(qū)的空間電荷分布,電場(chǎng)分布

電場(chǎng)為非均勻電場(chǎng):第五十二頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器3.2P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器的工作原理

2)

P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器的特點(diǎn)

結(jié)區(qū)寬度與外加電壓的關(guān)系

結(jié)區(qū)寬度的限制因素及結(jié)電容隨工作電壓的變化

受材料的擊穿電壓的限制;受暗電流的限制。結(jié)區(qū)電容隨外加電壓變化而變化,外加電壓的不穩(wěn)定可以影響探測(cè)器輸出電壓幅度的不穩(wěn)定。Ni為摻雜少的一邊的雜質(zhì)濃度。第五十三頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器3.2P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器的類型

1)擴(kuò)散結(jié)(DiffusedJunction)型探測(cè)器

采用擴(kuò)散工藝——高溫?cái)U(kuò)散或離子注入;材料一般選用P型高阻硅,電阻率為1000;在電極引出時(shí)一定要保證為歐姆接觸,以防止形成另外的結(jié)。

2)金硅面壘(SurfaceBarrier)探測(cè)器

一般用N型高阻硅,表面蒸金50~100g/cm2

氧化形成P型硅,而形成P-N結(jié)。工藝成熟、簡(jiǎn)單、價(jià)廉。

第五十四頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器3.2P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器P-N結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器的輸出電路第五十五頁(yè),共六十頁(yè),編輯于2023年,星期三三、半導(dǎo)體探測(cè)器3.3鋰漂移半導(dǎo)體探測(cè)器鋰的漂移特性及P-I-N結(jié)

1)間隙型雜質(zhì)——LiLi為施主雜質(zhì),電離能很小~0.033eV

Li+漂移速度2)P-I-N結(jié)的形成第五十六頁(yè),共六十頁(yè),編輯

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論