太陽(yáng)能電池關(guān)鍵工藝流程介紹

晶體硅太陽(yáng)電池制造關(guān)鍵工藝表面化學(xué)處理目的：※去除硅片表面由于切割而產(chǎn)生的機(jī)械損傷層，正反二表面各約10m；※在硅片表面形成尖峰高度3～6m四方錐體絨面，間接增加電池對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收；※清除硅片表面的油污和重金屬離子等雜質(zhì)；絨面形成方法：酸腐蝕與堿腐蝕，本生產(chǎn)線單晶采用堿腐蝕，多晶采用酸腐蝕。設(shè)備：化學(xué)清洗機(jī)。絨面作用：由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了對(duì)光的吸收，其反射率很低。絨面電池也稱為黑體電池或無(wú)反射電池。對(duì)電池片電性能影響：直接影響到電池片轉(zhuǎn)換效率?；净瘜W(xué)反應(yīng)原理：去除硅片損傷層：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑；制絨面：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑；HCl酸去除一些金屬離子。鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用，氯離子能與Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金屬離子形成可溶于水的絡(luò)合物。抬晶體膚硅太柴陽(yáng)璃電池壩制造播關(guān)鍵喬工藝頓—閑擴(kuò)散蚊制結(jié)辮目的豐：本形成拐晶體段硅喉太陽(yáng)喬能電蔥池的視心臟濁—襪PN棗結(jié)幻，況獲得常適合使于太外陽(yáng)襖能話電池絨P－買N結(jié)品需要唱的結(jié)逝深和株擴(kuò)散古層方蝴塊電禾阻。族淺結(jié)戶死層滋小，須電池行短波掌響應(yīng)爬好，翻但伴淺結(jié)鄙引起病串聯(lián)求電阻漸增加??；塌結(jié)深子太深孤，死卷層比固較明憂顯，柿使電鎮(zhèn)池開紋路電衫壓和后短路育電流棍均下帝降敬。茅實(shí)際設(shè)電池存制作午中，濫考慮閑到各角個(gè)因墾素，儀結(jié)深淹一般錄控制撈在0仰.3苗～0瀉.5僻m桃，方鎮(zhèn)塊電穗阻在土20卸～7靜0惹/紅□瓣。尖方法惠：沉采用苗液態(tài)佳源坊PO亂CL真3宵熱擴(kuò)李散方臂式。尿基本版化學(xué)努反應(yīng)緣機(jī)理集：蝶通過(guò)脊向P阿型襯割底硅魯中摻猛入V主族雜憂質(zhì)P腹＋斯形成他PN箏結(jié)燈。律影響身擴(kuò)散損質(zhì)量喬的因膏素：回?cái)U(kuò)散裕雜質(zhì)躺源濃蛋度、攔溫度擾、擴(kuò)構(gòu)散時(shí)蜘間。答去邊差—摟等離趟子刻英蝕劈什么螞是等從離子劫體：粘所謂暴等離王子體渡就是扁由帶巾電的畏正、棚負(fù)電廳荷的好粒子喇組成必的氣際體，催正負(fù)恒電荷掛數(shù)相積等，迎其凈膜電荷民相等狗。等勺離子褲刻蝕戰(zhàn)所用額的等丑離子插體，痰是輝舅光放塊電形掏成的熄“榴電離飄態(tài)初”姑氣體拉，其悠中包傘括正企離子箭、負(fù)蝦離子破、電舊子、扎中性遲原子踩、分丟子及蝶化學(xué)粒上活豪潑的樸自由尺基，幕這種生“貝電離采態(tài)歐”姥的氣笨體是壯在向掛氣體身系統(tǒng)傾中施況加足循以引泡起電作離的仇高能段電場(chǎng)齊條件襖下產(chǎn)炊生的瞧。翠目的夸：步去除惹擴(kuò)散炎過(guò)程盾中，顯在硅株片的謹(jǐn)周邊曾表面銳形成殺的擴(kuò)秀散層肝。周催邊擴(kuò)揮散層存使電急池的綢上下襯電極市形成收短路峽環(huán)，畢必須銳將它燒除去泊。周愈邊上鼠存在穴任何糧微小連的局魂部短叨路都惡會(huì)使求電池架并聯(lián)茂電阻漠下降乳，以末至使鼓電池躍片成挺為廢寺品。挑方法膛：獵等離燭子干越法腐艦蝕爽。打原理百：道等離享子體愚刻蝕童是采止用高喜頻輝漂光放番電反環(huán)應(yīng)，炕使反樓應(yīng)氣壤體激賞活成單活性宿粒子瘋，如濾原子牙或游園離基塞，這宗些活陸性粒好子擴(kuò)示散到組需刻堆蝕的普部位紋，在妻那里訓(xùn)與被陽(yáng)刻蝕膚材料候進(jìn)行料反應(yīng)寄，形狹成揮蝶發(fā)性辯反應(yīng)頁(yè)物而貼被去苗除。封CF葉4匯盯姑燭C糞F炮x格*柜+察(4零-x在)倒F*在莫(x習(xí)≤鋸3)蠻安Si恩+煙隊(duì)4侄F美*賞賞音徒Si填F叔4彈↑總S狹iO危2哪+盟床4家F肆*測(cè)候滔趁Si帶F劫4王+逗O盼2銷↑餐二次品清洗癥—貫去除梁磷硅膀玻璃貸目的但：瓜由于飯?jiān)跀U(kuò)餡散以稠后在繁硅片汽表面羞形成掙了一釣層磷嬌硅玻疲璃跟（小捎部分床P意2剪O友5碗，其針?biāo)浅酰差峉i案O信2塑·奏P凍2怨O汁5遼或場(chǎng)Si回O矮2鼻·驕P斜2蒸O鋤5姓），朗主要猜成分騎還是透二氧鞭化硅合。因謎此為攜了形您成良潔好的槐歐姆虎接觸納，減釀少光助的反躺射，虧提高牌反射達(dá)膜質(zhì)津量，驢在沉消積減己反射沾膜后允續(xù)工昂藝之船前，享必須減用宏HF智酸把隱磷硅叢玻璃枕腐蝕逼掉。貝方法撓：喇利用星氫氟牽酸能剖夠溶撥解二祥氧化藍(lán)硅的詢特性挺來(lái)除飛去硅頸片表步面的羊二氧超化硅咐層。似Si費(fèi)O沒2芽+6柏HF襪=婚H頓2呆[S丹iF辮6墊]+熟2H未2盲O手電池催制造辜關(guān)鍵查工藝樸—伯PE夸CV泉D生強(qiáng)長(zhǎng)鳥Si廉x作N灑y趕減反卻射膜交目的賠：生光照逗射到餐平面點(diǎn)的硅溫片上管，其肅中一籮部分葡被反飲射，目即使蜻對(duì)絨模面的侮硅表?yè)裘?，句由于寶入射?kù)光產(chǎn)禁生多停次反躍射而厚增加逐了吸蓄收，燈但也糞有約絞11險(xiǎn)%的桶反射獲損失紀(jì)。司在太蛋陽(yáng)電赴池表萍面沉零積深舌藍(lán)色輩減反改射S都i弦x旬N圣y擦膜茶，可兼大大納降低袍光的賤反射論損失程。冷作用墊：貨鈍化大太陽(yáng)舅電池籠的受耀光面席，鈍西化膜插(喉介質(zhì)膀)巨的主渡要作叛用是訪保護(hù)賠半導(dǎo)丑體器貨件表無(wú)面不銅受污常染物面質(zhì)的酒影響狗，半礎(chǔ)導(dǎo)體磚表面蟻鈍化汁可降膏低半復(fù)導(dǎo)體克表面嘴態(tài)密菠度。反鈍化容太陽(yáng)拾電池愿的體痰內(nèi)棍，蔑在瓜Si程N(yùn)址減反悠射膜歪中存芒在大矮量的鉤H樹＋玻，在廟燒結(jié)在過(guò)程暈中會(huì)燈鈍化附晶體合內(nèi)部撓懸掛你鍵?？闷溥€銀具有題卓越貌的抗蘋氧化路和絕彈緣性伯能，敘同時(shí)耀具有棗良好咱的阻投擋鈉燕離子臭、掩燈蔽金肅屬和怖水蒸純汽擴(kuò)通散的今能力憲；它佩的化禾學(xué)穩(wěn)景定性展也很棟好，講除氫做氟酸冠和熱低磷酸觀能緩飲慢腐朋蝕外瞇，其淡它酸響與它輕基本喝不起盒作用姐。瑞原理段：曾電池樂制造奴關(guān)鍵柱工藝粱—瓜絲網(wǎng)誼印刷棟印制何電極寺目的甘：毛在近電池蓄正反賞表面會(huì)印刷癢上金擴(kuò)屬電詞極對(duì)從光生肥電流寶進(jìn)行寄收集籍。狠補(bǔ)償偷背面仔n驚+影層中欠的施腔主雜屋質(zhì)使蛋背結(jié)窄反型存成零以鋁畫摻雜蓮的p駝型層相。肢作用讓：盲提高引了電擇池的丹開路栗電壓燙和短鋸路電翠流，威并減丈小了你電極膚的接鼻觸電獅阻。狼方法許：花采用裁絲網(wǎng)嗓漏印點(diǎn)工藝高。河特點(diǎn)副：浩使線槍條的非寬度沾可降允到坑50炎m紀(jì)，高啟度達(dá)駛到1圖0～魄20挪m巖。絲設(shè)計(jì)始原則盡：無(wú)使電親池的筐輸出伐最大茅，即皺電池嗚的串枯聯(lián)電刑阻盡斑可能濤小和塔電池坊的光距照作石用面胃積盡霜可能劑大。印設(shè)備卡照片策：濤電池坐制