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文檔簡介

§2-1概述

門電路

正、負邏輯1本文檔共59頁;當前第1頁;編輯于星期三\8點5分邏輯門電路:用以實現(xiàn)基本邏輯運算和復合邏輯運算的單元電路統(tǒng)稱為門電路基本和常用門電路有與門、或門、非門(反相器)、與非門、或非門、與或非門和異或門等邏輯1和0:電子電路中用高、低電平來表示正、負邏輯:2本文檔共59頁;當前第2頁;編輯于星期三\8點5分獲得高、低電平的基本方法:利用半導體開關元件的導通、截止(即開、關)兩種工作狀態(tài)單開關電路互補開關電路3本文檔共59頁;當前第3頁;編輯于星期三\8點5分§2-2二極管、三極管開關等效電路

二極管開關等效電路

三極管開關等效電路4本文檔共59頁;當前第4頁;編輯于星期三\8點5分開關閉合當Va>Vb時,D導通開關斷開當Va≤Vb時,D截止當Vb為高電平VIH時,T飽和當Vb為低電平VIL時,T截止開關閉合開關斷開一、二極管開關等效電路(理想情況下)二、三極管開關等效電路(理想情況下)NPN型5本文檔共59頁;當前第5頁;編輯于星期三\8點5分§2-3最簡單的與、或、非門電路

二極管與門二極管或門

三極管非門其他門電路6本文檔共59頁;當前第6頁;編輯于星期三\8點5分一、二極管與門2.工作原理DaDbVYVaVb0003v3v03v3v3.真值表(狀態(tài)表)4.輸出函數(shù)式Y=A?B5.邏輯符號&YAB0O011011Y0001導通導通導通導通導通導通截止截止0.7V0.7V0.7V3.7vAB1.電路組成(以二輸入為例)+VCCRABYDaDb設:VCC=5V,VIH=3v,VIL=0v二極管正向壓降0.7V。7本文檔共59頁;當前第7頁;編輯于星期三\8點5分二極管與門的缺點1:輸入和輸出的電平相差一個二極管的導通壓降,易使下級電路發(fā)生信號高低電平的偏移0.7V1.4V2.1V

輸入低電平0V,經(jīng)過三極與門的移位,使輸出的低電平達到2.1V。輸出和輸入電平相差很大,會造成邏輯功能紊亂。多級二極管與門聯(lián)接造成輸出電平偏移:RR+12V0VR8本文檔共59頁;當前第8頁;編輯于星期三\8點5分二極管與門的缺點2:輸出端對地接上負載電阻時,有時會影響輸出的高電平+VCCR1ABYDaDbR2Vcc=5v,R1=10k,R2=0.1KVy輸出變化??Vy=0.5VDa,Db不導通

與門失效9本文檔共59頁;當前第9頁;編輯于星期三\8點5分1。電路組成(以二輸入為例)

2。工作原理VaVb0003v3v03v3v3。真值表AB00011011Y01114.輸出函數(shù)式Y=A+B5。邏輯符號截止截止截止截止導通導通導通導通DaDbVY2.3v2.3v2.3vYAB≥10二、

二極管或門10本文檔共59頁;當前第10頁;編輯于星期三\8點5分二極管或門同樣存在著輸出電平的偏移問題11本文檔共59頁;當前第11頁;編輯于星期三\8點5分-VEEVcc3.

真值表A01Y104.輸出函數(shù)式

Y=A

5.邏輯符號1AY2.工作原理注:為了保證在輸入低電平時三極管可靠截止,常將電路接成上圖形式。由于接入了負電源VEE,即使輸入低電平信號稍大于零,也能使三極管的基極為負電位,使三極管可靠截止,輸出為高電平。1。電路原理圖Ua03vT截止飽和UY0三、三極管非門12本文檔共59頁;當前第12頁;編輯于星期三\8點5分

反相器的優(yōu)點是:沒有電平偏移,抗干擾能力和帶負載能力都比較強。因此:曾經(jīng)將二極管門和三極管反相器連接起來就構成與非門及或非門,現(xiàn)在已經(jīng)不再采用。13本文檔共59頁;當前第13頁;編輯于星期三\8點5分四、其它門電路一、其它門電路

其它門電路有與非門、或非門、同或門、異或門等等。

二、門電路的“封鎖”和“打開”問題&ABCY當C=1時,Y=AB.1=AB與門打開,與功能成立。當C=0時,Y=AB.0=0與門封鎖,與門不能工作。當C=1時,Y=A+B+1=1或門封鎖,或門不能工作。當C=0時,Y=A+B+0=A+B或門打開,或功能成立。能“打開”或者“封鎖”門電路的信號叫“控制信號”??刂菩盘柕妮斎攵私小翱刂贫恕保颉笆鼓芏恕?。與門、與非門可用“0”封鎖,用“1”打開;或門、或非門可用“1”封鎖,用“0”打開;YAB≥114本文檔共59頁;當前第14頁;編輯于星期三\8點5分§2-4TTL門電路TTL反相器(非門)TTL反相器的靜態(tài)輸入和輸出特性TTL與非門集電極開路的門電路(OC門)

三態(tài)輸出門電路TTL的歷史15本文檔共59頁;當前第15頁;編輯于星期三\8點5分內(nèi)容概述集成邏輯門雙極型集成邏輯門MOS集成邏輯門按器件類型分PMOSNMOSCMOS按集成度分SSI(100以下個等效門)MSI(〈103個等效門)LSI(〈104個等效門)VLSI(>104個以上等效門)TTL、ECLI2L、HTL16本文檔共59頁;當前第16頁;編輯于星期三\8點5分最初的數(shù)字電路狀況分立元件制約規(guī)模1961年,RobertNoyce(羅伯特·諾伊斯)發(fā)明了在一塊獨立的硅片上互連晶體管的工藝,稱為命名為IC(IntegratedCircuits)由美國TEXASINSTURMENTS公司共享1964,德州儀器推出第一套完整的邏輯門集成電路,晶體管-晶體管邏輯(Transistor-TransistorLogic)IC體積小、重量輕、可靠性好,取代分立元件由雙極型三極管構成的TTL型集成電路功耗大,速度快,和COMS對比???TTL的歷史17本文檔共59頁;當前第17頁;編輯于星期三\8點5分第一套,晶體管-晶體管邏輯(Transistor-TransistorLogic)IC18本文檔共59頁;當前第18頁;編輯于星期三\8點5分19本文檔共59頁;當前第19頁;編輯于星期三\8點5分20本文檔共59頁;當前第20頁;編輯于星期三\8點5分21本文檔共59頁;當前第21頁;編輯于星期三\8點5分3、真值表和邏輯符號A01Y101、電路結構圖輸入級倒相級輸出級2、工作原理設Vcc=5V,VIH=3.4v,

VIL=0.2v,PN結的導通電壓為0.7v。1AY2.1VVAT1發(fā)射結VB1T2T4T5VY0.2V導通0.9v截止導通截止3.4v3.4V導通4.1v導通截止導通0.2v?T1集電結截止導通T1T2T4T5R1Y+VCCAVB1一、TTL非門22本文檔共59頁;當前第22頁;編輯于星期三\8點5分電路構成:

輸入級由T1、R1和D1組成。

倒相級由T2和R2、R3組成。T2管作倒相運用,集電極和發(fā)射極同時輸出相位相反的信號,驅(qū)動T4、T5三極管。

輸出級由T4、T5、D2和R4組成:T4、T5在輸入信號的作用下,輪流導通,一個導通,另一個截止。叫做推拉輸出級。

鉗位二極管D1作用:防止負脈沖輸入時,通過T1管發(fā)射極過大,起保護作用。23本文檔共59頁;當前第23頁;編輯于星期三\8點5分倒置運用:當輸入接3.4V時:T2飽和Vb1=Vbc1+Vbes2+

Vbes5

=0.7+0.7+0.7=2.1VVe1=3.4VVc1=Vbes2+Vbes5

=1.4VVb1<Ve1T1管發(fā)射結反偏Vb1>Vc1T1管集電結正偏為倒置放大狀態(tài)T1管把集電極當作發(fā)射極,發(fā)射極當作集電極。叫倒置運用。倒置運用的特點:由于發(fā)射區(qū)參雜濃度大,集電區(qū)參雜濃度小,所以T1管倒置運用時,其放大倍數(shù)很小。βI≤0.2IIHT1UB13.4V2.1V1.4V24本文檔共59頁;當前第24頁;編輯于星期三\8點5分從而IIH

也很?。ǎ?74系列門電路的每個輸入端的IIH≤40μA。

IIHT1UB13.4V2.1V1.4VIIH=βIb125本文檔共59頁;當前第25頁;編輯于星期三\8點5分2.輸入為高電平UIH≥2v)等效簡化電路如圖:T1管倒置工作β0,高電平輸入電流IIH很小,為A級。低電平輸入電流IIL較大,當Vcc=5v,UIL=0.2v時,IIL1mA

。輸入簡化電路如圖:一.輸入特性(討論T1管)1.輸入低電平(UIL≤0.8v)近似分析時,常用IIS來代替。

IIS

是輸入短路(UIL=0)時的電流。74系列門電路的每個輸入端的IIH≤40μA。+VCCR14KT1UILIIL截止+VCCR1T1UIHIIH導通be2be5TTL非門的靜態(tài)輸入特性和輸出特性26本文檔共59頁;當前第26頁;編輯于星期三\8點5分

二.輸出特性

1.輸出為低電平時(U0=U0L≤0.4V)輸出端帶負載的情形如圖:低電平輸出電流:IOL=N1·IILN1·IIS由于T5管的導通電阻為RON,N1是輸出低電平時負載門的數(shù)目。所以,UOL=IOL·RON。為了保證UOL≤0.4v,要限制負載門的數(shù)目N1。+VCCT1截止導通UOL+VCCT4T5+VCCT1驅(qū)動門負載門IILIILIOL27本文檔共59頁;當前第27頁;編輯于星期三\8點5分+VCCT4T5RC3

高電平輸出電流: 由于T4管的導通電阻為RON,所以:

UOHVCC-N2·IIH(RC3+RON)-0.7v為了保證UOH≥2.4v,要限制負載門的數(shù)目N2。2.輸出端為高電平時

(U0=UOH≥2.4v)輸出端帶負載的情形如圖:扇出系數(shù)N是門電路可以驅(qū)動同類門電路的最大數(shù)目。N應該確定為上述N1和N2的較小值.N2是輸出高電平時負載門的數(shù)目。導通截止UOH驅(qū)動門負載門IIHIIHIOH+VCCT1+VCCT1

三.門電路的扇出系數(shù)N

IOH=N2·IIH

≤0.4mA(見P67)28本文檔共59頁;當前第28頁;編輯于星期三\8點5分計算門G1最多可驅(qū)動多少個同樣的門電路負載,輸入特性和輸出特性如圖,要求G1的輸出電平滿足VOH≥3.2V,VOL≤0.2V29本文檔共59頁;當前第29頁;編輯于星期三\8點5分TTL反相器的輸入特性TTL反相器高電平輸出特性TTL反相器低電平輸出特性VOL=0.2V的負載電流iL=16mA,VI=0.2V的輸入電流為iI=-1mA,N1iI≤iL,N1≤16VOH=3.2V的負載電流iL=-7.5mA,技術手冊規(guī)定IOH≤0.4mA(page67),所以iL≤0.4mAVI=3.2V的輸入電流為IIH=0.04mA,N2IIH≤Il,N2≤10取N1和N2的最小值,N=1030本文檔共59頁;當前第30頁;編輯于星期三\8點5分[題2.5]在圖P2.5由74系列TTL與非門組成的電路中,計算門GM能驅(qū)動多少同樣的與非門。要求GM輸出的高、低電平滿足與非門的輸入電流為時輸出電流最大值為,時輸出電流最大值為GM的輸出電阻可以忽略不計。答案:當VO=VOL=0.4V時,可求得

當VO=VOH=3.2V時,可求得

故GM能驅(qū)動5個同樣的與非門。31本文檔共59頁;當前第31頁;編輯于星期三\8點5分四、門間限流電阻的確定R11RG1G2為了保證G1輸出的高、低電平能正確地傳輸?shù)紾2的輸入端,門間限流電阻R不能太大,要求:1、當UO1=UOH時,UI2≥UIH(min)應滿足此時,門間電流流向如圖,UOHUIHIIH所以,下式應滿足:UOH

-IIH·R≥UIH(min)(1)……2、當UO1=UOL時,UI2≤UIL(max)應滿足所以,下式應滿足:UOL+IIL·R≤UIL(max)(2)……此時,門間電流流向如圖,UOLUILIIL根據(jù)(1)、(2)式可確定門間連接電阻R的數(shù)值。通常,R≤1KΩ。1G11G2見書上P69例題32本文檔共59頁;當前第32頁;編輯于星期三\8點5分門電路帶負載能力負載能力就是說能夠在一定的電壓下面能夠輸出的最大電流折算成功率就成了負載能力同門電路的輸出電阻有關輸出電流和輸出功率越大,說明門電路帶負載能力越強即輸出電阻越小,帶負載能力越強(從門電路的輸出端向里看)33本文檔共59頁;當前第33頁;編輯于星期三\8點5分TTL與非門電路輸入級由多發(fā)射極晶體管T1和基極電組R1組成,它實現(xiàn)了輸入變量A、B、C的與運算輸出級:由T3、T4、T5和R4、R5組成其中T3、T4構成復合管,與T5組成推拉式輸出結構。具有較強的負載能力中間級是放大級,由T2、R2和R3組成,T2的集電極C2和發(fā)射極E2可以分提供兩個相位相反的電壓信號34本文檔共59頁;當前第34頁;編輯于星期三\8點5分TTL與非門工作原理輸入端至少有一個接低電平0.3V3.6V3.6V1V3.6VT1管:A端發(fā)射結導通,Vb1=VA+Vbe1=1V,其它發(fā)射結均因反偏而截止.5-0.7-0.7=3.6VVb1=1V,所以T2、T5截止,VC2≈Vcc=5V,T3:微飽和狀態(tài)。T4:放大狀態(tài)。電路輸出高電平為:5V35本文檔共59頁;當前第35頁;編輯于星期三\8點5分輸入端全為高電平3.6V3.6V2.1V0.3VT1:Vb1=Vbc1+Vbe2+Vbe5=0.7V×3=2.1V因此輸出為邏輯低電平VOL=0.3V3.6V發(fā)射結反偏而集電極正偏.處于倒置放大狀態(tài)T2:飽和狀態(tài)T3:Vc2=Vces2+Vbe5≈1V,使T3導通,Ve3=Vc2-Vbe3=1-0.7≈0.3V,使T4截止。T5:深飽和狀態(tài),TTL與非門工作原理36本文檔共59頁;當前第36頁;編輯于星期三\8點5分輸入端全為高電平,輸出為低電平輸入至少有一個為低電平時,輸出為高電平由此可見電路的輸出和輸入之間滿足與非邏輯關系T1:倒置放大狀態(tài)T2:飽和狀態(tài)T3:導通狀態(tài)T4:截止狀態(tài)T5:深飽和狀態(tài)T2:截止狀態(tài)T3:微飽和狀態(tài)T4:放大狀態(tài)T5:截止狀態(tài)TTL與非門工作原理37本文檔共59頁;當前第37頁;編輯于星期三\8點5分集電極開路TTL“與非”門(OC門)10該與非門輸出高電平,T5截止該與非門輸出低電平,T5導通

TTL門輸出端并聯(lián)問題當將兩個TTL“與非”門輸出端直接并聯(lián)時:Vcc→R5→門1的T4→門2的T5產(chǎn)生一個很大的電流產(chǎn)生一個大電流1、抬高門2輸出低電平2、會因功耗過大損壞門器件注:TTL輸出端不能直接并聯(lián)38本文檔共59頁;當前第38頁;編輯于星期三\8點5分TTL與非門電路集電極開路TTL“與非”門(OC門)

OC門的結構RLVC集電極開路與非門(OC門)當輸入端全為高電平時,T2、T5導通,輸出F為低電平;輸入端有一個為低電平時,T2、T5截止,輸出F高電平接近電源電壓VC。OC門完成“與非”邏輯功能邏輯符號:輸出邏輯電平:低電平0.3V高電平為VC(5-30V)ABF39本文檔共59頁;當前第39頁;編輯于星期三\8點5分

OC門實現(xiàn)“線與”邏輯FRLVC相當于“與門”邏輯等效符號負載電阻RL的選擇(自看作考試內(nèi)容,參考P81例)集電極開路TTL“與非”門(OC門)40本文檔共59頁;當前第40頁;編輯于星期三\8點5分集電極開路TTL“與非”門(OC門)

OC門應用--電平轉換器OC門需外接電阻,所以電源VC可以選5V—30V,因此OC門作為TTL電路可以和其它不同類型不同電平的邏輯電路進行連接TTL電路驅(qū)動CMOS電路圖CMOS電路的VDD=5V—18V,特別是VDD>VCC時,必須選用集電極開路(OC門)TTL電路CMOS電源電壓VDD=5V時,一般的TTL門可以直接驅(qū)動CMOS門41本文檔共59頁;當前第41頁;編輯于星期三\8點5分三態(tài)邏輯門(TSL)

三態(tài)門工作原理除具有TTL“與非”門輸出高、低電平狀態(tài)外,還有第三種輸出狀態(tài)

—高阻狀態(tài),又稱禁止態(tài)或失效態(tài)非門,是三態(tài)門的狀態(tài)控制部分E使能端六管TTL與非門增加部分當E=0時,T4輸出高電平VC=1,D2截止,此時后面電路執(zhí)行正常與非功能F=AB101V1V輸出F端處于高阻狀態(tài)記為ZT6、T7、T9、T10均截止Z當E=1時,42本文檔共59頁;當前第42頁;編輯于星期三\8點5分使能端的兩種控制方式低電平使能高電平使能三態(tài)門的邏輯符號ABFEFABE43本文檔共59頁;當前第43頁;編輯于星期三\8點5分三態(tài)門的應用1.三態(tài)門廣泛用于數(shù)據(jù)總線結構任何時刻只能有一個控制端有效,即只有一個門處于數(shù)據(jù)傳輸,其它門處于禁止狀態(tài)2.雙向傳輸當E=0時,門1工作,門2禁止,數(shù)據(jù)從A送到B;E=1時,門1禁止,門2工作,數(shù)據(jù)從B送到A。三態(tài)邏輯門(TSL)總線44本文檔共59頁;當前第44頁;編輯于星期三\8點5分§2-5MOS集成邏輯門NMOS反相器NMOS門電路CMOS門電路45本文檔共59頁;當前第45頁;編輯于星期三\8點5分NMOS反相器MOS管的開關特性數(shù)字邏輯電路中的MOS管均是增強型MOS管,它具有以下特點:當|UGS|>|UT|時,管子導通,導通電阻很小,相當于開關閉合

當|UGS|<|UT|時,管子截止,相當于開關斷開NMOS反相器設電源電壓VDD=10V,開啟電壓VT1=VT2=2V1、A輸入高電平VIH=8V2、A輸入低電平VIL=0.3V時,電路執(zhí)行邏輯非功能工作管負載管T1、T2均導通,輸出為低電平VOL

≈0.3VT1截止T2導通,電路輸出高電平VOH=VDD

-VT2=8V。46本文檔共59頁;當前第46頁;編輯于星期三\8點5分NMOS門電路NMOS與非門工作管串聯(lián)負載管工作原理:T1和T2都導通,輸出低電平2、當輸出端有一個為低電平時,與低電平相連的驅(qū)動管就截止,輸出高電平電路“與非”邏輯功能:注:增加扇入,只增加串聯(lián)驅(qū)動管的個數(shù),但扇入不宜過多,一般不超過311通通01、當兩個輸入端A和B均為高電平時01止通147本文檔共59頁;當前第47頁;編輯于星期三\8點5分CMOS電路CMOS反相器PMOSNMOS襯底與漏源間的PN結始終處于反偏,NMOS管的襯底總是接到電路的最低電位,PMOS管的襯底總是接到電路的最高電位柵極相連做輸入端漏極相連做輸出端電源電壓VDD>VT1+|VT2|,VDD適用范圍較大可在3~18V,VT1--NMOS的開啟電壓VT2--PMOS的開啟電壓工作原理:1、輸入為低電平VIL=0V時VGS1<VT1T1管截止;|VGS2|>VT2電路中電流近似為零(忽略T1的截止漏電流),VDD主要降落在T1上,輸出為高電平VOH≈VDDT2導通2、輸入為高電平VIH=VDD時,T1通T2止,VDD主要降在T2上,輸出為低電平VOL≈0V。實現(xiàn)邏輯“非”功能48本文檔共59頁;當前第48頁;編輯于星期三\8點5分CMOS傳輸門(TG)柵極控制電壓為互補信號,如C=0,C=VDD工作原理:當C=0V,C=VDD時TN和TP均截止,VI由0~VDD變化時,傳輸門呈現(xiàn)高阻狀態(tài),相當于開關斷開,CL上的電平保持不變,這種狀態(tài)稱為傳輸門保存信息當C=VDD,C=0V時,VI在VT~VDD范圍變化時TP導通即VI在0~VDD范圍變化時,TN、TP中至少有一只管子導通,使VO=VI,這相當于開關接通,這種狀態(tài)稱為傳輸門傳輸信息VI由0~(VDD-VT)范圍變化時TN導通CMOS電路49本文檔共59頁;當前第49頁;編輯于星期三\8點5分CMOS傳輸門(TG)工作原理:1、當C為低電平時,TN、TP截止傳輸門相當于開關斷開,傳輸門保存信息2、當C為高電平時,TN、TP中至少有一只管子導通,使VO=VI,這相當于開關接通,傳輸門傳輸信息由此可見傳輸門相當于一個理想的開關,且是一個雙向開關邏輯符號輸入輸出門控制信號CMOS電路50本文檔共59頁;當前第50頁;編輯于星期三\8點5分CMOS模擬開關電路圖控制模擬信號傳輸?shù)囊环N電子開關,通與斷是由數(shù)字信號控制的反相器的輸入和輸出提供傳輸門兩個反相控制信號(C和C)傳輸門1、電路結構2、邏輯符號邏輯符號CMOS電路51本文檔共59頁;當前第51頁;編輯于星期三\8點5分CMOS電路返回CMOS門電路1、與非門二輸入“與非”門電路結構如圖每個輸入端與一個NMOS管和一個PMOS管的柵極相連當A和B為高電平時:1兩個并聯(lián)的PMOS管T3、T4兩個串聯(lián)的NMOST1、T2通通止止0101通止通1止當A和B有一個或一個以上為低電平時:電路輸出高電平輸出低電平電路實現(xiàn)“與非”邏輯功能52本文檔共59頁;當前第52頁;編輯于星期三\8點5分CMOS電路CMOS門電路2、“

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