硅單晶電阻率的測試

硅單晶電阻率的測試第一頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一目錄：一、采樣及樣品處理二、檢測依據及設備三、檢測原理及作業(yè)指導書四、檢測環(huán)境及影響因素五、檢測數據分析六、檢測報告書第二頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一一、采樣及樣品處理1、采樣:單晶片：取單晶棒頭部、中部、尾部各三片，要具有代表性。2、樣品處理：（1）、試樣待測面用320#（28~42μm）或W28(20~28μm)金剛砂研磨或噴砂。（2）、對圓片試樣，用5~14μm氧化鋁或金剛砂研磨上下表面。第三頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一二、檢測依據及設備1、檢測依據：第四頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一2、檢測設備：第五頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一三、檢測原理及作業(yè)指導書1、工作原理：樣品內部的電位分布為：式中Φ為距離點電流半徑為r的半球面上任何一點的電位，I是電流大小，ρ是樣品的電阻率。電流流入，Φ取正號；電流流出，Φ取負號。經計算推導得：第六頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一2、作業(yè)指導書：（一）方法原理：四探針法（二）儀器設備1.7075（7071）型數字電壓表2.四探針測試儀3.樣品檢測工作臺（二）操作步驟1.接通7075或7071數字電壓表2.測試電流選擇：根據樣品電阻率范圍選擇測量電流檔位：3.校樣用已知電阻率樣塊檢查測量系統(tǒng)并作好記錄。若測量數據落在樣塊標稱數據范圍之內，則該系統(tǒng)可以投入使用。如有出入，應請有關人員檢查。4.電阻率的測試5.硅單晶電阻率測試的規(guī)定第七頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一四、檢測環(huán)境及影響因素檢測環(huán)境：常溫即可影響因素：1、測試樣品的探針到邊緣及厚度的距離大于三倍針距以上，樣品的幾何尺寸必須近似滿足半無限大。

2、四探針與試樣應有良好的歐姆接觸，針尖比較尖，與樣品接觸點為半球形，四探針應處于同一條直線上且間距相等。

3、電流I在測量期間應保持恒定，特別是壓力不夠時，接觸電阻很大并且不穩(wěn)定，造成測試電阻率值不斷波動。（以不壓壞晶體為前提）。第八頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一五、檢測數據分析編號12345平均值電阻率0.650.610.610.630.6編號678910電阻率0.60.620.620.60.610.615第九頁，共十一頁，編輯于2023年，星期一六、檢測報告書檢驗報告檢測項目直拉單晶片電阻率的檢測規(guī)格型號直徑：50mm厚度：8.1mm單晶片委托單位及地址樂山職業(yè)技術學院產品等級優(yōu)等品樂山市市中區(qū)肖壩路108號抽樣基數單晶棒頭中尾各三片生產單位樂山嘉源有限公司樣品數量3片抽/送樣日期2013-9-14檢驗狀態(tài)符合檢驗要求檢驗日期2013-9-16檢驗類別委托檢驗檢驗依據國標GB/T1552-1995檢驗結果平均電阻率為0.615Ω-cm檢驗結論符合合同要求主檢人員：陳莉、何霞質檢機構（公章）審核人員：徐航、趙仕海批準人員：