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文檔簡介
發(fā)光二極管的制作
——岑松原發(fā)光二極管的制作實驗目的實驗原理實驗儀器實驗內容思考練習發(fā)光二極管的制作實驗的意義全世界照明計劃:美國國家半導體照明計劃
到2010年55%的白熾燈和熒光燈被半導體燈取代
每年節(jié)電達350億美元
2015年形成每年500億美元的半導體照明產(chǎn)業(yè)市場日本21世紀照明計劃
到2007年30%的白熾燈被置換為半導體照明燈歐盟的彩虹計劃韓國固態(tài)照明計劃中國啟動國家半導體照明工程
我國近百名專家(兩院院士)聯(lián)名向國務院呼吁,以三峽工程的5%費用,支持我國的半導體照明產(chǎn)業(yè),用5-10年的時間的努力,1/3照明應用半導體照明,每年可以節(jié)約的電量1000億度,多于一個三峽水電站的發(fā)電量(800億度)--2003年提出發(fā)光二極管的制作實驗的意義發(fā)光二極管的制作實驗的意義1.實驗目的了解發(fā)光二極管的發(fā)光原理;了解并學會發(fā)光二極管的制作過程;通過實驗,思考如何提高LED出光效率。2.實驗原理發(fā)光二極管一般由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaP、GaAs、GaAsP、InGaN、AlGaInP等半導體制成的,其核心是PN結。因此它具有一般PN結的特性,即正向導通、反向截止、擊穿特性此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由N區(qū)注入P區(qū),空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復合而發(fā)光理論和實踐證明,光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度有關,即
λ≈1240/Eg(nm)
式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見光(波長在380nm紫光~760nm紅光),半導體材料的Eg應在3.26~1.63eV之間?,F(xiàn)在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管2.實驗原理白光LED的實現(xiàn)方法:
(1)藍光LED+黃光熒光粉
(2)紫外光LED+RGB熒光粉
(3)RGB三種LED混合生成白光3.實驗儀器1.擴晶機2.點膠機3.烤箱4.焊線機5.電子天平6.真空烤箱7.一切機8.測試機9.二切機4.實驗內容小功率白光LED封裝流程點銀膠工序1、備銀膠:從冰箱中取出銀膠,室溫解凍30分鐘,待完全解凍后,攪拌均勻(約20-30分鐘)將其裝入點膠注射器內.2、將排好的夾具放到顯微鏡下,將顯微鏡調到最佳位置(調節(jié)顯微鏡高度放大倍數(shù),使下方支架頂部固晶區(qū)清楚).3、調節(jié)點膠機時間為0.2-0.4秒,氣壓表旋鈕0.05-0.12Mpa,再調節(jié)點膠旋鈕,使出膠量合乎標準.4、用點膠針頭將銀膠點到支架(碗部)中心.固晶工序1、預備2、固晶筆將晶粒固至支架碗部銀膠中心區(qū)上面.3、固晶筆與固晶手座平面保持30°-45°角,食指壓至筆尖頂部.4、固晶順序為:從上到下,從左到右.5、依次固完一組支架后,取下擴張晶片架.用固晶筆將晶片固平、扶正.6、將作業(yè)完的支架輕取,輕放于指定位置.品質要求:1、晶片要固正,以免影響品質.2、晶片不可懸浮在銀膠上,要固到底,以免掉晶片.3、銀膠不可沾在晶片、支架上,以免焊線困難及影響品質.固晶工序焊線工序1、焊線機溫度一般設置為220℃左右,對溫度要求嚴格的晶??山抵?80℃,對溫度要求不嚴格的晶??稍?50℃左右。2、第一焊點的壓力設置為55~70克,第二焊點壓力設置為90~115克。3、焊線拉力適中,焊線弧度高度H為大于1/2晶片高度,小于3/2晶片高度。4、第一焊點直徑為金線直徑的2~3倍,焊點應有2/3以上在電極上。5、焊線不能有虛焊、脫焊、斷焊,能承受5g以上拉力,尾絲不能太長。配制熒光粉工序1、配膠順序說明:增亮劑+A膠按比例混合,最后再加入熒光粉+B膠按比例混合物體(須攪拌均勻)。在后再抽真空。2、將干凈的小燒杯放置于精密的電子磅秤上,歸零后,根據(jù)量產(chǎn)規(guī)格書中熒光粉的配比,分別稱取所需重量的熒光粉和A、B膠。3、將配好的熒光粉手動攪拌20分鐘至30分鐘不等,直到熒光粉分布均勻為止。4、把配好的熒光膠抽真空至看不見氣泡的狀態(tài),取出后,放在室溫下用干凈的玻璃蓋上使用,使用前需按同一方向緩慢攪拌2分鐘到3分鐘,攪拌速度每轉2秒至3秒。5.思考練習
在點熒光粉這道工序中,熒光粉的涂覆形狀(平面形、橢球形、半球
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