電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)

電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)第一篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)主要課程:電子線路、計(jì)算機(jī)語言、微型計(jì)算機(jī)原理、電動(dòng)力學(xué)、量子力學(xué)、理論物理、固體物理、半導(dǎo)體物理、物理電子與電子學(xué)、微電子學(xué)等。專業(yè)實(shí)驗(yàn):物理電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)、光電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體器件與集成電路實(shí)驗(yàn)等.學(xué)制:4年.授予學(xué)位:工學(xué)學(xué)士.相近專業(yè):電子信息工程.就業(yè)方向:主要到該領(lǐng)域內(nèi)從事各種電子材料、元器件、集成電路乃至集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造和相應(yīng)的新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研究、開發(fā)工作.就業(yè)形勢:根據(jù)有關(guān)資料統(tǒng)計(jì),近幾年該專業(yè)畢業(yè)生就業(yè)率在70%左右,重點(diǎn)名牌高校就業(yè)率在90%左右.根據(jù)對國內(nèi)外電子科學(xué)與技術(shù)行業(yè)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢分析，美國、西歐、日本、韓國、臺(tái)灣地區(qū)的電子科學(xué)與技術(shù)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入上升軌道。中國隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學(xué)與技術(shù)產(chǎn)業(yè)開始煥發(fā)活力。中國“十一五”規(guī)劃的建議書將信息產(chǎn)業(yè)列入重點(diǎn)扶植產(chǎn)業(yè)之一，中國軍事和航天事業(yè)的蓬勃發(fā)展也必然帶動(dòng)電子科學(xué)與技術(shù)行業(yè)的發(fā)展和內(nèi)需。中國電子科學(xué)與技術(shù)產(chǎn)業(yè)將有一個(gè)明顯的發(fā)展空間，高科技含量的自主研發(fā)的產(chǎn)品將進(jìn)入市場，形成自主研發(fā)和來料加工共存的局面；中國大、中、小企業(yè)的分布和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)趨于合理，出口產(chǎn)品將穩(wěn)步增加；高技術(shù)含量產(chǎn)品將向民用化發(fā)展，必然促進(jìn)產(chǎn)品的內(nèi)需和產(chǎn)量。隨著社會(huì)需求會(huì)逐步擴(kuò)大，電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)總體就業(yè)前景看好。畢業(yè)生面臨“再學(xué)習(xí)”過程跟發(fā)達(dá)國家相比，我國目前在微電子領(lǐng)域的高等教育水平還比較低。清華大學(xué)微電子學(xué)研究所王志華教授在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，大學(xué)工科學(xué)科研究的重要目的是解決工業(yè)界期望解決而沒有解決（至少是沒有解決好）的科學(xué)和技術(shù)問題，這就是工科領(lǐng)域的創(chuàng)新。因此，大學(xué)中工科學(xué)科的研究水平一定與所在國家相關(guān)工業(yè)的發(fā)展水平密切相關(guān)。如果國家相關(guān)工業(yè)水平在世界上處于落后地位，相關(guān)工程學(xué)科的研究水平整體上不可能領(lǐng)先世界，即便能取得一些世界領(lǐng)先的成果，也一定是鳳毛麟角。與此相關(guān)的是，高水平工程技術(shù)的人才培養(yǎng)，與受教育者在大學(xué)中研究經(jīng)驗(yàn)的積累密切相關(guān)，在工業(yè)落后的情況下，高等工程教育的整體水平不可能領(lǐng)先世界。我國微電子產(chǎn)業(yè)與教育的現(xiàn)狀和趨勢恰好印證了王教授的這個(gè)觀點(diǎn)。在看清楚差距之后，加大對高校微電子專業(yè)科研的投入就顯得尤為必要，因?yàn)楦咚刭|(zhì)的人才一定是通過科研實(shí)踐活動(dòng)培養(yǎng)出來的?！斑@必須是國家行為。”王志華教授強(qiáng)調(diào)說，“高校的科研不應(yīng)該是與企業(yè)競爭，大學(xué)從事的創(chuàng)新性研究可能會(huì)面對失敗，高水平人才的培養(yǎng)過程中也常常要面臨各種形式的失敗，但這種失敗所付出的社會(huì)成本比在企業(yè)中失敗要小得多，這是對全社會(huì)都有利的；當(dāng)然，高等院校在國家支持下所取得的科研成果應(yīng)該由全社會(huì)分享?！痹谕踔救A教授看來，高等院校在工科技術(shù)人才培養(yǎng)方面至少應(yīng)該做好兩件事，第一是基礎(chǔ)學(xué)科的教育，包括基本的數(shù)學(xué)知識(shí)、物理知識(shí)和工程知識(shí)等；第二是盡可能地為學(xué)生提供全面的工程訓(xùn)練。對于研究型大學(xué)，還要培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新能力?！翱陀^地講，要完全達(dá)到上述目標(biāo)難度非常大?！蓖踅淌诼詭нz憾地說。中國高校的招生規(guī)模已經(jīng)從1977年恢復(fù)高考時(shí)的27萬人擴(kuò)大到20XX年的近600萬人，對于高校本科畢業(yè)生而言，中國的高等教育已經(jīng)不再是當(dāng)年的精英教育，高校所培養(yǎng)的是一般意義上的勞動(dòng)者，他們在大學(xué)里掌握的是從事各種工作所需要的基本技能、繼續(xù)學(xué)習(xí)所需要基礎(chǔ)知識(shí)及思維方法。王教授認(rèn)為，作為教學(xué)機(jī)構(gòu)，高等院校不可能為各家企業(yè)量身定制他們所需的人才，因此，即便是具有很強(qiáng)專業(yè)技能的碩士畢業(yè)生，在其進(jìn)入企業(yè)以后也將經(jīng)歷一個(gè)“再學(xué)習(xí)”的過程，這個(gè)任務(wù)，客觀上需要企業(yè)自己完成。電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本專業(yè)培養(yǎng)系統(tǒng)地掌握電子信息科學(xué)與技術(shù)的基本理論、基本知識(shí)和基本技能，受到良好的現(xiàn)代化電子信息系統(tǒng)方面的科學(xué)研究訓(xùn)練的高級專門人才.主要課程設(shè)置：電子科學(xué)與技術(shù)、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、電子技術(shù)基礎(chǔ)、數(shù)字系統(tǒng)與邏輯設(shè)計(jì)、微機(jī)原理與應(yīng)用、信號與系統(tǒng)、信息理論與編碼、電磁場與電磁波、通信原理、信息處理技術(shù)及其應(yīng)用。本專業(yè)畢業(yè)生能夠在電子信息科學(xué)技術(shù)、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)及相關(guān)領(lǐng)域和行業(yè)，從事研究、教學(xué)、科技開發(fā)、工程設(shè)計(jì)和管理工作。學(xué)習(xí)這個(gè)專業(yè)的基本要求：1.具有較扎實(shí)的數(shù)理基礎(chǔ)；2.掌握電子學(xué)、信息科學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)等的基本理論、基本方法和技能；3.具有在信息的獲取、傳遞、處理及應(yīng)用等方面從事理論研究和解決實(shí)際問題的能力；4.了解電子信息學(xué)科的理論前沿、應(yīng)用前景和最新發(fā)展動(dòng)態(tài)，以及電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r；5.掌握文獻(xiàn)檢索、資料查詢以及應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)獲取相關(guān)信息的基本方法；6.具有良好的口頭和書面表達(dá)能力，以及較強(qiáng)撰寫科學(xué)論文的能力，并能熟練運(yùn)用一門外語進(jìn)行溝通和交流；7.具有良好的人文素養(yǎng)和科學(xué)素養(yǎng)、較好的心理素質(zhì)、較強(qiáng)的創(chuàng)新精神。主干學(xué)科：電子科學(xué)與技術(shù)、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)。主要課程：高等數(shù)學(xué)、工程數(shù)學(xué)、大學(xué)物理、C語言程序設(shè)計(jì)、電路理論、模擬電子技術(shù)、數(shù)字電路與邏輯設(shè)計(jì)、信號與系統(tǒng)、微機(jī)原理、單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)、通信電子線路、數(shù)字信號處理、信息論與編碼、通信原理、可編程器件原理、DSP技術(shù)與應(yīng)用、數(shù)字語音處理、數(shù)字圖象處理等。主要專業(yè)實(shí)驗(yàn)：物理實(shí)驗(yàn)、電子線路實(shí)驗(yàn)、數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)等。就業(yè)單位：國有企業(yè)、民營及私營企業(yè)，IT企業(yè)，信息與計(jì)算科學(xué)專業(yè)的畢業(yè)生進(jìn)入IT企業(yè)是一個(gè)重要的就業(yè)方向，它們可以在這些企業(yè)非常高效的從事計(jì)算機(jī)軟件開發(fā)、信息安全與網(wǎng)絡(luò)安全等工作。信息產(chǎn)業(yè)對人才的需求首先是基本的“技能”，包括計(jì)算機(jī)編程的基本能力，要求具有良好的數(shù)據(jù)庫和計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的知識(shí)和使用技能，熟悉基本的軟件開發(fā)平臺(tái)。由于信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“應(yīng)用”為主流的時(shí)代，高水平的從業(yè)人員不僅要掌握基本的“技能”，關(guān)鍵還要具備將實(shí)際問題提煉為計(jì)算問題以及求解該問題的能力，這正是信息與計(jì)算科學(xué)專業(yè)學(xué)生的優(yōu)勢所在，也是近幾年來國內(nèi)大型IT企業(yè)“搶購”知名高校計(jì)算數(shù)學(xué)專業(yè)畢業(yè)生的原因所在。電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)就業(yè)前景專業(yè)就業(yè)前景：這一行業(yè)的前景是十分廣闊的，將來的分工也會(huì)越來越細(xì)，未來中國需要大量這方面的專業(yè)人員。目前不僅沒有飽和，而且需求會(huì)越來越大。不過要有真本事，將來的競爭肯定也會(huì)越來越激烈。主要到應(yīng)用光學(xué)、光電子學(xué)及相關(guān)的電子信息科學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)等領(lǐng)域(特別是光機(jī)電算一體化產(chǎn)業(yè))從事科學(xué)研究、教學(xué)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、生產(chǎn)技術(shù)或管理工作。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)廣泛深入地應(yīng)用于人類社會(huì)生活，以及全球信息產(chǎn)業(yè)的迅速崛起，二十一世紀(jì)的中國將向知識(shí)經(jīng)濟(jì)時(shí)代邁進(jìn)，教育、科研、社會(huì)、經(jīng)濟(jì)等各個(gè)領(lǐng)域需要越來越多的信息與計(jì)算科學(xué)的人才，信息與計(jì)算科學(xué)的研究和應(yīng)用將邁向更深入和更廣泛的領(lǐng)域。可以預(yù)計(jì)，信息科學(xué)與技術(shù)在今后較長時(shí)間里仍然是極具生命力的領(lǐng)域。畢業(yè)生就業(yè)面寬，適應(yīng)能力強(qiáng)，適宜到科技、教育、經(jīng)濟(jì)和管理部門從事科研、開發(fā)、管理及教學(xué)工作，特別是與數(shù)學(xué)、計(jì)算機(jī)應(yīng)用和經(jīng)濟(jì)管理相關(guān)的工作，可以繼續(xù)攻讀數(shù)學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)、經(jīng)濟(jì)管理和一些相關(guān)學(xué)科的碩士學(xué)位研究生。三、基本要求本專業(yè)主要學(xué)習(xí)電子信息科學(xué)的基本理論、基本方法、基本知識(shí)，掌握扎實(shí)的電子技術(shù)與信息理論基礎(chǔ)，具備在電子信息及相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)從事科學(xué)研究、應(yīng)用開發(fā)的能力。畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識(shí)和能力：1.掌握較扎實(shí)的數(shù)學(xué)、物理等自然科學(xué)和一定的社會(huì)科學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)，具有較強(qiáng)的運(yùn)用外語的能力；2.較系統(tǒng)地掌握本專業(yè)所必需的電子技術(shù)信息的基本理論與技能；3.能熟練使用計(jì)算機(jī)（包括常用語言、工具及一些專用軟件）進(jìn)行信息處理，具有基本的算法分析、設(shè)計(jì)能力和較強(qiáng)的編程能力；4.掌握必要的相關(guān)學(xué)科和相關(guān)專業(yè)的知識(shí)，包括智能信息處理、文字語音視覺圖象處理、光電信息處理等領(lǐng)域的基本知識(shí)；5.掌握文獻(xiàn)檢索、資料查詢的基本方法，具有較強(qiáng)的分析、解決實(shí)際問題的能力和從事科研的初步能力。預(yù)言半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)四大趨勢第一大趨勢：30年河“西”，30年河“東”。回望晶體管誕生這60年，我們可以明顯看到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)明顯向東方遷移的趨勢，特別是從80年代末開始。1987年臺(tái)積電這個(gè)純晶圓代工廠的成立，宣告著半導(dǎo)體制造業(yè)開始從西方向東方遷移；90年代初，三星成為全球最大的DRAM廠商，隨后，再成為全球閃存的最大廠商；90年代中，臺(tái)灣智原、聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠等一批IC公司從聯(lián)電分離出來，吹響了東方IC公司挑戰(zhàn)西方IC公司的號角；進(jìn)入21世紀(jì)，中芯國際帶動(dòng)中國大陸代工業(yè)成長起來，成為另一個(gè)制造中心，并且也帶動(dòng)了中國IC設(shè)計(jì)業(yè)的成長；最后，德州儀器、飛思卡爾、英飛凌、LSI以及ADI等眾多傳統(tǒng)的IDM廠商轉(zhuǎn)向輕資產(chǎn)模式，放棄獨(dú)自建造45nm工廠，而分別與臺(tái)積電、特許和聯(lián)電等合作研制，20XX年，在集成電路誕生50周年的這一年，這些傳統(tǒng)IDM公司的45nm產(chǎn)品都將亮相，但是，不是在這些IDM自己的工廠生產(chǎn)，而是在以上亞洲的代工廠里生產(chǎn)。90nm是一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，當(dāng)臺(tái)積電等代工廠突破了這個(gè)節(jié)點(diǎn)后，它們已將先進(jìn)工藝的大旗從IDM手中接了過來，未來，臺(tái)灣晶圓代工廠在半導(dǎo)體工藝技術(shù)上將領(lǐng)先全球，并且成為全球IC產(chǎn)量最大的基地。雖然英特爾仍主宰著PC產(chǎn)業(yè)，并繼續(xù)IDM模式和領(lǐng)導(dǎo)最先進(jìn)的工藝，但是，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)力已由PC轉(zhuǎn)向消費(fèi)電子。展望未來，不論是在應(yīng)用推動(dòng)還是在技術(shù)創(chuàng)新上東方都將取代西方成為產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)著。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將演義30年河“西”，30年河“東”的歷史大戲。第二大趨勢：有更多的私募基金加入半導(dǎo)體行業(yè)，且IC公司之間的整合加速。半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)越來越遵循大者恒大的定律。恩智浦半導(dǎo)體大中華區(qū)區(qū)域執(zhí)行官葉昱良指出：“私募基金加入半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)趨勢，這個(gè)趨勢源起于IC公司會(huì)有愈來愈多的整合需求，基于大者恒大的定論，在IC產(chǎn)業(yè)通常也只有前5強(qiáng)才能生存?！痹诖笳吆愦蠖傻尿?qū)動(dòng)下，會(huì)有更多半導(dǎo)體公司的整合。其中最值得期待的是中國臺(tái)灣與大陸半導(dǎo)體公司之間的整合。義隆電子董事長葉儀晧指出：“因臺(tái)灣沒有具經(jīng)濟(jì)規(guī)模的市場，故不易培養(yǎng)出可以主導(dǎo)新應(yīng)用的產(chǎn)品規(guī)格的大型OEM，而沒有這些有品牌的系統(tǒng)廠商配合時(shí)，臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司新產(chǎn)品開發(fā)的策略，很自然地大多以跟隨者為主。但中國大陸擁有廣大的市場及具規(guī)模的系統(tǒng)廠商，所以臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司與大陸市場及系統(tǒng)公司合作是未來的趨勢?！贝俪筛喟雽?dǎo)體公司整合的另一個(gè)重要原因是IP需求，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端SoC發(fā)展，對IP的需求巨增。但是，對于IP的獲得卻會(huì)越來越難。一些擁有豐富IP的半導(dǎo)體廠商并不希望將IP授權(quán)出去，正如NXP的葉昱良表示：“事實(shí)上，一個(gè)公司光靠授權(quán)IP是很難長期發(fā)展的，所以我們的策略是如何加快我們自己的SoC研發(fā)，并且更加靈活的和partner合作。我們擁有大量優(yōu)秀的IP，我們的挑戰(zhàn)就是如何將這些IP最快地轉(zhuǎn)化為IC。”（對于ARM來說可能是例外，ARM是只靠授權(quán)獲取利潤獲得很好發(fā)展的公司）因此，中小歐美半導(dǎo)體廠商之間整合也會(huì)越來越頻繁。希圖視鼎總裁兼CEO劉錦湘分析道：“和10年前相比，硅谷的公司生態(tài)環(huán)境發(fā)生了很大變化。很多公司相互合并，或者大公司把小公司吃掉，很多公司面臨嚴(yán)重的生存危機(jī)。公司規(guī)模越來越大，但公司數(shù)量越來越少，每一個(gè)市場最終生存下來不會(huì)超過三個(gè)公司?！钡谌筅厔荩簹W美廠商不再輕易放棄低利潤市場。未來10年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)逐漸成為一個(gè)成熟的產(chǎn)業(yè)，一個(gè)微利的產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增長率會(huì)從兩位數(shù)降到單位數(shù)，IC總產(chǎn)量和總銷售額會(huì)繼續(xù)增加，但利潤率會(huì)下降。在利潤率逐漸下降的趨勢下，歐美半導(dǎo)體廠商不再輕易放棄低利潤的市場。義隆電子董事長葉儀晧說道：“以前歐美日大廠IC的毛利率如果低45%時(shí)，他們通常會(huì)放棄而漸由臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司取代，他們會(huì)轉(zhuǎn)移到更高毛利的新興應(yīng)用市場上。但這幾年殺手級的產(chǎn)品并不多，那些大廠不再輕易放棄，且會(huì)進(jìn)行各種CostDown規(guī)劃，以維持市占率及產(chǎn)品的毛利率，讓臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司的競爭愈來愈辛苦。未來，隨著亞洲成為全球的應(yīng)用創(chuàng)新與消費(fèi)中心，歐美廠商在該市場將與中國大陸和臺(tái)灣的眾多IC公司爭奪一些關(guān)鍵領(lǐng)域，而利潤會(huì)越來越低。最典型的將是移動(dòng)多媒體處理器，也稱為應(yīng)用處理器。此外，模擬IC的利潤也會(huì)越來越低。圣邦微電子總裁張世龍表示：“在模擬IC領(lǐng)域，相對技術(shù)門檻正在逐年降低。越來越多的臺(tái)灣和大陸公司開始涉足這一領(lǐng)域。隨著模擬器件市場競爭越來越激烈，傳統(tǒng)歐美公司在模擬器件市場上越來越難以維持其競爭力，只能向更高的系統(tǒng)集成度發(fā)展。”第四大趨勢：分久必合，合久必分。在20XX年前后，眾多的半導(dǎo)體廠商從母公司剝離，包括英飛凌、科勝迅、杰爾、NEC、飛思卡爾以及NXP等。但是剝離出來后的獨(dú)立半導(dǎo)體公司活得并不如預(yù)期的好，其中不少是連續(xù)多年虧損。最典型的是杰爾，不斷出售產(chǎn)品線，最后被被LSI收購。雖然他們有著令人羨慕的技術(shù)積累與IP積累，但分離出來后，他們?nèi)試?yán)重依賴每公司，在開拓新的大牌OEM客戶方面做得并不好。其實(shí)，最重要的是，由于SoC向高系統(tǒng)集成發(fā)展，在開發(fā)大規(guī)模的LSI時(shí)，仍需要IC公司與OEM的緊密合作。瑞薩半導(dǎo)體管理(中國)有限公司CEO山村雅宏表示：“在開發(fā)大規(guī)模LSI方面，我們認(rèn)為與大型OEM和服務(wù)商合作是一個(gè)方向?！比鹚_在開發(fā)3G手機(jī)芯片時(shí)就是與六家公司聯(lián)合開發(fā)的，包括日本最大的電信運(yùn)營商N(yùn)TTDocomo和幾家手機(jī)制造商。很明顯，聯(lián)合開發(fā)將帶來IP、開發(fā)成本以及開發(fā)時(shí)間的優(yōu)勢。“目前半導(dǎo)體制造商難以獨(dú)自開發(fā)領(lǐng)先的技術(shù)。我們必須利用過去的研發(fā)資本包括IP、與OEM合作伙伴以及第三方的關(guān)系?！币虼耍雇磥?，大型半導(dǎo)體廠商與OEM會(huì)再度整合，但可能是一種松散的組合。合久必分，分久必合，這一遠(yuǎn)古的名言，用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再合適不過。今年是“十二五”開局之年，也是集成電路產(chǎn)業(yè)迎來新一輪發(fā)展的大好時(shí)機(jī)，20XX年10月十七屆五中全會(huì)的決議，把新一代新意技術(shù)列為七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之首，明確指出要增強(qiáng)科技創(chuàng)新能力，在核心電子器件等集成電路細(xì)分領(lǐng)域攻克一批核心關(guān)鍵技術(shù)。今年1月12日，國務(wù)院召開的常務(wù)會(huì)議研究部署進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策措施，會(huì)議指出，軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，是國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)信息化的重要基礎(chǔ)，這一切充分體現(xiàn)了國家對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度重視，而且繼續(xù)給予大力支持。集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略基礎(chǔ)地位和國家的高度重視，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)I造了良好的發(fā)展環(huán)境，我們行業(yè)同仁們受到了極大的鼓舞?；厥仔屡f世紀(jì)之交，國務(wù)院18號文的頒布，開辟了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新歷程，迎來了產(chǎn)業(yè)歷史上最好的十年的發(fā)展時(shí)期，這期間所取得的成就為產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展奠定了難能可貴的基礎(chǔ)。產(chǎn)業(yè)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)銷售收入從20XX年僅僅186億元到20XX年為700億元，到20XX年現(xiàn)在根據(jù)預(yù)估有望實(shí)現(xiàn)同比增長28%以上，銷售收入超過1400億元。同時(shí)，技術(shù)創(chuàng)新取得進(jìn)展，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)改善，企業(yè)在國際競爭中迅速成長，以集成電路企業(yè)為例，20XX年大家知道全球金融危機(jī)，全球集成電路產(chǎn)業(yè)由此深度下滑，但是在這種情況下，我們的設(shè)計(jì)業(yè)實(shí)現(xiàn)了近15%的正增長，09年銷售收入過億元的設(shè)計(jì)企業(yè)有40家，最高的達(dá)到41億元。剛過去的20XX年，設(shè)計(jì)業(yè)又實(shí)現(xiàn)大幅度增長，過億元的企業(yè)數(shù)量和整個(gè)設(shè)計(jì)業(yè)的銷售額還將進(jìn)一步大幅度增加，各種跡象表明我國集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)在經(jīng)歷了成功與挫折，磨難與考驗(yàn)之后，正在進(jìn)入快速發(fā)展階段，他們所積累聚集的能量正在迸發(fā)出來，我們完全有信心期待更好的發(fā)展前景，我們也完全有信息期待更多的公司在眾多產(chǎn)品的工藝技術(shù)領(lǐng)域有更好的發(fā)展前景。第二篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)《半導(dǎo)體照明技術(shù)及其應(yīng)用》課程教學(xué)大綱（秋季）一、課程名稱：半導(dǎo)體照明技術(shù)及其應(yīng)用SemiconductorLightingTechnologyandApplications二、課程編碼：三、學(xué)時(shí)與學(xué)分：32/2四、先修課程:微積分、大學(xué)物理、固體物理、半導(dǎo)體物理、微電子器件與IC設(shè)計(jì)五、課程教學(xué)目標(biāo)：半導(dǎo)體照明是指用全固態(tài)發(fā)光器件LED作為光源的照明，具有高效、節(jié)能、環(huán)保、壽命長、易維護(hù)等顯著特點(diǎn)，是近年來全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)領(lǐng)域之一，是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明光源的革命。本課程注重理論的系統(tǒng)性﹑結(jié)構(gòu)的科學(xué)性和內(nèi)容的實(shí)用性，在重點(diǎn)講解發(fā)光二極管的材料、機(jī)理及其制造技術(shù)后，詳細(xì)介紹器件的光電參數(shù)測試方法，器件的可靠性分析、驅(qū)動(dòng)和控制方法，以及各種半導(dǎo)體照明的應(yīng)用技術(shù)，使學(xué)生學(xué)完本課程以后，能對半導(dǎo)體照明有深入而全面的理解。六﹑適用學(xué)科專業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)七、基本教學(xué)內(nèi)容與學(xué)時(shí)安排：緒論（1學(xué)時(shí)）半導(dǎo)體照明簡介、學(xué)習(xí)本課程的目的及要求第一章光視覺顏色（2學(xué)時(shí)）光的本質(zhì)光的產(chǎn)生和傳播3人眼的光譜靈敏度4光度學(xué)及其測量5作為光學(xué)系統(tǒng)的人眼6視覺的特征與功能7顏色的性質(zhì)國際照明委員會(huì)色度學(xué)系統(tǒng)9色度學(xué)及其測量第二章光源（1學(xué)時(shí)）太陽月亮和行星人工光源的發(fā)明與發(fā)展4白熾燈5鹵鎢燈6熒光燈7低壓鈉燈高壓放電燈9無電極放電燈10發(fā)光二極管11照明的經(jīng)濟(jì)核算第三章半導(dǎo)體發(fā)光材料晶體導(dǎo)論（2學(xué)時(shí)）1晶體結(jié)構(gòu)2能帶結(jié)構(gòu)3半導(dǎo)體晶體材料的電學(xué)性質(zhì)4半導(dǎo)體發(fā)光材料的條件第四章半導(dǎo)體的激發(fā)與發(fā)光（1學(xué)時(shí)）PN結(jié)及其特性2注入載流子的復(fù)合輻射與非輻射復(fù)合之間的競爭4異質(zhì)結(jié)構(gòu)和量子阱第五章半導(dǎo)體發(fā)光材料體系（2學(xué)時(shí)）砷化鎵2磷化鎵3磷砷化鎵4鎵鋁砷5鋁鎵銦磷6銦鎵氮第六章半導(dǎo)體照明光源的發(fā)展和特征參量（1學(xué)時(shí)）發(fā)光二極管的發(fā)展發(fā)光二極管材料生長方法3高亮度發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)4照明用LED的特征參數(shù)和要求第七章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長（3學(xué)時(shí)）磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）2氫化物外延體系的熱力學(xué)分析3液相外延原理4磷化鎵的液相外延5鎵鋁砷的液相外延第八章鋁鎵銦磷發(fā)光二極管（2學(xué)時(shí)）AlGaInP金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積通論2外延材料的規(guī)模生產(chǎn)問題3電流擴(kuò)展4電流阻擋結(jié)構(gòu)5光的取出6芯片制造技術(shù)器件特性第九章銦鎵氮發(fā)光二極管（2學(xué)時(shí)）GaN生長2InGaN生長3InGaNLED4提高質(zhì)量和降低成本的幾個(gè)重要技術(shù)問題第十章LED芯片制造技術(shù)（3學(xué)時(shí)）1光刻技術(shù)2氮化硅生長3擴(kuò)散4歐姆接觸電極5ITO透明電極6表面粗化7光子晶體8激光剝離（LaserLiftoff，LLO）9倒裝芯片技術(shù)垂直結(jié)構(gòu)芯片技術(shù)11芯片的切割LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展第十一章白光發(fā)光二極管（2學(xué)時(shí)）1新世紀(jì)光源的研制目標(biāo)2人造白光的最佳化3熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED4多芯片白光LED第十二章LED封裝技術(shù)（3學(xué)時(shí)）LED器件的設(shè)計(jì)2LED封裝技術(shù)第十三章發(fā)光二極管的測試及可靠性（2學(xué)時(shí)）發(fā)光器件的效率2電學(xué)參數(shù)3光電特性參數(shù)——光電響應(yīng)特性4光度學(xué)參數(shù)5色度學(xué)參數(shù)6熱學(xué)參數(shù)（結(jié)溫、熱阻）7靜電耐受性8LED可靠性概念9LED的失效分析10可靠性試驗(yàn)11壽命試驗(yàn)可靠性篩選例行試驗(yàn)和鑒定驗(yàn)收試驗(yàn)第十四章有機(jī)發(fā)光二極管（2學(xué)時(shí)）OLED4有機(jī)發(fā)光56白光OLED發(fā)展趨勢和實(shí)用化預(yù)測第十五章半導(dǎo)體照明驅(qū)動(dòng)和控制（2學(xué)時(shí)）LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)2LED驅(qū)動(dòng)器LED集成驅(qū)動(dòng)電路4控制技術(shù)第十六章半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)、市場現(xiàn)狀和展望（1學(xué)時(shí)）1半導(dǎo)體照明應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)原則2LED顯示屏3交通信號燈4景觀照明5手機(jī)應(yīng)用6汽車用燈LCD顯示背光源8微型投影機(jī)9通用照明光源效率和照明系統(tǒng)整體效率11LED外延12LED芯片技術(shù)13LED封裝技術(shù)LED發(fā)光效率的發(fā)展15市場現(xiàn)狀和預(yù)測16半導(dǎo)體照明發(fā)展目標(biāo)八﹑教材及參考書方志烈編著，《半導(dǎo)體照明技術(shù)》，電子工業(yè)出版社，20XX九、參考書1、史光國編著，《半導(dǎo)體發(fā)光二極管及固體照明》，科學(xué)出版社，20XX2、陳元燈編著，《LED制造技術(shù)與應(yīng)用》，電子工業(yè)出版社，20XX3、肖志國編著，《半導(dǎo)體照明發(fā)光材料及應(yīng)用》，工學(xué)工業(yè)出版社，20XX4、毛興武等編著，《新一代綠色光源LED及其應(yīng)用技術(shù)》，人民郵電出版社，20XX十、考核方式：開卷考試第三篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)描述電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)描述首發(fā)外貿(mào)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)描述本專業(yè)培養(yǎng)具備物理電子、光電子與微電子學(xué)領(lǐng)域內(nèi)寬廣理論基礎(chǔ)、實(shí)驗(yàn)?zāi)芰蛯I(yè)知識(shí)，能在該領(lǐng)域內(nèi)從事各種電子材料、元器件、集成電路、乃至集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造和相應(yīng)的新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研究、開發(fā)等方面工作的高級工程技術(shù)人才。業(yè)務(wù)培養(yǎng)要求：本專業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)數(shù)學(xué)、物理、物理電子、光電子、微電子學(xué)領(lǐng)域的基本理論和基本知識(shí)，受到相關(guān)的信息電子實(shí)驗(yàn)技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)等方面的基本訓(xùn)練，掌握各種電子材料、工藝、零件及系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、研究與開發(fā)的基本能力。畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識(shí)和能力：1．具有堅(jiān)實(shí)的自然科學(xué)基礎(chǔ)，較好的人文社會(huì)科學(xué)基礎(chǔ)，并熟練掌握一門外語；2．系統(tǒng)地掌握本專業(yè)領(lǐng)域必需的較寬的技術(shù)基礎(chǔ)理論；3．具有較強(qiáng)的本專業(yè)領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)?zāi)芰?，?jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)與測試能力和工程實(shí)踐能力；4．了解本專業(yè)領(lǐng)域的理論前沿和發(fā)展動(dòng)態(tài)；5．掌握文獻(xiàn)檢索、資料查詢的基本方法，具有一定的科學(xué)研究和實(shí)際工作能力。主干課程電子科學(xué)與技術(shù)主要課程：電子線路、計(jì)算機(jī)語言、微型計(jì)算機(jī)原理、電動(dòng)力學(xué)、量子力學(xué)、理論物理、固體物理、半導(dǎo)體物理、物理電子與電子學(xué)以及微電子學(xué)等方面的專業(yè)課程。主要實(shí)踐性教學(xué)環(huán)節(jié)：包括電子工藝實(shí)習(xí)、電子線路實(shí)驗(yàn)、計(jì)算機(jī)語言和算法實(shí)踐、課程設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)習(xí)、畢業(yè)設(shè)計(jì)等。一般安排20XX修業(yè)年限：四年授予學(xué)位：工學(xué)學(xué)士相近專業(yè)：微電子學(xué)自動(dòng)化電子信息工程通信工程計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)電子科學(xué)與技術(shù)生物醫(yī)學(xué)工程電氣工程與自動(dòng)化信息工程信息科學(xué)技術(shù)軟件工程影視藝術(shù)技術(shù)絡(luò)工程信息顯示與光電技術(shù)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)光電信息工程廣播電視工程電氣信息工程計(jì)算機(jī)軟件電力工程與管理智能科學(xué)與技術(shù)數(shù)字媒體藝術(shù)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)探測制導(dǎo)與控制技術(shù)電氣工程及其自動(dòng)化數(shù)字媒體技術(shù)信息與通信工程建筑電氣與智能化電磁場與無線技術(shù)首發(fā)外貿(mào)第四篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)問卷調(diào)查問卷調(diào)查你好，我們是的學(xué)生，耽誤你幾分鐘，做一份關(guān)于我們專業(yè)的調(diào)查報(bào)告，在此承諾對于你的答案我們會(huì)做好保密工作，謝謝你的配合。1.您的性別是？（）A.男B.女2.您現(xiàn)在是？（）A.已畢業(yè)工作的大學(xué)生B.正在工作的大學(xué)生C.高中畢業(yè)或仍在高中學(xué)習(xí)的準(zhǔn)大學(xué)生3.您學(xué)的（想學(xué)的）專業(yè)是？（）A.理工科方面的B.商業(yè)方面的C.傳媒新聞方面的D.醫(yī)學(xué)方面的E.創(chuàng)意方面的F.其它方面4.您對您所學(xué)（將學(xué)）的專業(yè)的未來信心如何？（）A.很有信心，覺得自己一定可以在該專業(yè)領(lǐng)域取得成就B.不看好，可以以后會(huì)從事其它工作。C.順其自然，畢業(yè)后能找到專業(yè)工作就找專業(yè)工作，找不到不在乎快專業(yè)。電子科學(xué)與技術(shù)是以電子器件及其系統(tǒng)應(yīng)用為核心，重視器件與系統(tǒng)的交叉與融合，面向微電子、光電子、光通信、高清晰度顯示產(chǎn)業(yè)等國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展需求，培養(yǎng)在通信、電子系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制、電子材料與器件等領(lǐng)域具有寬廣的適應(yīng)能力、扎實(shí)的理論基礎(chǔ)、系統(tǒng)的專業(yè)知識(shí)、較強(qiáng)的實(shí)踐能力、具備創(chuàng)新意識(shí)的高級技術(shù)人才和管理人才，并掌握一定的人文社會(huì)科學(xué)及經(jīng)濟(jì)管理方面的基礎(chǔ)知識(shí)，能從事這些領(lǐng)域的科學(xué)研究、工程設(shè)計(jì)及技術(shù)開發(fā)等方面工作。5.你對電子科學(xué)技術(shù)有一定了解么？（）A.不是很了解B.有一定的了解C.很是了解6.你身邊是否有人從事通信或者電子產(chǎn)業(yè)的工作？（）A有B沒有7.他們反響如何？（接上題，如果上題選B此題可以不解答）（）A就業(yè)情況良好，薪水也較可觀B就業(yè)前景一般，薪水方面也一般。C就業(yè)前景堪憂，推薦換份新專業(yè)或工作。8.你認(rèn)為如今的電子產(chǎn)品吸引顧客的方面是？（多選）（）A外觀B功能C品牌D價(jià)格E售后服務(wù)F輔助功能G其他9.電子科學(xué)領(lǐng)域畢業(yè)，你認(rèn)為在當(dāng)下從事哪項(xiàng)工作會(huì)更有希望成功？（）A電子工程師B軟件工程師C項(xiàng)目主管D質(zhì)量管理E銷售10.你認(rèn)為發(fā)展該專業(yè)需要哪些必備的能力？（）A表達(dá)溝通技巧B英語水平C物理數(shù)學(xué)能力D動(dòng)手能力E創(chuàng)新能力F邏輯能力G其它能力謝謝你的配合，祝你生活愉快！第五篇：電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)外語翻譯Figure1-1】圖1－1給出了在三種材料中一些重要材料相關(guān)的電阻值（相應(yīng)電導(dǎo)率ρ≡1/δ)。However】然而鍺不太適合在很多方面應(yīng)用因?yàn)闇囟冗m當(dāng)提高后鍺器件會(huì)產(chǎn)生高的漏電流。Foragiven】對于給定的半導(dǎo)體，存在代表整個(gè)晶格的晶胞，通過在晶體中重復(fù)晶胞組成晶格。Thisstructure】這種結(jié)構(gòu)也屬于金剛石結(jié)構(gòu)并且視為兩個(gè)互相貫穿的fcc亞點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，這個(gè)結(jié)構(gòu)具有一個(gè)可以從其它沿立方對角線距離的四分之一處移動(dòng)的子晶格（位移/4）Mostof】多數(shù)Ⅲ-Ⅴ半導(dǎo)體化合物具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，它與金剛石有相同結(jié)構(gòu)除了一個(gè)有Ⅲ族Ga原子的fcc子晶格結(jié)構(gòu)和有Ⅴ族As原子的另一個(gè)。.Forexample】例如，孤立氫原子的能級可由玻爾模型得出：式中m0代表自由電子質(zhì)量,q是電荷量,ε0是真空中電導(dǎo)率,h是普朗克常數(shù)，n是正整數(shù)稱為主量子數(shù)。Furtherdecrease】空間更多減少將導(dǎo)致能帶從不連續(xù)能級失去其特性并合并起來，產(chǎn)生一個(gè)簡單的帶。Asshown】如圖1－4（a）能帶圖所示，有一個(gè)大帶隙。注意到所有的價(jià)帶都被電子充滿而導(dǎo)帶中能級是空的Asaconsequence】結(jié)果，半滿帶的最上層電子以及價(jià)帶頂部電子在獲得動(dòng)能（外加電場）時(shí)可以運(yùn)動(dòng)到與其相應(yīng)的較高能級上Atroom】在室溫和標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，帶隙值硅（1.12ev）砷化鎵（1.42ev）在0K帶隙研究值硅（1.17ev）砷化鎵（1.52ev）Thus】于是，導(dǎo)帶的電子密度等于把N(E)F(E)dE從導(dǎo)帶底Ec（為簡化起見設(shè)為0）積分到導(dǎo)帶頂EtopFigure1-5】圖1-5從左到右示意地表示了本征半導(dǎo)體的能帶圖,態(tài)密度(N(E)~E1/2),費(fèi)米分布函數(shù),本征半導(dǎo)體的載流子濃度Inanextrinsic】在非本征半導(dǎo)體中，一種載流子類型增加將會(huì)通過復(fù)合減少其它類型的數(shù)目；因此，兩種類型載流子的數(shù)量在一定溫度下保持常數(shù)Forshallow】對硅和砷化鎵中的淺施主,在室溫下,常常有足夠的熱能電離所有的施主雜質(zhì),給導(dǎo)帶提供等量的電子Weshall】我們先討論剩余載流子注入的概念。剩余載流子在非平衡條件下會(huì)增加，這就是說，載流子的濃度的乘積p*n不等于平衡時(shí)ni*ni的值Thethermal】作熱的運(yùn)動(dòng)單一電子可以形象的當(dāng)做是原子晶格或雜質(zhì)原子或其他散射中心碰撞產(chǎn)生的連續(xù)隨即散射。就像所闡述的Whenexcess】當(dāng)載流子濃度過度時(shí)就引入一個(gè)直接能隙半導(dǎo)體，這在電子和空穴將再直接復(fù)合時(shí)是很有可能的，因?yàn)閷?dǎo)帶底和價(jià)帶頂是整隊(duì)的和沒有足夠躍遷過能隙的額外的晶體動(dòng)力Thesep-n】這些PN結(jié)是根本功能表現(xiàn)如整流,增幅,開關(guān),和另外一些電路元器件Theremust】在這個(gè)PN結(jié)之間一定存在一些經(jīng)過完整的數(shù)學(xué)處理將使簡單的PN結(jié)的活動(dòng)物理特征難理解；另一方面，在統(tǒng)計(jì)時(shí)，一個(gè)完整的定性分析將沒用However】但是，因?yàn)榻Y(jié)的偏壓的增加導(dǎo)致電場的增大，導(dǎo)致靜電流。如果我們明白這4中電流組成的本質(zhì)，無論有沒有偏壓，一個(gè)合理的PN結(jié)理論都成立Withthe】有了前一節(jié)的背景知識(shí)，電流流動(dòng)的基本特征理解起來相對簡單，而這些定性的概念形成了對結(jié)中的正向和反向電流的分析性描述的基礎(chǔ)Butinmost】但是，在大多數(shù)的p-n結(jié)型器件中，與它的面積相比，每個(gè)區(qū)域的長度是很小的，而摻雜通常是中等到重度摻雜；因此每個(gè)中性區(qū)的電阻是很小的，在空間電荷（過渡）區(qū)外，只有很小的電壓降能被維持Ifthedoping】如果p區(qū)域摻雜大于1019cm-3，那么這種結(jié)構(gòu)無疑就是p+-n，因?yàn)閚p型比pn型要小五個(gè)數(shù)量級以上。既然這種結(jié)構(gòu)在科技設(shè)備上這么普遍應(yīng)用，我們將在下面做更多的討論舉例來說，當(dāng)空穴在Xno被電勢場領(lǐng)域的p邊在整個(gè)聯(lián)接被掃射的時(shí)候，在n材料空穴分布有一個(gè)傾斜度存在，而且在n區(qū)域的空穴向結(jié)點(diǎn)擴(kuò)散。重要的是，雖然方向相反的電流發(fā)生在結(jié)點(diǎn)由于載流子的漂移，這個(gè)電流由每邊中間區(qū)域的兩邊的少數(shù)載流子流入的Theresistivity】一個(gè)好的導(dǎo)體電阻率數(shù)量級為10－6ohm*cm，對一個(gè)半導(dǎo)體而言，數(shù)量級的范圍為10－3到10（6）ohm*cm，對絕緣體，可能是10（10）ohm*cm或更大Abovethe】以上費(fèi)米能級，入住概率（一個(gè)狀態(tài)是由一個(gè)電子）接近零，低于該標(biāo)準(zhǔn)。因此，費(fèi)米能級是一種“頂面”的電子對分布，類似于一個(gè)容器一個(gè)面對面的液體Ofgreat】極重要的是漂移運(yùn)動(dòng)是關(guān)于載流子濃度和電場兩個(gè)變量的函數(shù)，而擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是關(guān)于濃度梯度一個(gè)變量的函數(shù)Therate】速率的變化密度承運(yùn)人在一個(gè)點(diǎn)（或積累的運(yùn)營商在一個(gè)地區(qū)），可以由等同于向合并的影響，交通運(yùn)輸，發(fā)電，并在重組這一點(diǎn)（或附近地區(qū)），其結(jié)果是一個(gè)延續(xù)性方程Earlyinthe1950s】早在20XX50年代，shockley提出了用附屬雙極來描述他新設(shè)想的器件，因?yàn)閮煞N載流子類型在晶體管作用機(jī)理里起重要作用。相反，他描述在場效應(yīng)的期間中（他所提出的就實(shí)用具體器件而言）都是單極的，因?yàn)榫w管的工作原理主要還是依賴于單種載流子類型。TheindividualBJTs】分立的雙極結(jié)型晶體管通過靈活互聯(lián)可形成具有一定功能的實(shí)用化電路，由此可以把含有十萬個(gè)以上器件的電路集成在同一個(gè)硅芯片上。SincetheBJT】由于晶體管是一個(gè)三接線端的器件，其中一端作為輸入端和輸出端的公共端，其他兩端獨(dú)立并與對應(yīng)端相聯(lián)系。Itisacurious】這是一個(gè)難以理解的事實(shí)，在發(fā)射極和集電極區(qū)域的均勻摻雜，且有時(shí)也會(huì)均勻摻雜在基區(qū)突變結(jié)，現(xiàn)在技術(shù)越來越接近應(yīng)用最簡單分析的觀點(diǎn)Inspiteofthe】盡管基極電流比較小，但它是非常重要的。因?yàn)檎缥覀兯吹降?，它是提供給共射極晶體管輸入端的控制電流Forexample,inaMESFET】半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件中必須減小柵極長度以提高截止頻率，必須減少源極和漏極的接觸電阻以使頻率響應(yīng)不受RC的限制。Therangeoflight】可見光范圍近似為0.4μm到0.7μm,紫外光范圍為0.01μm到0.4μm,紅外光范圍為0.7μm到1000μm.這章中主要感興趣的范圍是從近紫外(~0.3μm)到近紅外(~1.5μm)。Toconvertthe】用下式可把波長轉(zhuǎn)換為光子能量，上式中c是真空中的光速，v是光的頻率，h是普朗克常數(shù)，hv是光子能量，單位為電子伏特，Therearebasically】光和固體中電子的相互作用基本上有三個(gè)過程；吸收，自發(fā)輻射和受激輻射。Thedominantoperation】發(fā)光二極管中主要的過程是自發(fā)輻射；激光器中主要的過程是受激輻射，光電探測器和太陽能電池中主要的過程是吸收。Forexample,anelectron】例如導(dǎo)帶邊的電子和價(jià)帶邊的空穴復(fù)合，發(fā)射一個(gè)能量為禁帶寬度的光子theBJTsis】雙極結(jié)型晶體管是最常用的共發(fā)射極配置，這意味著輸入信號施加到基于終端，輸出信號從集電極和發(fā)射極端子接線，共同投入輸出端口Theepitaxialprocessoffersanimportantmeansofcontrollingthedopingprofilessothatdeviceandcircuitperformancescanbeoptimized】外延工藝提供了控制摻雜分布的重要手段，使設(shè)備和電路性能可以得到優(yōu)化Undertheseconditions,anoverpressureofarsenicisestablished(1)tocausethetransportofarsenicvaportothegalliummelt,convertingitintogalliumarsenicvaportothegalliummelt,convertingitintogalliumarsenide,and(2)topreventdecompositionofthegalliumarsenidewhileitisbeingformedinthefurnace】在這種條件下，砷過壓的形成（1）是使砷氣體輸送到鎵熔體，使之從砷化鎵氣體轉(zhuǎn)化到鎵熔體，轉(zhuǎn)化為砷化鎵，（2）防止砷化鎵在（反應(yīng)爐中）合成過程中分解Thed