光刻技術(shù)及其應(yīng)用的現(xiàn)狀與展望

1.1數(shù)學(xué)八年級(jí)上冊(cè)同步練習(xí)：1.1數(shù)學(xué)八年級(jí)上冊(cè)同步練習(xí)：12.2.1三角形全等的判定SSS3#v0 0.5 I 1.5 2?b尤創(chuàng)技術(shù)版本因素曲餞?Throughpui(WPH)LiilioCellCostMaskCost0 0.5 I 1.5 2?b尤創(chuàng)技術(shù)版本因素曲餞?Throughpui(WPH)LiilioCellCostMaskCostMaskUsage■ProductYieldwfreworkIithoCcllRdiaWlltvfMTBG)?ProductYieldNORework6504未來(lái)光刻技術(shù)的發(fā)展隨著電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展，光刻技術(shù)及其應(yīng)用已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了傳統(tǒng)意義上的范疇，如上所述，它兒乎包括和覆蓋了所有微細(xì)圖形的傳遞、微細(xì)圖形的加工和微細(xì)圖形的形成過程。因此,未來(lái)光刻技術(shù)的發(fā)展也是多元化的，應(yīng)用領(lǐng)域的不同會(huì)有所不同，但就占有率最大的半導(dǎo)體和微電子產(chǎn)品領(lǐng)域而言，實(shí)現(xiàn)其納米水平產(chǎn)業(yè)化的光刻技術(shù)將分成兩個(gè)階段，即90?32nm階段將仍然由深紫外和極紫外光刻結(jié)合一些新的技術(shù)手段去完成，同時(shí)納米壓印和掃描探針光刻技術(shù)在45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)將會(huì)介入進(jìn)行過渡；32nm以下的規(guī)模生產(chǎn)光刻技術(shù)將在納米壓印和掃描探針光刻技術(shù)之間選擇。正如一位專家2005年預(yù)測(cè)，為實(shí)現(xiàn)32nm節(jié)點(diǎn)以下的納米成像技術(shù)的規(guī)?；a(chǎn)，在接下來(lái)的5年內(nèi)，納米成像技術(shù)的發(fā)展將會(huì)加快，平均每年增長(zhǎng)44.6%,其中發(fā)展最快的將會(huì)是納米壓印光刻和掃描探針光刻技術(shù)，到2013年，32nm的大生產(chǎn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)將得以實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。另外，F(xiàn)PD產(chǎn)業(yè)作為光刻技術(shù)應(yīng)用的另外一個(gè)分支，在未來(lái)的占有率將會(huì)上升，除了已經(jīng)形成的對(duì)光刻技術(shù)需求的共識(shí)外（大面積、低分辨率和1：1折反射投影式等），一些新的技術(shù)也在開發(fā)中，如電子束光刻技術(shù)和激光直寫光刻技術(shù)等?？傊磥?lái)光刻技術(shù)的發(fā)展將會(huì)更快，技術(shù)上將會(huì)更加集中，一些沒有市場(chǎng)前景和應(yīng)用的技術(shù)將會(huì)淘汰。參考文獻(xiàn)

PLUMMERJD.硅超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2004.莊同曾.集成電路制造技術(shù)原理與實(shí)踐[M].北京:電子工業(yè)出版社,1992.丁玉成，劉紅忠,盧秉恒，李滌塵.下一代光刻技術(shù)一壓印光刻[J].機(jī)械工程學(xué)報(bào),2007,(03)王美玲呂之圣科技信息-2008年7期徐文祥王建 華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)：自然科學(xué)版-2007年S1期《納米光刻技術(shù)現(xiàn)狀與進(jìn)展》耿磊陳勇發(fā)表于《世界科技研究與發(fā)展》2005.06物業(yè)管理有限公司物業(yè)交接目錄序號(hào)資料名稱備注1物業(yè)移交驗(yàn)收表2房屎及公用設(shè)施等移交驗(yàn)收交接表3管理資料移交表8機(jī)電設(shè)備驗(yàn)收單9設(shè)備房鑰匙移交清單10房間鑰匙移交表11給排水系統(tǒng)圖紙目錄13公用場(chǎng)地移交清單14管理用房移交接管一覽表15水、電、消防資料移交清單17設(shè)備/設(shè)施接