用TCAD對ESD器件設(shè)計驗證綜述課件

使用ISE-TCAD對ESD器件的設(shè)計驗證

主講人：馬飛2012.10.101頁/共99頁ESD及ISE-TCAD簡介工藝部分仿真（Dios）DESSIS仿真模型的選取熱邊界條件的設(shè)定ESD器件仿真中收斂性問題一些對關(guān)鍵性能有影響的關(guān)鍵參數(shù)二次擊穿電流的仿真課程內(nèi)容2頁/共99頁電路中的ESD防護3頁/共99頁二極管GGNMOS:SCR：ESD防護器件4頁/共99頁設(shè)計窗口5頁/共99頁ISE-TCAD簡介由瑞士ISE公司開發(fā)，已經(jīng)被SYNOPSYS公司收購，并入新版的SENTAURUS。包括平臺工具（GENESISe）、工藝仿真工具(DIOS)、器件結(jié)構(gòu)生成工具(Mdraw)和電磁仿真工具(DESSIS)、曲線顯示工具（INSPECT）等。6頁/共99頁Dios_dio.cmd

Mask.tl1

**_dio.dat.gz

**_grd.dat.gzDios-MDraw-Dessis7頁/共99頁進(jìn)入ISE-TCAD8頁/共99頁GENESISe操作界面project---newproject右鍵familytree---add選擇工具主菜單參數(shù)選項仿真工具菜單項目編輯環(huán)境9頁/共99頁ESD及ISE-TCAD簡介工藝部分仿真（Dios）DESSIS仿真模型的選取熱邊界條件的設(shè)定ESD器件仿真中收斂性問題一些對關(guān)鍵性能有影響的關(guān)鍵參數(shù)二次擊穿電流的仿真課程內(nèi)容10頁/共99頁Dios工藝文件網(wǎng)格定義結(jié)構(gòu)初始化工藝流程結(jié)構(gòu)操作保存輸出11頁/共99頁工藝流程12頁/共99頁網(wǎng)格定義&結(jié)構(gòu)初始化(ISE)!*******GRIDDEFINE*****replace(control(1D=off))Grid(X(0,5),Y(-2.0,0.0),Nx=16,ny=16)!********SUBSTRATEDEFINE***Substrate(Element=B,Conc=5e15,Orientation=100,Ysubs=0.0)Replace(Control(ngra=1))Graphic(triangle=on,plot)13頁/共99頁柵氧生長&場區(qū)刻蝕(ISE)!**************initialoxidation******Diffusion(Temperature=1000,Time=30,atmosphere=hcl,cl=5)Deposit(Material=Nitride,Thickness=0.07)Mask(Material=resist,Thickness=1,file=mask,mask=field)Etching(Material=Nitride,Remove=0.1,Over=0,rate(anisotropic=100))Etching(Material=Oxide,Remove=1,Over=0,rate(anisotropic=100))Etching(Material=silicon,Remove=0.25,Over=0,Rate(A0=-5,a1=16,a2=-8))14頁/共99頁場區(qū)注入&場區(qū)氧化&閾值調(diào)整(ISE)!******************fieldimplant*******************Implant(dose=5e12,energy=50,Element=B,tilt=7,rotation=30)Etching(Resist)!*********************fieldoxidation*************Diffusion(Temperature=(800,1000),Time=20,ModDif=PairDiffusion)Diffusion(Temperature=1000,Time=180,atmosphere=H2O,ModDif=PairDiffusion)Diffusion(Temperature=(1000,800),Time=20,ModDif=PairDiffusion)Etching(Material=Ni,Remove=0.07)!*************Vtadjusting****************Implant(dose=1e12,energy=40,Element=B,tilt=7,rotation=30)15頁/共99頁柵的形成&LDD注入(ISE)!********************GateFormation**********Deposit(Material=Po,Thickness=0.4)Mask(Material=resist,Thickness=1,file=mask,mask=poly)Etching(Material=Po,Remove=0.4,Rate(A0=-5,a1=27,a2=-8))Etching(Resist)!************oxidation***********Diffusion(Temperature=1000,Time=30,atmosphere=O2)!****************LDDinjection******************Implant(dose=5e13,energy=50,Element=As,tilt=7,rotation=30,table="As_1e12-5e13.tab")16頁/共99頁側(cè)墻&源/漏注入(ISE)!***********************Spacer*************Deposit(Material=Ox,Thickness=0.4)Etching(Material=Oxide,Remove=0.4,rate(anisotropic=100))!***********************S/Dimplant*********************Implant(dose=1e15,energy=200,Element=As,tilt=7,rotation=30)!*************************Anneal*********************Replace(Control(RefineGrad=-10,RefineJunc=-10))Adapt()Diffusion(Temperature=950,Time=15,ModDif=PairDiffusion)17頁/共99頁接觸孔刻蝕&金屬互連（ISE）!**********************Contact*******************Deposit(Material=Ox,Thickness=0.7)Mask(Material=resist,Thickness=1,file=mask,mask=contact)Etching(Material=Ox,Remove=0.7,Rate(A0=-5,a1=27,a2=-8))Etching(Resist)!*********************metal*************************Deposit(Material=Al,Thickness=1)Mask(Material=resist,Thickness=1,+file=mask,mask=metal)Etching(Material=Al,Remove=1,+Rate(A0=-5,a1=27,a2=-8))Etching(Resist)18頁/共99頁電極定義&保存輸出!****************************Save*****************Comment('SAVEFILE')save(file='LSCR',type=MDRAW,synonyms(al=metal)contacts( contact1(name=source,-2.5,-0.5) contact2(name=drain,2.5,-0.5) contact3(name=gate,0,-0.2)contact4(name=sub,location=bottom) ),MinElementWidth=0.001,MaxElementWidth=0.10,MinElementHeight=0.001,MaxElementHeight=0.10)End19頁/共99頁工藝仿真部分通過修改mask文件,定義掩膜版，

通過編寫cmd文件，定義工藝流程20頁/共99頁Mask文件100001760019%masksSTI8100020002500350047005700620072009400104001090011900141001510016600…………METAL5110034004800560063001030011000150001570016500

標(biāo)明單位

器件橫向尺寸Mask數(shù)

DIOS工藝文件21頁/共99頁添加Mdraw工具22頁/共99頁導(dǎo)入Mdraw優(yōu)化**_mdr.bnd**_mdr.cmd23頁/共99頁Mdraw界面24頁/共99頁Mdraw優(yōu)化增加電極

重新定義網(wǎng)格

25頁/共99頁Mdraw導(dǎo)出26頁/共99頁Dessis導(dǎo)入27頁/共99頁編輯Dessiscommand28頁/共99頁現(xiàn)場演示

29頁/共99頁仿真方式DC仿真

TLP脈沖仿真

混合仿真單脈沖

多脈沖

30頁/共99頁ModelModelParametersParasiticComponentsStandardLevelTimerise(nsec)Timedecay(nsec)Vpeak

(V)Cesd(pF)Resd

(Ω)Lesd(μH)Okey(V)Safe(V)Super(V)HBM≈10150±202000~1500010015007.52000400010000MM≈6~7.560-90(ringperiod)100-400200數(shù)十1-22004001000CDM<0.2-0.40.4-2250-20006.8數(shù)十1-2100015002000幾種測試模型31頁/共99頁ISE中Dessis仿真的書寫格式工藝仿真和MDRAW結(jié)果導(dǎo)入電極定義物理模型定義數(shù)學(xué)算法定義輸出內(nèi)容定義電壓掃描（電流掃描）定義32頁/共99頁File{……}定義器件結(jié)構(gòu)的輸入文件和輸出文件的名稱…………Electrode{……}定義器件的電極相關(guān)信息…………Physics{……}定義器件過程中使用的物理模型…………Plot{……}定義所有的計算變量…………Math{……}定義DESSIS仿真時算法的設(shè)置…………Solve{……}定義電壓掃描，仿真電學(xué)特性…………33頁/共99頁（dessis）仿真File{Grid="n2_mdr.grd"Doping="n2_mdr.dat"Lifetime="n2_mdr.dat"Output="n3_des.log"Current="n3_des.plt"Plot="n3_des.dat"}Electrode{ {Name="drain"Voltage=0.1} {Name="source"Voltage=0.0} {Name="sub"Voltage=0.0} {Name="gate"Voltage=0.0barrier=-0.55}}Thermode{{name="drain"temperature=300}{name="source"temperature=300}{name="gate"temperature=300}{name="sub"temperature=300}}34頁/共99頁Physics{

EffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboom))

Mobility(Dopingdependence

HighFieldSaturation

Enormal

CarrierCarrierScattering)

Recombination(SRH(DopingDependence

TempDependencetunneling)AugerAvalanche(Eparallel))Thermodynamic

AnalyticTEP

}Physics(MaterialInterface="Oxide/Silicon"){charge(surfconc=5.e10)}plot{

eDensity

hDensity

eCurrent

hCurrent

ElectricField

eQuasiFermi

hQuasiFermiPotentialDopingSpaceChargSRHAugerAvalanche

eMobility

hMobility

DonorConcentration

AcceptorConcentratio

EffectiveIntrinsicDensitDoping}Math{Iterations=15NotDamped=50ExtrapolateRelErrControl}（dessis）仿真35頁/共99頁（dessis）仿真Solve{PoissonCoupled{PoissonElectronHole}

NewCurrentPrefix="Vt"

Quasistationary(Initialstep=0.02MaxStep=0.1Minstep=1e-5increment=1Goal{name="gate"voltage=5}) {Coupled{PoissonElectronHoleTemperature}}}36頁/共99頁ESD及ISE-TCAD簡介工藝部分仿真（Dios）DESSIS仿真模型的選取熱邊界條件的設(shè)定ESD器件仿真中收斂性問題一些對關(guān)鍵性能有影響的關(guān)鍵參數(shù)二次擊穿電流的仿真37頁/共99頁雪崩擊穿維持熱擊穿

雪崩擊穿維持熱擊穿

雪崩擊穿維持熱擊穿

涉及到的物理過程38頁/共99頁因為在器件的N+、P+區(qū)域的摻雜濃度在1020量級，默認(rèn)的玻耳茲曼統(tǒng)計模型已經(jīng)不適用。

費米模型Physics{...Fermi}39頁/共99頁禁帶變窄效應(yīng)模型及費米修正

同樣由于器件的N+、P+區(qū)域的摻雜濃度很高，必須考慮能帶變窄效應(yīng)。同時由于DESSIS中的能帶變窄模型是基于玻耳茲曼模型擬合得到的，因此必須考慮用了費米統(tǒng)計后做的模型修正

Physics{EffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(Slotboom))}EffectiveIntrinsicDensity：定義硅能隙窄化模型，它決定載流子的濃度。40頁/共99頁電離雜質(zhì)散射導(dǎo)致的遷移率退化模型

Physics{Mobility(DopingDependence([Masetti|Arora|UniBo])...)...}LSCR結(jié)構(gòu)NWELL和PWELL的摻雜等級為1017量級，N+、P+的摻雜等級為1020量級，它們分別與下式中的參量Cr和Cs處于同一等級上，電離雜質(zhì)散射導(dǎo)致遷移率退化的效應(yīng)十分明顯，因此該模型必須考慮在內(nèi)。

41頁/共99頁載流子間散射導(dǎo)致的遷移率退化模型

雪崩擊穿發(fā)生后，開始有非平衡載流子的注入（剛發(fā)生雪崩擊穿時只有小注入），當(dāng)曲線發(fā)生回滯時，載流子的注入量已經(jīng)很大Physics{Mobility(CarrierCarrierScattering([ConwellWeisskopf|BrooksHerring])...)...}42頁/共99頁載流子間散射導(dǎo)致的遷移率退化模型

載流子間散射這一項貢獻(xiàn)的遷移率已經(jīng)不可忽略。

43頁/共99頁高場飽和效應(yīng)導(dǎo)致的遷移率退化模型

Physics{Mobility(HighFieldSaturation)}在雪崩擊穿發(fā)生時，PN結(jié)處的電場強度很高，如圖所示。已經(jīng)達(dá)到各自的飽和速度，高場飽和模型此時必不可少。44頁/共99頁雪崩擊穿模型

此模型必須選用，以描述雪崩擊穿這一物理機制。

Physics{Recombination(eAvalanche(CarrierTempDrive)hAvalanche(Okuto)...}45頁/共99頁SRH復(fù)合模型和俄歇復(fù)合模型

Physics{Recombination(SRHAuger)...}SRH復(fù)合中必須考慮濃度、溫度以及電場強度對載流子壽命的影響。同時，由于高摻雜以及大注入效應(yīng)，俄歇復(fù)合的復(fù)合率將會很大，不可忽略.

46頁/共99頁熱力學(xué)模型（或流體力學(xué)模型）

由于ESD器件進(jìn)入維持狀態(tài)以后，溫度急劇上升，漂移-擴散模型不能適應(yīng)這種非等溫仿真，必須采用熱力學(xué)模型或流體力學(xué)模型。Physics{Thermodynamic}47頁/共99頁AnalyticTEP模型

Physics{AnalyticTEP}使用這一模型描述熱力學(xué)模型中的絕對電熱功率參量Pn和Pp，需要與熱力學(xué)模型聯(lián)用。

48頁/共99頁PhysicsPhysics{Fermi

EffectiveIntrinsicDensity

(BandGapNarrowing(OldSlotboom))

Mobility(Dopingdependence

HighFieldSaturation

Enormal

CarrierCarrierScattering)Recombination(SRH(DopingDependence

TempDependencetunneling)Auger

Avalanche(Eparallel))IncompleteIonizationThermodynamic

AnalyticTEP

}49頁/共99頁ESD及ISE-TCAD簡介工藝部分仿真（Dios）DESSIS仿真模型的選取熱邊界條件的設(shè)定ESD器件仿真中收斂性問題一些對關(guān)鍵性能有影響的關(guān)鍵參數(shù)二次擊穿電流的仿真課程內(nèi)容50頁/共99頁熱邊界條件的設(shè)定在ESD防護器件的仿真中，由于涉及非等溫仿真，必須定義熱邊界條件。器件的表面區(qū)域被認(rèn)為是熱絕緣區(qū)域，器件底部及其兩側(cè)認(rèn)為是導(dǎo)熱區(qū)域，環(huán)境溫度默認(rèn)為300KTHERMODE{{Name=“Anode”temperature=300}{Name=“Cathode”temperature=300}{Name=“sub”temperature=300}}51頁/共99頁襯底厚度對仿真結(jié)果的影響

52頁/共99頁ESD及ISE-TCAD簡介工藝部分仿真（Dios）DESSIS仿真模型的選取熱邊界條件的設(shè)定ESD器件仿真中收斂性問題一些對關(guān)鍵性能有影響的關(guān)鍵參數(shù)二次擊穿電流的仿真課程內(nèi)容53頁/共99頁ESD器件仿真中收斂性問題迭代次數(shù)不夠電學(xué)邊界條件設(shè)置不好引起的不收斂初始解的不收斂工藝仿真中網(wǎng)格設(shè)置得不好模型參數(shù)的設(shè)置問題引起的不收斂54頁/共99頁ESD器件仿真中收斂性問題ESD器件開啟之后，電流迅速增大，過快的電流增長，導(dǎo)致猜想值和真實值差距過大，引起不收斂55頁/共99頁迭代次數(shù)不夠

設(shè)置的判別不收斂的條件太過苛刻這種假性的不收斂在迭代過程中有著以下特征之一：①誤差項有逐漸減小的趨勢或呈阻尼振蕩狀，但是在小于1之前，卻因為迭代次數(shù)上限達(dá)到而結(jié)束②迭代失敗的次數(shù)很少，但是仿真步長很快就達(dá)到了最小值，仿真結(jié)束

56頁/共99頁Iteration|Rhs|factor|step|error#inner#iterativetime------------------------------------------------------------------------------02.62e+010.0318.14e+031.00e+003.17e-031.63e+02010.1525.69e+001.00e+003.14e-062.24e-01010.29Finished,because...Errorsmallerthan1(0.223705).Accumulatedtimes:Rhstime:0.08sJacobiantime:0.07sSolvetime:0.14sTotaltime:0.29sContactVoltageElectronHoleConductionouterinnercurrentcurrent

currentgate0.000E+000.000E+008.794E-29-1.754E-458.794E-29substrate0.000E+000.000E+005.901E-18-1.686E-16-1.627E-16drain1.993E-021.993E-028.363E-11-1.953E-198.363E-11source0.000E+003.345E-09-8.363E-11-4.605E-26-8.363E-11SolveReport57頁/共99頁|Rhs|:theevolutionofthenormalizedresidualright-handsidefactor:theapplieddampingfactor|step|:thenormalizedstepsizebetweentwoNewtoniterationserror:thenormalizederrorestimate#innerand#iterative:relevantforplugin-typeiterations58頁/共99頁器件仿真時數(shù)學(xué)解法的流程

59頁/共99頁解決方法設(shè)定minstep

和interations:minstep的數(shù)值至少比initialstep少3個數(shù)量級

Math{Iterations=15

NotDamped=50Extrapolate

RelErrControl}Solve{PoissonCoupled{PoissonElectronHole}

NewCurrentPrefix="snapback“

Quasistationary(Initialstep=1e-6MaxStep=0.1Minstep=1e-12increment=2.0Goal{name="anode"voltage=4e7}) {Coupled{PoissonElectronHoleTemperature}}}60頁/共99頁電學(xué)邊界條件設(shè)置不好引起的不收斂

這種情況一般發(fā)生在雪崩擊穿電壓的附近，這也分兩種情況:①無法完成成低壓區(qū)到雪崩擊穿區(qū)的轉(zhuǎn)變

②已經(jīng)看到電流的急劇增長，但是無法完成曲線的回滯

61頁/共99頁62頁/共99頁現(xiàn)象①的產(chǎn)生原因是在擊穿點附近，電流變化太迅速，基于原來的初始解A，通過一個仿真步長，電壓變化△V，此時假定下一點處于B點，而假定點B和真實點C之間的電流變化量△I太大，程序無法通過迭代獲得正確點，因此始終無法收斂

63頁/共99頁現(xiàn)象②產(chǎn)生的原因是由于默認(rèn)的每一個電極接觸，都是定義成歐姆接觸，此時電壓直接加在器件的陽極和陰極之間，由于電壓掃描本身的電壓不斷增長的，因此器件兩端的電壓也只能不斷增長，到了回滯點就無法再收斂了，因為它兩端的電壓無法變小

64頁/共99頁解決方法

Electrode{ {Name="anode"Voltage=0.0resistor=3e9} {Name="cathode"Voltage=0.0} {Name="sub"Voltage=0.0}}65頁/共99頁初始解的不收斂

初始解的不收斂就是仿真的第一個點就無法收斂：①由于初始解具有較大的隨機性，因此當(dāng)它進(jìn)行迭代的時候，如果要同時滿足多個方程的收斂相對較為困難②由于某個電極上的初始電壓值給得過高，難以建立初始解

66頁/共99頁①的解決方法Solve{Coupled{PoissonElectronHoleTemperature}Quasistationary{……}Coupled{PoissonElectronHoleTemperature}}Solve{PoissonCoupled{PoissonElectron}Coupled{PoissonElectronHole}Quasistationary{……}Coupled{PoissonElectronHoleTemperature}}67頁/共99頁②的解決方法Electrode{Name=”Drain”,Voltage=0.0Name=”Source”,Voltage=0.0Name=”Gate”,Voltage=5.0Name=”sub”,Voltage=0.0}……Solve{……}Electrode{Name=”Drain”,Voltage=0.0Name=”Source”,Voltage=0.0Name=”Gate”,Voltage=0.0Name=”sub”,Voltage=0.0}……Solve{……Goal{name=”Gate”,Voltage=5.0}}68頁/共99頁初始步長太大，有時候雖然建立了一個初始解，但是初始解偏離實際值較大，后來基于此初始解的仿真就會逐漸走向不收斂。此時減小初始步長能提高收斂性

另外69頁/共99頁工藝仿真中網(wǎng)格設(shè)置得不好

70頁/共99頁這種情況下，曲線通常在回滯之后引發(fā)不收斂。這種問題發(fā)生的原因主要在雪崩擊穿的vanOverstraeten-deMan模型中。在高場和低場情況下采用了兩組不同的模型參數(shù)，這會導(dǎo)致在低場和高場的分界處（模型參數(shù)設(shè)置中E0的設(shè)置值）的電離系數(shù)的變化。

模型參數(shù)的設(shè)置問題引起的不收斂71頁/共99頁解決方法

修改參數(shù)模型，但需要謹(jǐn)慎而行，高低場下的模型參數(shù)最好保持同步變化72頁/共99頁ESD及ISE-TCAD簡介工藝部分仿真（Dios）DESSIS仿真模型的選取熱邊界條件的設(shè)定ESD器件仿真中收斂性問題一些對關(guān)鍵性能有影響的關(guān)鍵參數(shù)二次擊穿電流的仿真課程內(nèi)容73頁/共99頁一些對關(guān)鍵性能有影響的關(guān)鍵參數(shù)如vanOverstraeten-deMan模型中的一些參數(shù)

74頁/共99頁寄生管Q1和Q2的β值

。而影響Q1和Q2的β值的主要因素是它們的基區(qū)少子壽命，在DESSIS中描述少子壽命的物理模型參量是SRH復(fù)合模型中的τ參量載流子壽命越小，維持電壓就越高；反之，則維持電壓越低

寄生管Q1和Q2的β值

75頁/共99頁76頁/共99頁電流主路徑上（從NWELL里的P+到PWELL里的N+）的阻值大?。鹤柚翟酱?，維持電壓就越大；阻值越小，維持電壓就越小。影響電阻值大小的主要因素是遷移率。如摻雜引起的遷移率降級模型中的Cr參數(shù)、載流子間散射引起的遷移率降級模型中的D參數(shù)對維持電壓的影響

電流主路徑上的阻值大小77頁/共99頁Cr參數(shù)

D參數(shù)

78頁/共99頁Inspect曲線顯示工具打開.plt文件79頁/共99頁Inspect的使用添加DESSIS仿真中保存的節(jié)點電壓、電流、時間和溫度關(guān)系曲線80頁/共99頁Tecplot

看圖工具打開Exceed軟件打開putty軟件并登陸所在服務(wù)器在putty對話框中輸入以下指令：81頁/共99頁Tecplot

看圖工具打開文件82頁/共99頁Tecplot

看圖工具載入DESSISF仿真中保存的.dat文件和MDRAW保存的.grd文件83頁/共99頁Tecplot

看圖工具84頁/共99頁ESD及ISE-TCAD簡介工藝部分仿真（Dios）DESSIS仿真模型的選取熱邊界條件的設(shè)定ESD器件仿真中收斂性問題一些對關(guān)鍵性能有影響的關(guān)鍵參數(shù)二次擊穿電流的仿真課程內(nèi)容85頁/共99頁DC直流仿真局限性

直流仿真本身是基于熱平衡態(tài)的，在每一個直流偏之下，結(jié)構(gòu)中的每一點流入的熱流量與流出的熱流量相等之后，該點的溫度才被記錄下來；然而，實際上ESD信號是一個很快的信號，一個TLP脈沖的信號上升沿只有10ns，脈寬只有100ns，在如此短的時間內(nèi)，器件結(jié)構(gòu)中根本來不及建立熱平衡態(tài)；因此，直流仿真所得到的溫度值與實際溫度有一定的差距，導(dǎo)致最終得到的二次擊穿電流與實際測試值相差較大。

86頁/共99頁瞬態(tài)仿真及混合仿真瞬態(tài)仿真：模擬TLP波形混合仿真：模擬HBM、MM、CDM模式下的ESD放電

瞬態(tài)仿真得到的V-t曲線中電壓的二次回滯作為二次擊穿的標(biāo)準(zhǔn)

87頁/共99頁混合仿真實例88頁/共99頁混合仿真文件結(jié)構(gòu)89頁/共99頁程序構(gòu)成（1）DeviceSCR{File{Grid="n2_mdr.grd“Doping="n2_mdr.dat"Lifetime="n2_mdr.dat“Current="n4_des.plt“Plot="n4_des.dat"}Electrode{{Name="anode"Voltage=0Area=50}{Name="cathode"Voltage=0.0Area=50} }Thermode{{name="anode"temperature=300}{name="cathode"temperature=300}}混合仿真在ESD設(shè)計中的應(yīng)用Physics{FermiEffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboom)Fermi)Mobility(Dopingdependence

HighFieldSaturation

Enormal

CarrierCarrierScattering)

Recombination(SRH(DopingDependence

TempDependencetunneling)AugerAvalanche(Eparallel))Thermodynamic

AnalyticTEP

}Physics(MaterialInterface="Oxide/Silicon"){charge(surfconc=5.e10)}}90頁/共99頁程序構(gòu)成（2）System{

Vsource_psetV1(n1n0){dc=10}

Vsource_psetV2(n6n0){pwl=(00.10.99e-90.11e-9-1)}

Vsource_psetV3(n7n0){pwl=(0-10.99e-9-11e-90.11e-50.1)}

Switch_psetS1("S+"=n1"S-"=n2"SC+"=n6"SC-"=n0)

Switch_psetS2("S+"=n4"S-"=n5"SC+"=n7"SC-"=n0)

Capacitor_psetC(n2n0){capacitance=1e-10}

Resistor_psetR(n3n2){resistance=1500}

Inductor_psetL(n4n3){inductance=7.5e-6}SCRscr("anode"=n5"cathode"=n0)set(n0=0)set(n2=0)plot"mixed-mode-simulation-10V-500Width"(time()n0n1n2n3n4n5i(Rn3)i(Ln4))}91頁/共99頁