材料分析測試技術(shù)左演聲課后答案

如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！第一章電磁輻射與材料構(gòu)造一、教材習(xí)題1-1計算以下電磁輻射的有關(guān)參數(shù)：〔1〕3030cm-1的芳烴紅外吸取峰的波長〔m答：波數(shù)=3030cm-1依據(jù)波數(shù)與波長的關(guān)系(cm1)波長 3030

10000

可得：〔2〕5m波長射頻輻射的頻率〔MHz；解：波長與頻率的關(guān)系為 c波長=5m≈3×8/，1-=1Hz

3108m/s5m

60106s1 60MHz相應(yīng)的光子能量〔eV。答：光子的能量計算公式為Eh hc波長=588.995nm=5.8899510-mh＝6.62610-3J≈3×8/，1eV=1.60210-1J則光子的能量〔eV〕計算如下：

J

5；S=2(M2S+1=5J=5，4，3，2，1，J

=0125……=1MJ

=0145FJ

的能級示意圖如以下圖：辨析原子軌道磁矩、電子自旋磁矩與原子核磁矩的概念。產(chǎn)生的磁矩。以下原子核中，哪些核沒有自旋角動量？12C6、19F9、31P15、16O8、1H1、14N7。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！答：12C16O沒有自旋角動量。6 8 分別在簡潔立方晶胞和面心立方晶胞中標(biāo)明〔001〔002〕和〔003〕并據(jù)此答復(fù)：干預(yù)指數(shù)表示的晶面上是否肯定有原子分布？為什么？〔001〔002〕和〔003〕面如以下圖左、中、右所示：〔001〕 〔002〕 〔003〕如上圖所示，晶面指數(shù)〔001〕表示的全部晶面上都有原子分布，而干預(yù)指〔003〕CD面心立方晶胞的〔001〔002〕和〔003〕面如以下圖左、中、右所示：〔001〕 〔002〕 〔003〕分布，而干預(yù)指數(shù)〔003〕CD所以，干預(yù)指數(shù)表示的晶面上不肯定有原子分布。某點陣a=3，b=2，=60∥ab試用圖解法求*與* 。110 210答：a=3b=2=60∥ab陣。為正點陣中〔110〕和〔210〕晶面的法向，倒易矢量模長分別為晶面間距d和110d的倒數(shù)。210∥abca、ba、b〔11〕和〔210〕晶面變成兩組平行直線，平行直線間dd。因此，只要依據(jù)條件畫出〔110〕和〔210〕晶面，就可110 210求出r*與r* 。110 210r*與r*是矢量，其模長r* 與r* 分別是d和d的倒數(shù)，作110 210 110 210 110 210d

d，r*

r*

需要計算。110

210

110

210axbyx3，y2。作圖時，2cm1，所做示意圖見以下圖。。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！答：依據(jù)晶帶定律〔方程，可推斷232110屬于1晶帶。二、補(bǔ)充習(xí)題11、10、100kV時，電子的波長各是多少？考慮相對論修正后又各是多少？V解：依據(jù)電子的波長〔nm〕V〔V〕的關(guān)系V

1.2251kV=1000V時，10kV=10000V時，100kV=100000V時，

1.225 1000100001.225 1000100001000001.225 100000V106 VV106 V210001000106 1002

1000010000106 10002

100kV

100000100000106 100002第三章粒子〔束〕與材料的相互作用一、教材習(xí)題 電子與固體作用產(chǎn)生多種粒子信號〔3-些是由電子激發(fā)產(chǎn)生的？3-3入射電子束與固體作用產(chǎn)生的放射現(xiàn)象IIII0 R A T入射電子；二次電子流IXIIS X E電子激發(fā)產(chǎn)生的。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！〔電子數(shù)〕衰減的現(xiàn)象。電子吸取只是能量衰減到不能逸出樣品，不是真的被“吸取”了。而光子吸取是因光子的能量與物質(zhì)中某兩個能級差相等而被吸取，光子被真的吸取了，轉(zhuǎn)化成了另外的能量。 XX射線比同樣能X光電子的深度也要大X光電子要逸出外表，必定要經(jīng)屢次碰撞散射而X光電子與俄歇電子的能量差不多，所以它們的逸出深度相當(dāng)。二、補(bǔ)充習(xí)題1、簡述電子與固體作用產(chǎn)生的信號及據(jù)此建立的主要分析方法?！矎椥员成⑸潆娮?，非彈性背散射電子X〔連續(xù)X射線，特征X射線，熒光X、外表元素放射等；建立的分析方法主要有：透射電子顯微鏡〔TEM，電子衍射分析ED，掃描電子顯微鏡〔簡稱“掃描電鏡SEM，電子探針X〔簡稱EPMA，俄歇電子能譜〔AES，電子能量損失譜〔EELS、電子背散射衍射〔EBSD〕等?；蛞粤斜硇问剑弘娮优c固體相互作用產(chǎn)生的信號及據(jù)此建立的主要分析方法電子與固體相互作用產(chǎn)生的主要信號電子與固體相互作用產(chǎn)生的主要信號二次電子建立的主要分析方法或儀器電子彈性散射電子非彈性散射電子SEMLEEDRHEEDTEMEBSDEELS掃描電鏡低能電子衍射反射式高能電子衍射透射電鏡〔含電子衍射〕電子背散射衍射電子能量損失譜如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！俄歇電子AES俄歇電子能譜EPMA電子探針，包括：特征X射線WDS波譜光子EDS能譜X射線的吸取X射線的吸取〔或由吸取引起〕元素離子、原子XRFCLESDX射線熒光陰極熒光電子受激解吸一、教材習(xí)題〔eV〕各在何種電磁波譜域內(nèi)？各與何種躍遷所需能量相適應(yīng)？1.2106~1.2102、6.2~1.、0.5~0.0、210-~410-。答1.2106~1.2102 X射線譜域，與原子內(nèi)層電子躍遷所需能量相對應(yīng)。6.2~1.7近紫外可見光譜域與原子或分子外層電子躍遷所需能量相對應(yīng)。0.5~0.02中紅外譜域，與分子振動能級躍遷所需能量相對應(yīng)。210-~410-7 能量相對應(yīng)?；蛘吡斜砣缦拢汗庾幽芰俊瞖V〕電磁波譜域?qū)?yīng)躍遷1.2106~1.2102X射線原子內(nèi)層電子躍遷6.2~1.7原子〔或分子〕外層電子躍遷0.5~0.02中紅外線分子振動能級躍遷210-~410-7分子轉(zhuǎn)動能級和電子自旋能級躍遷1、31S0—31D2、33P2—33D3、43S1—43P1。答：依據(jù)光譜選律推斷躍遷能否產(chǎn)生。光譜選律〔1〕主量子數(shù)變化n=0或任意正整數(shù)〔2〕總角量子數(shù)變化L=1〔3〕內(nèi)量子數(shù)變化=0，1〔但=0，＝0的躍遷是禁阻的〔4〕總自旋量子數(shù)的變化S=0。31S0—31P1 能產(chǎn)生躍遷，由于n=3-3=0，L=1-0=1，J=1-0=1，S=0-0=031S0—31D2 33P2—33D3 n=3-3=0L=2-1=1，J=3-2=1，S=1-1=0如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！43S—3P 3S是否正確？由于L≥SM2S+1L<SM2L+1，1 1 1M2L+1=20+1=143SM343S1 143S—43P躍遷不能產(chǎn)生。1 1答：分子能級躍遷的類型有電子能級躍遷、振動能級躍遷和轉(zhuǎn)動能級躍遷。紫外、可見光譜與紅外光譜的特點比照方下表：特點能級躍遷類型

紫外、可見光譜分子外層電子能級躍遷光譜屬于分子的電子光譜。

紅外光譜分子振動和轉(zhuǎn)動能級躍遷得光譜屬于分子的振動光譜或轉(zhuǎn)動光譜。遠(yuǎn)紅外區(qū)。所在電磁波譜域 紫外可見近紅外區(qū)由于分子外層電子的能級比較遷的同時也會引起分子的振吸取光譜特征上疊加了振動和轉(zhuǎn)動能級躍是帶狀光譜，其吸取帶〔峰〕較寬。

轉(zhuǎn)動光譜在遠(yuǎn)紅外區(qū)和微波區(qū)。由于分子振動能級比轉(zhuǎn)動能遷的同時也會引起轉(zhuǎn)動能級躍遷，光譜上疊加了轉(zhuǎn)動光譜，因此振動光譜〔動光譜或振轉(zhuǎn)光譜也是帶狀〔峰較電子光譜窄，且峰多、簡單。轉(zhuǎn)動能級躍遷引起的紅外吸取〔即轉(zhuǎn)動光譜則是線狀光譜，吸取峰〔線〕很窄。一般只在局部簡潔的氣態(tài)極性分子中才能觀看得到。 〔4eV〔固射線波長E=981.5eV，譜k

sph：32〔2-1Eb計算如下：X射線的能量也可用簡化的公式E(eV)=h=1.2410-6/(m)計算，XX如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！答：光電子光電子入射Xhv)特征X射線(hv)俄歇電子MK二、補(bǔ)充習(xí)題1、俄歇電子能譜圖與光電子能譜圖的表示方法有何不同？為什么？俄歇電子產(chǎn)率很低，背景強(qiáng)、信噪比小，一次譜不好確定俄歇電子的能量位用一次譜就能很清楚表示出來。2、簡述X射線與固體相互作用產(chǎn)生的主要信息及據(jù)此建立的主要分析方法。答：XX射線、非彈性XX射線、XXRDX線光電子能譜分析XPSXXAESX熒光光譜分析〔XRFXFS〕等?；蛘吡斜怼射線與固體物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的主要信息彈性散射X射線與固體物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的主要信息彈性散射X射線非彈性散射X射線X射線熒光X射線透射X射線光電子建立的主要分析方法X射線衍射分析〔XRD〕X射線熒光光譜分析〔XRF或XFS〕電子俄歇電子反沖電子X射線光電子能譜分析〔XPS〕X射線激發(fā)俄歇電子能譜分析〔XAES〕如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！其它其它熱能第四章材料現(xiàn)代分析測試方法概述一、教材習(xí)題4-11試為下述分析工作選擇你認(rèn)為恰當(dāng)?shù)摹惨环N或幾種〕分析方法Mn、S、P等元素的快速定量分析答：元素定量分析的方法很多，如化學(xué)分析、電感耦合等離子體放射光譜〔或叫原子熒光光度法，AFS、X〔XRFXFS〕等。由于XRFXRF進(jìn)展快速定量分析。假設(shè)是在線分析，度和精度不是很高。FeOFe2O3Fe3O4X射線衍射〔XRD〕區(qū)分；假設(shè)是薄晶中的細(xì)小晶粒，可用透射電鏡〔TEM〕中的電子衍射〔ED〕區(qū)分。由在氧化氣氛〔如空氣〕中加熱，它們的熱重曲線或差熱曲線特征不同，所以也可用熱重法〔TG〕或差熱分析〔DTA〕X射線光電子能譜〔XPS〕不常見，且測試價格較貴。Ag的點陣常數(shù)X射線衍射〔XRD〕儀法測定晶體的點陣常數(shù)是最便利、最快捷、最準(zhǔn)確、最廉價X射線照相法或衍射儀法，可用透射電鏡〔TEM〕中的電子衍射〔ED〕來測定其點陣常數(shù)。雖然中子衍射也可以測定點陣常數(shù)，但儀器難得、價格昂貴、結(jié)果也不是很準(zhǔn)確〔XRD。Y2O3中稀土雜質(zhì)元素養(yǎng)量分?jǐn)?shù)答：原子吸取光譜AAS，或電感耦合等離子體放射光譜ICP-AES，或如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！XXRF，或原子熒光光譜AFS。原子吸取光譜AAS〕是定的定量分析，但價格昂貴，一般分析試驗室沒有配置。X〔XRF〕AAS。原子熒光光譜〔AFS〕AAS的檢出限低、靈敏度高，但儀器不常見。砂金中含金量的檢測答：原子吸取光譜AAS，或電感耦合等離子體放射光譜ICP-AES，或X射線熒光光譜〔XRF，或化學(xué)分析等。砂金是指含金砂經(jīng)過分選后得到的礦XRFAAS或ICP-AESAFS分析雜質(zhì)元素的含量，以檢測含金量。黃金制品中含金量的無損檢測；答：制品大小適宜，可用電子探針〔EPMA，或帶波譜儀〔或能譜儀〕的掃描電鏡SEMX射線熒光光譜〔XRF破壞，如原子光譜〔AESAAS、AFS〕要制樣才能分析的方法不能承受。幾種高聚物組成之混合物的定性分析與定量分析答：定性分析：紅外光譜〔I，或核磁共振譜〔NMRI、NMR后，用IRNMRDTA等方法對各高聚物進(jìn)展定量分析。高聚物混合物的定定出來，有些高聚物要聯(lián)合承受多種方法〔如IR、NMR、UV-VISDTAMS〕綜合分析。定量也要依據(jù)高聚物的組成來選用適宜的方法。C8H10O〔UV-VIS。有機(jī)化合物的構(gòu)造分析，有的簡潔，有的簡單。一般狀況下，綜合應(yīng)用紅外光譜〔IR、紫外可見光譜〔UV-VIS、核磁共振〔NMR〕和質(zhì)譜〔MS〕這四種方法可解決絕大局部有機(jī)如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！〔粘度、顏色、折射率等，以及其它分析方法〔如XRD，對于結(jié)晶化合物。有〔如某些生物大分子，中草藥中的活性分子等。1m)答：一般應(yīng)用透射電鏡〔TEM〕中的選區(qū)電子衍射〔SAED〕就可以，但有X射線波譜儀或X射線能譜儀的TEMX射線衍射〔XRD〕不行，一是樣量太少，二是無法定位。(10))，[001]。的成像功SAED分別測定奧氏體和馬氏體的電子衍射把戲，經(jīng)指標(biāo)化后來驗證。答：X〔XRD?！财邸车臓幷摯穑弘娮犹结槨睧PMA，或帶波譜儀〔或能譜儀〕的掃描電鏡。首先用二〔或能譜儀K特征XK特X射線進(jìn)展面掃描，以爭論斷口晶界上微量元素銻的分布〔偏聚。淬火鋼中孿晶馬氏體與位錯馬氏體的形貌觀看答：透射電鏡〔TEM。TEM的獨特功能：在觀看形貌的同時，進(jìn)展晶體構(gòu)造哪些晶粒是位錯馬氏體，然后通過選區(qū)電子衍射〔SAED〕來確認(rèn)某個晶粒是孿晶馬氏體或位錯馬氏體。固體外表元素定性分析及定量分析答：對于導(dǎo)體、半導(dǎo)體樣品：X射線光電子能譜〔XPS，或俄歇電子能譜〔AES，或二次離子質(zhì)譜〔SIMS。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！對于絕緣體樣品：X射線光電子能譜〔XPS。或二次離子質(zhì)譜〔SIMS。俄歇電子能譜〔AES〕一般不適用于非導(dǎo)電固體樣品分析。某聚合物的價帶構(gòu)造分析答：紫外光電子能譜〔UPSX〔XPSUPS某半導(dǎo)體的外表能帶構(gòu)造測定。答：紫外光電子能譜UPSXXPS光譜UV-VIS，最好是紫外光電子能譜〔UPS。二、補(bǔ)充習(xí)題假設(shè)它是一種的尖晶石，你將如何測定它的構(gòu)造、組成和純度。參考答案：X射XX射線衍射圖，可以判定這種白色固體是否是一種的尖晶石，以及是否是純的尖晶石。假設(shè)樣品不純〔即混合物相樣品，那么還要測定尖晶石物相的純度〔即定量分析尖晶石的百分含量，鑒定出其它雜質(zhì)物相的種類。假設(shè)度的測定方法。樣品的化學(xué)成分〔元素種類及其含量〕X射線熒光光譜，或等離子體放射光譜、原子吸取光譜等其它化學(xué)成分分析方法測定。2、假設(shè)你承受水熱法制備TiO2納米管，最終你得到了一種白色固體，你將如何觀看它的形貌？如何測定它的顆粒尺寸、大小、構(gòu)造、組成和純度。參考答案：可用掃描電鏡〔SEM〕觀看顆粒形態(tài)、尺寸、大小及聚攏態(tài)特征；用透射電鏡〔TEM〕測定分散良好的樣品的顆粒形態(tài)、尺寸、大小、管狀顆粒的分布與TEM上的選區(qū)電子衍射〔SAED〕分析單根納米獲得納米管的晶格像，可以推斷納米管是空心的、還是實心的，是單壁或多壁，還可以進(jìn)一步分析納米管的微觀構(gòu)造與缺陷；用如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！上配置的波譜儀〔WDS〕或能譜儀〔EDS〕分析納米管的化學(xué)組成及化學(xué)純度。X射線衍射〔XRD〕分析粉體的物相組成〔金紅石型，或銳鈦礦型，或其它〕及物相純度、晶體構(gòu)造、晶粒度、結(jié)晶度等。析樣品的化學(xué)純度。可以觀看樣品的相變狀況，協(xié)作前面的分析結(jié)果進(jìn)展綜合分析。到了一種塊體材料，你將如何表征它的構(gòu)造？參考答案：用離子減薄儀或超薄切片機(jī)制備適宜的薄膜樣品，在透射電鏡〔TEM〕上制備的材料是否到達(dá)了納米級復(fù)合材料。固然也可結(jié)合其它分析測試方法綜合表征樣品的構(gòu)造：〔SEM物的顆粒大小與分布。也用原子力顯微鏡〔AFM〕觀看樣品的形貌及層狀硅酸鹽礦物的顆粒大小與分布。X〔XRDd00l表征插層及納米復(fù)合是否成功以及構(gòu)造狀況。用熱重法〔TG〕測定樣品的失重狀況，以表征樣品的熱穩(wěn)定性及填充物的多少。用差熱分析〔DTA〕或差示掃描量熱法〔DSC〕測定樣品的熱效應(yīng)，同樣第五章X一、教材習(xí)題5-2X射線照耀一個原子列〔一維晶體〔依據(jù)勞埃一維方程，一個原子列形成的衍射線構(gòu)成一系列共頂同如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！〕5-3辨析概念：X答：XX〔主要是電子〕時，傳播方向發(fā)生轉(zhuǎn)變的現(xiàn)象。X射線衍射：晶體中某方向散射X射線干預(yù)全都加強(qiáng)的結(jié)果，即衍射。X3 3 15-4某斜方晶體晶胞含有兩個同類原子，坐標(biāo)位置分別為：(1 1

，，1)和〔，4 4 4(100(110(211(221)4 2F2值。答：依據(jù)題意，可畫出二個同類原子的位置，如以下圖所示：假設(shè)將原子1/1/1/〕移動到原點000，則另一原子3/3/1〕的坐標(biāo)變?yōu)?1/2，1/2，1/2)，因此該晶體屬布拉菲點陣中的斜方體心點陣。對于體心點陣：KL偶數(shù)時；0，當(dāng)HKL奇數(shù)時或直接用兩個原子的坐標(biāo)計算：所以 F2=[1+(-h++2(100(221h++F2=0；(110(211h++F2=42。5-78〔0，0，01，101，10〔11〔0，1，1〔1，1，1〔3，3，1222222444444313〔133444444〔 ，原子散射因子為fFa最簡表達(dá)式，并據(jù)此說明構(gòu)造消光的概念。8(1/2,1/20(1/2,0,10,1/2,12(1/4,1/4,14(3/4,3/4,14(3/4,1/4,3(1/4,3/4,/(1/4,1/4,14面心立方點陣疊加而成的。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！或者直接計算，可得到同樣的結(jié)果：其中，F(xiàn)表示一個面心立方晶胞的反射振幅：f=ffF=4f(1a

aa a aF2=642hkh++≠n，h++=2(n+1)a a aF2=0微觀對稱要素引起的構(gòu)造消光。5-8無關(guān)；衍射線的強(qiáng)度則僅取決于晶胞中原子位置，而與晶胞外形及大小無答：不正確。X射線衍射的方向理論，衍射線在空不同，如入射X射線的波長不同，則衍射線在空間的方位不同，樣品吸取也會X射線衍射的強(qiáng)度理論，衍射線的強(qiáng)度與晶種類〔不同原子的散射因子和吸取因子不同、產(chǎn)生衍射的晶面的數(shù)量〔多重性因子、試驗溫度〔溫度因子X射線的波長〔與靶有關(guān)〕5-9CuK射〔K 0.154nm照耀Cu樣品Cu的點陣常數(shù)a=0.361nm，試分別用布拉格方程與厄瓦爾德圖解法求其〔200〕反射的角。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！解： k由布拉格方程求〔200〕反射的角依據(jù)布拉格方程2dsin 和立方晶系的晶面間距d HKLad

HKL

a ，有H2 H2 K2L2求反函數(shù)得 =25.28200厄瓦爾德圖解法求〔200〕反射的角s-s=R*0H2 H2 K2L2HKL

HKL

，R*a

HKL

HKLR*HKLR*200

036

H2 K2 H2 K2 L2a0a015nm220202①作OO*=s，ss=1〔

2cm0 0 01〕OO*〔2cm〕為半徑作球〔為簡化，只做一個圓就可以了；O*s-s0

=R*

HKL

半徑畫圓，與反射球的交點P即為〔200〕面的倒易點；的反射方向，。用ss0

2=50.6，因此=25.3二、補(bǔ)充習(xí)題12dHKLsi=中各參數(shù)的含義，以及該公式有哪些應(yīng)用？2dHKLsi=中，dHKL是干預(yù)指數(shù)為〔HKL〕的晶面的晶面是掠射角〔或叫布拉格角，或叫半衍射角X射〔衍射〕方向與〔HKL〕Xd、衍射方向和X射線波長如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！1〕X射線的波長和掠射角，可計算晶面間距d，從而分析晶2〕晶體構(gòu)造〔d〕X結(jié)合莫塞萊定律，可進(jìn)展化學(xué)成分〔元素〕分析。2X射線衍射方向的因素。胞的外形和大小或點陣常數(shù)X射線的波長、樣品化學(xué)成分〔樣品對入方法、狹縫寬度等〕等。3X射線衍射強(qiáng)度的因素。X射線衍射強(qiáng)度的因素主要有：樣品的成分和構(gòu)造〔晶胞中原子的種類和位置、晶粒的大小、結(jié)晶程度、晶格畸變等、入射X射線的波長和強(qiáng)、衍射時的溫度〔溫度因子、X射線的吸取性質(zhì)〔吸取因子、試驗條件〔儀器、衍射方法、樣品制備方法、電壓、電流、靶、濾波、狹縫寬度等〕等。4{100}的多重性因子是多為什么？〔或叫多重性因數(shù)〔組〕稱為等同晶面〔組。晶體中各〔HKL〕面的等同晶面〔組〕的數(shù)目稱為各自的多重性因子〔P。P值越大，即參與〔HKL〕衍射的等同晶面數(shù)越多，則HKL HKL對〔HKL〕衍射強(qiáng)度的奉獻(xiàn)越大。族的多重性因子變?yōu)?，這是由于晶體的對稱性發(fā)生了變化，即：立方系{100}6{100}的單形是四方柱，等同晶4第六章X教材習(xí)題：輻射2＝38Ag如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！H2K2 L2H2K2 L2〔111。由立方晶系晶面間距公式2d sin ，可得HKL

HKL

a 和布拉格方程3〕〔3Aga=4.0856=0.40856m試總結(jié)德拜法衍射把戲的背底來源，并提出一些防止和削減背底的措施?！?〕XX射線〔2〕〔3〕電壓不適當(dāng)，特征X〔4〕〔5〕X〔連續(xù)K輻射的干擾〕等?！?〕選擇適宜的靶材〔即選用適宜的入射X射線X射線，以降低衍射把戲背底，〔2〕X〔3〕適宜的狹縫寬度〔X射線強(qiáng)度的前提下，盡量減小狹縫寬度，X〔4〕XK輻射的干擾，等等。6-1〔示意圖1、2晶面衍射線，3、46-1答：由于攝照時未經(jīng)濾波，所以入射X射線是多種波長的混合射線〔以K和K2dsin＝〔〕KK射線為主，所以德拜相上21、背射區(qū)衍射線3是K23K引起的衍射線。 晶粒過大或過小對衍射峰形影響又如何？簡答：德拜法〔圓柱形樣品：假設(shè)顆粒過大，有些衍射線不連續(xù)甚至不消滅；假設(shè)如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！顆粒過小，衍射線變寬甚至呈彌散狀。衍射儀法〔板狀多晶樣品過大，有些衍射峰強(qiáng)度過大、峰高偏離真實值，而有些衍射峰強(qiáng)度變小甚至不消滅；假設(shè)顆粒過小，衍射峰變寬、峰高降低。詳答：粉末法〔包括照相法和衍射儀法，在不破壞樣品晶體構(gòu)造的狀況下，要求將樣品磨得格外細(xì)，以保證樣品中任何〔HKL〕晶面的個數(shù)都接近于一樣〔HKL〕晶面的強(qiáng)度進(jìn)展比較，但樣品的粒度應(yīng)掌握在適宜的范圍，一般250~350目?！不　巢贿B續(xù)，由于顆粒過大時，參與衍射的晶面數(shù)量有限，發(fā)生衍射的概率變小，衍射圓錐不連續(xù)，致使形成斷續(xù)的衍射線；顆粒過小會使德拜把戲中G2粒越小，存在的范圍越大。衍射儀法中，樣品為平板狀。假設(shè)為粉末壓制的樣品，假設(shè)晶粒為板狀〔片狀、層狀，在樣品壓制過程中，晶粒很簡潔擇優(yōu)取向，顆粒越大，擇優(yōu)取向越嚴(yán)峻，從而引起衍射強(qiáng)度偏離真實值，有些晶面的衍射峰強(qiáng)度很大，而有些晶面的衍射峰強(qiáng)度很小甚至消逝，所以要盡量磨細(xì)樣品并承受特別制樣方法〔如側(cè)裝法、背裝法、噴霧法、塑合法、壓濾法等〕以減小擇優(yōu)取向〔但有時，為了特別爭論的需要，如粘土礦物的鑒別，在制樣時有意使晶粒盡可能猛烈地?fù)駜?yōu)取向，如制成定向片，但顆粒過小會使衍射峰形變寬。假設(shè)過分追求顆粒細(xì)小，在研磨樣品時有可能會破壞樣品的晶強(qiáng)度變小甚至消逝。假設(shè)是多晶體的塊狀試樣，假設(shè)晶粒足夠細(xì)，將得到與粉末試樣相像的結(jié)果；假設(shè)晶粒過大，參與反射的晶面數(shù)量有限，會使有些衍射峰強(qiáng)度變小甚至不消滅；假設(shè)晶粒過小，衍射峰變寬、峰高降低?！捕蛲郀柕聢D解、衍射線記錄、衍射把戲、樣品吸取與衍射強(qiáng)度〔公式、衍射裝備及應(yīng)用等方面比較衍射儀法與德拜法的異同點。解：衍射儀法與德拜法的異同點比照于下表：如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！工程入射X射線樣品外形成相原理衍射線記錄衍射把戲

德拜法特征X射線，平行光少。厄瓦爾德圖解感光底片衍射弧對

多晶衍射儀法特征X射線，具有肯定的發(fā)散度多晶樣品，平板狀。樣品用量多，但現(xiàn)在已進(jìn)展了微量樣品衍射技術(shù)。厄瓦爾德圖解+聚焦原理〔計算機(jī)等〔I-2〕1樣品吸取

較小，其吸取與樣品半徑系數(shù)〔〕和掠射角〔〕有關(guān)。

吸取因子A

，與無關(guān)2衍射強(qiáng)度衍射裝備應(yīng)用

衍射弧線的黑度〔公式略差，只能得到估算值。德拜相機(jī)定性分析、物相定量分析〔誤差較大、晶體的點陣常數(shù)測定，固溶體爭論等。

衍射線的積分強(qiáng)度〔記數(shù)〕〔公式〕，定量性好。多晶衍射儀相定量分析，點陣常數(shù)的準(zhǔn)確測定，結(jié)晶度、晶粒度、晶格畸變測定，晶體定向，宏觀應(yīng)力分析等。第七章X一、教材習(xí)題A-TiO〔銳鈦礦〕與R-TiO〔金紅石〕混合物衍射把戲中兩相最強(qiáng)線強(qiáng)度2 2I2比ATiO2IRTiO

2解：設(shè)A-TiO〔銳鈦礦〕和R-TiO〔金紅石〕對剛玉〔-AlO

〕的K〔即參2 2 23比強(qiáng)度〕分別為KA和KR，依據(jù)教材中公式〔7-11〕可得AK KA 〔1〕AR KR設(shè)IA/R

I2ATiO2IRTiO

2IA/R

KAwA 〔2〕Rw由于樣品中只有兩相，所以

Rw w 1 〔3〕A R聯(lián)立解〔1〔2〕和〔3〕式，可得如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！w 1 〔4〕A 1 KAKRIA/Rw 1wR A

〔5〕

輻射〔=0.15406nm，查有關(guān)數(shù)據(jù)手冊，A-TiO1 2d=0.351nm衍射線，KA

101 2 110IA/R

I2ATiO2IRTiO

R和I

代入公式〔4，可得2將w代入公式〔5，可得A即，A-TiO〔銳鐵礦、R-TiO〔金紅石〕54%46%2 2備注備注：參比強(qiáng)度法為任意內(nèi)標(biāo)法的一種，是在K值法的根底上進(jìn)展起來的。PDF卡片索引中載有局部常見物相對剛玉〔-AlO〕的K〔卡片上為I/IcrMDI23jadeRIR，稱為該物相的參比強(qiáng)度。同一物相在不同數(shù)據(jù)手冊上的參比強(qiáng)度值可能不同，在數(shù)據(jù)庫里同一物相編號不同的PDF卡片中的參比強(qiáng)度cor算結(jié)果未必準(zhǔn)確。PDF卡片21-127〔R-TiO的I/Icor=3.0289-4921中銳鈦礦〔A-TiO〕I/Icor=5.42某淬火后低溫回火的碳鋼樣品，不含碳化物〔經(jīng)金相檢驗。A〔奧氏體〕中含碳1%，M〔馬氏體〕中含碳量極低。經(jīng)過衍射測得A 峰積分強(qiáng)度為2202.3〔任意單位M 峰積分強(qiáng)度為16.3。試計算該鋼中殘留奧氏體的體211〔FeK20℃。-Fea＝0.2866nm，a＝0.3571+0.004wc

為碳的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。caustenit，面心立方〕fM

f，有Af f 1 〔1〕A M按物相定量分析的根本依據(jù)Ij

BCVjj

BCf如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！I C fA A A 〔2〕I C fM M M聯(lián)立解〔1〕式和〔2〕式，得：fICfA MA IC IA M

1 1C C I IA1 A M 1GA M

〔3〕C I M IM A A式中G

A為強(qiáng)度因子。M假設(shè)不考慮碳含量的影響，查標(biāo)準(zhǔn)YB/T5338-2023XG

16.32一起代入式3，有：

M(211)

M(211)G也可計算：G也可計算：GX射線衍射測定方法中的重要參量。為計算G因子，必需知道馬氏體、奧氏體的單胞體積V〔洛倫茲偏振因子〕〔LP-MFGGG的計算精度，給剩余奧氏體的測定引進(jìn)了不行無視的誤差?！阅称撐腉因子的計算過程：依據(jù)C

1F 2P

2M〔105，有：j V20

HKL

HKL式中：V——單位晶胞的體積；0V、V——分別為馬氏體和奧氏體單位晶胞的體積；M AFHKL

2——〔HKL〕面的構(gòu)造因子；P ——〔HKL〕面的多重性因子；HKL(P-LPL如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！因子)，

1co22 112si2 cos

2si21si212hsi21si2e2Me2M

exp 〔教mK x 4a845-4hm是原子質(zhì)量，K是波爾茲曼常數(shù)，是某a條件：

)x 4T=20℃=293K鐵的特征溫度Fe

453K〔10；a＝0.2866nm；M奧氏體a

＝0.3571+0.004ww=1%

＝0.3571+0.00441%=0.3575〔nm；A c c A普朗克常數(shù)h60261034Js〔2；波爾茲曼常數(shù)K13801023JK1〔2；鐵的相對原子質(zhì)量mFe

585〔3，嚴(yán)格說來，應(yīng)當(dāng)用原子質(zhì)量；FeK輻射的波長=0.193728nm〔4；1立方晶系多重性因子P220

12，P211

24〔9；體心立方格子，當(dāng)H+K+L=偶數(shù)時，構(gòu)造因子F2 4f2，f為原子散射因子；面心立方格子，當(dāng)H、K、L全奇或全偶時，F(xiàn)2 16f2。M〔1〕V2MF2F2〔2〕

的計算的計算F 2M(211)sin先計算

6〔220〕面和奧氏體〔211〕面FefM(211)H2K2H2K2L2HKL

和f 。a

和布拉格方程2d

HKL

sin ，可得如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！fM(211)

f f由F 2A(220)P

16f2A(220)

，F(xiàn) 2M(211)

4f2 ，有M(211)PM(211)

的計算〔4〕 M(211)依據(jù)立方晶系d

HKL

aH2KH2K2L2

HKL

sin ，可得所以，(

M(211)

)11268522

2.0110〔5〕

e2MA68541685416852M

的計算試驗溫度T=20℃=293K和鐵的特征溫度 453K，有：Fe11，當(dāng)x=1.4時，(x)

)x=1.55時，

x 4 x 411x42依據(jù)e2M

212h212h21sinmKax4

e2MA 1e2MMG的計算〔7〕fA

的計算將GA220)

132〔3，可得：M(211)

M(211)即該鋼中殘留奧氏體的體積百分?jǐn)?shù)是19%。某立方晶系晶體德拜把戲中局部高角度線條數(shù)據(jù)如下表所列。試用H2+K2+L2si238H2+K2+L2si2380.9114如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！400.9563410.9761420.9980H2+K2+L2si2cos2〔=1-siH2+K2+L2si2cos2〔=1-si2〕380.91143.22850.0886400.95633.23370.0437410.97613.24050.0239420.99803.24360.00202=180，cos2=03.2437a0

=3.2437解法二設(shè)所用X射線為Cu靶的K 輻〔=0.15406nm則各線條對應(yīng)的點陣常1H2+K2+L2si2cos2〔=1-si2〕380.91140.49740.0886400.95630.49820.0437410.97610.49920.0239420.99800.49970.00200按上題數(shù)據(jù)，應(yīng)用最小二乘法〔以cos2為外推函數(shù)〕計算點陣常數(shù)值〔準(zhǔn)確4。解：以最小二乘法處理衍射測量數(shù)據(jù)〔見下表aa0

bcos2 中的之a(chǎn)0b，即為外推點陣常數(shù)值，b如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！0.49740.08860.49820.04370.49920.02390.49970.0020依據(jù)上表可計算：將以上數(shù)值代入公式：二、補(bǔ)充習(xí)題1、X〔點陣類型、晶胞外形與大小及各自的構(gòu)造基元等〕，因而具有各自的X各組成相的衍射把戲簡潔疊加而成，因此，物質(zhì)的X〔1〕制備待分析樣品〔2〕3〕PDF〔4〕PDF卡片與物相判定。〔1〕條件與PDF卡片試驗條件之異同；在定性分析過程中，以d值為主要依據(jù)，d分析物的化學(xué)、物理、力學(xué)性質(zhì)及其加工等各方面的資料信息〔3〕固溶體相的計算機(jī)自動檢索：可節(jié)約時間，但最終必需人工核查。2、化學(xué)分析說明，一種氫氧化鋁試樣中含有百分之幾的Fe3+雜質(zhì)。Fe3+離子將XRD〔分別的氫氧化鐵相存在A1(OH)3Al3+?！病撤謩e的氫氧化鐵相存在：粉末XRD〔b〕A1(OH)3Al3+：粉末XRD圖上氫氧化鋁某些衍射線的位置和如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！強(qiáng)度會發(fā)生變化。第九章掃描電子顯微分析與電子探針一、教材習(xí)題作一比較。〔如以下圖所示。因此，〔與電子束直徑相當(dāng)〕X射線像。通常所說的掃描電鏡的區(qū)分率是指二次電子像的區(qū)分率。入射電子產(chǎn)生的各種信息的深度和廣度范圍電子束散射區(qū)域外形〔梨形作用體積〕：1-入射電子；2-俄歇電子激發(fā)體積，信息深度〔0.5-2n；3；45-10nm；5發(fā)體積；6X重元素樣品的電子束散射區(qū)域外形〔半球形作用體積〕二次電子像的襯度和背散射電子像的襯度各有何特點？成分、電壓〔樣品局部電位、樣品中的磁疇〔第一類磁襯度，主要反映形貌襯度。背散射電子像的襯度特點：相對于二次電子像，景深小，立體感不強(qiáng)、區(qū)分〔成分襯度。試比較波譜儀和能譜儀在進(jìn)展微區(qū)化學(xué)成分分析時的優(yōu)缺點。波譜儀分析速度較慢，一般不適合作定性分析。

能譜儀分析速度快，可在幾分鐘內(nèi)分析和確定樣品中含有的幾乎全部的元素。4B-92U

一般分析4B-92U

11Na-92U適合定量分析，準(zhǔn)確度高。靈敏度較低，難以在低束流和低激發(fā)強(qiáng)度下使用。重復(fù)性較好。

適合定性分析和半定量分析，準(zhǔn)確度較高。現(xiàn)代能譜儀的定量分析準(zhǔn)確度也很高。靈敏度高，可以在低入射束流和低激發(fā)強(qiáng)度下使用。重復(fù)性好。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！波長區(qū)分率高，峰背比高。適宜分析外表平坦樣品。工作條件要求不太嚴(yán)格。

能量區(qū)分率低，峰背比低。平坦樣品、外表較粗糙的樣品均可分析。工作條件要求嚴(yán)格，探頭需在液氮溫度下保存和使用。為什么說電子探針是一種微區(qū)？答：電子探針分析時所激發(fā)的體積大小約為10m3左右，假設(shè)分析物的密度為二、補(bǔ)充習(xí)題體感很強(qiáng)，其緣由何在?〔相當(dāng)于點光源信號是可能被收集的；二次電子由于本身能量很低〔<50eV5~10kV的正電壓，就可使樣品上方的絕大局部二次電子都進(jìn)入檢測器，從而使樣品外表上無論是凹坑還是突起物的背向檢測器的局部顯示出來。2、要分析鋼中碳化物成分和基體中碳含量，應(yīng)選用什么儀器？為什么？XX〔或掃描電鏡鋼的基體和碳化物，而且可以用配置的波譜儀或能譜儀定點分析它們的化學(xué)成分，而其它儀器是很難或無法做到的。但在分析前，應(yīng)了解儀器所能分析元素的范圍，由于電子探針儀有兩種類型：波譜型或能譜型。一般狀況下，4Be-92U碳〔6C〕的波譜儀或能譜儀。器？怎樣操作？答：應(yīng)選用電子探針儀，或者是配置有波譜儀或能譜儀的掃描電鏡。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！學(xué)成分〔確定元素的種類和含量。同位分析？X射線波譜儀或能譜儀，就使掃描電鏡和透射電鏡具有電子探針儀的功能〔微區(qū)化學(xué)成分分析功能?！裁鲌鱿窕虬祱鱿褡V儀進(jìn)展點分析〔某點元素組成及含量、線分析〔某元素在選定方向上的分布狀況、面分析〔某元素在選定面上的分布狀況?！颤c、線、面〕在顯微成分分析中的應(yīng)用。并對其所含元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)進(jìn)展定量分析。例如，定點分析合金沉淀相和夾雜物的成分，以對其進(jìn)展鑒定；定點分析微細(xì)物相的化學(xué)成分等。線掃描分析：電子束沿樣品外表選定的直線軌跡掃描，進(jìn)展所含元素養(yǎng)量分熱處理的外表滲層組織進(jìn)展分析和測定等。X射線的到每一種化學(xué)成分像，爭論微細(xì)物相的化學(xué)組成，以確定是否屬于物相。第八章透射電子顯微分析一、教材習(xí)題8-1電子衍射分析的根本公式是在什么條件下導(dǎo)出的？公式中各項的含義是什么？Rd=Lnm2dsin衍射的2角很小〔一般為幾度，cos1、cos21，即入射電子束和衍射如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！衍射斑點矢量。R〔中心斑〕的距離mmd間距nm，為入射電子波長nm，Lmm。8-4單晶電子衍射把戲的標(biāo)定有哪幾種方法？9-2透射電子顯微鏡中物鏡和中間鏡各處在什么位置，起什么作用？影鏡供給衍射把戲或顯微像，實現(xiàn)衍射操作或成像操作。試比較光學(xué)顯微鏡成像和透射電子顯微鏡成像的異同點。大系統(tǒng)處理，構(gòu)成適合人眼觀看的放大像。它們的主要不同點比照方下表：比照的主要工程光學(xué)顯微鏡透射電子顯微鏡照明束可見光電子束聚焦裝置玻璃透鏡電磁透鏡放大倍數(shù)小，不行調(diào)大，可調(diào)區(qū)分本領(lǐng)低高晶體構(gòu)造分析不能能簡述選區(qū)衍射原理及操作步驟。答：選區(qū)電子衍射〔selected-arelectrodiffractoSAED〕原理：SAED〔物鏡衍射模式，即可獲得與所選區(qū)域相對應(yīng)的電子衍射譜。在物鏡像平面上插入選區(qū)光欄實現(xiàn)選區(qū)衍射的示意圖如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！選區(qū)衍射操作步驟：使選區(qū)光欄以下的透鏡系統(tǒng)聚焦 在選區(qū)成像模式下，插入選區(qū)光過中間鏡聚焦，在熒光屏上獲得清楚、明銳的光欄孔邊緣的像，此時中間鏡物平面與光欄所在平面重合。使物鏡準(zhǔn)確聚焦 鏡聚焦，使樣品的形貌圖像清楚顯示，此時3個平面——物鏡像平面、選區(qū)光欄平面、中間鏡物平面重合。。將透射電鏡置于衍射模式，通過中間鏡聚焦，使中心斑最細(xì)小、圓整。使其次9-7什么是明場像？什么是暗場像？〔衍射〕電子形成的像則稱為暗場像。試分析復(fù)型樣品的成像原理。為什么要以傾斜方向給復(fù)型答：復(fù)型樣品為非晶質(zhì)樣品，其成像原理為質(zhì)量厚度襯度原理〔成的襯度?！舱翦冎亟饘伲梢允勾植谕獗韽?fù)型的不同區(qū)域投影的重金屬的量不同，以增加質(zhì)量厚度襯度。什么是衍射襯度？它與質(zhì)厚襯度有什么區(qū)分？答：衍射襯度〔〕是指由于晶體對電子的衍射效應(yīng)而形成的襯度，而質(zhì)厚襯度是指由于樣品不同微區(qū)間存在原子序數(shù)或厚度的差異而形成的襯度。衍襯成像和質(zhì)厚襯度成像的一個重要差異是，在形成顯示質(zhì)厚襯度的暗場像時，可以利用任意的散射電子；而形成顯示衍射襯度的明場像或暗場像時，為獲得高襯度、高質(zhì)量的圖像〔同時也便于圖像襯度解釋是通過傾斜樣品臺獲得所謂“雙束條件，即在選區(qū)衍射譜上除強(qiáng)的直射束外只有一個強(qiáng)衍射束。二、補(bǔ)充習(xí)題1、簡述透射電鏡對分析樣品的要求。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！答：透射電鏡TEM〕〔1〕100~200nm〔2〕在電子〔3〕2、說明如何用透射電鏡觀看超細(xì)粉末的尺寸和形態(tài)？如何制備樣品？樣品制備的關(guān)鍵是如何將超細(xì)粉的顆粒分散開來，各自獨立而不團(tuán)聚。常用的方法主要有膠粉混合法和支持膜分散粉末法。網(wǎng)將方形膜撈出，待觀看。分析的粉末顆粒一般都遠(yuǎn)小于銅網(wǎng)小孔，因此在銅網(wǎng)上，再把粉末放在膜上送入電鏡分析。3、簡述用于透射電鏡分析的晶體薄膜樣品的制備步驟?！?〕100~200m〔2〕薄片上切取3mm〔3〕心區(qū)域減薄至數(shù)m〔4〕終減薄。4XX〔4-：衍射分析方法源信號〔入射束〕

X射線衍射 電子衍射〔TEM上〕X射線〔，10-1nm數(shù)量級〕電子〔波〕束〔10-3nm數(shù)量級〕技術(shù)根底〔入射束與樣品的作用〕樣品輻射深度輻射對樣品作用體積衍射角〔2〕衍射方位的描述構(gòu)造因子與消光規(guī)律

X射線被樣品中各原子核外電子彈性散射的相長干預(yù)固體〔一般為晶態(tài)〕幾m~m〔數(shù)量級〕0.1~0.5mm30~180°布拉格方程一樣

電子束被樣品中各原子核彈性散射的相長干預(yù)薄膜〔一般為晶態(tài)〕m〔數(shù)量級〕≈m30~3°布拉格方程一樣物相定性分析〔物相鑒定，微區(qū)晶體構(gòu)造分析與物相鑒應(yīng)用 物相定量分析點陣常數(shù)的精定晶體取向分析晶體缺陷確測定，晶體構(gòu)造分析，一、分析等如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！晶體取向測定準(zhǔn)確度晶體取向測定準(zhǔn)確度晶態(tài)構(gòu)造分析等。1° 約5°5、萃取復(fù)型可用來分析哪些組織構(gòu)造？得到什么信息？答：在使復(fù)型膜與樣品外表分別時，將樣品外表的欲分析的顆粒相抽取下來并粘附在復(fù)型膜上，這種復(fù)型叫做萃取復(fù)型。在萃取復(fù)型上，我們可以觀看樣品的外表形貌，觀看和分析復(fù)型中粘附顆粒的形態(tài)、大小及其在樣品中的分布狀況；利用透射電鏡中的選區(qū)電子衍射，可以對粘附顆粒進(jìn)展晶體構(gòu)造分析和物相鑒定，可以分析粘附顆粒的晶體取向；利用配置的X或能譜儀，可以分析粘附顆粒的化學(xué)成分〔元素種類及含量。第十章紫外、可見吸取光譜法一、教材習(xí)題12-1366nm處的摩爾吸取系數(shù)為2.75m-mol-1.5cm90%解：依據(jù)光吸取定律〔：A=-lT=bc式中，A為溶液的吸光度；T為溶液的透光率；為摩爾吸取系數(shù)〔Lcm-mol-；b〔cm；cmolL-。2.75m-mol-，b=1.5c，所以：T=10%c

lgT lg0.1b

T=90%c

lgT

b 2.75(Lcm1mol

0.011molL-~0.24molL-二、補(bǔ)充習(xí)題1、簡述紫外可見吸取光譜〔電子光譜〕吸取譜帶的類型？答：紫外可見吸取光譜〔電子光譜〕吸取譜帶的類型主要有：〔1〕含、和n電子的吸取譜帶有-*n-*n-**4〔2〕含dfddf〔3〕電荷轉(zhuǎn)移吸取譜帶。如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！2躍遷光譜的異同？d-df-〔晶體場f軌道屬于較內(nèi)層的軌道，由于外層軌道的屏蔽作用，使ff電峰。3、簡述光吸取定律〔〕及其應(yīng)用。Ibc0〔透過率〕T(%)表示為T I，吸光度A定義I

IA lgTlg0

。吸光度〔A〕與吸取層0 IA=abcac〔molLbcm〕a〔Lcm-mol-，此A=bc朗白-比耳定律描述了物質(zhì)對單色光吸取程度與吸取層厚度和待測物濃度的量分析。第十一章紅外吸取光譜分析法一、教材習(xí)題12k/12-4CO2170cm-1有一吸取峰，計算CO的鍵力常數(shù)。解：雙原子分子振動的基頻的頻率公式〔12k/〔1〕式中，是分子的振動頻率-；k〔Ncm-；是分子mm的折合質(zhì)量，

1 2 ，m、mm m 1 21 2

是組成分子的兩個原子的質(zhì)量k。在紅外光譜中，通常用波數(shù)表示波長。波數(shù)與波長、頻如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！c由〔1〕式和〔2〕式可得：

1 〔2〕c1 1 2c假設(shè)折合質(zhì)量以相對原子質(zhì)量〔單位為單位，光速=31010cm/，代入公式3，則kMkM式中M為折合原子量，M1

M1M2 ，M、MM M 1 21 2

分別為兩原子的原子量，1307

N105，N〔6.0231023mo-。2c〔同學(xué)們的作業(yè)，只要求以下局部〕=16C OkMkMNcm-1二、補(bǔ)充習(xí)題1、簡述紅外吸取光譜〔振動光譜〕選擇定則。答：在振動過程中，分子電偶極距發(fā)生轉(zhuǎn)變的振動才能吸取紅外光子的能量，產(chǎn)這就是紅外躍遷的選擇定則〔選律，即紅外吸取光譜〔振動光譜〕的選擇定則。2、簡述多原子分子的簡正振動類型?！步钦駝臃譃槊鎯?nèi)彎曲振動和面外彎曲振動。3、簡述氫鍵對紅外吸取帶位置的影響答：當(dāng)分子中有O、N、F等原子時能形成氫鍵，氫鍵的形成往往使基團(tuán)的吸取如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！頻率降低，譜峰變寬。如含-OH的化合物在低濃度時，伸縮振動的峰位在峰變寬。4、氯仿〔CHCl〕分子的振動自由度〔振動模式〕是多少？3答：氯仿〔三氯化碳，CHCl〕535-6=93個振動自由度。5〔CHClCH3000cm1〔CDCl〕3 312kCD〔相關(guān)原子質(zhì)量：1H=1.6741027kg2H=3.3451027k12C=1.9931026k12k解：依據(jù)可得

〔教材1-1、 c〔教材1-〕和

1〔波數(shù)的定義〕C-HC-D振動波數(shù)與它們折合質(zhì)量的平方根成反比

3此題也可用相對原子質(zhì)量來計算：第十二章電子能譜分析法教材習(xí)題：X譜進(jìn)展分析工作？產(chǎn)生大量的背散射電子和二次電子，而俄歇電子的產(chǎn)率很低，因此俄歇譜信噪比〔峰背比〕低，所以，俄歇電子能譜分析一般承受微分譜。X線光電子的產(chǎn)率較高，信噪比〔峰背比〕高，譜峰強(qiáng)度大，因此X射線光電子譜法只承受直接譜進(jìn)展分析工作。HHe？X呢？HHe如對你有幫助，請購置下載打賞，感謝！HHeXHHe為什么紫外光電子能譜法不適于進(jìn)展元素定性分析工作？〔元素UPS不適于進(jìn)展元素定性分析工作。AESXPSUPS分析法應(yīng)用范圍與特點。AESXPSUPS分析法應(yīng)用范圍與特點列于下表：分析分析析爭論分析

AES以外的全部元素一般用于Z〔原子序數(shù)〕<33的元素。XPS差，相對靈敏XPS相近，分析速度較XPS快構(gòu)造定性分析[確定元素的化于何種化合物中〔常與XPS結(jié)合分析〕]〔EAES分析，深度剖析；2．外表構(gòu)造定性分析與外表

XPSHHe以外的全部元素Z大之重元素。相對靈敏度不高〔只能測樣品w>0.1%〔痕量分析〕學(xué)狀態(tài)〔環(huán)境〔AE