半導體存儲行業(yè)深度：數(shù)據(jù)量增長驅(qū)動存儲升級產(chǎn)業(yè)鏈迎國產(chǎn)化機遇

內(nèi)容目錄TOC\o"1-2"\h\z\u半導體存儲 6半導體存儲：數(shù)據(jù)的蓄水池 6未來存儲將向高密度、大容量方向發(fā)展 9存儲產(chǎn)業(yè)：周期與成長并存 14存儲格局：準入門檻不斷提升，上游原廠高度集中 14存儲現(xiàn)狀：價格觸底，周期底部拉長 15存儲機遇：下游應用場景智能化 18上游存儲芯片-存儲功能實現(xiàn)的基石 21主流DRAM與NAND高度集中 21下游應用多樣化，利基存儲迎增量市場 23設計與IDM共同推進，國產(chǎn)內(nèi)存顆粒廠商加速發(fā)展 24下游存儲模組-存儲與終端的橋梁 26MANDFlash模組-SSD與嵌入式存儲為主要應用形式 26DRAM模組：服務器為主要增長來源 29穩(wěn)定與利潤并存的行業(yè)級市場：以宜鼎國際為例 30模組側配套芯片-存儲功能實現(xiàn)的核心 32NANDFlash模組主控芯片 32DRAM模組配套芯片 34相關公司 35深科技（000021.SZ） 35兆易創(chuàng)新（603986.SH） 36北京君正（300223.SZ） 37東芯股份（688110.SH） 39普冉股份（688766.SH） 40憶恒創(chuàng)源（非上市公司） 41江波龍（301038.SZ) 42佰維存儲（688525.SH） 43聯(lián)蕓科技（非上市公司） 44得一微（非上市公司） 45瀾起科技（688008.SH） 46投資建議 48風險提示 49下游需求波動風險 49市場競爭風險 49原材料采購的風險 49圖表目錄圖存儲產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場空間、國內(nèi)發(fā)展機遇總結 6圖全球存儲芯片市場規(guī)模（億美元） 7圖全球存儲芯片銷售額占半導體銷售額的比例（） 7圖存儲分類 7圖NAND與DRAM營收情況 8圖存儲產(chǎn)業(yè)鏈結構 9圖存儲向高密度方向發(fā)展 9圖NAND結構優(yōu)化（以美光為例） 10圖3DNAND向多層數(shù)發(fā)展 10圖DDR5使得內(nèi)核數(shù)量增加后每個核帶寬保持不變 11圖DRAM制程不斷微縮 11圖2022-2028DRAM出貨產(chǎn)品結構中DDR5占比提升 12圖存儲封裝向基于TSV和混合鍵合的方向發(fā)展 12圖HBM突破存儲瓶頸 13圖HBM市場（2023）概況 13圖儲芯片的波動大于半導體整體行業(yè) 14圖全球存儲市場集中度與進入門檻不斷提升 15圖全球存儲當前周期情況 16圖2020-2023年全球服務器整機出貨量及預測（單位：千臺） 17圖全球存儲市場收入預測 18圖隨數(shù)據(jù)量增加服務器單位存儲器用量增加 19圖AI帶來數(shù)據(jù)量上升推動內(nèi)存需求 19圖NAND\DRAM數(shù)據(jù)中心應用市場（億美金） 19圖21-27年汽車存儲市場分布（按存儲類型） 20圖21-27年汽車存儲技術發(fā)展 20圖2022-2027全球DRAM收入與增速(單位：十億美元，) 21圖1Q23DRAM晶圓市場份額 21圖2022-2027全球NAND收入與增速(單位：十億美元，) 21圖1Q23NANDFlash晶圓市場份額 21圖全球存儲的產(chǎn)能分布情況 22圖2022-2024全球內(nèi)存供應情況（按廠商，百萬GB） 22圖2022-2024全球內(nèi)存晶圓產(chǎn)出量（千片） 22圖利基存儲的概況 23圖利基存儲競爭格局 23圖全球內(nèi)存市場分布（按區(qū)域） 24圖中國存儲產(chǎn)業(yè)鏈 24圖中國晶圓制造設備供應商 25圖企業(yè)級SSD結構 26圖企業(yè)級SSD與消費級SSD對比 26圖22-28年企業(yè)級SSD與消費級SSD市場增量 27圖SSD產(chǎn)業(yè)鏈概況與模組廠商競爭要素 27圖21-26中國數(shù)據(jù)中心IT基礎架構市場（百萬美元、） 28圖中國2021年企業(yè)級SSD市場格局 28圖eMMC和UFS市場中的各應用領域出貨占比 29圖eMMC&UFS的供應商市場占比 29圖內(nèi)存模組示意圖 29圖內(nèi)存模組示意圖 30圖宜鼎毛利率高于同行 31圖存儲器控制芯片功能示意圖 32圖20-25年全球SSD主控芯片出貨量情況 32圖消費級SSD存儲控制芯片市場情況 32圖SSD主控芯片產(chǎn)業(yè)鏈市場份額 33圖企業(yè)級產(chǎn)品毛利率較高（聯(lián)蕓科技為例） 34圖內(nèi)存接口芯片示意圖 34圖2021-2028內(nèi)存模組配套芯片市場空間（億美元） 35圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 35圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 35圖公司存儲半導體業(yè)務構成 36圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 36圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 36圖主要產(chǎn)品布局 37圖公司歷史沿革 37圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 38圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 38圖“計算+存儲+模擬”的產(chǎn)品戰(zhàn)略 38圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 39圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 39圖公司產(chǎn)品進展 39圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 40圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 40圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 41圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 41圖公司產(chǎn)品迭代歷程 41圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 42圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 42圖公司布局 42圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 43圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 43圖公司布局 44圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 44圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品或服務營收結構（） 44圖公司未來布局及項目規(guī)劃 45圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 45圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 45圖得一微存儲控制芯片業(yè)務產(chǎn)品布局 46圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 47圖公司近五年業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 47圖公司所處產(chǎn)業(yè)鏈結構及部分下游合作伙伴 47表主要存儲芯片對比 8表1Q23全球DRAM廠商自有品牌內(nèi)存營收排名 16表1Q23全球NANDFlash品牌廠商營收排名 17表2Q23DRAM及NANDFlash產(chǎn)品價格跌幅預測更新 17表2021年全球前十大SSD模組廠自有品于SSD渠道市場出貨市占率排名 28表行業(yè)級SSD需要滿足不同細分場景的需求 30表消費級、工業(yè)及企業(yè)級SSD主控芯片對比，以PCIeGen4x4為例 33表公司NORFlash和EEPROM產(chǎn)品的應用領域 40表重點公司一覽表 48半導體存儲半導體存儲：數(shù)據(jù)的蓄水池存儲器是指利用磁性材料或半導體等材料作為介質(zhì)進行信息存儲的器件（WSTS）數(shù)據(jù)，20224744.02規(guī)模為1297.67億美元，約占集成電路產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模的22.6，與邏輯芯片共同構成集成電路產(chǎn)業(yè)的兩大支柱。圖1：存儲產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場空間、國內(nèi)發(fā)展機遇總結資料來源：各公司公告，IDC，Yole，CFM閃存市場，圖全球存儲芯片市場規(guī)模（億美元） 圖全球存儲芯片銷售額占半導體銷售額的比例（）資料來源：WSTS， 資料來源：WSTS，易失性存儲又可分為動態(tài)隨機存儲（DRAM）和靜態(tài)隨機存儲（SRAM）DRAM具備集成度高、低功耗、低成本、體積小等顯著優(yōu)勢，通常用于智能手機及服務NANDFLASHNORFLASHNANDSSD、eMMC/EMCP、UNOR圖4：存儲分類資料來源：公司公告，公司官網(wǎng)，CPU57RAM需要維持通電以臨時保存數(shù)據(jù)供主系統(tǒng)CPU讀寫和處理由于RAM可以實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的高速讀寫，可作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。在此基礎上，RAM（SRAM）SRAM圖5：NAND與DRAM營收情況資料來源：IDC，非易失性存儲主要指只讀存儲器（ROM），無需持續(xù)通電亦能長久保存數(shù)據(jù)的存儲器占存儲市場的43ROM包括掩膜只讀存儲（MaskROM）可編程只（EPROM）（EEPROM）（Flash）FlashNANDFlash和NORFlash。NANDFlash（占40）是一種半導體單元串置,寫入速度很快。由于其小型化和大容量化,NANDFlashNOR表1：主要存儲芯片對比DRAMNANDFlashNORFlash市場份額（2022年）57402當前制程12/14nm16/15nm55/45nm易失性易失性非易失性非易失性讀取速度極快低速高速寫入速度極快（無擦除）高速（4ms）低速（5s）壽命理論無限，一般5年百萬次十萬次容量低MB/GB高GB/TB中MB/GB終端應用智能手機、服務器SSD、eMMC/EMCP、U盤智能穿戴、汽車電子、AMOLED資料來源：TrendForce、存儲產(chǎn)業(yè)鏈包括存儲顆粒制造環(huán)節(jié)（晶圓廠+設計公司）、存儲應用環(huán)節(jié)（模組廠+主控芯片半導體存儲器由于布圖設計與晶圓制造的技術結合更為IDMDRAMNAND圖6：存儲產(chǎn)業(yè)鏈結構資料來源：CFM閃存市場，在終端產(chǎn)品上，存儲原廠聚焦大宗市場，存儲模組廠商則聚焦客制化細分市場。存儲原廠憑借晶圓優(yōu)勢向下游存儲產(chǎn)品領域滲透，以晶圓的創(chuàng)新設計與制程提升聚焦于具有大宗數(shù)據(jù)存儲需求的行業(yè)和客戶（如智能手機、個人電腦及服務器行業(yè)的頭部客戶）。而對于產(chǎn)品差異化較大需客制化的長尾細分行業(yè)市場（如工業(yè)控制、商用設備、汽車電子、網(wǎng)絡通信設備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等）以及主流應用市場中小客戶，則由獨立的存儲模組廠商進行開拓。未來存儲將向高密度、大容量方向發(fā)展從平面到4D，NAND存儲密度不斷提升提高存儲單元的可存儲數(shù)位（bit）3DNANDFlashFlashSingleLevelCell(SLC1bit、MultiLevelCell(MLC)對2bit、TripleLevelCell(TLC3bitQuadrupleLevelCell(QLC)對應4bit2D帶來擦寫次數(shù)減少、可靠性降低和單元間干涉現(xiàn)象嚴重等問題，3DNAND3DNAND（Cell）之間的干擾影響，提高了單元自身的圖7：存儲向高密度方向發(fā)展資料來源：海力士，為提升性能和容量，3DNANDFG以美3DNANDRGNAND(SiN3DNAND圖8：NAND結構優(yōu)化（以美光為例）資料來源：美光，3DNAND為閃存市場主流產(chǎn)品，22年應用占比超80，隨存儲密度要求提升層數(shù)增加20133DNAND20154864201996202012820211762022232SK200Yole128層NAND232層NAND圖9：3DNAND向多層數(shù)發(fā)展資料來源：CFM閃存市場、Yole，從1X到1Z，DRAM制程不斷縮小DRAMDRAMDDR/LPDDR/GDDR（Legacy/SDR）DRAM，其中DDR(DDRSDRAMDRAMSDRAMDDRCPUDDR寬（Bandwidth）及功耗要求不斷提升，DDRDDR5。相比DDR4，DDR5圖10：DDR5使得內(nèi)核數(shù)量增加后每個核帶寬保持不變資料來源：美光，DDR。每個節(jié)點級數(shù)都代表芯片中晶體管和電容器的最小組件縮小，1420nm(4GbDDR3DRAMDRAM1Xnm(16nm-19nm1Ynm(14nm-16nm)到1Znm（12-14nm，DDR4X/5LPDDR4X/5)；221βDRAMLPDDR5X效率提升15在此基礎上硅通技術可實現(xiàn)DRAMDDR5TSV816GBDRAMDDR5512GB。圖11：DRAM制程不斷微縮資料來源：CFM閃存市場，預計未來5年數(shù)據(jù)中心對DRAM的需求復合增速將超30，DDR5作為高性價比的DRAMYoleIDC23PC、AI算需求增加，未來五年，DRAMDDR560。盡管HBM（HighBandwidthMemory）在高度并行計算、計算機視覺、AI圖12：2022-2028DRAM出貨產(chǎn)品結構中DDR5占比提升資料來源：CFM閃存市場，“內(nèi)存墻”的限制將促進TSV(硅通孔)、混合鍵合為基礎的先進內(nèi)存封裝技術2620HBM（高帶寬存儲器，HighBandwidthMemory）為代表的Yole2026198億美元其中TSV混合鍵合等先進封裝技術占比將由2020年不到5增至約18。圖13：存儲封裝向基于TSV和混合鍵合的方向發(fā)展資料來源：Yole，AMD，根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù)，高端GPU需求提升將拉動HBM23年需求量增加58，24年將再增加30HBM是利用TSV和熱壓鍵合等技術將DRAM芯片進行堆疊并與GPU一起封裝以實現(xiàn)更高的傳輸帶寬的新型內(nèi)存封裝形式。從傳輸位寬來看，通過該DRAM128bits4DRAMbits1024GPU4HBM4096bitsGDDR516512bits圖14：HBM突破存儲瓶頸資料來源：AMD，根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù)，HBM市場被海力士(占53)三星(占38)和美光(占9)三大內(nèi)存原廠占據(jù)。2014AMDHBM，隨后HBM2HBM2EHBM3Die412HBMHBM3HBM-PIM(存HBM2E21NVIDIAGPUH100、A100HBM2eHBM3HBMAIGPU圖15：HBM市場（2023）概況資料來源：Trendforce，存儲產(chǎn)業(yè)：周期與成長并存存儲格局：準入門檻不斷提升，上游原廠高度集中存儲芯片的周期性明顯，波動大于半導體整體行業(yè)。全球半導體是螺旋演進的周2000PC0204PC、筆記本需求拉動存儲芯片景氣上行；093G13144G視頻流量興起：16183264儲芯片銷售額同比增長61.5。2018下半年到2020年上半年，手機銷量疲32.6。疫情與供應鏈本土化：20202021PC圖16：儲芯片的波動大于半導體整體行業(yè)資料來源：WSTS，DRAM產(chǎn)品偏標準化使得其具備了大宗商品屬性行業(yè)經(jīng)歷整合后CR3達90左右。當需求下降時，一方面廠商試圖通過大幅降低價格來獲得市占率，另一方面晶圓廠需要滿負荷運行已分攤固定成本（包括折舊）很高；因此當需求放緩時，會導201295年前十大DRAM廠商占據(jù)了約80的市場份額到13年美光科技三星和SK海力士占據(jù)了90以上的市場份額，期間由于終端應用需求下降、匯率變化及資本投入受限等因素使得奇夢達、爾必達相繼破產(chǎn)，行業(yè)整合形成了高度集中的格局。圖全球存儲市場集中度與進入門檻不斷提升資料來源：IDC，McKinsey，在行業(yè)整合階段，由于工藝節(jié)點提升帶來的準入門檻提升使得行業(yè)鮮有新進入者。工藝節(jié)點的縮小使得晶圓廠和工藝開發(fā)成本每年飆升13以上，建造一座新晶圓廠的成本在百億美元量級，需要國家和社會資本的大力支持。此外，內(nèi)存bitsASP，因此對技術要求提出了較多的挑戰(zhàn)。存儲現(xiàn)狀：價格觸底，周期底部拉長COVID-1920-2122圖18：全球存儲當前周期情況資料來源：IDC，1Q23全球DRAM收入規(guī)模環(huán)比減少21.2。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，1Q23DRAM產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入約96.6億美元環(huán)比減少21.2已經(jīng)連續(xù)三個季度下降目前由于DRAM2Q231Q234Q22QoQ1Q231Q234Q22QoQ1Q234Q221Samsung41705540-24.743.245.22Micron27222829-3.828.223.13SKhynix23123386-31.723.927.64Nanya211254-16.72.22.15Winbond95104-8.81.00.86PSMC2023-12.30.20.2Others133133-0.41.31.0Total966312269-21.2100100排名 公司 營業(yè)收入（百萬美元） 市場份額 資料來源：TrendForce，1Q23全球NANDFlah收入規(guī)環(huán)比減少16.1據(jù)TredFoce據(jù)1Q23NANDFlash產(chǎn)業(yè)規(guī)模約86.3億美元，環(huán)比減少16.1；主要由于第一季度NANDFlash1Q23NANDFlash2.1，而平均銷售單價（ASP）環(huán)比減少15。TrendForce預計2Q23位元出貨量環(huán)比增長5.2，但ASP將持續(xù)下跌，因此預計2Q23NANDFlash產(chǎn)業(yè)7.91Q23QoQ1Q234Q221Q23QoQ1Q234Q221Samsung2930.0-15.834.033.82Kioxia1851.4-5.921.519.13SKGroup(SKhynix+Solidigm)1315.5-24.815.317.04WDC1307.0-21.115.216.15Micron885.0-19.810.310.7Others337.14.23.93.1Total8626.1-16.1100100排名 公司 營業(yè)收入（百萬美元） 市場份額 資料來源：TrendForce，2Q23TrendForce預期及庫存壓力持續(xù)，DRAMNANDFlash2Q23均價季度跌幅有擴大趨勢，預計DRAM擴大至13-18，NANDFlash擴大至8-13。其中，DRAM價格跌幅擴大的主要原因是DDR4與LPDDR5的庫存過高；NANDFlash價格跌幅擴大的主要原因是市場供過于求的狀況仍未改善，EnterpriseSSD、UFS表4：2Q23DRAM及NANDFlash產(chǎn)品價格跌幅預測更新產(chǎn)品 更新預估值 原預估值DRAM

PCDRAMServer

DDR4:down15-20DDR5:down13-18BlendedASP:down15-20DDR4:down18-23DDR5:down13-18BlendedASP:down15-20

DDR4:down8-13DDR5:down10-15BlendedASP:down10-15DDR4:down13-18DDR5:down15-20BlendedASP:down13-18NANDFlash

MobileDRAM down13-18down10-15TotalDRAM down13-18 down10-15UFS down10-15 down8-13EnterpriseSSD down10-15down8-13TotalNANDFlash down8-13 down5-10資料來源：TrendForce，預計23年全球服務器出貨量同比減少2.85服務器占比約10對行業(yè)整體拉TrendForce云服務提供商陸續(xù)下調(diào)采購量，DellHPEOEM年全年服務器整機出貨量將下修至1383.5萬臺同比減少2.85雖然ChatBOT等將帶動AI服務器出貨量預計23年AI服務器出貨量將同比增長超過10但是由于目前AI服務器占整體服務器出貨比例不到10故無法反轉整體疲弱態(tài)勢。圖19：2020-2023年全球服務器整機出貨量及預測（單位：千臺）資料來源：TrendForce，23IDCDRAMNAND（sufficiencyNANDFlash221030產(chǎn)量美光削減20綜合產(chǎn)量海力士圍繞受益較低的產(chǎn)品線減產(chǎn)三星DDR43-6圖20：全球存儲市場收入預測資料來源：IDC，存儲機遇：下游應用場景智能化NAND3DRAM2DRAMNAND圖21：隨數(shù)據(jù)量增加服務器單位存儲器用量增加資料來源：美光科技，AINAND\DRAM20301800AIIDC2022NAND6Gb202717.6Gb，復增速達20.DRAM服器需從21年62億b到140億G202-207年復合增速達14.5服務器端將超越手機端成為DRAM的第一大市場根據(jù)美光預計，NAND\DRAM市場2030年有望超1800億美金，近10年復合增速約14。圖帶來數(shù)據(jù)量上升推動內(nèi)存需求 圖數(shù)據(jù)中心應用市場（億美金） 資料來源：美光， 資料來源：美光，在汽車智能化驅(qū)動下，21-27年汽車存儲需求復合年增長率約為20在汽車智25DRAMNAND34Yole21-2743元增加至125億美元，對應復合增速為20。盡管汽車存儲市場占存儲市場不到5其增速遠超行業(yè)平均增速美光為最大供應商年市場份額為45三星占13，英飛凌、鎧俠、SK海力士、ISSI均落后于三星，市場份額≤7。圖24：21-27年汽車存儲市場分布（按存儲類型）資料來源：Yole，NOR(15)DRAM(39)和NAND(41)為主要汽車存儲應用形式美光市占率最高，21年占比達4521年汽車內(nèi)存市場以NAND和DRAM為主合計占比80占15市場空間大7億美元目前汽車存儲主要應用在信息娛樂單元儀表盤和連接功能的駕駛艙，而輔助與自動駕駛應用占比為24。隨著自動駕駛程度提升，DRAMNORFlashSLCNAND27年，ADAS&AD的收入份額將增加至36，DRAM和NAND占比近90。圖25：21-27年汽車存儲技術發(fā)展資料來源：Yole，ECUADAS智能傳感器和自動駕駛功能的普及，DRAMLPDDR5(xeMMCUFSPCIe固態(tài)硬盤(SSD)發(fā)展。而前置攝像頭、成像雷達、激光雷達等智能傳感NOR閃存（(Q)SPI至xSPI）和DRAM(DDR3LLPDDR4)。自動駕駛需要采用中央處理和人工智能，需要存儲大量代碼和數(shù)據(jù)，對應eMMCUFS64GB400GB/sSIPDRAMPCB上游存儲芯片-存儲功能實現(xiàn)的基石主流DRAM與NAND高度集中DRAM市場集中度高，前三大廠商市占率超95。自2012年以來，內(nèi)存行業(yè)不斷整合從95年前十大DRAM廠商占據(jù)了約80的市場份額到13年后美光科技三星和SK海力士占據(jù)了90以上的市場份額根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)DRAM前三大廠商合計市占率95.3，其中三星位列第一，市占率43.2；SK海力士位二，市占率23.9；美光位列第三，市占率28.2，三巨頭保持壟斷地位。圖全球DRAM收入與增速(單位：十億美元，) 圖DRAM晶圓市場份額資料來源：IDC， 資料來源：Tendforce，DRAMIDC年DRAM應用市場收入情況看手機占比36服務器占比19其他應用占比35；未來預計隨數(shù)據(jù)量提升，27年服務器占比為20，以汽車、物聯(lián)網(wǎng)為代表的其他應用需求收入占比增至39。圖全球NAND收入與增速(單位：十億美元，) 圖Flash晶圓市場份額資料來源：IDC， 資料來源：Trendforce，NANDFlash前六大公司占市場份額98，下游應用主要是SSD。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)年NAND前五大公司的市占率合計為96其中三星以33.9的市占率位列第一鎧俠占21.5位列第二海力士以14位列第三海力士以11的市占列第四位NANDFlashSSDIDC年DRAM應用市場收入情況看，手機占比33，SSD占比52，其他應用占比14；未來預計企業(yè)市場（包括服務器和存儲附加驅(qū)動器）將推動SSD需求，27年SSD占比將增至67。23年原廠資本開支下調(diào)產(chǎn)能釋放減緩，遠期全球存儲產(chǎn)能還將增加ICinsights數(shù)據(jù)預計23年存儲公司整體資本開支將減少19以上根據(jù)CFM閃存P3NANDFlash/Fab722P424P3DRAM23SKDRAM25圖30：全球存儲的產(chǎn)能分布情況資料來源：CFM閃存市場，盡管全球23年DRAM晶圓出貨量下降后24年增加有限，國產(chǎn)供應商出貨量持續(xù)提升。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，從22年年底開始原廠控制晶圓產(chǎn)出量，供給端逐步優(yōu)化，預計23-24年晶圓出貨量保持穩(wěn)定；海力士在HBM等高性能存儲領域的領先帶來2Q-4Q23年內(nèi)存供應量20以上的增長，預計24年將回落至穩(wěn)定供應狀態(tài)；合肥長鑫在自主研發(fā)驅(qū)動下2Q-4Q23年內(nèi)存供應量增速均超30。圖全球內(nèi)存供應情況（按廠商，百萬GB） 圖全球內(nèi)存晶圓產(chǎn)出量（千片）資料來源：IDC， 資料來源：IDC，下游應用多樣化，利基存儲迎增量市場代碼型閃存芯片、EEPROMDRAM。由于汽車、工業(yè)等下游應用數(shù)據(jù)采集分散化，數(shù)據(jù)量不大但對穩(wěn)定性、可靠性要求較高，包NORFlashSLCNANDFlashSLC2DNANDMLC、TLC2DNAND3DNAND，擦寫次數(shù)為幾百次至數(shù)千次，SLC2DNANDNORFlash1Mbit-1Gbit，具有可靠性及穩(wěn)定性較高、讀取速度較快、讀取功耗及待機功耗較低等優(yōu)勢，通常用于中小容量代碼的存儲和快速讀取。圖33：利基存儲的概況資料來源：兆易創(chuàng)新、美光、Yole、IDC，21164Yole21-27NorFlash354914億美元增至15億美元；21年SLCNAND占NAND市場3不到，對應市場規(guī)模約為25DRAMTrendforce21（消費、工控等）90DDR4、DDR3L圖34：利基存儲競爭格局資料來源：各公司招股說明書，ICinsights，利基存儲市場海外廠商逐步退出，中國臺灣廠商占較大份額ICinsightsNORFlash91％；其中華邦電子占35％旺宏電子占33％，兆易創(chuàng)新占23。在SLCNandFlash領域，供應商主要為中國臺灣廠商，華邦電子、旺宏電子占據(jù)了較高的市場份額。在中小DRAM設計與IDM共同推進，國產(chǎn)內(nèi)存顆粒廠商加速發(fā)展中國存儲需求占全球30以上，目前自給率低于15，國產(chǎn)內(nèi)存顆粒原廠加速發(fā)展。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，22年中國市場DRAM、NAND銷售量分別占全球的30、33，對應市場容量為240億美元194億美元市場空間巨大而國產(chǎn)自給率低于15。（與設備供應商共同加速發(fā)展。圖35：全球內(nèi)存市場分布（按區(qū)域）資料來源：Yole，長江存儲是中國領先的NAND制造商，目前正在國內(nèi)出貨64層和128層NAND，其中232層憑借其創(chuàng)新的Xtacking3.0架構已進入早期生產(chǎn)階段。173DNAND,19TLC3DNAND,20TLC/QLCXtacking20。圖36：中國存儲產(chǎn)業(yè)鏈資料來源：Yole，20165DRAM20178GBDDR42020-21DRAM22DRAMDDR4LPDDR4（相當1x）目前正在量產(chǎn)。圖37：中國晶圓制造設備供應商資料來源：Yole，國產(chǎn)設備供應商漸成熟，關鍵設備瓶頸有望逐步突破。TSVHBMTSV2010TSVPrimoTSV?812ALDHBMALDHBMSKHigh-K、硅金屬前驅(qū)體產(chǎn)品覆蓋先進1bDRAM、200層以上3DNAND3nmALDPEALDSiSiNThemalALDAl3下游存儲模組-存儲與終端的橋梁MANDFlash模組-SSD與嵌入式存儲為主要應用形式固態(tài)硬盤(SolidStateDriveSSD)將存儲半導體作為存儲介質(zhì)的大容量存儲設備。相比機械硬盤(HardDiskDrive，HDD)，SSDSSDNANDFlashDRAMSSDNANDFlash圖38：企業(yè)級SSD結構資料來源：憶恒創(chuàng)源招股說明書，SSDSSDSSDSSDSSDSSD圖39：企業(yè)級SSD與消費級SSD對比資料來源：憶恒創(chuàng)源招股說明書，solidigm，YoleSSD290670為15其中以服務器應用為主的企業(yè)級市場為主要增長點年復合增速為18而消費類市（包括臺式機筆記本電腦渠道分銷和游戲系統(tǒng)需求疲軟，對應度和增速為5在服務器和外置存儲等企業(yè)級市場為應對高吞吐低延遲NANDSSDIDC1.32021–2026圖40：22-28年企業(yè)級SSD與消費級SSD市場增量資料來源：Yole，SSD供應商主要分為原廠和模組廠商:內(nèi)存顆粒原廠主要聚焦企業(yè)級等高性能SSDNAND圖41：SSD產(chǎn)業(yè)鏈概況與模組廠商競爭要素資料來源：Yole，全球渠道SSD出貨量模組廠商占約58，我國內(nèi)存模組廠商江波龍消費級品牌雷克沙、朗科與創(chuàng)見均位列前十。SSD21年全球渠道SSD出貨量模組廠商市占前三名為金士頓（Kingston）、威剛（ADATA）、金泰克（Kimtigo）SSD江波龍消費級品牌雷克（7（6與創(chuàng)（6）SSD表5：2021年全球前十大SSD模組廠自有品于SSD渠道市場出貨市占率排名排名公司市占率排名公司市占率1Kingston266Transcend（創(chuàng)見）52ADATA87Powev(嘉合勁威)43Kimtigo(金泰克)78Colorful(七彩虹)44Lexar(雷克沙)69GIGABYTE(技嘉科技)35Netac(朗科)610Teclast(臺電)3Others28資料來源：TrendForce，SSD16以中國企業(yè)級外置存儲市場為例該領域內(nèi)存應用有HDD轉向根據(jù)IDC2273.12694.6復合增長率為6.7，高于全球行業(yè)增速。根據(jù)Trendforce數(shù)據(jù)，目前全球企業(yè)級SSD主要以NAND原廠為主占SSD市場總量的82，由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SKSolidigmIDC數(shù)據(jù)，21SSD32.89.3，憶恒創(chuàng)源占4.2，浪潮占1.2，大普微1.2。圖IT）圖2021SSD資料來源：IDC， 資料來源：IDC，自研控制器芯片、固件設計和封裝測試是進入企業(yè)SSD市場的關鍵要素。以憶聯(lián)（UnionMemory）為例，該公司是國內(nèi)少有的具備端到端供應能力和完整產(chǎn)品矩陣的固態(tài)存儲技術供應商。憶聯(lián)與鎧俠、長江存儲及其他內(nèi)存顆粒供應商構建了穩(wěn)定的供應鏈關系，同時借由股東記憶集團形成囊括內(nèi)存模組、存儲部件、智能RAIDSSDeMMC、UFS、ePOP、eMCP、SLCNANDLPDDRSK圖和UFS市場中的各應用領域出貨占比 圖的供應商市場占比資料來源：IDC， 資料來源：IDC，DRAM模組：服務器為主要增長來源內(nèi)存模組是指一系列由動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）DIMMDRAMPCB圖46：內(nèi)存模組示意圖資料來源：海力士，2022-20285.116.5YoleRDIMMRDIMM出貨量年復合增速達15，LRDIMM和其他服務器內(nèi)存模組增速為21。相反，由PCDDR5價格高昂，在22DDR5價格下滑，同時超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心需求提升，推動了服務器市場對高性能DDR5的需求，DDR5DIMM圖47：內(nèi)存模組示意圖資料來源：Yole，穩(wěn)定與利潤并存的行業(yè)級市場：以宜鼎國際為例SSD2005DRAM23SSDDRAM表6：行業(yè)級SSD需要滿足不同細分場景的需求SSD分類消費級企業(yè)級行業(yè)級細分場景筆記本、臺式機、一體機、游戲機、網(wǎng)絡終端數(shù)據(jù)中心、云計算、大數(shù)據(jù)、高頻交易系統(tǒng)等安防監(jiān)控5G/網(wǎng)通航天AIoT/邊緣計算場景特點“7x8小文件讀寫多、有一定容錯空間高并發(fā)、大壓力、“7x24小時”全天候、數(shù)據(jù)敏感全天候、數(shù)據(jù)敏感需要實時處理巨型網(wǎng)絡與龐大數(shù)據(jù)量極溫、強沖擊等極端條件、設備更換困難存儲與計算靠近數(shù)據(jù)源、場景與情況復雜多樣核心要求低成本、低功耗、溫控能力數(shù)據(jù)安全與糾錯、穩(wěn)定可靠穩(wěn)定連續(xù)且安全的數(shù)據(jù)記錄高性能、穩(wěn)定性、適配性、耐用性最作高的穩(wěn)定性、操可靠性和使用壽命要求高傳輸速率、可靠性、安全性、強固性典型產(chǎn)品XP2100PCIeSSDPBlaze665412.5"SATASSD3TV6-PU.2SSD4TG2-P2.5”InnoAGESATASSD3TI72.5”SATASSD3TS6-P廠商讀/寫速度順序（MB/s）：4900~5300/2000~4900隨機（IOPS）：270K~860K/470K~860K隨機（IOPS）：1050K~1100K/150K~440K510/460順序（MB/s）：7150/6150順序（MB/s）：560/3304K(IOPS)：85000/70000順序（MB/s）：510/4604K(IOPS)：84000/58000容量256GB~1TB1.6TB~7.68TB128GB~4TB512GB~8TB64GB~1TB200GB~3.2TB壽命—1DWPD、3DWPD3000P/Ecycle—最大功耗(W)5.014.03.513.53.64.1環(huán)境溫度（°C）0~+700~+35-55~+95-40~+85-55~+95-40~+85MTBF>150萬小時>200萬小時>300萬小時資料來源：公司官網(wǎng)、公司公告、Know-how。SSDSSDknow-howiSLC3DTLC33圖48：宜鼎毛利率高于同行資料來源：Yole，行業(yè)客戶廣泛且穩(wěn)定，宜鼎毛利顯著高于同行且波動性較小。近五年來，公司各客戶銷售額占比均超過百分之十，客戶分散，少量多樣的生產(chǎn)方式與長期穩(wěn)定供貨使得公司不受特定企業(yè)或行業(yè)的周期波動影響。在此基礎上，工業(yè)級需求相對穩(wěn)定，相比消費級為主的公司，其毛利率水平較高，且在行業(yè)下行周期內(nèi)，公司毛利率仍能保持持續(xù)增長。模組側配套芯片-存儲功能實現(xiàn)的核心NANDFlash模組主控芯片存儲主控芯片是存儲器的大腦，負責調(diào)配存儲芯片的存儲空間與速率，在存儲器中與存儲芯片搭配使用。存儲單元是存儲顆粒中的最小單位，其器件特性往往會導致存放在存儲顆粒中的數(shù)據(jù)因揮發(fā)而產(chǎn)生數(shù)據(jù)錯誤或數(shù)據(jù)丟失，存儲控制芯片能夠通過數(shù)據(jù)存儲管理和數(shù)據(jù)糾錯，有效降低上述數(shù)據(jù)錯誤或丟失的概率，增強存儲顆?？煽啃?。同時，存儲控制芯片能夠?qū)?shù)據(jù)在存儲單元間進行有效分配并優(yōu)化其利用效率，有效延長存儲顆粒的使用壽命。此外，終端應用場景所采用的不同類型存儲協(xié)議組合各不相同，存儲控制芯片可通過處理不同協(xié)議確定合適的數(shù)據(jù)管理方式。圖49：存儲器控制芯片功能示意圖資料來源：得一微招股說明書，全球SSD主控芯片消費級市場(占80+)第三方主控芯片供應商占比持續(xù)提升根據(jù)CFM存場據(jù)201全球SSD控片貨為4.08顆長16.7。其中消費類SSD主控芯片出貨量占比為83.86，企業(yè)級SSD主控芯片占比為12.41工業(yè)級SSD主控芯片占比為3.73預計隨著國內(nèi)SSD市場規(guī)模的擴張，SSDSSD20年45提升至22年55。圖年全球SSD主控芯片出貨量情況 圖消費級SSD存儲控制芯片市場情況 資料來源：CFM閃存市場，聯(lián)蕓科技， 資料來源：CFM閃存市場，聯(lián)蕓科技，CFM214.0845慧榮科技占比最高26聯(lián)蕓科技占7.5，位列第二，得一微市占率約為1.8。圖52：SSD主控芯片產(chǎn)業(yè)鏈市場份額資料來源：聯(lián)蕓科技，得一微，控制芯片設計公司面向存儲顆粒廠、存儲控制芯片公司、存儲模組廠、終端應用IPIP表7：消費級、工業(yè)及企業(yè)級SSD主控芯片對比，以PCIeGen4x4為例類型/領域 消費級 工業(yè)級 企業(yè)級側重功能高峰值性能，功耗，低成本高可靠性，數(shù)據(jù)完整性性能平穩(wěn)，響應延遲低，高可靠性，數(shù)據(jù)完整性峰值性能 順序讀7GB/s順序?qū)慡.W6.4GB/s順序讀7GB/s順序?qū)慡.W6.4GB/s順序讀7GB/s順序?qū)慡.W6.4GB/s全速功耗 =1.6W ~=1.6W ~=3W空閑功耗 -100mW 1-100mW 1W睡眠功耗 <1mW <1mW -溫度范圍 0-70℃ -40-85℃ 0-70℃DRAM 可選 可選 必選控制器成本低 中 高功能 深度睡眠成本：軟硬件協(xié)同高可用數(shù)據(jù)緩存管理三級映射表項管理多項硬件加速引擎

PCIe資料來源：聯(lián)蕓科技、工業(yè)級、企業(yè)級市場主控芯片進入門檻相對較高。SSDSSDSSDIPSSDSSDSoCIP圖53：企業(yè)級產(chǎn)品毛利率較高（聯(lián)蕓科技為例）資料來源：聯(lián)蕓科技，SSDSSDSSDSSDSSDSSDSSD20-21年銷售產(chǎn)品為封裝測試后芯片，定價較高，22SSDDRAM模組配套芯片內(nèi)存接口芯片CPUCPU對內(nèi)存模組日益增長的高性能及大容量需求。內(nèi)存接口芯片需與內(nèi)存廠商生產(chǎn)的CPUOEMDDR4DDR5二是數(shù)據(jù)緩沖器（DB），用來緩沖來自內(nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號。RCDDB圖54：內(nèi)存接口芯片示意圖資料來源：瀾起科技，內(nèi)存模組配套芯片市場21-28年年復合增速約為28。DDR5內(nèi)存模組上除了內(nèi)存YoleDDR5RCDDBPMICSPDHub2028DDR521年7.1億美元增至約40億美元，年復合增速約為28。圖55：2021-2028內(nèi)存模組配套芯片市場空間（億美元）資料來源：瀾起科技，相關公司深科技（000021.SZ）深科技是全球領先的專業(yè)電子制造企業(yè)。公司以存儲半導體、高端制造、計量智能終端為三大主營業(yè)務，業(yè)務主要涵蓋存儲半導體封測、計量系統(tǒng)及相關業(yè)務的研發(fā)生產(chǎn)以及醫(yī)療電子設備、汽車電子、消費電子、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、新型智2015(DRAM、NANDFLASH20226.53億元，同比增加112.34。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（）資料來源：， 資料來源：，DRAM/Flash/SSD（Bumping）（Flip-chip）POPt16IntelCPUIntel圖58：公司存儲半導體業(yè)務構成資料來源：公司公告，存儲先進封測與模組制造項目穩(wěn)步推進。202112202251.5片（DRAM、LPDDR4、LPDDR5、eSSD、eMMC）82023202410/月動態(tài)存儲晶圓封裝測試、2/246/月內(nèi)存模組的有效產(chǎn)能。兆易創(chuàng)新（603986.SH）NORFlash主要產(chǎn)品包含以閃存芯片（NORFlash、NANDFlash）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）ARM32MCU品。MCU2018-202237.9；扣非歸母凈利潤年均復合增長率51.7。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 資料來源：， 資料來源：，NORFlashDRAM2260，NORFlash產(chǎn)品目前主要工藝節(jié)點在55nm工藝制程，車規(guī)產(chǎn)2Mb-2Gb22NORFlash180NANDFlash產(chǎn)品38nm24nm工藝節(jié)點均實現(xiàn)量產(chǎn)，1Gb-8GbDDR3、DDR4（包括機頂盒、電視、智能家居等）、工業(yè)安防、網(wǎng)絡通信等領域均有銷售。圖61：主要產(chǎn)品布局資料來源：公司公告，公司官網(wǎng)，22年公司工業(yè)、網(wǎng)通等領域的收入帶動MCU業(yè)務收入增長約3.73億元（YoY+15.19MCU32Arm?通用MCU營收占比超過50。公司3Q22推出第一顆車規(guī)MCU產(chǎn)品，針對車身域關鍵應DESIGNIN25MCU北京君正（300223.SZ）IC2020目前擁有存儲芯片、模擬與互聯(lián)芯片、微處理器芯片和智能視頻芯片等多個業(yè)務產(chǎn)品線，在汽車電子、工業(yè)、醫(yī)療、安防監(jiān)控、IOTOmdia2022SRAM、DRAM、NorFlash產(chǎn)品收入在全球市場中分別位居第二位、第七位、第六位；并購北京矽成后，公司20-22年營業(yè)收入年均復合增長率為57.9；扣非歸母凈利潤年均復合增長率超500。圖62：公司歷史沿革資料來源：公司公告，公司官網(wǎng)，圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（）資料來源：， 資料來源：，2022公司存儲業(yè)務收入達到40.5億元，同比增長12.8，毛利率為36.9（YoY+6.5pct）。公司存儲芯片分為SRAM、DRAM和Flash三大類別。SRAMSynchSRAM、AsynchSRAMQDRSRAMSDRDDR1DDR2LPDDR2DDR3DDR4LPDDR4LPDDR42GLPDDR24GLPDDR4256K至1GNORFlash圖65：“計算+存儲+模擬”的產(chǎn)品戰(zhàn)略資料來源：公司公告，22年存儲芯片營收在汽車上的占比超過40，工業(yè)醫(yī)療占比超30。2022年，汽車、工業(yè)等領域不斷有客戶成功完成8GbLPDDR4NORFlashTier1SRAM和車規(guī)DRAM在全球車規(guī)細分市場均名列前茅。目前，存儲芯片營收在汽車上的占比超過40，工業(yè)醫(yī)療占比超30。東芯股份（688110.SH）東芯股份聚焦中小容量存儲芯片，是目前國內(nèi)少數(shù)能夠同時提供NANDFlash、NORFlash、DRAM產(chǎn)品廣泛應用于網(wǎng)絡通信、監(jiān)控安防、消費類電子、工業(yè)與醫(yī)療等領域。公司的存儲芯片產(chǎn)品具有低功耗、高可靠性等特點，目前已進入三星電子、海康威視、歌爾股份、傳音控股等國內(nèi)外知名客戶的供應鏈體系。憑借SLCNANDFlash2DNANDFlash細分市場，2018-2022年公司營業(yè)收入年均復合增長率22.4毛利率從22.3升至40.6，并實現(xiàn)扭虧為盈。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 資料來源：,公司公告， 資料來源：,公司公告，1xnmNANDFlash、48nmNORFlash1xnmNANDFlashNORFlash48nm制程上持續(xù)進行更高容量的新產(chǎn)品開發(fā)，512Mb、1GbNORFlashLPDDR4xPSRAM產(chǎn)品均已完成工程樣片并已通過客戶驗SLCNANDFlash產(chǎn)品通過了聯(lián)發(fā)科、瑞芯微、國科微、博通等行業(yè)內(nèi)NANDFlash24nm，在全球最大的存儲芯片代工廠力積電穩(wěn)定量產(chǎn)。在封裝測試方面，公司與紫光宏茂、華潤安盛、南茂科技、ATSemicon圖68：公司產(chǎn)品進展資料來源：公司招股說明書，下游通訊占比50車規(guī)產(chǎn)品通過AEC-Q100測試目前公司下游應用占比通訊超50，監(jiān)控安防及工控占比約20，以穿戴設備為主消費類占20左右?；谥行?8nmSLCNANDFlash48nmNORFlashAEC-Q100普冉股份（688766.SH）NORFlashEEPROMWeb-FeetResearch2021SerialNORFlashEEPROM列全球第六，國內(nèi)第二。在NORFlash和EEPROM業(yè)務迅猛增長的帶動下，2018-2022年公司營業(yè)收入年均復合增長率50.9扣非歸母凈利潤年均復合增長率27.4。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 資料來源：,公司公告， 資料來源：,公司公告，NORFlashEEPROMNORFlash512Kbit-128Mbit，SONOS40nmFlashTWSBLEAMOLEDEEPROM2Kbit-2Mbit，130nmEEPROM在車身攝像頭和車載中控應用上實現(xiàn)了海外客戶批量交付。表8：公司NORFlash和EEPROM產(chǎn)品的應用領域產(chǎn)品容量應用領域觸控芯片、網(wǎng)絡設備、計算機周邊等AMOLED屏幕、BLE、TWS藍牙耳機、指紋識別、Ukey、ETC、IoT、可穿戴設備等TWS藍牙耳機、可穿戴設備、LTE、IoT、家用電器等家用電器、BLE、觸控芯片、計算機周邊、網(wǎng)絡設備等攝像頭模組、BLE、家用電器、計算機周邊、可穿戴設備、網(wǎng)絡設備等工業(yè)控制、家用電器、計算機周邊、屏幕觸控、網(wǎng)絡設備等高速寬帶通信、數(shù)據(jù)中心等512Kbit-1MbitNORFlash2Mbit-16Mbit32Mbit-128Mbit2Kbit-8KbitEEPROM16Kbit-128Kbit256Kbit-1Mbit2Mbit資料來源：公司官網(wǎng)，公司公告，“存儲+MCU2022年營收達5299萬元，2022VCMDriverARM32M0+MCU60BMS監(jiān)測保護等領VCMDriver1.2VVCMDriverVOIS憶恒創(chuàng)源（非上市公司）憶恒創(chuàng)源是國內(nèi)領先的企業(yè)級SSD產(chǎn)品及技術服務提供商，公司的核心技術產(chǎn)品及服務包括PBlaze5SSDPBlaze6SSDSSD打企級SSD場間201-202司業(yè)入均合長率27.。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 資料來源：,公司公告， 資料來源：,公司公告，公司企業(yè)級SSD的20年國內(nèi)市占率約為4；企業(yè)級PCIeSSD國內(nèi)市占率約為7為國產(chǎn)廠商第一公司是國內(nèi)最早發(fā)布使用NVMe協(xié)議企業(yè)級SSD產(chǎn)品的廠商，PBlaze5Pblaze6系列產(chǎn)品均采用NVMe協(xié)議，累計出貨量達到數(shù)十萬片。22-23PBlaze66531PBlaze665413DNAND閃存的企業(yè)級SSD。公司目前已覆蓋國內(nèi)外主流服務器廠商，產(chǎn)品部署于美團、快手等互聯(lián)網(wǎng)知名企業(yè)以及中國移動、中國聯(lián)通、中國電信等三大運營商的數(shù)據(jù)中心，在數(shù)據(jù)庫、虛擬化、云計算、大數(shù)據(jù)和人工智能等領域廣泛應用。圖73：公司產(chǎn)品迭代歷程資料來源：公司官網(wǎng)，公司公告，江波龍（301038.SZ)FORESEELexar，（SSD）備、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子等行業(yè)。2019-2022年公司營收年均復合增長率為13.3根據(jù)TrendForceCFM和Omdia的統(tǒng)計，2019LexarSSDeMMC全球第七名；2021年1-9月，LexarLexar閃存盤全球市場份額位列第三名。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（） 資料來源：， 資料來源：，車規(guī)與企業(yè)級嵌入式存儲已推出，SLCNAND公司嵌入式存儲eMMCUFSDRAMLPDDR5FROESEESLCNANDBroadcom20100SSDSSDTier1PCIeeSSDRDIMM產(chǎn)品有望逐步放量，未來在面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級存儲領域?qū)⒓铀贊B透。圖76：公司布局資料來源：公司招股說明書、公司公告，SMART公司和全球最大的第三方存儲芯片封測廠商力成科技達成協(xié)議，收購其全資子公司力成蘇州股權力成科技存儲芯片封測工藝和技術全球領先力成蘇州前身為超微半導體和飛索半導體，其主要業(yè)務包括閃存芯片、內(nèi)存芯片及邏輯芯片封裝、測2012SMART81股權，持續(xù)擴大在海外市場的布局。佰維存儲（688525.SH）eMMCUFS2.4，排名全球第8，國內(nèi)第2；其主要產(chǎn)品包括嵌入式存儲、消費級存儲、工業(yè)級存儲及先進封測服務。此外，公司自建封測廠并利用富余產(chǎn)能對外承接存儲器與SiP16Die、30-40μmDie、多芯片異構集成等封裝工藝2019-2022公司營收復合增速為36.5歸母凈利潤復合增速為56.3。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（）資料來源：， 資料來源：，公司覆蓋行業(yè)主流客戶，是國內(nèi)存儲器廠商中通過SoC及服務器廠商，中興、創(chuàng)維、兆馳、朝歌、九聯(lián)、兆能等通信設備廠商，Google、Facebook、步步高、傳音控股、TCL、科大訊飛、富士康、華勤技術、聞泰科技、天瓏移動、龍旗科技、G7SoCGoogle、SoC圖79：公司布局資料來源：公司招股說明書、公司公告，公司自建存儲封測產(chǎn)線，未來部分對外代工，有望發(fā)展成公司業(yè)務新增點。公司SiPDieFlipChip等先進封裝工藝生產(chǎn)及面向ToBSiPFC3D聯(lián)蕓科技（非上市公司）聯(lián)蕓科技是全球出貨量排名前列的獨立固態(tài)硬盤主控芯片廠商，產(chǎn)品包括數(shù)據(jù)存AIoT2019-202246.2。圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品或服務營收結構（）資料來源：聯(lián)蕓科技招股說明書， 資料來源：聯(lián)蕓科技招股說明書，固態(tài)硬盤主控芯片出貨量全球排名第二，AIoT30SATAPCIeGen3PCIeGen4列的全覆蓋，并向PCIeGen5固態(tài)硬盤主控芯片和嵌入式存儲主控芯片延伸，2021年固態(tài)硬盤主控芯片出貨量占比達16.67全球排名第二，2019-1H2022數(shù)5000AIoTAIoT2-3年內(nèi)將逐步量產(chǎn)，成為公司業(yè)績第二增長點。圖82：公司未來布局及項目規(guī)劃資料來源：公司公告，IP22目前公司已掌握高速數(shù)據(jù)IPCPUSOCNANDNAND（無外置緩存7400MB/sSSD4.7396012AIoT得一微（非上市公司）IP圖公司營收、扣非歸母凈利潤（億元）及毛利率 圖公司近五年主營業(yè)務分產(chǎn)品營收結構（）資料來源：,公司公告， 資料來源：,公司公告，公司近三年累計研發(fā)投入金額超3.9億元占同期累計營收比例為36.2021年公司SSD存儲控制芯片出貨量超過1300萬顆全球市占率達4年營業(yè)收入年均復合增長率143.3毛利率由7.90升至18.80公司存儲控制芯片已供貨在朗科科技、臺電、七彩虹、江波龍等知名存儲模組廠，存儲解決方案應用于松下電器、長江存儲、兆易創(chuàng)新、阿里巴巴、國家電網(wǎng)等各行業(yè)知名終端客2019-1H22IC40080。圖85：得一微存儲控制芯片業(yè)務產(chǎn)品布局資料來源：公司官網(wǎng)，公司公告，12/PCIe/車規(guī)級的嵌入式存儲控制器項目SiliconGoeMMCOEMTier1SiliconGo20-50不等，待機狀態(tài)下能耗僅為同類產(chǎn)品的28。瀾起科