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文檔簡介
2023年研究生類研究生入學(xué)考試專業(yè)課電氣與電子信息題庫卷I一.歷年考點試題黑鉆版(共50題)1.圖1(a)所示電路的有向圖如圖1(b)所示,選支路1、2、4、7為樹,用矩陣形式列出其回路電流方程。各支路電阻均為5Ω,各電壓源均為3V,各電流源均為2A。
圖12.輸出高電平有效的4線-16線譯碼器的輸入ABCD=1010時,輸出Y15~Y0=______。3.直接把兩個門的輸出連在一起實現(xiàn)“與”邏輯關(guān)系的接法叫______。4.確定使得以下系統(tǒng)可觀測的a、b。
5.信號e-αtu(t),α>0的拉氏變換及收斂域為______。
A.
B.
C.
D.6.設(shè)離散系統(tǒng)的系統(tǒng)函數(shù)為H(z),其階躍響應(yīng)為g(k)。試證,如果該系統(tǒng)是穩(wěn)定的,則有g(shù)(∞)=H(1)。7.所謂三極管工作在倒置狀態(tài),是指三極管______。A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏B.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏C.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏8.零輸入響應(yīng)是______。A.全部自由響應(yīng)B.部分自由響應(yīng)C.部分零狀態(tài)響應(yīng)D.全響應(yīng)與強(qiáng)迫響應(yīng)之差9.電路如圖所示,試求出各個節(jié)點電壓及電流源發(fā)出的功率。
10.如圖所示的周期性電流源iS(t)施加在由L=5mH和R=0.5Ω組成的RL串聯(lián)支路上,其中激勵電流的工作頻率為100Hz。(1)分別畫出電感L、電阻R、L和R串聯(lián)支路兩端的電壓波形圖(標(biāo)出關(guān)鍵參數(shù)值);(2)求激勵電流值的有效值;(3)求儲存在電感中的最大能量。
11.已知系統(tǒng)的狀態(tài)方程為
初始條件為x1(0)=1,x2(0)=0。試求系統(tǒng)的單位階躍響應(yīng)。12.設(shè)連續(xù)系統(tǒng)的系統(tǒng)函數(shù)為H(s),其階躍響應(yīng)為g(t)。試證,如果該系統(tǒng)是穩(wěn)定的,則有:g(∞)=H(0)。13.74LSl38為3-8譯碼器,其輸出為低電平有效,比如在使能端有效情況下,輸入CBA=011時,輸出Y3端為0,除Y3外的其他輸出為1。已知利用74LSl38構(gòu)成的組合邏輯電路的輸入波形W、X、Y和輸出波形F如圖所示,該電路的電路圖可能為______。(圖中74LS20為與非門)。
A.
B.
C.
D.14.電路如圖1所示,設(shè)開關(guān)S動作前電路已處于穩(wěn)態(tài),t=0時開關(guān)S由a扳向b。試求t≥0+時的uC(t)、iC(t)及i(t)。
圖115.電路如圖所示,求2Ω電阻吸收的功率。
16.如下圖所示,雙管Pin管相當(dāng)于歸一化電阻R1和R2(正向運(yùn)用),兩管間隔θ=90°,求輸入端匹配時的的關(guān)系式。
17.已知ROC為|z|<1,求x[n]。18.如果晶體三極管的______,則該管工作于飽和區(qū)。A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏B.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏C.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏19.(001111110001.01011111)2421BCD表示的十進(jìn)制數(shù)為______。20.寫出如圖所示各電路的輸出函數(shù)表達(dá)式。
21.利用DFT的卷積性質(zhì)求題中各對序列的4點循環(huán)卷積。
(1)f1(k)={4,2,10,5},f2(k)={3,7,9,11}
(2)f1(k){1,2,3,4},f2(k)={1,1,1,1}
(3)f1(k){1,1,1,1},f2(k)={1,1,1}
(4)f1(k){1,2,3,4},f2(k)={0,1,0}22.電路圖如下圖所示,在t=0時,開關(guān)K自“1”轉(zhuǎn)向“2”,電路參數(shù)為E=2V,C1=2F,C2=1F,R=1Ω,求電流i(t)的零狀態(tài)響應(yīng)。
23.已知系統(tǒng)開環(huán)傳遞函數(shù),試分別計算ω=0.5和ω=2時開環(huán)頻率特性的幅值A(chǔ)(ω)和相角φ(ω)。24.F[ejω0t]=______。25.如圖所示,含源二端口網(wǎng)絡(luò)N通過∏電路連接負(fù)載尺,欲使流經(jīng)R的電流為N網(wǎng)絡(luò)端口電流的,負(fù)載尺的取值應(yīng)為多少?
26.求圖電路的電壓傳輸函數(shù)。如果要求響應(yīng)中不出現(xiàn)強(qiáng)迫響應(yīng)分量,激勵函數(shù)應(yīng)有怎樣的模式?
27.在均勻電介質(zhì)中,一均勻平面波的電場為:
求電磁波的傳播方向和極化狀態(tài),若f=50MHz,求εr(電介質(zhì)的相對磁導(dǎo)率μr=1,真空中光速c≈3×108m/s)。28.如圖所示非正弦電路,,,ωL1=4Ω,ωL2=3Ω,,R=6Ω。求:
(1)電流瞬時值i(t)。
(2)電容電壓有效值UC。
(3)電阻R吸收的平均功率PR。29.如下圖所示電路,i(t)=te-tA,t>0。試求:u1(t),u2(t),u3(t)。
30.隨機(jī)存取存儲器RAM有______和______兩種類型。31.如圖1所示,試用8-3優(yōu)先編碼器74148和若干門電路,擴(kuò)展成10-4優(yōu)先編碼器,畫出連線圖。
32.已知TCP是8位雙積分型A/D轉(zhuǎn)換器的輸入時鐘周期,則完成第一次積分需要的時間是______TCP。A.8B.16C.128D.25633.硅二極管的截止條件是______,通條件是______。34.寫出下圖所示電路的節(jié)點電壓方程。設(shè)電路中各非線性電阻的伏安特性為
35.若某系統(tǒng)在f(t)激勵下的零狀態(tài)響應(yīng)則該系統(tǒng)的沖激響應(yīng)h(t)=______。36.十進(jìn)制數(shù)28.43的余3BCD碼是______。A.00111000.01000011B.01011011.01110110C.01101100.10000111D.01111101.1001100037.如圖所示為電阻梯形網(wǎng)絡(luò),圖中R、uS為常數(shù)。設(shè)各結(jié)點電壓為u(k),其中k=0,1,2,…,N為各結(jié)點序號。顯然其邊界條件為u(0)=uS,u(N)=0。列出u(k)的差分方程,求結(jié)點電壓u(k)。
38.VerilogHDL的功能描述是用來描述設(shè)計模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和模塊端口間的邏輯關(guān)系的,通常把確定這些設(shè)計模塊描述的方法稱為______。A.綜合B.仿真C.建模D.設(shè)計39.4位同步二進(jìn)制加法計數(shù)器(CNT16)的邏輯符號如圖所示,其中Q3~Q0是計數(shù)器的狀態(tài)輸出端(Q3是最高位);OC是進(jìn)位輸出端;CLK是時鐘輸入端,上升沿有效;CLR是異步清除輸入端,低電平有效;ET是使能控制輸入端,高電平有效,當(dāng)ET=1時計數(shù)器處于計數(shù)狀態(tài),當(dāng)ET=0時,計數(shù)器處于保持狀態(tài)。用VerilogHDL編寫CNT16的源程序。(VerilogHDL的關(guān)鍵字見附錄)
CNT16的邏輯符號40.如圖所示含源一端口電路在α=______時可等效為一電阻電路,電阻為______。
41.已知其中a,b為常數(shù),則Y(jω)等于______。
A.|a|F(jaω)ejabω
B.|a|F(jaω)e-jabω
C.
D.42.常用的直接型A/D轉(zhuǎn)換器有______和______兩種。43.計算卷積和:y(n)=x(n)*h(n),其中如圖所示。
44.用VerilogHDL設(shè)計一個序列長度為16的序列信號發(fā)生器時,需要設(shè)置一個______位的寄存器型變量。A.4B.8C.16D.25645.已知離散時間系統(tǒng)的系統(tǒng)函數(shù)如下,列寫系統(tǒng)的狀態(tài)方程與輸出方程。
46.含理想運(yùn)算放大器的電路如圖所示,試求輸入阻抗Zin。
47.求下圖所示二端口網(wǎng)絡(luò)的Y參數(shù)方程。
48.如圖所示的非正弦交流電路中,已知。
求:(1)電感L1的電流iL1(t)和電容C2的電壓uC2(t);
(2)uC2(t)的有效值UC2。49.電路如圖1所示,設(shè)iL(0)=0,uC(0)=0,試求電路中的響應(yīng)uC(t),t≥0。
50.在空間中任何一點,每一種獨立均勻平面波解的電場和磁場的______均相同,它們的數(shù)值之比為一常數(shù),等于______。卷I參考答案一.歷年考點試題黑鉆版1.參考答案:解:根據(jù)有向圖1(b),標(biāo)出回路情況如圖2所示,則有
圖2
R=diag[0,R2,R3,0,R5,R6,R7,R8]
=diag[0
5
5
0
5
5
5
5]
把以上各式代入
可得
2.參考答案:00000100000000003.參考答案:線與4.參考答案:,C=(1-1)
系統(tǒng)的能觀性矩陣為
rankUo=2
1-b+a≠0
因為rankUo=2,則1-b+a≠0,所以a≠b-1。5.參考答案:B根據(jù)常用拉氏變換可知e-αtu(t),α>0,Re{s}>-α。6.參考答案:解:該離散系統(tǒng)穩(wěn)定,則有
再根據(jù)階躍響應(yīng)與單位序列響應(yīng)之間的關(guān)系,有
即g(∞)存在,又根據(jù),可得
證畢。7.參考答案:C8.參考答案:B9.參考答案:解:根據(jù)圖示電路列出節(jié)點電壓方程為:
又因為:
解方程組可得節(jié)點1、2、3的電壓方程分別為:
則電壓源的功率為:
10.參考答案:由題可知周期性電流源iS(t)的周期為T=1×10-2s,振幅為4A。
(1)電感L兩端的電壓uL(t),在上升段電感L兩端的電壓為:
在下降段電感L兩端的電壓為:
電阻R的電壓uR(t)跟隨電流源iS(t)周期變化,幅值變?yōu)樵瓉淼?.5倍。
L和R串聯(lián)支路兩端的電壓u(t)就是uL(t)和uR(t)疊加的結(jié)果,如圖所示。
(2)電流源電流上升段的表達(dá)式為iS(t)=(3+800t)A
激勵電流值的有效值為:
(3)儲存在電感中的能量為:11.參考答案:由已知條件,得
u(t)=1(t),
則
12.參考答案:證:該離散系統(tǒng)穩(wěn)定,則有
再根據(jù)階躍響應(yīng)與沖激響應(yīng)之間的關(guān)系,有
即g(∞)存在,又根據(jù)可得
證畢。13.參考答案:B14.參考答案:解題過程
開關(guān)動作前,電路已處于穩(wěn)態(tài)
根據(jù)換路定律,有uC(0+)=uC(O-)=12V
當(dāng)t>0時,開關(guān)扳向b,這是求RC電路全響應(yīng)的問題。應(yīng)用戴維寧定理,開關(guān)動作之后的等效電路如圖2所示。
圖2
其中
因此τ=Req·C=3×2=6s,uC(∞)=18V
根據(jù)三要素公式,得
因為(2+4)i(t)+uC(t)=36
所以15.參考答案:解:在上圖所示的電路中,根據(jù)基爾霍夫電壓定律(KVL)和基爾霍夫電流定律(KCL)可得:
U=2I+3U
所以可以計算出:
U=-I
又因為:4(1-I)+8=U
聯(lián)立方程組:
解此方程組,可得:
所以,2Ω電阻吸收的功率為:
P=2I2=2×42=32W16.參考答案:采用矩陣解法,歸一化:
可得:
故可得關(guān)系:17.參考答案:[解]由于X(z)的收斂域是在z平面的單位圓內(nèi),因此x[n]必然是反因果信號。此時X(z)的分子和分母多項式按z的升冪次序排列成如下形式
進(jìn)行長除運(yùn)算,得
因此
于是,得到
x[n]=-nu[-n-1]18.參考答案:B19.參考答案:391.5920.參考答案:
當(dāng)EN=1時,
當(dāng)EN=0時,21.參考答案:解
本題中涉及的循環(huán)卷積的長度及DFT、FDFT的長度均為4,故只需考慮W4方陣。以下計算均利用矩陣,W4方陣直接給出其值。
(1)f1(k)={4,2,10,5},f2(k)={3,7,9,11}
先求F1(m)和F2(m)。
即
F1(m)=(21,-6+j3,7,6-j3}
F2(m)={30,-6+j4,-6,-6-j4}
則F(m)=F1(m)·F2(m)={630,24-j42,-42,24+j42}
通過IDFT,可得
即f1(k)與f2(k)的4點循環(huán)卷積結(jié)果為{159,189,135,147}。
(2)f1(k)={1,2,3,4},f2(k)={1,1,1,1}
先求F1(m)和F2(m)。
即
F1(m)={10,-2+j2,-2,-2-j2}
F2(m)={4,0,0,0}
則F(m)=F1(m)·F2(m)={40,0,0,0}
通過IDFT,可得
即f1(k)與f2(k)的4點循環(huán)卷積結(jié)果為{10,10,10,10}。
(3)f1(k)={1,1,1,1},f2(k)={1,1,1}
由第(2)小可知F1(m)={4,0,0,0},而
即
F2m={3,-j,1,j}
則F(m)=F1(m)·F2(m)={12,0,0,0}
通過IDFT,可得
即f1(k)與f2(k)的4點循環(huán)卷積結(jié)果為{3,3,3,3}。
(4)f1(k)={1,2,3,4),f2(k)={0,1,0)
由第(2)小題可知F1(m)={10,-2+j2,-2,-2-j2},而
即
F2(m)={1,-j,-1,j}
則F(m)=F1(m)·F2(m)={10,2+j2,2,2-j2}
通過IDFT,可得
即f1(k)與f2(k)的4點循環(huán)卷積結(jié)果為{4,1,2,3}。22.參考答案:23.參考答案:24.參考答案:2πδ(ω-ω0)[考點]傅里葉變換的性質(zhì)25.參考答案:解:根據(jù)如圖所示的電路,從N端口流出的電流先經(jīng)過電阻網(wǎng)絡(luò)進(jìn)而分流到電阻R,所以根據(jù)電阻網(wǎng)絡(luò)串并聯(lián)的分流關(guān)系可以計算出負(fù)載R的值。
電阻R兩端的電壓為:
所以通過5Ω電阻的電流為:
所以流經(jīng)3Ω電阻的電流為:
根據(jù)分流原理,可得:
計算得:
26.參考答案:解
由圖電路可得系統(tǒng)的電壓傳輸函數(shù)
由R(s)=E(s)H(s)可知,若要求響應(yīng)中不出現(xiàn)強(qiáng)迫響應(yīng)分量,即要求傳輸函數(shù)的分子能約掉激勵的分母部分,則激勵函數(shù)應(yīng)為
即27.參考答案:如下圖所示。
根據(jù)已知條件,有
為相位常數(shù),為電磁波傳播方向單位
所以
故為圓極化波。
又EI、ER與iβ滿足右手螺旋,所以為右旋圓極化波。
又28.參考答案:解:分析圖所示電路可知,該電路包含直流和基波兩種電壓成分、二次諧波電流成分,需要先分別對激勵成分進(jìn)行單獨計算,然后再求總和。當(dāng)直流作用時,可得:
當(dāng)基波作用時,可得:
當(dāng)二次諧波作用時,可得:
29.參考答案:解:
u1(t)=Ri(t)=2×te-t=2te-tV
u3(t)=u2(t)-u1(t)=2te-t-(t-1)e-t=(t+1)e-tV30.參考答案:靜態(tài)RAM(SRAM),動態(tài)RAM(DRAM)31.參考答案:解:畫出連接圖如圖2所示。
32.參考答案:D33.參考答案:UD<VD(0.5V),UD≥VD(0.5V)34.參考答案:解列節(jié)點①、②的KCL方程
i1+i2=12
i2+4=i3
代入非線性電阻的伏安特性,可得
35.參考答案:ε(t)或單位階躍信號[考點]時域法求系統(tǒng)沖激響應(yīng)36.參考答案:B37.參考答案:解:選取第k-1點為參考點
列寫KCL方程,得
整理即得
u(k)-2.5u(k-1)+u(k-2)=0(1)
由式(1)可得系統(tǒng)特征方程為
λ2-2.5λ+1=0
系統(tǒng)特征根為
式(1)的解為
將u(0)=uS,u(N)=0代入上式,得
c1+c2=uS
c12N+c22-N=0
聯(lián)立以上兩式,解得
所以
38.參考答案:C39.參考答案:源程序如下:
moduleCNT16(CLK,CLR,ET,Q3,Q2,Q1,Q0,OC);
input
CLK,CLR,ET;
output
Q3,Q2,Q1,Q0,OC;
reg
Q3,Q2,Q1,Q0,OC;
always@(posedgeCLKorneg
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